NL8203081A - Glas gevuld met zilver. - Google Patents

Glas gevuld met zilver. Download PDF

Info

Publication number
NL8203081A
NL8203081A NL8203081A NL8203081A NL8203081A NL 8203081 A NL8203081 A NL 8203081A NL 8203081 A NL8203081 A NL 8203081A NL 8203081 A NL8203081 A NL 8203081A NL 8203081 A NL8203081 A NL 8203081A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
silver
glass
metallization
range
paste
Prior art date
Application number
NL8203081A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Johnson Matthey Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US06/355,719 external-priority patent/US4401767A/en
Application filed by Johnson Matthey Inc filed Critical Johnson Matthey Inc
Publication of NL8203081A publication Critical patent/NL8203081A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
    • C04B41/5116—Ag or Au
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88—Metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4827—Materials
    • H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8389—Bonding techniques using an inorganic non metallic glass type adhesive, e.g. solder glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

N/31.071-Kp/Pf/vdM * - 1 -
Glas gevuld met zilver.
De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen betrekking op zilvermetalUseringen en, meer in het bijzonder, heeft de uitvinding betrekking op een met zilver gevulde glas-samenstelling, die speciaal geschikt is voor het binden van 5 silicium-halfgeleiderelementen aan substraten.
Zilvermetallisatiesamenstellingen vinden hun oorsprong in de decoratieve emaillering, maar werden reeds vroeg aangepast voor het gebruik in hybrideschakelingen op dikke film. De aandacht van de eerste onderzoekers was echter 10 gericht op het vinden van samenstellingen welke sterk hechten aan het keramische substraat. De z.g. "Scotch tape test" werd aanvankelijk de standaard voor het hechtvermogen. Knox stelde in het Amerikaanse octrooischrift 2.385.580 hoge aandelen bis-mutoxide in loodboorsilicaatglassoorten voor, welke algemeen 15 werden toegepast met zilver, maar niet bevredigend bleken met andere edele metalen. Hoffman beschreef in het Amerikaanse octrooischrift 3.440.182 de toevoeging van vanadium- en koper-oxiden ter verbetering van de hechting, de soldeerbaarheid en de geleidbaarheid van edel-metaalmetallisatiesamenstellingen 20 in het algemeen. Deze samenstellingen werden eerder gebruikt als geleiders dan als een middel voor het bevestigen van ele-menten zoals geintegreerde siliciumschakelingen aan de substrar ten.
In de laatstgenoemde kategorie waren inkten of 25 voorvormen op basis van goud het meest gebruikelijk, waarbij het bij lage temperatuur liggende goud-siliciumeutecticum werd benut voor het verkrijgen van een goede binding. Ondanks het feit dat aanzienlijke pogingen werden ondernomen de voor het maken van dergelijke bindingen benodigde hoeveelheid goud 30 te verminderen, pleit in alle gevallen waar dat mogelijk is de kostprijs van het goud tegen zijn toepassing.
De laatste jaren zijn veel inspanningen ver-richt om de noodzaak van goud voor hermetische omhullingen in de electronische Industrie te elimineren. Een van de gebieden 35 waarin het moeilijker bleek het goud te elimineren was de MOS-technologie, vanwege de noodzaak van achterzijdecontact 8203081
<\ . V
- 2 - met lage weerstand; thans is goud nog steeds het materiaal bij uitstek voor deze toepassing.
Omhulling uit kunststof heeft vrijwel de nood-zaak van goud geelimineerd met uitzondering van gouden verbin-5 dingsdraden en van op de rugzijde van de wafel gedampt goud. Het goud op het raam en goudvoorvorm werden geelimineerd door de toepassing van epoxy en polyimiden gevuld met zilverschub-ben in dergelijke omhullingen.
Met zilver gevulde polyimiden werden gebruikt 10 voor de hechting van plaatjes in hermetische omhullingen. Van-wege het probleem van de uiteindelijke verknoping van polyimiden en het vrijkomen van CC>2 en H20 gedurende afsluiting is geen toepassing op significante schaal bereikt.
Er zijn geen lage-temperatuurfasen in het zil-15 ver-goudsysteem, dat een continue serie van vaste oplossingen vormt,en het zilver-siliciumsysteem heeft een eutecticum, maar dit ligt bij hoge temperatuur (boven 800°C), zodat systemen op basis van zilver wel moeten berusten op een fundamenteel ander bindingsmechanisme, waarin het zilver op zich weinig of geen 20 rol speelt.
Zo is bij toepassing van een goudvoorvorm ter bevestiging van een siliciumplaatje aan een met zilver geme-talliseerd oppervlak het mechanisme aan de ene kant het goud-siliciumeutecticum en is het aan de andere kant een vaste-25 stof-vloeistofdiffusie, waarbij het glas met betrekking tot de bindingssterkte de belangrijkste rol speelt. Aangezien deze minder is dan een metallurgische binding, zijn het thermische en het electrische geleidingsvermogen niet zo goed als wordt gewenst.
30 Zuivere glasbindingen zijn hier ook reeds ge bruikt, maar zoals te verwachten laten in afwezigheid van een geleidend element de beide geleidingsvermogens te wensen over.
Met betrekking tot de zilverpolyimidesamenstel-lingen kan worden opgemerkt dat de hoeveelheid zilver die op-35 genomen kan worden,beperkt is en dat speciale bewerking nood-zakelijk is (voor grootschalige vervaardiging is eenheid van bewerking een belangrijke overweging met betrekking tot de kosten). Het belangrijkste nadeel van polyimiden of enig ander 8203081 - 3 - organisch bindingssysteem, is het feit dat deze niet gebruikt kunnen worden in hermetische omhullingen zoals Cerdips, omdat zij vochtbinders zijn, die niet ontgast kunnen worden en zij in het algemeen niet bestand zijn tegen hoge temperaturen die 5 gebruikt worden bij het monteren van deze omhullingen.
De onderhavige uitvinding voorziet in een met zilver gevuld glas, dat sterke binding levert tussen het sili-ciumplaatje en het al dan niet gemetalliseerde substraat met regelbaar thermisch en electrisch geleidingsvermogen en dat 10 gebruikt kan worden in hermetische omhullingen.
Een algemeen doel van de onderhavige uitvinding is te voorzien in een verbeterd middel voor het binden van siliciumplaatjes aan substraten.
Een volgend doel van de onderhavige uitvinding 15 is te‘voorzien in een met zilver gevuld glas, dat geschikt is voor het verkrijgen van sterke bindingen tussen siliciumplaatjes en gemetalliseerde of kale substraten onder normale bewerkingsomstandigheden.
Nog een ander doel van de onderhavige uitvin-20 ding is te voorzien in een met zilver gevuld glas voor het binden van siliciumplaatjes aan substraten, welk glas goedko-per is dan systemen op basis van goud, een hoger geleidingsvermogen en hogere bindingsterkte vertoont dan andere zilver-of niet-metaalsystemen en dat geschikt is voor toepassing in 25 hermetische omhullingen.
Nog een doel van de uitvinding is te voorzien in een met zilver gevuld glas, dat te gebruiken is ter ver-vanging van soldeer en voor het binden van condensatorchips aan substraten.
30 Verder is nog een doel van de onderhavige uit vinding te voorzien in een met zilver gevuld glas voor het binden van siliciumplaatjes aan aluminiumoxidesubstraten, dat even goed is als bindingen op basis van het goud-silicium-eutecticum wat betreft hechtvermogen, maar dat in mindere mate 35 thermisch geinduceerde spanningen vertoont dan eutectische bindingen.
Andere doelstellingen en voordelen van de onderhavige uitvinding zullen duidelijk worden uit de volgende be- 8203081
« V
- 4 - schrijving van uitvoeringsvormen.
In het vervolg zal worden verwezen naar de bij-gaande tekening, welke een vertikale doorsnede is van een si-liciumplaatje, dat gebonden is aan een keramisch substraat 5 overeenkorastig de uitvinding.
Bij het kiezen van een zilverpoeder voor toepassing volgens de uitvinding werd vastgesteld dat zowel sferische als schubvormige poeders goed functioneren, hoewel de laatste een meer glanzend, sterker metallisch lijkend 10 uiterlijk opleveren. Van belang is dat sommige vroegere onder-zoekers schubben voor zilvergeleidingsmateriaal hebben aange-geven, maar dat was eerder voor een stroomdragende "draad" dan voor een bindingsraiddel, waar het geleidingsvermogen van belang is over de dikte en niet langs de lengte.
15 Bevredigend zilvermateriaal voor de uitvinding 2 heeft een oppervlakte in het gebied van 0,2-1 m /g en een 3 schijnbare dichtheid van 2,2-2,8 g/cm.
Het glas is het tweede sleutelbestanddeel en het is van wezenlijk belang dat het laag smeltend glas is, zo-20 dat het gesmolten is bij de temperatuur waarbij het plaatje wordt bevestigd, n.l. bij 425-450°C. De voorkeursglassoort die voldoet aan dit vereiste heeft een verwekingstemperatuur van 325°C en de volgende samenstelling:
PbO 95-96 % 25 Si02 0,25-2,5 % B2C>3 de rest.
Gevonden werd dat kleine hoeveelheden ZnO, bene-den 0,5 %, geen afbreuk doen, maar de aanwezigheid van enig natrium moet strikt worden vermeden, daar dit silicium aantast. 30 Hoewel bismutoxide ook kan worden opgenomen in laag smeltende glassoorten, is het moeilijker te malen dan loodoxide en zal het platina aantasten dat in verdere procedures wordt gebruikt. Daarom wordt de vervanging van lood door bismut niet aanbevo-len.
35 Het glas wordt gefrit en gemalen in een beker- molen uit zeer zuiver aluminiumoxide totdat het voldoet aan de volgende specificaties: 2
Oppervlakte: 0,3-0,6 m /g schijnbare dichtheid: 2,8-3,6 g/cm 3 8203081 ΐ ·► - 5 -
In het algemeen kunnen glassoorten met een ver-wekingspunt in het gebied van 325-425°C en een thermische uit-zettingscoefficient niet hoger dan ca. 13 ppm/°C, bij voorkeur in het gebied van 8-13 ppm/0C, worden gebruikt.
5 Het verwekingspunt moet tenminste 325°C bedra- gen om te verzekeren dat alle organische materialen verbrand worden. Wanneer het verwekingspunt hoger is dan 425°C zal het glas niet voldoende vloeibaar zijn bij de temperatuur waarbij het plaatje wordt bevestigd. Het glas wordt vervolgens gemengd 10 met de onderstaand te beschrijven drager (80 % vaste stoffen) en vermalen op een 3-walsmolen tot een deeltjesgrootte (F.O.G.) van 7-8 ^im.
Deskundigen zullen onderkennen dat de keuze van de drager niet kritisch is en dat talloze geschikte dragers 15 direct beschikbaar zijn. Natuurlijk moet de verbranding volle-dig zijn bij de aangegeven temperaturen. De in het onderhavige geval gekozen drager bevatte: ethylmethacrylaat 12 %
Terpineol 88 %.
20 Daarop wordt het zilver toegevoegd aan de glaspasta in de onderstaand besproken gewenste zilver : glas-verhouding, maar binnen de grenzen van 25 : 75 en 95 : 5. Het percentage (tota-le) vaste stoffen wordt daarop gebracht in het gebied van 75-85 % door toevoeging van meer van de drager. Buiten dit ge-25 bied wordt de waarschijnlijkheid van het optreden van rheolo-gische problemen te groot. In het algemeen verdient een vaste-stofgehalte in het gebied van 80-83 % de voorkeur. In dit gebied zal in het algemeen de pasta een viskositeit van 20-22 Pa.s hebben, gemeten op een Brookfield RVT-viscometer, met een 30 TF-as bij 20 rpm en 25eC.
De toepassing van de pasta is in wezen de ge-bruikelijke. Afhankelijk van deze toepassing wordt een punt-vormig, vierkant of netvormig gebied aan pasta opgebracht op een gemetalliseerd of kaal laagvormig (keramisch) substraat, 35 waarbij machinaal aanbrengen, zeefdruk of stempeltechnieken evenzeer bruikbaar zijn. Indien puntvormig is de grootte van de punt ca. 25 % groter dan die van het plaatje. Het plaatje wordt bevestigd door het plaatje in het midden van de vochtige 8203081 - 6 - pasta te plaatsen en het te vatten door toepassing van druk, zodat de pasta tot ca. halverwege de zijde van het plaatje wordt opgedrukt en een dunne film onder het plaatje achter-laat. Het drogen in een oven wordt uitgevoerd bij 50-75°C ge-5 durende 20-40 min. Het verbranden van het organische materiaal wordt uitgevoerd in cycli van 15-20 min met 2-3 min bij een piektemperatuur in het gebied van 325-450°C. In de bijgaande tokening wordt een substraat 10 getoond met een plaatje 12 daaraan bevestigd met een laag van met zilver gevuld glas 14, 10 welke omhoog gedrukt is rond de randen gedurende het "vatten". Voor proefdoeleinden werd de omhulling onderworpen aan een nagebootste (omhullings)-afdichtingscyclus in het gebied van 430-525°C, met 15 min bij 430°C.
Anderzijds kan het plaatje bevestigd worden 15 door bekende schrobtechnieken of kan ook hete-fasefibratie-binding worden toegepast.
Een verrassend aspect van de uitvinding is het feit dat de mechanische sterkte van de binding evenredig is met het zilvergehalte. Bij toepassing van een standdaard- .
20 stoottest (Mil. Spec. 883B, methode 2019.1) werd een traject van 5-17 lbs (2,27-7,71 kg) geregistreerd over het zilvertra-ject van 30-95 %. Zoals te verwachten neemt het electrische geleidingsvermogen tevens toe met het zilvergehalte. Bij de benedengrens is de weerstand te vergelijken met de commerciele 25 epoxies, (25-35 ^ifi.cm) bijv. EPO-TEK P-10 en deze daalt tot 5-10 yafi.cm bij hogere zilvergehalten.
Bij gemetalliseerde substraten worden aanvaard-bare bindingen verkregen bij Ag - glasverhoudingen van 27 : 75 tot 95 : 5. Op kaal aluminiumoxide verdient het de voorkeur 30 deze verhouding te houden tussen 50 : 50 en 90 : 10. Opgemerkt wordt dat "aanvaardbaar" in dit verband gedefinieerd is als duidelijk boven de Mil. Spec, van 4,2 lbs (1,91 kg).
Waar zowel bindingssterkte als geleidingsvermogen toenemen met het zilvergehalte werpt zich de vraag op met 35 betrekking tot het nut van de samenstellingen met laag zilvergehalte en hoog glasgehalte. Het antwoord hangt in het algemeei af van de gewenste toepassing. Meer in het bijzonder worden wanneer het plaatje bevestigd moet worden met behulp van me- 8203081 i f - 7 - chanische schrobmiddelen, zeer goede bindingen verkregen met zilver in het gebied van 25-40 %. In situaties waarbij het ge-wenst is dat het plaatje tot een bepaalde diepte in de inkt wordt afgezonken, verdienen de hogere zilververhoudingen de 5 voorkeur. Bij de bovengrens met zeer hoog zilvergehalte (bijv. 75-95 %) geven proeven aan dat de inkt op een kaal substraat kan worden aangebracht en dat de chip met goede resultaten ultrasoon omlaag gewerkt kan worden. Erg ver boven 90 % zilver zal men evenwel niet gaarne gaan, omdat het hechtvermogen dan 10 begint af te nemen. Er bestaan dus verschillende mogelijkheden met inbegrip van het uitsluiten van bepaalde bewerkingstrappen door bijv. loodramen en plaatjes tegelijkertijd te bevestigen.
Het is mogelijk bepaalde basismetalen te ge-bruiken ter vervanging van een gedeelte van het zilver, maar 15 in het algemeen zal bij een dergelijke vervanging het hechtvermogen dalen en de weerstand stijgen. Meer in het bijzonder werden tot aan 10 % Ni, tot aan 60 % Sn en tot aan 20 % Cu ter vervanging gebruikt en dit leidde tot aanvaardbare bindings-sterkten, onder voorwaarde dat het branden werd uitgevoerd in 20 lucht en niet in stikstof en bij een gecombineerde metaal : glasverhouding van 80 : 20 (stikstofbranding reduceert het loodoxide en tast het glas aan).
Een belangrijk aspect van de uitvinding is dat deze kan worden toegepast op de grotere geintegreerde schake-25 lingen die thans in gebruik komen. Meer in het bijzonder is het bekend dat het goud-siliciumeutecticum een bros interme-tallisch materiaal is en dat een ander bindingsmateriaal de verschillende thermische uitzettingssnelheden van het plaatje en van het substraat moet opvangen. Dit is. geen noemenswaardig 30 probleem bij kleine chips, maar in het VLSIC-gebied kan de af-dichtingscyclustemperatuur zowel onvoldoende binding als bre-ken van de chip veroorzaken vanwege thermische spanning. Aan-gezien de samenstelling volgens de onderhavige uitvinding eer-der verweekt dan smelt worden dergelijke thermische spanningen 35 vermeden, zoals werd aangetoond door middel van thermische-schokproef (Mil. Spec. Standaard 883B, omstandigheid A).
Tenslotte rijst de vraag of er toepassingen zouden kunnen zijn van de uitvinding waarbij het gewenst zou 8203081 * · - 8 - zijn een gedeelte van het zilver te vervangen door een edel metaal, in het bijzonder goud. Gebleken is dat geen bijzondere voordelen voortsproten uit dit hulpmiddel. Meer in het bijzonder werd een standaardgoudpasta gemengd met een 80 : 20 Ag : 5 glaspasta volgens de uitvinding in verhoudingen over een ge-bied met een Au : Ag-verhouding van 10/90 tot 80/20. Terwijl het geleidingsvermogen van bindingen aan chips enige neiging vertoonde te stijgen bij hoger goudgehalte, waren de resulta-ten niet eenduidig en was er duidelijk geen rechtvaardiging 10 voor de hogere kosten van een dergelijke vervanging. Bovendien had de schuifsterkte van de bindingen de neiging te dalen bij hoger goudgehalte, hoewel deze bij elk niveau nog aanvaardbaar was. Geen goud-siliciumeutecticum werd waargenomen, vermoede-lijk vanwege de kenmerken van het ternaire Au-Ag-Si-fasedia-15 gram. Kennelijk bestaat er dus geen reden de met de uitvinding te bereiken aanzienlijke economische besparingen op te offeren door zilver door goud te vervangen.
Een volgende belangrijke toepassing van de uitvinding ligt in het binden van chipcondensatoren aan substra-20 ten. Een condensator van 120 x 90 x 30 mil wordt bijv. "gevat" in een 5-7 mil-kussen van het zilvergevulde glas volgens de uitvinding, gedroogd en als bovenstaand gebrand. De schuifsterkte was 6,26 kg en een goed electrisch contact werd langs de zijden gemaakt. In termen van vervaardiging van hybride 25 schakelingen heeft dit belangrijke vertakkingen, te weten schakelchips en condensatoren kunnen in een enkele cyclus be-vestigd, gedroogd en gebrand worden, onder oplevering van goede bindingen. Bovendien kan daarop volgende bewerking of verwerking worden uitgevoerd bij temperaturen waarbij gebruike-30 lijke soldeerpasta*s zouden smelten.
Een volgende toepassing voor de uitvinding is als vervanging van soldeer. Meer in het bijzonder zal de sa-menstelling volgens de uitvinding bij de 80 : 20 Ag : glasver-houding en het 80-85 % vaste-stofgehalte welke de voorkeur ver-35 dienen, het te solderen voorwerp beter vasthouden gedurende de brandingscyclus, terwijl gebruikelijke soldeermiddelen bewe-ging doorgaans toelaten.
8203081

Claims (17)

1. Metallisatiepasta uit met zilver gevuld glas, met het kenmerk, dat deze omvat 20-95 % fijn verdeeld zilver; 5 80-5 % van een laag smeltend, fijn verdeeld glasfrit; een geschikte organische drager; waarbij het percentage vaste stoffen in de pasta ligt in het gebied van 75-85 %. 10
2, Metallisatiepasta volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het glasfrit in wezen bestaat uit: PbO 95-96 % Si02 0,25-2,5 %
3. Metallisatiepasta volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat tot aan 10 % van het zilver vervangen is door nikkel.
4. Metallisatiepasta volgens conclusie 1, 20met het kenmerk, dat tot aan 60 % van het zilver vervangen is door tin.
5. Metallisatiepasta volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat tot aan 20 % van het zilver vervangen is door koper.
6. Metallisatiepasta volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een gedeelte van het zilver vervangen is door een ander edel metaal.
7. Metallisatiepasta volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat het andere edele metaal 30 goud is.
8. Metallisatiepasta uit met zilver gevuld glas geschikt voor het binden van siliciumhalfgeleiderelementen aan keramische substraten, met het kenmerk, dat deze omvat 25-95 % fijn verdeeld zilver met een oppervlakte 2 35 van 0,7-1,0 m /g en een schijnbare dichtheid van 2,25-2,75 g/ cm^; 75-5 % fijn verdeeld glasfrit met een verwekingspunt in · het gebied van 325-425°C; en een geschikte organische drager in een hoeveelheid voldoende voor het verkrijgen van een 8203081 - 10 - vaste-stofgehalte van de pasta in het gebied van 75-85 %.
9. Electronisch samenstel, omvattende een keramisch substraat, een siliciumhalfgeleiderelement beves-tigd aan het substraat door een binding, waarbij de binding 5 gevormd wordt een met zilver gevuld glas.
10. Electronisch samenstel volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat het met zilver gevulde glas 25-95 % zilver bevat en het glas een verwekingspunt in het gebied van 325-425°C heeft.
11. Electronisch samenstel volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat het glas in wezen bestaat uit PbO 95-96 % SiC>2 0,5-2,5 %
12. Electronisch samenstel volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat het tevens een geleidende gemetalliseerde laag omvat tussen het substraat en de binding.
13. Werkwijze voor het binden van een silicium- 20 plaatje aan een keramisch substraat, met het kenmerk , dat een metallisatiesamenstelling uit met zilver gevuld glas wordt aangebracht op het substraat, waarbij het glas een verwekingspunt in het gebied van 325-425°C heeft en de zilver : glas-verhouding ligt in het gebied van 25 : 75 25 tot 95 : 5; een siliciumplaatje onder druk gevat wordt in de metallisatiesamenstelling, onder vorming van een samenstel; het samenstel wordt gedroogd; en het samenstel bij een piek-temperatuur in het gebied van 425-525°C wordt gebrand.
14. Werkwijze volgens conclusie 13, met 30 het kenmerk, dat de metallisatiesamenstelling een vaste-stofgehalte van 75-85 % heeft, terwijl de rest een ge-schikte organische drager is.
15. Werkwijze volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat het glas ca. 95 % PbO bevat.
15 B2°3 rest*
15 B2°3 de rest*
16. Werkwijze volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de zilver : glas-verhouding in de metallisatiesamenstelling 80 : 20 bedraagt.
17. Werkwijze volgens conclusie 13, met 8203081 ' - -φ· - 11 - het k e η m e r k , dat het glas in wezen bestaat uits PbO 95-96 % Si02 0,5-2,5 % B203 de rest. 5 8203081
NL8203081A 1981-08-03 1982-08-03 Glas gevuld met zilver. NL8203081A (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28789281A 1981-08-03 1981-08-03
US28789281 1981-08-03
US35571982 1982-03-08
US06/355,719 US4401767A (en) 1981-08-03 1982-03-08 Silver-filled glass

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8203081A true NL8203081A (nl) 1983-03-01

Family

ID=26964708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8203081A NL8203081A (nl) 1981-08-03 1982-08-03 Glas gevuld met zilver.

Country Status (7)

Country Link
CH (1) CH652737A5 (nl)
DE (1) DE3227815A1 (nl)
FR (1) FR2513240B1 (nl)
GB (1) GB2103250B (nl)
IE (1) IE53305B1 (nl)
NL (1) NL8203081A (nl)
PH (1) PH19754A (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3414065A1 (de) * 1984-04-13 1985-12-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
US4699888A (en) * 1985-09-16 1987-10-13 Technology Glass Corporation Die/attach composition
US4906596A (en) * 1987-11-25 1990-03-06 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Die attach adhesive composition
GB8730196D0 (en) * 1987-12-24 1988-02-03 Johnson Matthey Plc Silver-filled glass
DE3837300A1 (de) * 1988-11-03 1990-05-23 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung von mikroelektronischen schaltungen und hybriden
US5180523A (en) * 1989-11-14 1993-01-19 Poly-Flex Circuits, Inc. Electrically conductive cement containing agglomerate, flake and powder metal fillers
DE19816309B4 (de) * 1997-04-14 2008-04-03 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Verfahren zur Direktmontage von Silizium-Sensoren und danach hergestellte Sensoren
DE102012206362B4 (de) * 2012-04-18 2021-02-25 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Schaltungsanordnung zur thermisch leitfähigen Chipmontage und Herstellungsverfahren

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2385580A (en) * 1944-07-01 1945-09-25 Du Pont Vitrifiable flux and bonding composition containing same
DE1646882B1 (de) * 1965-07-29 1970-11-19 Du Pont Edelmetallmasse zum Aufbrennen auf keramische Traeger
SU391187A1 (ru) * 1971-04-06 1973-07-25 Паста для металлизации керамики
US3824127A (en) * 1971-12-22 1974-07-16 Du Pont Disc capacitor silver compositions
JPS5116344A (en) * 1974-07-31 1976-02-09 Fujikura Kasei Kk Bodongarasuno netsusenyotoryo

Also Published As

Publication number Publication date
FR2513240B1 (fr) 1986-07-25
GB2103250A (en) 1983-02-16
IE53305B1 (en) 1988-10-12
DE3227815A1 (de) 1983-02-24
PH19754A (en) 1986-06-26
FR2513240A1 (fr) 1983-03-25
CH652737A5 (de) 1985-11-29
IE821840L (en) 1983-02-03
GB2103250B (en) 1986-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4401767A (en) Silver-filled glass
US4459166A (en) Method of bonding an electronic device to a ceramic substrate
US4436785A (en) Silver-filled glass
US4172919A (en) Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3
EP0131778B1 (en) Copper-containing thick-film conductor compositions
US5165986A (en) Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate
US5121298A (en) Controlled adhesion conductor
US3838071A (en) High adhesion silver-based metallizations
US3827891A (en) High adhesion metallizing compositions
NL8203081A (nl) Glas gevuld met zilver.
JPS6151361B2 (nl)
CA1337376C (en) Metallized substrate for electronic device
JPS5873904A (ja) 銀充填ガラス
US3944696A (en) High-adhesion conductors
JPS58100306A (ja) 導電性ペ−スト
KR900006013B1 (ko) 은 충전 유리 금속화 페이스트
JP2627532B2 (ja) ロウ付け用材料
JPH0737420A (ja) 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板
JP2686548B2 (ja) ロウ付け用材料
JPH0520921A (ja) 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板
JP3161815B2 (ja) セラミックスと金属の接合用ロウ材及びその接合方法
JPH04307944A (ja) 半導体素子の接続材料および半導体装置
JP2742625B2 (ja) リード付き電子部品
JP2759297B2 (ja) リード付き電子部品
JPH06105828B2 (ja) 電子部品の実装構造

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
BB A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed