JPH0519265A - 液晶配向膜の形成方法 - Google Patents
液晶配向膜の形成方法Info
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- JPH0519265A JPH0519265A JP3175115A JP17511591A JPH0519265A JP H0519265 A JPH0519265 A JP H0519265A JP 3175115 A JP3175115 A JP 3175115A JP 17511591 A JP17511591 A JP 17511591A JP H0519265 A JPH0519265 A JP H0519265A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、液晶分子を所定の方向に配向させ
るための配向膜を形成する方法に係わり、均一で薄い液
晶配向膜を比較的簡単な装置によって形成する方法を提
供することを目的とする。 【構成】 ポリイミドないしポリイミド前駆体を溶媒に
溶かした溶剤（３）をスピンコート法により基板（１）
面に塗布する工程と、前記溶剤が塗布された基板面を所
定の遮光パターン（１１）を有するマスク（７）下で遠
紫外光に露光し、前記パターンで遮蔽された部分以外の
遠紫外光に露光された部分（９）の前記溶剤を灰化して
除去し、前記パターンで遮蔽された部分（８）にポリイ
ミド膜を生成する工程と、生成したポリイミド膜表面を
ラビングして配向膜を形成する工程とを含む。
るための配向膜を形成する方法に係わり、均一で薄い液
晶配向膜を比較的簡単な装置によって形成する方法を提
供することを目的とする。 【構成】 ポリイミドないしポリイミド前駆体を溶媒に
溶かした溶剤（３）をスピンコート法により基板（１）
面に塗布する工程と、前記溶剤が塗布された基板面を所
定の遮光パターン（１１）を有するマスク（７）下で遠
紫外光に露光し、前記パターンで遮蔽された部分以外の
遠紫外光に露光された部分（９）の前記溶剤を灰化して
除去し、前記パターンで遮蔽された部分（８）にポリイ
ミド膜を生成する工程と、生成したポリイミド膜表面を
ラビングして配向膜を形成する工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶分子を所定の方向
に配向させるための配向膜を形成する方法に係わり、特
に均一で薄いポリイミド薄膜を配向膜として形成する方
法に関する。
に配向させるための配向膜を形成する方法に係わり、特
に均一で薄いポリイミド薄膜を配向膜として形成する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置においては、表面に電極を
形成した基板を対向させて液晶セルを形成し、セル内空
間に液晶を収容している。
形成した基板を対向させて液晶セルを形成し、セル内空
間に液晶を収容している。
【０００３】液晶が完全な絶縁体ではなく、また電極等
と液晶が接触すると好ましくない不純物混入等が生じる
ため、通常、基板表面は絶縁物で保護する。
と液晶が接触すると好ましくない不純物混入等が生じる
ため、通常、基板表面は絶縁物で保護する。
【０００４】また、液晶分子の配向を制御するため、通
常基板表面に配向機構を設ける。そこで、液晶分子を配
向させるために基板表面に配向剤を均一に塗布し、ラビ
ング等により配向処理をして配向膜を形成することが行
われる。
常基板表面に配向機構を設ける。そこで、液晶分子を配
向させるために基板表面に配向剤を均一に塗布し、ラビ
ング等により配向処理をして配向膜を形成することが行
われる。
【０００５】液晶分子の配向剤としてポリイミド樹脂等
が使用されている。ポリイミドは耐熱性高分子であり、
融点、軟化点が高く、熱分解や熱劣化がおこりにくく、
高温でも機械的強度が高く、耐薬品性にも優れている。
が使用されている。ポリイミドは耐熱性高分子であり、
融点、軟化点が高く、熱分解や熱劣化がおこりにくく、
高温でも機械的強度が高く、耐薬品性にも優れている。
【０００６】基板表面を全面ポリイミドで覆ってしまう
と、電極も絶縁物で覆われてしまう。そこで、ポリイミ
ド膜は基板表面の取出電極部分以外の表示部分にのみ選
択的に形成される。
と、電極も絶縁物で覆われてしまう。そこで、ポリイミ
ド膜は基板表面の取出電極部分以外の表示部分にのみ選
択的に形成される。
【０００７】従来の技術による配向膜の形成方法は、印
刷法あるいは転写法などを用いて液晶用基板の表面に所
定パターンでポリイミド材料の高分子溶剤を塗布し、焼
成により溶媒を蒸発させてポリイミド膜を形成し、その
後配向処理をしていた。
刷法あるいは転写法などを用いて液晶用基板の表面に所
定パターンでポリイミド材料の高分子溶剤を塗布し、焼
成により溶媒を蒸発させてポリイミド膜を形成し、その
後配向処理をしていた。
【０００８】ところで、対向電極間で液晶層と配向膜と
は直列接続されたキャパシタンス同等の構成を形成す
る。電極間に印加した電圧を効率よく液晶層に印加する
には、配向膜のキャパシタンスは、液晶層のキャパシタ
ンスに比べて大きければ大きいほどよい。さらに、配向
膜が厚い場合は、電荷が配向膜に残留し、残像表示現象
を引き起こす。
は直列接続されたキャパシタンス同等の構成を形成す
る。電極間に印加した電圧を効率よく液晶層に印加する
には、配向膜のキャパシタンスは、液晶層のキャパシタ
ンスに比べて大きければ大きいほどよい。さらに、配向
膜が厚い場合は、電荷が配向膜に残留し、残像表示現象
を引き起こす。
【０００９】すなわち、配向膜はできるだけ薄いことが
望ましい。
望ましい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、印
刷法あるいは転写法などを用いているために、成膜装置
が大がかりであることと、印刷スクリーンや転写ローラ
が基板と接触する工程があるために基板へのゴミの付着
が多かった。
刷法あるいは転写法などを用いているために、成膜装置
が大がかりであることと、印刷スクリーンや転写ローラ
が基板と接触する工程があるために基板へのゴミの付着
が多かった。
【００１１】また、印刷法や転写法による成膜は、膜の
均一性に劣るため、可能な膜厚はせいぜい５００〜１０
００Å程度であり、それより薄い膜を形成することはで
きなかった。
均一性に劣るため、可能な膜厚はせいぜい５００〜１０
００Å程度であり、それより薄い膜を形成することはで
きなかった。
【００１２】本発明の目的は、均一で薄い液晶配向膜を
比較的簡単な装置によって形成する方法を提供すること
にある。
比較的簡単な装置によって形成する方法を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶配向膜の形
成方法は、ポリイミドないしポリイミド前駆体を溶媒に
溶かした溶剤をスピンコート法により基板面に塗布する
工程と、前記溶剤が塗布された基板面を所定のマスクパ
ターン下で遠紫外光に露光し、前記マスクパターンで遮
蔽された部分以外の遠紫外光に露光された部分の前記溶
剤を灰化して除去し、前記マスクパターンで遮蔽された
部分にポリイミド膜を生成する工程と、生成したポリイ
ミド膜表面をラビングして配向膜を形成する工程とを含
む。
成方法は、ポリイミドないしポリイミド前駆体を溶媒に
溶かした溶剤をスピンコート法により基板面に塗布する
工程と、前記溶剤が塗布された基板面を所定のマスクパ
ターン下で遠紫外光に露光し、前記マスクパターンで遮
蔽された部分以外の遠紫外光に露光された部分の前記溶
剤を灰化して除去し、前記マスクパターンで遮蔽された
部分にポリイミド膜を生成する工程と、生成したポリイ
ミド膜表面をラビングして配向膜を形成する工程とを含
む。
【００１４】
【作用】ポリイミド材料が溶けた溶剤をスピンコート法
により基板表面に塗布することにより、溶剤を薄く均一
に塗布することができる。マスクパターンを使って溶剤
が塗布された基板を遠紫外線により露光すると、マスク
で遮蔽された部分は遠紫外線のエネルギがおよばず、高
分子配向剤が残留してポリイミド膜を生成できる。
により基板表面に塗布することにより、溶剤を薄く均一
に塗布することができる。マスクパターンを使って溶剤
が塗布された基板を遠紫外線により露光すると、マスク
で遮蔽された部分は遠紫外線のエネルギがおよばず、高
分子配向剤が残留してポリイミド膜を生成できる。
【００１５】マスクで覆われない部分の溶剤は、遠紫外
線に露光されることにより、ポリイミド材料の化学結合
が遠紫外光のエネルギにより切れ、灰化して除去でき
る。残ったポリイミド膜をラビング処理することによ
り、パターン状の配向膜を形成することができる。
線に露光されることにより、ポリイミド材料の化学結合
が遠紫外光のエネルギにより切れ、灰化して除去でき
る。残ったポリイミド膜をラビング処理することによ
り、パターン状の配向膜を形成することができる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例による
配向膜形成方法を説明する。
配向膜形成方法を説明する。
【００１７】まず、図２において、たとえばガラスで形
成された基板１上に配向膜が形成される。基板１を半導
体装置製造用のスピナー装置の高速回転台２上に載せて
回転させたまま、基板１の表面に、たとえば化学式１に
示す化学式のポリアミック酸を低極性溶媒のγ─ブチル
ラクトンに溶かした溶剤３をノズル４から滴下させる。
成された基板１上に配向膜が形成される。基板１を半導
体装置製造用のスピナー装置の高速回転台２上に載せて
回転させたまま、基板１の表面に、たとえば化学式１に
示す化学式のポリアミック酸を低極性溶媒のγ─ブチル
ラクトンに溶かした溶剤３をノズル４から滴下させる。
【００１８】
【化１】
【００１９】次に、図１に示すように配向剤の溶剤３が
塗布された基板１をヒータ５の上に配置し、ヒータ５に
より基板１を２００°〜２５０°Ｃで加熱しつつ、低圧
水銀ランプ６から発射する遠紫外線１０で露光する。
塗布された基板１をヒータ５の上に配置し、ヒータ５に
より基板１を２００°〜２５０°Ｃで加熱しつつ、低圧
水銀ランプ６から発射する遠紫外線１０で露光する。
【００２０】このとき、低圧水銀ランプ６と基板１との
間に遠紫外線１０を遮断する材料、たとえばクロムＣｒ
等の金属で形成されたパターン１１を有する石英ガラス
等でできた透過マスク７を配置する。マスク７上のパタ
ーン１１は所望の配向膜の形状とする。
間に遠紫外線１０を遮断する材料、たとえばクロムＣｒ
等の金属で形成されたパターン１１を有する石英ガラス
等でできた透過マスク７を配置する。マスク７上のパタ
ーン１１は所望の配向膜の形状とする。
【００２１】溶剤３が塗布された面の内、遠紫外線が照
射されたハッチングで示した領域９については、遠紫外
線のエネルギにより化学結合が切れる一方、活性酸素が
発生し、高分子溶剤３を灰化（アッシング）する。
射されたハッチングで示した領域９については、遠紫外
線のエネルギにより化学結合が切れる一方、活性酸素が
発生し、高分子溶剤３を灰化（アッシング）する。
【００２２】すなわち、その活性酸素が酸素ラジカルと
なって溶剤３の高分子と化学反応を起こし、有機物を酸
化し、最終的にはＣＯ2 （二酸化炭素）とＨ2 Ｏ（水）
にする。
なって溶剤３の高分子と化学反応を起こし、有機物を酸
化し、最終的にはＣＯ2 （二酸化炭素）とＨ2 Ｏ（水）
にする。
【００２３】この過程をより詳細に述べると、遠紫外線
は１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの波長の紫外線を有し、
この波長のエネルギにより活性酸素Ｏ* が発生する。そ
の発生過程は以下のように考えられる。
は１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの波長の紫外線を有し、
この波長のエネルギにより活性酸素Ｏ* が発生する。そ
の発生過程は以下のように考えられる。
【００２４】３Ｏ2 ＋１８５ｎｍ紫外線→２Ｏ3 ，Ｏ3
＋２５４ｎｍ紫外線→Ｏ* ＋Ｏ2 また、これらの紫外線のエネルギＥは、 Ｅ＝ｈｃ／λ （ｈ：プランク定数＝６．６２６×１０
-27 ｅｒｇ・ｓｅｃ，ｃ：光速度＝２．９９８×１０10
ｃｍ・ｓｅｃ-1，λ：波長） により、１８５ｎｍ紫外光は１５５ｋｃａｌ／ｍｏｌ，
２５４ｎｍ紫外光は１３３ｋｃａｌ／ｍｏｌである。
＋２５４ｎｍ紫外線→Ｏ* ＋Ｏ2 また、これらの紫外線のエネルギＥは、 Ｅ＝ｈｃ／λ （ｈ：プランク定数＝６．６２６×１０
-27 ｅｒｇ・ｓｅｃ，ｃ：光速度＝２．９９８×１０10
ｃｍ・ｓｅｃ-1，λ：波長） により、１８５ｎｍ紫外光は１５５ｋｃａｌ／ｍｏｌ，
２５４ｎｍ紫外光は１３３ｋｃａｌ／ｍｏｌである。
【００２５】ポリアミック酸又はポリイミド構造中の化
学結合は、Ｃ−Ｎ，Ｃ−Ｏ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｃ，Ｃ＝Ｃ，
Ｎ−Ｈであり、これらの結合の内、Ｃ＝Ｃが最も強く結
合しておりその結合エネルギは１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ
である。
学結合は、Ｃ−Ｎ，Ｃ−Ｏ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｃ，Ｃ＝Ｃ，
Ｎ−Ｈであり、これらの結合の内、Ｃ＝Ｃが最も強く結
合しておりその結合エネルギは１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ
である。
【００２６】１８５ｎｍの紫外光のエネルギはこの化学
結合のエネルギより高い。そのために、遠紫外線の照射
によりこれらの結合は分断される。分断された各成分は
活性酸素と反応して酸化してＣＯ2 とＨ2 Ｏとなり、容
易に除去されてしまう。
結合のエネルギより高い。そのために、遠紫外線の照射
によりこれらの結合は分断される。分断された各成分は
活性酸素と反応して酸化してＣＯ2 とＨ2 Ｏとなり、容
易に除去されてしまう。
【００２７】マスク７で遠紫外線の照射が遮断された領
域８については上述の灰化はおこらず、加熱により溶媒
が溶剤３から蒸発して化学式２にしめすポリイミド膜が
残る。
域８については上述の灰化はおこらず、加熱により溶媒
が溶剤３から蒸発して化学式２にしめすポリイミド膜が
残る。
【００２８】
【化２】
【００２９】以上の工程で形成したポリイミド膜８をラ
ビング処理して配向膜とする。以上説明した実施例によ
ると、下記のような優れた利点を有する。
ビング処理して配向膜とする。以上説明した実施例によ
ると、下記のような優れた利点を有する。
【００３０】（１）．従来技術の印刷法や転写法による
ポリイミド膜の塗布に比べ、スピンコート法による膜の
形成によれば、膜の均一性が向上する。
ポリイミド膜の塗布に比べ、スピンコート法による膜の
形成によれば、膜の均一性が向上する。
【００３１】（２）．膜の均一性が向上することによっ
て、ポリイミド膜の膜厚を薄くできる。従来は５００〜
１０００Åが限界であったが、本発明によれば、１００
〜２００Åの膜厚も可能である。膜厚が薄くできること
は特に強誘電性液晶に対して効果が大きい。
て、ポリイミド膜の膜厚を薄くできる。従来は５００〜
１０００Åが限界であったが、本発明によれば、１００
〜２００Åの膜厚も可能である。膜厚が薄くできること
は特に強誘電性液晶に対して効果が大きい。
【００３２】（３）．配向膜のパターニングがフォトリ
ソグラフィー方式であるためパターンの精度が高い。
ソグラフィー方式であるためパターンの精度が高い。
【００３３】（４）．同じくパターニングがフォトリソ
グラフィー方式であるため膜面と非接触であり、ゴミの
付着が少ない。
グラフィー方式であるため膜面と非接触であり、ゴミの
付着が少ない。
【００３４】（５）．パターニングと同時にアニールす
るために、従来のパターニング後の焼成工程が不要とな
り、作業時間の短縮が図れる。
るために、従来のパターニング後の焼成工程が不要とな
り、作業時間の短縮が図れる。
【００３５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、スピンコート法により
高分子溶剤を塗布した後、遠紫外線をマスクを通して照
射して配向膜をパターニングするので、均一で薄い液晶
配向膜を比較的簡単な装置によって精度よく形成するこ
とができる。
高分子溶剤を塗布した後、遠紫外線をマスクを通して照
射して配向膜をパターニングするので、均一で薄い液晶
配向膜を比較的簡単な装置によって精度よく形成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例による配向膜形成方法を実施
するための装置の側面図である。
するための装置の側面図である。
【図２】 本発明の実施例による配向膜形成方法の最初
の工程を説明するための外観図である。
の工程を説明するための外観図である。
１ 基板
２ 回転台
３ 溶剤
４ ノズル
５ ヒータ
６ 低圧水銀ランプ
７ マスク
８ ポリイミド膜
９ 灰化領域
１０ 遠紫外線
１１ （遮光）パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年５月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【化１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】３Ｏ2 ＋１８５ｎｍ紫外線→２Ｏ3 ，Ｏ3
＋２５４ｎｍ紫外線→Ｏ* ＋Ｏ2 また、これらの紫外線のエネルギＥは、 Ｅ＝ｈｃ／λ （ｈ：プランク定数＝６．６２６×１０
-27 ｅｒｇ・ｓｅｃ，ｃ：光速度＝２．９９８×１０10
ｃｍ・ｓｅｃ-1，λ：波長） により、１８５ｎｍ紫外光は１５４ｋｃａｌ／ｍｏｌ，
２５４ｎｍ紫外光は１１３ｋｃａｌ／ｍｏｌである。
＋２５４ｎｍ紫外線→Ｏ* ＋Ｏ2 また、これらの紫外線のエネルギＥは、 Ｅ＝ｈｃ／λ （ｈ：プランク定数＝６．６２６×１０
-27 ｅｒｇ・ｓｅｃ，ｃ：光速度＝２．９９８×１０10
ｃｍ・ｓｅｃ-1，λ：波長） により、１８５ｎｍ紫外光は１５４ｋｃａｌ／ｍｏｌ，
２５４ｎｍ紫外光は１１３ｋｃａｌ／ｍｏｌである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】
【化２】
Claims (3)
- 【請求項１】 ポリイミドないしポリイミド前駆体を溶
媒に溶かした溶剤をスピンコート法により基板面に塗布
する工程と、 前記溶剤が塗布された基板面を所定の遮光パターンを有
するマスク下で遠紫外光に露光し、前記遮光パターンで
遮蔽された部分以外の遠紫外光に露光された部分の前記
溶剤を灰化して除去し、前記遮光パターンで遮蔽された
部分にポリイミド膜を生成する工程と、 生成したポリイミド膜表面をラビングして配向膜を形成
する工程とを含む液晶配向膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記露光工程において、前記基板は所定
温度で加熱される請求１記載の液晶配向膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記溶剤は、ポリアミック酸をγ−ブチ
ルラクトンに溶かしたものであり、前記露光工程の加熱
により、前記溶媒を蒸発させてポリイミド膜にする請求
項２記載の液晶配向膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175115A JPH0519265A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 液晶配向膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175115A JPH0519265A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 液晶配向膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519265A true JPH0519265A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15990535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175115A Pending JPH0519265A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 液晶配向膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0519265A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05323325A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-07 | Canon Inc | 液晶素子の製造方法 |
| US6186667B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-02-13 | Nsk Ltd. | Rolling bearing unit encoder |
| US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
| CN105093700A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种取向装置、显示面板和显示装置 |
| US10795211B2 (en) | 2017-04-28 | 2020-10-06 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159519A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPS60207117A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS63191129A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-08-08 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3175115A patent/JPH0519265A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159519A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPS60207117A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS63191129A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-08-08 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05323325A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-07 | Canon Inc | 液晶素子の製造方法 |
| US6186667B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-02-13 | Nsk Ltd. | Rolling bearing unit encoder |
| US6328476B2 (en) | 1998-01-09 | 2001-12-11 | Nsk Ltd. | Rolling bearing unit with encoder |
| US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
| US6756087B2 (en) | 1998-12-25 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor |
| CN105093700A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种取向装置、显示面板和显示装置 |
| US10795211B2 (en) | 2017-04-28 | 2020-10-06 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19951121 |