JPH05190828A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH05190828A JPH05190828A JP4003329A JP332992A JPH05190828A JP H05190828 A JPH05190828 A JP H05190828A JP 4003329 A JP4003329 A JP 4003329A JP 332992 A JP332992 A JP 332992A JP H05190828 A JPH05190828 A JP H05190828A
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- Japan
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- ccd
- impurity diffusion
- type silicon
- solid
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】CCD20が半導体基板1の第1の面Aの側に
形成され、ホトダイオード10が半導体基板1の第2の
面Bの側に形成された固体撮像素子。CCD20が形成
されている側の半導体基板1上に設けられた支持用基板
7は、固体撮像素子の強度を高めている。 【効果】固体撮像素子を小型化し、又は画素を高密度化
しても、1個のホトダイオード10が光電変換を行い蓄
積し得る信号電荷の量が充分に確保できる。このため、
感度の高い固体撮像素子が提供される。
形成され、ホトダイオード10が半導体基板1の第2の
面Bの側に形成された固体撮像素子。CCD20が形成
されている側の半導体基板1上に設けられた支持用基板
7は、固体撮像素子の強度を高めている。 【効果】固体撮像素子を小型化し、又は画素を高密度化
しても、1個のホトダイオード10が光電変換を行い蓄
積し得る信号電荷の量が充分に確保できる。このため、
感度の高い固体撮像素子が提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関し、特
に、小型化及び高集積化に適した高感度の固体撮像素子
に関する。
に、小型化及び高集積化に適した高感度の固体撮像素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】図4(a)は、従来の2次元固体撮像素
子の断面の一部を示している。
子の断面の一部を示している。
【0003】この固体撮像素子は、第1の面A及び第2
の面Bを有するp型シリコン基板41と、p型シリコン
基板41の第1の面A側に形成されたn-不純物拡散領
域42及び48とを有している。p型シリコン基板41
とn-不純物拡散領域48とにより、pn-型のホトダイ
オード50が形成されている。ホトダイオード50の表
面付近には、p+型表面不純物拡散領域49が形成され
ている。また、複数のn-不純物拡散領域42によりC
CD60が形成されている。各CCD60は、p+型不
純物拡散領域により分離されている。p型シリコン基板
41の上面Aはゲート絶縁膜44により覆われている。
ゲート絶縁膜44上にはCCD60を覆う複数の電極4
5が設けられている。このように、従来の2次元固体撮
像素子は、p型シリコン基板41のCCD60が形成さ
れている側(第1の面A側)にマトリクス状に配された
複数のホトダイオード50を有している。
の面Bを有するp型シリコン基板41と、p型シリコン
基板41の第1の面A側に形成されたn-不純物拡散領
域42及び48とを有している。p型シリコン基板41
とn-不純物拡散領域48とにより、pn-型のホトダイ
オード50が形成されている。ホトダイオード50の表
面付近には、p+型表面不純物拡散領域49が形成され
ている。また、複数のn-不純物拡散領域42によりC
CD60が形成されている。各CCD60は、p+型不
純物拡散領域により分離されている。p型シリコン基板
41の上面Aはゲート絶縁膜44により覆われている。
ゲート絶縁膜44上にはCCD60を覆う複数の電極4
5が設けられている。このように、従来の2次元固体撮
像素子は、p型シリコン基板41のCCD60が形成さ
れている側(第1の面A側)にマトリクス状に配された
複数のホトダイオード50を有している。
【0004】p型シリコン基板41の第1の面Aを照射
した光により、ホトダイオード50で電荷(信号電荷)
が生じる。このとき(時刻T=t1)、図4(b)に示
されるように、電荷がホトダイオード50に蓄積され
る。この電荷は、所定期間、ホトダイオード50に蓄積
されたあと、電極45の電位変化を応じて、各々のホト
ダイオード50に対応するCCD60に流入する。この
とき(時刻T=t2)、図4(c)に示されるようにし
て、電極45の電位変化に応じて生じるポテンシャル分
布の変化に従って、電荷がホトダイオード50からCC
D60へ転送される。
した光により、ホトダイオード50で電荷(信号電荷)
が生じる。このとき(時刻T=t1)、図4(b)に示
されるように、電荷がホトダイオード50に蓄積され
る。この電荷は、所定期間、ホトダイオード50に蓄積
されたあと、電極45の電位変化を応じて、各々のホト
ダイオード50に対応するCCD60に流入する。この
とき(時刻T=t2)、図4(c)に示されるようにし
て、電極45の電位変化に応じて生じるポテンシャル分
布の変化に従って、電荷がホトダイオード50からCC
D60へ転送される。
【0005】図4(d)は、電荷がCCD60へ転送さ
れた直後(時刻T=t3)の、ポテンシャル分布を示し
ている。電荷は、その後、電極45の電位変化に応じ
て、CCD中で(図4(a)の図面垂直方向に)転送さ
れる。
れた直後(時刻T=t3)の、ポテンシャル分布を示し
ている。電荷は、その後、電極45の電位変化に応じ
て、CCD中で(図4(a)の図面垂直方向に)転送さ
れる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術においては、固体撮像素子を小型化し、又は画
素を高密度化するに従い、単位画素あたりの面積が減少
し、開口率が減少する。このため、1個のホトダイオー
ド50が光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が減少
し、固体撮像素子の感度が低下するという問題がある。
この問題を解決するため、各ホトダイオード50に対し
てレンズを用いた集光を行うことにより、ホトダイオー
ド50で発生する信号電荷の量を増加させる技術が提案
されている。また、ホトダイオード50の受光面積を拡
大する目的で、固体撮像素子を積層化することが提案さ
れている。
従来技術においては、固体撮像素子を小型化し、又は画
素を高密度化するに従い、単位画素あたりの面積が減少
し、開口率が減少する。このため、1個のホトダイオー
ド50が光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が減少
し、固体撮像素子の感度が低下するという問題がある。
この問題を解決するため、各ホトダイオード50に対し
てレンズを用いた集光を行うことにより、ホトダイオー
ド50で発生する信号電荷の量を増加させる技術が提案
されている。また、ホトダイオード50の受光面積を拡
大する目的で、固体撮像素子を積層化することが提案さ
れている。
【0007】しかし、これらの技術も、開口率が低いと
いう問題を充分には解決しておらず、製造工程が複雑化
するという欠点を有している。
いう問題を充分には解決しておらず、製造工程が複雑化
するという欠点を有している。
【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、固体撮像素
子を小型化し、又は画素を高密度化しても、1個のホト
ダイオードが光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が
充分に確保できる、感度の高い固体撮像素子を提供する
ことにある。
れたものであり、その目的とするところは、固体撮像素
子を小型化し、又は画素を高密度化しても、1個のホト
ダイオードが光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が
充分に確保できる、感度の高い固体撮像素子を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、第1面と該第1面に対向する第2面とを有する半導
体基板と、該半導体基板に於いて該第2面側に形成さ
れ、該第2面を照射する光を電気信号に変換する光電変
換手段と、該半導体基板に於いて該第1面側に形成さ
れ、該電気信号を該第1面に沿って転送する電気信号転
送手段と、該電気信号を該光電変換手段から該電気信号
転送手段へ転送する手段と、を備えており、そのことに
より上記目的を達成することがてきる。
は、第1面と該第1面に対向する第2面とを有する半導
体基板と、該半導体基板に於いて該第2面側に形成さ
れ、該第2面を照射する光を電気信号に変換する光電変
換手段と、該半導体基板に於いて該第1面側に形成さ
れ、該電気信号を該第1面に沿って転送する電気信号転
送手段と、該電気信号を該光電変換手段から該電気信号
転送手段へ転送する手段と、を備えており、そのことに
より上記目的を達成することがてきる。
【0010】
【実施例】以下に、本発明を実施例について説明する。
【0011】図1は、本発明の実施例の断面の一部を示
している。本実施例は、p型シリコン基板(導電率:3
0Ωcm、厚さ:600μm)1と、p型シリコン基板
1中に形成された光電変換手段と、p型シリコン基板1
中に形成された電気信号転送手段とを有する固体撮像素
子である。本実施例の光電変換手段はホトダイオード1
0であり、電気信号転送手段はCCD(電荷転送素子)
20である。従来の固体撮像素子と本実施例との構造上
の主要な相違点は、ホトダイオード10とCCD20と
が、各々、p型シリコン基板1の対向する2面(第1の
面Aと第2の面B)に形成されていることである。
している。本実施例は、p型シリコン基板(導電率:3
0Ωcm、厚さ:600μm)1と、p型シリコン基板
1中に形成された光電変換手段と、p型シリコン基板1
中に形成された電気信号転送手段とを有する固体撮像素
子である。本実施例の光電変換手段はホトダイオード1
0であり、電気信号転送手段はCCD(電荷転送素子)
20である。従来の固体撮像素子と本実施例との構造上
の主要な相違点は、ホトダイオード10とCCD20と
が、各々、p型シリコン基板1の対向する2面(第1の
面Aと第2の面B)に形成されていることである。
【0012】CCD20は、p型シリコン基板1の第1
の面Aの側に形成されている。このCCD20の構造自
体は、従来のCCD60(図4(a))の構造と同様で
ある。すなわち、CCD20は、第1のn-型不純物拡
散領域(厚さ:0.4μm、不純物濃度:1×1017c
m-3)2により形成され、それぞれ、p+型不純物拡散
領域(厚さ:0.5μm、不純物濃度:1×1017cm
-3)3により分離されている。
の面Aの側に形成されている。このCCD20の構造自
体は、従来のCCD60(図4(a))の構造と同様で
ある。すなわち、CCD20は、第1のn-型不純物拡
散領域(厚さ:0.4μm、不純物濃度:1×1017c
m-3)2により形成され、それぞれ、p+型不純物拡散
領域(厚さ:0.5μm、不純物濃度:1×1017cm
-3)3により分離されている。
【0013】CCD20が形成されているp型シリコン
基板1の第1の面Aは、ゲート絶縁膜(膜厚:80n
m)4により覆われている。ゲート絶縁膜4上に複数の
電極(膜厚:500nm)5が設けられている。
基板1の第1の面Aは、ゲート絶縁膜(膜厚:80n
m)4により覆われている。ゲート絶縁膜4上に複数の
電極(膜厚:500nm)5が設けられている。
【0014】p型シリコン基板1の第2の面Bの側に
は、p+型表面不純物拡散領域(厚さ:0.2μm、不
純物濃度:1×1019cm-3)9が形成され、所定位置
に複数のn-型不純物拡散領域8が形成されている。p
型シリコン基板1と第2のn-型不純物拡散領域(厚
さ:0.8μm、不純物濃度:1×1017cm-3)8と
により、ホトダイオード10が構成されている。
は、p+型表面不純物拡散領域(厚さ:0.2μm、不
純物濃度:1×1019cm-3)9が形成され、所定位置
に複数のn-型不純物拡散領域8が形成されている。p
型シリコン基板1と第2のn-型不純物拡散領域(厚
さ:0.8μm、不純物濃度:1×1017cm-3)8と
により、ホトダイオード10が構成されている。
【0015】このように本実施例では、ホトダイオード
10とCCD20とが、それぞれ、p型シリコン基板1
の対向する2面に形成されているため、ホトダイオード
10の受光面積を縮小することなく、固体撮像素子の小
型化及び高集積化が達成される。
10とCCD20とが、それぞれ、p型シリコン基板1
の対向する2面に形成されているため、ホトダイオード
10の受光面積を縮小することなく、固体撮像素子の小
型化及び高集積化が達成される。
【0016】次に、図3を参照しながら、本実施例の動
作を説明する。動作中に、各電極5には、図5に示され
た波形を有する駆動電圧が位相をずらして繰り返し印加
される。
作を説明する。動作中に、各電極5には、図5に示され
た波形を有する駆動電圧が位相をずらして繰り返し印加
される。
【0017】まず、p型シリコン基板1の第2の面Bの
図3(a)に示される部分を照射した光の強さに応じ
て、ホトダイオード10で電荷(信号電荷)が生じる。
このとき(時刻T=t1、電極電位=VI)、図3(b)
に示されるように、電荷はホトダイオード10に蓄積さ
れる。
図3(a)に示される部分を照射した光の強さに応じ
て、ホトダイオード10で電荷(信号電荷)が生じる。
このとき(時刻T=t1、電極電位=VI)、図3(b)
に示されるように、電荷はホトダイオード10に蓄積さ
れる。
【0018】電荷は、所定期間、ホトダイオード10に
蓄積されたあと、電極5の電位変化(電極電位VI→電
極電位VH)に応じて、ホトダイオード10に対向する
CCD20へ、p型シリコン基板1の内部を介して、流
入する。すなわち、このとき(時刻T=t2、電極電位
=VH)、図3(c)に示されるように、電極5の電位
変化に応じて生じるポテンシャル分布の変化に従って、
電荷がホトダイオード10からCCD20へ転送され
る。
蓄積されたあと、電極5の電位変化(電極電位VI→電
極電位VH)に応じて、ホトダイオード10に対向する
CCD20へ、p型シリコン基板1の内部を介して、流
入する。すなわち、このとき(時刻T=t2、電極電位
=VH)、図3(c)に示されるように、電極5の電位
変化に応じて生じるポテンシャル分布の変化に従って、
電荷がホトダイオード10からCCD20へ転送され
る。
【0019】図3(d)は、電荷がCCD20へ転送さ
れた直後(時刻T=t3、電極電位=VI)のポテンシャ
ル分布を示している。電荷は、その後、電極5の電位変
化(電位VIと電位VLとが交互に電極に印加される)に
応じて、CCD20中で(図3(a)の図面垂直方向
に)転送される。
れた直後(時刻T=t3、電極電位=VI)のポテンシャ
ル分布を示している。電荷は、その後、電極5の電位変
化(電位VIと電位VLとが交互に電極に印加される)に
応じて、CCD20中で(図3(a)の図面垂直方向
に)転送される。
【0020】次に、図2(a)及び(b)を参照しなが
ら、本実施例を製造する方法を説明する。
ら、本実施例を製造する方法を説明する。
【0021】まず、p型シリコン基板1の第1の面Aか
らp型シリコン基板1の内部に延びる複数の第1のn-
型不純物拡散領域48を、p型シリコン基板1中に形成
することにより、CCD20を形成する。また、p型シ
リコン基板1の第1の面からp型シリコン基板1の内部
に延びるp+型不純物拡散領域3を、p型シリコン基板
中の各CCD間に形成することにより、画素分離領域を
形成する。これら不純物拡散領域の選択的な形成は、公
知のドーピング技術、例えばイオン注入法を用いて行わ
れる。
らp型シリコン基板1の内部に延びる複数の第1のn-
型不純物拡散領域48を、p型シリコン基板1中に形成
することにより、CCD20を形成する。また、p型シ
リコン基板1の第1の面からp型シリコン基板1の内部
に延びるp+型不純物拡散領域3を、p型シリコン基板
中の各CCD間に形成することにより、画素分離領域を
形成する。これら不純物拡散領域の選択的な形成は、公
知のドーピング技術、例えばイオン注入法を用いて行わ
れる。
【0022】この後、図2(a)に示されるように、ゲ
ート絶縁膜4、ゲート電極5及び保護膜(膜厚:1μ
m)6を、p型シリコン基板1の第1の面A上に、順次
形成する。保護膜6としては、通常、BPSG膜を用い
る。
ート絶縁膜4、ゲート電極5及び保護膜(膜厚:1μ
m)6を、p型シリコン基板1の第1の面A上に、順次
形成する。保護膜6としては、通常、BPSG膜を用い
る。
【0023】次に、図2(b)に示されるように、p型
シリコン基板1の強度を維持するために、p型シリコン
基板1と支持用基板7とを、保護膜6を介して貼り合わ
せる。支持用基板7としては、シリコンプロセスへの適
合性という観点から、シリコン基板を用いることが好ま
しい。
シリコン基板1の強度を維持するために、p型シリコン
基板1と支持用基板7とを、保護膜6を介して貼り合わ
せる。支持用基板7としては、シリコンプロセスへの適
合性という観点から、シリコン基板を用いることが好ま
しい。
【0024】この後、p型シリコン基板1の第2の面B
の側をポリッシング加工などの技術を用いて削り取り、
p型シリコン基板1の厚さを約2μm程度の厚さにまで
薄くする。このp型シリコン基板1の厚さは、CCD2
0とホトダイオード10との距離を均一にするという理
由から、2±0.05μm程度の範囲にあることが好ま
しい。
の側をポリッシング加工などの技術を用いて削り取り、
p型シリコン基板1の厚さを約2μm程度の厚さにまで
薄くする。このp型シリコン基板1の厚さは、CCD2
0とホトダイオード10との距離を均一にするという理
由から、2±0.05μm程度の範囲にあることが好ま
しい。
【0025】この後、p型シリコン基板1の第2の面B
からp型シリコン基板1の内部に延びる複数の第2のn
-型不純物拡散領域8を、p型シリコン基板1中に形成
することにより、マトリクス状に配されたn-p型のホ
トダイオード10を形成する。
からp型シリコン基板1の内部に延びる複数の第2のn
-型不純物拡散領域8を、p型シリコン基板1中に形成
することにより、マトリクス状に配されたn-p型のホ
トダイオード10を形成する。
【0026】次に、p型シリコン基板1に於いて、第2
の面Bの近傍領域に、p+型表面不純物拡散領域9を形
成する。このp+型表面不純物拡散領域9は、p型シリ
コン基板1の第2の面Bの側の表面電位を固定し、図3
(b)から(d)に示されるポテンシャル分布を得るた
めに用いられる。
の面Bの近傍領域に、p+型表面不純物拡散領域9を形
成する。このp+型表面不純物拡散領域9は、p型シリ
コン基板1の第2の面Bの側の表面電位を固定し、図3
(b)から(d)に示されるポテンシャル分布を得るた
めに用いられる。
【0027】このように、本実施例では、p型シリコン
基板1の両面にそれぞれ、ホトダイオード10とCCD
20とが別々に形成されているため、ホトダイオード1
0の面積を充分に大きくすることができる。具体的に
は、1画素が12.8×10.0μm2のサイズを有す
る1/2インチ系実効25万画素の固体撮像素子に於い
て、従来のホトダイオードは、上記1画素の30%の領
域を占めていた。本実施例の固体撮像素子のホトダイオ
ードは、上記1画素の90%に相当するサイズにまで拡
大することができる。こうして、本実施例の開口率は、
従来例の開口率の約3倍に向上される。
基板1の両面にそれぞれ、ホトダイオード10とCCD
20とが別々に形成されているため、ホトダイオード1
0の面積を充分に大きくすることができる。具体的に
は、1画素が12.8×10.0μm2のサイズを有す
る1/2インチ系実効25万画素の固体撮像素子に於い
て、従来のホトダイオードは、上記1画素の30%の領
域を占めていた。本実施例の固体撮像素子のホトダイオ
ードは、上記1画素の90%に相当するサイズにまで拡
大することができる。こうして、本実施例の開口率は、
従来例の開口率の約3倍に向上される。
【0028】このように、本実施例によれば、固体撮像
素子を小型化し画素を高密度化しても、1個のホトダイ
オードの面積を充分大きく維持できるので感度が向上す
る。また、CCDの幅を増加することができるので、転
送される信号電荷の量が増加する、このため、固体撮像
素子のダイナミックレンジが向上する。
素子を小型化し画素を高密度化しても、1個のホトダイ
オードの面積を充分大きく維持できるので感度が向上す
る。また、CCDの幅を増加することができるので、転
送される信号電荷の量が増加する、このため、固体撮像
素子のダイナミックレンジが向上する。
【0029】なお、上記実施例では、p型シリコン基板
1のCCD20が形成されている側に支持用基板7が設
けられているが、支持用基板7として透明基板を用いる
ときは、その支持用基板7は、ホトダイオード10が形
成されている側に設けられてもよい。
1のCCD20が形成されている側に支持用基板7が設
けられているが、支持用基板7として透明基板を用いる
ときは、その支持用基板7は、ホトダイオード10が形
成されている側に設けられてもよい。
【0030】本実施例の電気信号転送手段は電気信号と
して電荷を転送するCCDであったが、他の電気信号転
送手段を用いてもよい。また、本発明の固体撮像素子
は、不純物の導電型について、上記実施例の導電型を反
転させた構成を有していてもよい。
して電荷を転送するCCDであったが、他の電気信号転
送手段を用いてもよい。また、本発明の固体撮像素子
は、不純物の導電型について、上記実施例の導電型を反
転させた構成を有していてもよい。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像素子を小型化
し、又は画素を高密度化しても、1個のホトダイオード
が光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が充分に確保
できる。このため、感度の高い固体撮像素子が提供され
る。
し、又は画素を高密度化しても、1個のホトダイオード
が光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が充分に確保
できる。このため、感度の高い固体撮像素子が提供され
る。
【図1】本発明の実施例を示す断面図である。
【図2】(a)及び(b)は、図1に示される本発明の
実施例を製造する工程を示す断面図である。
実施例を製造する工程を示す断面図である。
【図3】(a)は、図1に示される本発明の実施例の一
部を示す断面図、(b)は、電荷がホトダイオードに蓄
積されているときのp型シリコン基板表面のポテンシャ
ルの分布を示す図、(c)は、電荷がCCDへ転送され
るときのポテンシャル分布を示す図、(d)は、電荷が
CCDへ転送された直後のポテンシャル分布を示す図で
ある。
部を示す断面図、(b)は、電荷がホトダイオードに蓄
積されているときのp型シリコン基板表面のポテンシャ
ルの分布を示す図、(c)は、電荷がCCDへ転送され
るときのポテンシャル分布を示す図、(d)は、電荷が
CCDへ転送された直後のポテンシャル分布を示す図で
ある。
【図4】(a)は、従来の固体撮像素子の一部を示す断
面図、(b)は、電荷がホトダイオードに蓄積されてい
るときのp型シリコン基板表面のポテンシャルの分布を
示す図、(c)は、電荷がCCDへ転送されるときのポ
テンシャル分布を示す図、(d)は、電荷がCCDへ転
送された直後のポテンシャル分布を示す図である。
面図、(b)は、電荷がホトダイオードに蓄積されてい
るときのp型シリコン基板表面のポテンシャルの分布を
示す図、(c)は、電荷がCCDへ転送されるときのポ
テンシャル分布を示す図、(d)は、電荷がCCDへ転
送された直後のポテンシャル分布を示す図である。
【図5】CCDを駆動し、信号電荷を転送するために固
体撮像素子の電極に印加される電圧波形を示す図であ
る。
体撮像素子の電極に印加される電圧波形を示す図であ
る。
1 p型シリコン基板 2 第1のn-型不純物拡散領域 3 p+型不純物拡散領域 4 ゲート絶縁膜 5 電極 6 保護膜 7 支持用基板 8 第2のn-型不純物拡散領域 9 p+型表面不純物拡散領域 10 ホトダイオード 20 CCD
Claims (1)
- 【請求項1】第1面と該第1面に対向する第2面とを有
する半導体基板と、 該半導体基板に於いて該第2面側に形成され、該第2面
を照射する光を電気信号に変換する光電変換手段と、 該半導体基板に於いて該第1面側に形成され、該電気信
号を該第1面に沿って転送する電気信号転送手段と、 該電気信号を該光電変換手段から該電気信号転送手段へ
転送する手段と、 を備えた固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4003329A JPH05190828A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4003329A JPH05190828A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05190828A true JPH05190828A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11554318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4003329A Withdrawn JPH05190828A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05190828A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151676A (ja) * | 2000-03-17 | 2002-05-24 | Nikon Corp | 撮像装置、撮像装置の製造方法、位置合わせ装置、露光装置、収差測定装置、およびデバイス製造方法 |
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-
1992
- 1992-01-10 JP JP4003329A patent/JPH05190828A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |