JPH05190828A - Solid-state image-sensing element - Google Patents
Solid-state image-sensing elementInfo
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- JPH05190828A JPH05190828A JP4003329A JP332992A JPH05190828A JP H05190828 A JPH05190828 A JP H05190828A JP 4003329 A JP4003329 A JP 4003329A JP 332992 A JP332992 A JP 332992A JP H05190828 A JPH05190828 A JP H05190828A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関し、特
に、小型化及び高集積化に適した高感度の固体撮像素子
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image sensor, and more particularly to a high-sensitivity solid-state image sensor suitable for miniaturization and high integration.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４（ａ）は、従来の２次元固体撮像素
子の断面の一部を示している。2. Description of the Related Art FIG. 4A shows a part of a cross section of a conventional two-dimensional solid-state image pickup device.
【０００３】この固体撮像素子は、第１の面Ａ及び第２
の面Ｂを有するｐ型シリコン基板４１と、ｐ型シリコン
基板４１の第１の面Ａ側に形成されたｎ-不純物拡散領
域４２及び４８とを有している。ｐ型シリコン基板４１
とｎ-不純物拡散領域４８とにより、ｐｎ-型のホトダイ
オード５０が形成されている。ホトダイオード５０の表
面付近には、ｐ+型表面不純物拡散領域４９が形成され
ている。また、複数のｎ-不純物拡散領域４２によりＣ
ＣＤ６０が形成されている。各ＣＣＤ６０は、ｐ+型不
純物拡散領域により分離されている。ｐ型シリコン基板
４１の上面Ａはゲート絶縁膜４４により覆われている。
ゲート絶縁膜４４上にはＣＣＤ６０を覆う複数の電極４
５が設けられている。このように、従来の２次元固体撮
像素子は、ｐ型シリコン基板４１のＣＣＤ６０が形成さ
れている側（第１の面Ａ側）にマトリクス状に配された
複数のホトダイオード５０を有している。This solid-state image sensor has a first surface A and a second surface A.
Of the p-type silicon substrate 41 and the n − impurity diffusion regions 42 and 48 formed on the first surface A side of the p-type silicon substrate 41. p-type silicon substrate 41
And the n − impurity diffusion region 48 form a pn − type photodiode 50. A p + type surface impurity diffusion region 49 is formed near the surface of the photodiode 50. In addition, C is formed by the plurality of n − impurity diffusion regions 42.
The CD 60 is formed. Each CCD 60 is separated by a p + type impurity diffusion region. The upper surface A of the p-type silicon substrate 41 is covered with the gate insulating film 44.
A plurality of electrodes 4 covering the CCD 60 are formed on the gate insulating film 44.
5 are provided. As described above, the conventional two-dimensional solid-state imaging device has the plurality of photodiodes 50 arranged in a matrix on the side of the p-type silicon substrate 41 on which the CCD 60 is formed (first surface A side). ..
【０００４】ｐ型シリコン基板４１の第１の面Ａを照射
した光により、ホトダイオード５０で電荷（信号電荷）
が生じる。このとき（時刻Ｔ＝ｔ1）、図４（ｂ）に示
されるように、電荷がホトダイオード５０に蓄積され
る。この電荷は、所定期間、ホトダイオード５０に蓄積
されたあと、電極４５の電位変化を応じて、各々のホト
ダイオード５０に対応するＣＣＤ６０に流入する。この
とき（時刻Ｔ＝ｔ2）、図４（ｃ）に示されるようにし
て、電極４５の電位変化に応じて生じるポテンシャル分
布の変化に従って、電荷がホトダイオード５０からＣＣ
Ｄ６０へ転送される。The light irradiating the first surface A of the p-type silicon substrate 41 charges the photodiode 50 (signal charge).
Occurs. At this time (time T = t 1 ), electric charges are accumulated in the photodiode 50 as shown in FIG. This charge is accumulated in the photodiode 50 for a predetermined period, and then flows into the CCD 60 corresponding to each photodiode 50 according to the potential change of the electrode 45. At this time (time T = t 2 ), as shown in FIG. 4C, the charge is transferred from the photodiode 50 to the CC according to the change in the potential distribution caused by the change in the potential of the electrode 45.
It is transferred to D60.
【０００５】図４（ｄ）は、電荷がＣＣＤ６０へ転送さ
れた直後（時刻Ｔ＝ｔ3）の、ポテンシャル分布を示し
ている。電荷は、その後、電極４５の電位変化に応じ
て、ＣＣＤ中で（図４（ａ）の図面垂直方向に）転送さ
れる。FIG. 4D shows the potential distribution immediately after the charge is transferred to the CCD 60 (time T = t 3 ). The electric charge is then transferred in the CCD (in the vertical direction in FIG. 4A) in response to the change in the potential of the electrode 45.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術においては、固体撮像素子を小型化し、又は画
素を高密度化するに従い、単位画素あたりの面積が減少
し、開口率が減少する。このため、１個のホトダイオー
ド５０が光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が減少
し、固体撮像素子の感度が低下するという問題がある。
この問題を解決するため、各ホトダイオード５０に対し
てレンズを用いた集光を行うことにより、ホトダイオー
ド５０で発生する信号電荷の量を増加させる技術が提案
されている。また、ホトダイオード５０の受光面積を拡
大する目的で、固体撮像素子を積層化することが提案さ
れている。However, in the above-mentioned conventional technique, the area per unit pixel is reduced and the aperture ratio is reduced as the solid-state imaging device is downsized or the pixel density is increased. Therefore, there is a problem in that the amount of signal charge that can be accumulated by performing photoelectric conversion by one photodiode 50 is reduced, and the sensitivity of the solid-state image sensor is reduced.
In order to solve this problem, there has been proposed a technique for increasing the amount of signal charge generated in each photodiode 50 by condensing each photodiode 50 using a lens. Further, it has been proposed to stack solid-state imaging devices for the purpose of expanding the light receiving area of the photodiode 50.
【０００７】しかし、これらの技術も、開口率が低いと
いう問題を充分には解決しておらず、製造工程が複雑化
するという欠点を有している。However, these techniques also do not sufficiently solve the problem of low aperture ratio, and have the drawback of complicating the manufacturing process.
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、固体撮像素
子を小型化し、又は画素を高密度化しても、１個のホト
ダイオードが光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が
充分に確保できる、感度の高い固体撮像素子を提供する
ことにある。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to make one photodiode perform photoelectric conversion even if the solid-state image pickup device is downsized or pixels are made high in density. It is an object of the present invention to provide a solid-state image sensor with high sensitivity, which can secure a sufficient amount of signal charge that can be accumulated by performing the above.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、第１面と該第１面に対向する第２面とを有する半導
体基板と、該半導体基板に於いて該第２面側に形成さ
れ、該第２面を照射する光を電気信号に変換する光電変
換手段と、該半導体基板に於いて該第１面側に形成さ
れ、該電気信号を該第１面に沿って転送する電気信号転
送手段と、該電気信号を該光電変換手段から該電気信号
転送手段へ転送する手段と、を備えており、そのことに
より上記目的を達成することがてきる。A solid-state image sensor according to the present invention includes a semiconductor substrate having a first surface and a second surface facing the first surface, and the semiconductor substrate having the second surface on the second surface side. A photoelectric conversion unit that is formed and converts light that illuminates the second surface into an electric signal, and is formed on the first surface side of the semiconductor substrate, and transfers the electric signal along the first surface. It is provided with an electric signal transfer means and a means for transferring the electric signal from the photoelectric conversion means to the electric signal transfer means, whereby the above object can be achieved.
【００１０】[0010]
【実施例】以下に、本発明を実施例について説明する。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.
【００１１】図１は、本発明の実施例の断面の一部を示
している。本実施例は、ｐ型シリコン基板（導電率：３
０Ωｃｍ、厚さ：６００μｍ）１と、ｐ型シリコン基板
１中に形成された光電変換手段と、ｐ型シリコン基板１
中に形成された電気信号転送手段とを有する固体撮像素
子である。本実施例の光電変換手段はホトダイオード１
０であり、電気信号転送手段はＣＣＤ（電荷転送素子）
２０である。従来の固体撮像素子と本実施例との構造上
の主要な相違点は、ホトダイオード１０とＣＣＤ２０と
が、各々、ｐ型シリコン基板１の対向する２面（第１の
面Ａと第２の面Ｂ）に形成されていることである。FIG. 1 shows a part of a cross section of an embodiment of the present invention. In this embodiment, a p-type silicon substrate (conductivity: 3
0 Ωcm, thickness: 600 μm) 1, photoelectric conversion means formed in p-type silicon substrate 1, and p-type silicon substrate 1
A solid-state image sensor having an electric signal transfer means formed therein. The photoelectric conversion means of this embodiment is the photodiode 1
0, and the electric signal transfer means is a CCD (charge transfer device)
Twenty. The main structural difference between the conventional solid-state image sensor and the present embodiment is that the photodiode 10 and the CCD 20 have two opposing surfaces (first surface A and second surface) of the p-type silicon substrate 1, respectively. It is formed in B).
【００１２】ＣＣＤ２０は、ｐ型シリコン基板１の第１
の面Ａの側に形成されている。このＣＣＤ２０の構造自
体は、従来のＣＣＤ６０（図４（ａ））の構造と同様で
ある。すなわち、ＣＣＤ２０は、第１のｎ-型不純物拡
散領域（厚さ：０．４μｍ、不純物濃度：１×１０17ｃ
ｍ-3）２により形成され、それぞれ、ｐ+型不純物拡散
領域（厚さ：０．５μｍ、不純物濃度：１×１０17ｃｍ
-3）３により分離されている。The CCD 20 is the first of the p-type silicon substrate 1.
Is formed on the surface A side. The structure itself of the CCD 20 is similar to that of the conventional CCD 60 (FIG. 4A). That is, the CCD 20 has a first n − -type impurity diffusion region (thickness: 0.4 μm, impurity concentration: 1 × 10 17 c).
m −3 ) 2, each of which is a p + -type impurity diffusion region (thickness: 0.5 μm, impurity concentration: 1 × 10 17 cm
-3 ) Separated by 3.
【００１３】ＣＣＤ２０が形成されているｐ型シリコン
基板１の第１の面Ａは、ゲート絶縁膜（膜厚：８０ｎ
ｍ）４により覆われている。ゲート絶縁膜４上に複数の
電極（膜厚：５００ｎｍ）５が設けられている。The first surface A of the p-type silicon substrate 1 on which the CCD 20 is formed has a gate insulating film (film thickness: 80 n).
m) covered by 4. A plurality of electrodes (film thickness: 500 nm) 5 are provided on the gate insulating film 4.
【００１４】ｐ型シリコン基板１の第２の面Ｂの側に
は、ｐ+型表面不純物拡散領域（厚さ：０．２μｍ、不
純物濃度：１×１０19ｃｍ-3）９が形成され、所定位置
に複数のｎ-型不純物拡散領域８が形成されている。ｐ
型シリコン基板１と第２のｎ-型不純物拡散領域（厚
さ：０．８μｍ、不純物濃度：１×１０17ｃｍ-3）８と
により、ホトダイオード１０が構成されている。A p + type surface impurity diffusion region (thickness: 0.2 μm, impurity concentration: 1 × 10 19 cm −3 ) 9 is formed on the second surface B side of the p type silicon substrate 1. A plurality of n − type impurity diffusion regions 8 are formed at predetermined positions. p
The photodiode 10 is composed of the type silicon substrate 1 and the second n − type impurity diffusion region (thickness: 0.8 μm, impurity concentration: 1 × 10 17 cm −3 ).
【００１５】このように本実施例では、ホトダイオード
１０とＣＣＤ２０とが、それぞれ、ｐ型シリコン基板１
の対向する２面に形成されているため、ホトダイオード
１０の受光面積を縮小することなく、固体撮像素子の小
型化及び高集積化が達成される。As described above, in this embodiment, the photodiode 10 and the CCD 20 are respectively formed by the p-type silicon substrate 1
Since they are formed on the two surfaces facing each other, miniaturization and high integration of the solid-state imaging device can be achieved without reducing the light receiving area of the photodiode 10.
【００１６】次に、図３を参照しながら、本実施例の動
作を説明する。動作中に、各電極５には、図５に示され
た波形を有する駆動電圧が位相をずらして繰り返し印加
される。Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. During operation, the drive voltage having the waveform shown in FIG. 5 is repeatedly applied to each electrode 5 with a phase shift.
【００１７】まず、ｐ型シリコン基板１の第２の面Ｂの
図３（ａ）に示される部分を照射した光の強さに応じ
て、ホトダイオード１０で電荷（信号電荷）が生じる。
このとき（時刻Ｔ＝ｔ1、電極電位＝ＶI）、図３（ｂ）
に示されるように、電荷はホトダイオード１０に蓄積さ
れる。First, an electric charge (signal electric charge) is generated in the photodiode 10 according to the intensity of the light that irradiates the portion of the second surface B of the p-type silicon substrate 1 shown in FIG. 3 (a).
At this time (time T = t 1 , electrode potential = V I ), FIG.
The charge is stored in the photodiode 10, as shown in FIG.
【００１８】電荷は、所定期間、ホトダイオード１０に
蓄積されたあと、電極５の電位変化（電極電位ＶI→電
極電位ＶH）に応じて、ホトダイオード１０に対向する
ＣＣＤ２０へ、ｐ型シリコン基板１の内部を介して、流
入する。すなわち、このとき（時刻Ｔ＝ｔ2、電極電位
＝ＶH）、図３（ｃ）に示されるように、電極５の電位
変化に応じて生じるポテンシャル分布の変化に従って、
電荷がホトダイオード１０からＣＣＤ２０へ転送され
る。After the charges are accumulated in the photodiode 10 for a predetermined period, the p-type silicon substrate 1 is transferred to the CCD 20 facing the photodiode 10 according to the potential change of the electrode 5 (electrode potential V I → electrode potential V H ). Flows in through the inside of. That is, at this time (time T = t 2 , electrode potential = V H ), as shown in FIG. 3C, according to the change in the potential distribution caused by the change in the potential of the electrode 5,
The charge is transferred from the photodiode 10 to the CCD 20.
【００１９】図３（ｄ）は、電荷がＣＣＤ２０へ転送さ
れた直後（時刻Ｔ＝ｔ3、電極電位＝ＶI）のポテンシャ
ル分布を示している。電荷は、その後、電極５の電位変
化（電位ＶIと電位ＶLとが交互に電極に印加される）に
応じて、ＣＣＤ２０中で（図３（ａ）の図面垂直方向
に）転送される。FIG. 3D shows the potential distribution immediately after the charge is transferred to the CCD 20 (time T = t 3 , electrode potential = V I ). After that, the charges are transferred in the CCD 20 (in the vertical direction of FIG. 3A) in response to the potential change of the electrode 5 (potential V I and potential V L are alternately applied to the electrode). ..
【００２０】次に、図２（ａ）及び（ｂ）を参照しなが
ら、本実施例を製造する方法を説明する。Next, a method for manufacturing this embodiment will be described with reference to FIGS.
【００２１】まず、ｐ型シリコン基板１の第１の面Ａか
らｐ型シリコン基板１の内部に延びる複数の第１のｎ-
型不純物拡散領域４８を、ｐ型シリコン基板１中に形成
することにより、ＣＣＤ２０を形成する。また、ｐ型シ
リコン基板１の第１の面からｐ型シリコン基板１の内部
に延びるｐ+型不純物拡散領域３を、ｐ型シリコン基板
中の各ＣＣＤ間に形成することにより、画素分離領域を
形成する。これら不純物拡散領域の選択的な形成は、公
知のドーピング技術、例えばイオン注入法を用いて行わ
れる。First, a plurality of first n − − extending from the first surface A of the p-type silicon substrate 1 to the inside of the p-type silicon substrate 1.
The CCD 20 is formed by forming the type impurity diffusion region 48 in the p-type silicon substrate 1. Further, by forming the p + -type impurity diffusion region 3 extending from the first surface of the p-type silicon substrate 1 into the p-type silicon substrate 1 between the CCDs in the p-type silicon substrate, the pixel isolation region is formed. Form. The selective formation of these impurity diffusion regions is performed using a known doping technique, for example, an ion implantation method.
【００２２】この後、図２（ａ）に示されるように、ゲ
ート絶縁膜４、ゲート電極５及び保護膜（膜厚：１μ
ｍ）６を、ｐ型シリコン基板１の第１の面Ａ上に、順次
形成する。保護膜６としては、通常、ＢＰＳＧ膜を用い
る。After that, as shown in FIG. 2A, the gate insulating film 4, the gate electrode 5, and the protective film (film thickness: 1 μm
m) 6 are sequentially formed on the first surface A of the p-type silicon substrate 1. A BPSG film is usually used as the protective film 6.
【００２３】次に、図２（ｂ）に示されるように、ｐ型
シリコン基板１の強度を維持するために、ｐ型シリコン
基板１と支持用基板７とを、保護膜６を介して貼り合わ
せる。支持用基板７としては、シリコンプロセスへの適
合性という観点から、シリコン基板を用いることが好ま
しい。Next, as shown in FIG. 2B, in order to maintain the strength of the p-type silicon substrate 1, the p-type silicon substrate 1 and the supporting substrate 7 are attached with a protective film 6 in between. To match. As the supporting substrate 7, it is preferable to use a silicon substrate from the viewpoint of compatibility with a silicon process.
【００２４】この後、ｐ型シリコン基板１の第２の面Ｂ
の側をポリッシング加工などの技術を用いて削り取り、
ｐ型シリコン基板１の厚さを約２μｍ程度の厚さにまで
薄くする。このｐ型シリコン基板１の厚さは、ＣＣＤ２
０とホトダイオード１０との距離を均一にするという理
由から、２±０．０５μｍ程度の範囲にあることが好ま
しい。After this, the second surface B of the p-type silicon substrate 1
Shaving off the side using a technique such as polishing,
The thickness of the p-type silicon substrate 1 is reduced to about 2 μm. The thickness of this p-type silicon substrate 1 is CCD2.
In order to make the distance between 0 and the photodiode 10 uniform, it is preferably in the range of about 2 ± 0.05 μm.
【００２５】この後、ｐ型シリコン基板１の第２の面Ｂ
からｐ型シリコン基板１の内部に延びる複数の第２のｎ
-型不純物拡散領域８を、ｐ型シリコン基板１中に形成
することにより、マトリクス状に配されたｎ-ｐ型のホ
トダイオード１０を形成する。After this, the second surface B of the p-type silicon substrate 1
A plurality of second n extending from the inside to the inside of the p-type silicon substrate 1.
By forming the − type impurity diffusion region 8 in the p type silicon substrate 1, the n − p type photodiodes 10 arranged in a matrix are formed.
【００２６】次に、ｐ型シリコン基板１に於いて、第２
の面Ｂの近傍領域に、ｐ+型表面不純物拡散領域９を形
成する。このｐ+型表面不純物拡散領域９は、ｐ型シリ
コン基板１の第２の面Ｂの側の表面電位を固定し、図３
（ｂ）から（ｄ）に示されるポテンシャル分布を得るた
めに用いられる。Next, in the p-type silicon substrate 1, the second
A p + type surface impurity diffusion region 9 is formed in the region near the surface B of the. The p + type surface impurity diffusion region 9 fixes the surface potential on the second surface B side of the p type silicon substrate 1, and
It is used to obtain the potential distributions shown in (b) to (d).
【００２７】このように、本実施例では、ｐ型シリコン
基板１の両面にそれぞれ、ホトダイオード１０とＣＣＤ
２０とが別々に形成されているため、ホトダイオード１
０の面積を充分に大きくすることができる。具体的に
は、１画素が１２．８×１０．０μｍ2のサイズを有す
る１／２インチ系実効２５万画素の固体撮像素子に於い
て、従来のホトダイオードは、上記１画素の３０％の領
域を占めていた。本実施例の固体撮像素子のホトダイオ
ードは、上記１画素の９０％に相当するサイズにまで拡
大することができる。こうして、本実施例の開口率は、
従来例の開口率の約３倍に向上される。As described above, in this embodiment, the photodiode 10 and the CCD are provided on both sides of the p-type silicon substrate 1, respectively.
Since 20 and 20 are formed separately, the photodiode 1
The area of 0 can be made sufficiently large. Specifically, in a 1/2 inch effective solid state image pickup device having 250,000 pixels in which one pixel has a size of 12.8 × 10.0 μm 2 , the conventional photodiode has an area of 30% of the above one pixel. Was occupied. The photodiode of the solid-state image sensor according to the present embodiment can be expanded to a size corresponding to 90% of one pixel. Thus, the aperture ratio of this embodiment is
The aperture ratio is improved to about 3 times that of the conventional example.
【００２８】このように、本実施例によれば、固体撮像
素子を小型化し画素を高密度化しても、１個のホトダイ
オードの面積を充分大きく維持できるので感度が向上す
る。また、ＣＣＤの幅を増加することができるので、転
送される信号電荷の量が増加する、このため、固体撮像
素子のダイナミックレンジが向上する。As described above, according to the present embodiment, even if the solid-state image pickup device is miniaturized and the pixel density is increased, the area of one photodiode can be maintained sufficiently large, so that the sensitivity is improved. Moreover, since the width of the CCD can be increased, the amount of signal charges transferred is increased, which improves the dynamic range of the solid-state imaging device.
【００２９】なお、上記実施例では、ｐ型シリコン基板
１のＣＣＤ２０が形成されている側に支持用基板７が設
けられているが、支持用基板７として透明基板を用いる
ときは、その支持用基板７は、ホトダイオード１０が形
成されている側に設けられてもよい。In the above embodiment, the supporting substrate 7 is provided on the side of the p-type silicon substrate 1 on which the CCD 20 is formed. However, when a transparent substrate is used as the supporting substrate 7, the supporting substrate 7 is supported. The substrate 7 may be provided on the side where the photodiode 10 is formed.
【００３０】本実施例の電気信号転送手段は電気信号と
して電荷を転送するＣＣＤであったが、他の電気信号転
送手段を用いてもよい。また、本発明の固体撮像素子
は、不純物の導電型について、上記実施例の導電型を反
転させた構成を有していてもよい。Although the electric signal transfer means of this embodiment is a CCD which transfers electric charges as electric signals, other electric signal transfer means may be used. Further, the solid-state imaging device of the present invention may have a configuration in which the conductivity type of impurities is reversed from the conductivity type of the above embodiment.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像素子を小型化
し、又は画素を高密度化しても、１個のホトダイオード
が光電変換を行い蓄積し得る信号電荷の量が充分に確保
できる。このため、感度の高い固体撮像素子が提供され
る。According to the present invention, even if the solid-state image pickup device is miniaturized or the pixel density is increased, a sufficient amount of signal charge that can be accumulated by performing photoelectric conversion by one photodiode can be secured. Therefore, a solid-state image sensor having high sensitivity is provided.
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１に示される本発明の
実施例を製造する工程を示す断面図である。2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views showing a process of manufacturing the embodiment of the present invention shown in FIG.
【図３】（ａ）は、図１に示される本発明の実施例の一
部を示す断面図、（ｂ）は、電荷がホトダイオードに蓄
積されているときのｐ型シリコン基板表面のポテンシャ
ルの分布を示す図、（ｃ）は、電荷がＣＣＤへ転送され
るときのポテンシャル分布を示す図、（ｄ）は、電荷が
ＣＣＤへ転送された直後のポテンシャル分布を示す図で
ある。3A is a cross-sectional view showing a part of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1, and FIG. 3B is a diagram showing the potential of the surface of a p-type silicon substrate when electric charges are accumulated in a photodiode. FIG. 4C is a diagram showing a distribution, FIG. 7C is a diagram showing a potential distribution when charges are transferred to the CCD, and FIG. 7D is a diagram showing a potential distribution immediately after the charges are transferred to the CCD.
【図４】（ａ）は、従来の固体撮像素子の一部を示す断
面図、（ｂ）は、電荷がホトダイオードに蓄積されてい
るときのｐ型シリコン基板表面のポテンシャルの分布を
示す図、（ｃ）は、電荷がＣＣＤへ転送されるときのポ
テンシャル分布を示す図、（ｄ）は、電荷がＣＣＤへ転
送された直後のポテンシャル分布を示す図である。4A is a cross-sectional view showing a part of a conventional solid-state imaging device, FIG. 4B is a diagram showing a potential distribution on the surface of a p-type silicon substrate when electric charges are accumulated in a photodiode, (C) is a diagram showing a potential distribution when the charges are transferred to the CCD, and (d) is a diagram showing a potential distribution immediately after the charges are transferred to the CCD.
【図５】ＣＣＤを駆動し、信号電荷を転送するために固
体撮像素子の電極に印加される電圧波形を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing voltage waveforms applied to electrodes of a solid-state image sensor for driving a CCD and transferring signal charges.
１ ｐ型シリコン基板 ２ 第１のｎ-型不純物拡散領域 ３ ｐ+型不純物拡散領域 ４ ゲート絶縁膜 ５ 電極 ６ 保護膜 ７ 支持用基板 ８ 第２のｎ-型不純物拡散領域 ９ ｐ+型表面不純物拡散領域 １０ ホトダイオード ２０ ＣＣＤ1 p-type silicon substrate 2 first n − -type impurity diffusion region 3 p + -type impurity diffusion region 4 gate insulating film 5 electrode 6 protective film 7 supporting substrate 8 second n − -type impurity diffusion region 9 p + -type surface Impurity diffusion region 10 Photo diode 20 CCD
Claims (1)
する半導体基板と、 該半導体基板に於いて該第２面側に形成され、該第２面
を照射する光を電気信号に変換する光電変換手段と、 該半導体基板に於いて該第１面側に形成され、該電気信
号を該第１面に沿って転送する電気信号転送手段と、 該電気信号を該光電変換手段から該電気信号転送手段へ
転送する手段と、 を備えた固体撮像素子。1. A semiconductor substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and light for irradiating the second surface formed on the second surface side of the semiconductor substrate. Photoelectric conversion means for converting into an electric signal; electric signal transfer means formed on the first surface side of the semiconductor substrate for transferring the electric signal along the first surface; A solid-state image pickup device comprising: means for transferring from the conversion means to the electric signal transfer means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4003329A JPH05190828A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Solid-state image-sensing element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4003329A JPH05190828A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Solid-state image-sensing element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190828A true JPH05190828A (en) | 1993-07-30 |
Family
ID=11554318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4003329A Withdrawn JPH05190828A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Solid-state image-sensing element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190828A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151676A (en) * | 2000-03-17 | 2002-05-24 | Nikon Corp | Image pickup device, its manufacturing method, alignment device, aligner, abberation measuring instrument, and method of manufacturing the device |
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| WO2010013368A1 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | パナソニック株式会社 | Solid state imaging device |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP4003329A patent/JPH05190828A/en not_active Withdrawn
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