JPH05183075A - Optical semiconductor device - Google Patents
Optical semiconductor deviceInfo
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- JPH05183075A JPH05183075A JP3360709A JP36070991A JPH05183075A JP H05183075 A JPH05183075 A JP H05183075A JP 3360709 A JP3360709 A JP 3360709A JP 36070991 A JP36070991 A JP 36070991A JP H05183075 A JPH05183075 A JP H05183075A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、光透過率および低応
力性の双方に優れた封止樹脂により樹脂封止された光半
導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device resin-encapsulated with an encapsulating resin excellent in both light transmittance and low stress.
【0002】[0002]
【従来の技術】光半導体素子を封止する際に用いられる
樹脂組成物としては、透明であることが要求され、一般
に、ビスフェノール型エポキシ樹脂,脂環式エポキシ樹
脂等のエポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤とからなるエポ
キシ樹脂組成物が用いられている。2. Description of the Related Art A resin composition used for encapsulating an optical semiconductor element is required to be transparent. Generally, an epoxy resin such as a bisphenol type epoxy resin or an alicyclic epoxy resin and an acid anhydride are used. An epoxy resin composition including a hardener is used.
【0003】しかし、上記エポキシ樹脂組成物を封止樹
脂として用いると、エポキシ樹脂組成物の硬化時の硬化
収縮、または硬化温度から室温に冷却するときの冷却収
縮により、封止樹脂と光半導体素子の接着界面におい
て、封止樹脂と光半導体素子の線膨張係数の差に起因す
る歪みが生じ内部応力が発生する。その結果、光半導体
素子が劣化するという問題が生じる。このため、従来か
ら、上記内部応力を低減させる方法として、シリカ粒子
等の線膨張係数の小さい透明な無機粉末を添加してエポ
キシ樹脂組成物硬化体の線膨張係数を小さくし、光半導
体素子のそれに近似させる方法が提案され一部で実行さ
れている。However, when the above epoxy resin composition is used as the encapsulating resin, the encapsulating resin and the optical semiconductor element are caused by the shrinkage upon curing of the epoxy resin composition or the cooling shrinkage upon cooling from the curing temperature to room temperature. At the bonding interface of (1), distortion occurs due to the difference in linear expansion coefficient between the sealing resin and the optical semiconductor element, and internal stress occurs. As a result, there arises a problem that the optical semiconductor element deteriorates. Therefore, conventionally, as a method of reducing the internal stress, a transparent inorganic powder having a small linear expansion coefficient such as silica particles is added to reduce the linear expansion coefficient of the epoxy resin composition cured body, A method to approximate it has been proposed and implemented in part.
【0004】しかし、上記方法は、内部応力を低下させ
ることは可能でも、透明な無機粉末とエポキシ樹脂硬化
体との屈折率の差があるため、得られるエポキシ樹脂組
成物硬化体の光透過率が著しく低下するという光半導体
封止用樹脂組成物としては致命的な欠点を有している。
これに対し、上記欠点を解決するために、樹脂成分と透
明な無機粉末の屈折率の差を小さくする方法が提案され
実行されている(特開昭49−23847号)。However, in the above method, although the internal stress can be reduced, there is a difference in the refractive index between the transparent inorganic powder and the cured epoxy resin, so that the obtained epoxy resin composition cured product has a light transmittance. Has a fatal defect as a resin composition for optical semiconductor encapsulation.
On the other hand, in order to solve the above drawbacks, a method of reducing the difference in refractive index between the resin component and the transparent inorganic powder has been proposed and implemented (Japanese Patent Laid-Open No. 49-23847).
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単に樹
脂成分と透明な無機粉末の屈折率の差を小さくするだけ
では、例えば、厚み2mmのエポキシ樹脂硬化体の光透
過率は70%程度であり、高輝度の発光素子(LED)
等の高性能光半導体素子の封止樹脂組成物としては、不
充分であり、より光透過率の高い、しかも低応力性に優
れた光半導体封止用樹脂組成物が切望されている。However, by simply reducing the difference in the refractive index between the resin component and the transparent inorganic powder, for example, the cured product of an epoxy resin having a thickness of 2 mm has a light transmittance of about 70%, High brightness light emitting device (LED)
As an encapsulating resin composition for high-performance optical semiconductor elements such as those described above, a resin composition for encapsulating an optical semiconductor having a high light transmittance and an excellent low stress property has been earnestly desired.
【0006】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、内部応力が小さく、しかも低応力性に優れた
光半導体装置の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an optical semiconductor device having a small internal stress and an excellent low stress property.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の光半導体装置は、下記の(A)〜(C)
成分を含み、(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)
および(B)成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈
折率との差が±0.01の範囲に設定されているエポキ
シ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止するという構
成をとる。 (A)透明性エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)表面が平滑なシリカ系粒子。In order to achieve the above object, an optical semiconductor device of the present invention has the following (A) to (C).
A silica-based particle containing a component and being a component (C);
And a structure in which an optical semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition whose difference from the refractive index of an epoxy resin cured product mainly composed of the component (B) is set within ± 0.01. (A) Transparent epoxy resin. (B) Hardener. (C) Silica-based particles having a smooth surface.
【0008】[0008]
【作用】すなわち、本発明者らは、内部応力が小さくし
かも光透過性に優れた封止樹脂を得るために一連の研究
を重ねた。その研究の過程で、種々の粒子径のシリカ系
粒子を用いたところ、粒子径の大きい方が光透過率が高
くなる傾向を突き止めたが、ある程度粒子径が大きい場
合であっても、充分な光透過率は得られなかった。そこ
で、上記光透過性が低いのは、例えば見掛けは粒子径が
50μmの粒子であっても実際には、サブミクロンオー
ダーの微粒子(シリカ系微細片)が粒子表面に多数付着
あるいは遊離して存在しており、その微粒子が光を乱反
射させるのではないか、また球状溶融シリカのように粒
子の製造工程中で微粒子が副生成する場合は粒子表面に
微粒子が付着しているだけでなく、たとえその微粒子が
剥離しても微粒子の付着していた痕跡が粒子表面に残存
して表面が粗くなり、その粗さが光の乱反射を起こすた
めではないかと想起した。そして、このような乱反射を
防止し光透過率を高めるために、さらに研究を重ねた。
その結果、表面が平滑なシリカ系粒子を用い、さらにこ
のシリカ系粒子の屈折率をエポキシ樹脂硬化体のそれに
近似させると、透明で内部応力の低減された封止樹脂が
得られることを見出しこの発明に到達した。FUNCTION In other words, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a sealing resin having a small internal stress and an excellent light transmittance. In the course of the research, when silica particles having various particle sizes were used, it was found that the larger the particle size was, the higher the light transmittance tended to be. No light transmission was obtained. Therefore, the reason why the light transmittance is low is that, for example, even in the case of particles having an apparent particle diameter of 50 μm, a large number of submicron-order fine particles (silica-based fine particles) are actually present on the particle surface by being attached or released. If the fine particles do not diffusely reflect light, or if fine particles are by-produced during the process of producing the particles such as spherical fused silica, not only the fine particles are attached to the particle surface, but I recalled that even if the fine particles were peeled off, the traces of the fine particles remained on the surface of the particles and the surface became rough, and the roughness caused diffuse reflection of light. Then, further research was conducted in order to prevent such irregular reflection and increase the light transmittance.
As a result, it was found that when a silica-based particle having a smooth surface is used and the refractive index of the silica-based particle is approximated to that of a cured epoxy resin, a transparent sealing resin with reduced internal stress can be obtained. The invention has been reached.
【0009】つぎに、この発明を詳しく説明する。Next, the present invention will be described in detail.
【0010】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
透明性エポキシ樹脂(A成分)と、硬化剤(B成分)
と、特定のシリカ系粒子(C成分)とを用いて得られる
ものであって、通常、液状,粉末状もしくはこの粉末を
打錠したタブレット状のものが用いられる。The epoxy resin composition used in the present invention is
Transparent epoxy resin (component A) and curing agent (component B)
And a specific silica-based particle (component C), which are usually in the form of liquid, powder, or tablets obtained by tableting this powder.
【0011】上記透明性エポキシ樹脂(A成分)として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂,脂環式エポキシ樹
脂が透明性を有するために好ましく用いられるが、場合
により他のエポキシ樹脂を併用してもよい。そして、上
記他のエポキシ樹脂を併用する場合、その配合割合は、
通常、エポキシ樹脂成分全体の50重量%(以下「%」
と略す)以下に設定するのが好適である。このようなエ
ポキシ樹脂としては、一般に、エポキシ当量100〜1
000、軟化点120℃以下のものが用いられる。な
お、上記透明性エポキシ樹脂の透明性とは、着色透明の
場合も含み、厚み1mm相当で、600nmの波長の光
透過率が80〜100%をいう(分光光度計により測
定)。As the transparent epoxy resin (component A), a bisphenol type epoxy resin and an alicyclic epoxy resin are preferably used because they have transparency, but other epoxy resins may be used together depending on the case. When the other epoxy resin is used in combination, the mixing ratio is
Usually 50% by weight of the total epoxy resin component (hereinafter "%"
It is preferable to set the following. Such an epoxy resin generally has an epoxy equivalent of 100 to 1
000 and a softening point of 120 ° C. or less are used. The transparency of the transparent epoxy resin includes the case of being colored and transparent, and corresponds to a thickness of 1 mm and a light transmittance of 80 to 100% at a wavelength of 600 nm (measured by a spectrophotometer).
【0012】上記透明性エポキシ樹脂(A成分)ととも
に用いられる硬化剤(B成分)としては、例えば酸無水
物系硬化剤があげられる。上記酸無水物系硬化剤として
は、分子量140〜200程度のものが好ましく用いら
れ、具体的には、ヘキサヒドロ無水フタル酸,テトラヒ
ドロ無水フタル酸,メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、
メチルテトラヒドロ無水フタル酸等の無色ないし淡黄色
の酸無水物があげられる。上記酸無水物系硬化剤の配合
量は、上記透明性エポキシ樹脂(A成分)100重量部
(以下「部」と略す)に対して50〜200部の範囲に
設定することが好ましい。Examples of the curing agent (component B) used together with the transparent epoxy resin (component A) include acid anhydride type curing agents. As the acid anhydride-based curing agent, those having a molecular weight of about 140 to 200 are preferably used, and specifically, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride,
A colorless or pale yellow acid anhydride such as methyltetrahydrophthalic anhydride can be used. The compounding amount of the acid anhydride-based curing agent is preferably set in the range of 50 to 200 parts with respect to 100 parts by weight of the transparent epoxy resin (component A) (hereinafter abbreviated as “part”).
【0013】上記特定のシリカ系粒子(C成分)として
は、表面が平滑なものを用いる必要がある。そして、こ
のようなシリカ系粒子として、粒子径10μm以上、好
ましくは50μm以上のものを用いるのが好ましく、実
質的に1μm以下の微粒子が含有されていないものが好
ましい。上記表面が平滑なシリカ系粒子とは、シリカ系
粒子の表面にシリカ微細片が付着していないものをい
う。なお、特定のシリカ系粒子には、屈折率の調整とい
う観点からシリカ以外に酸化鉛,酸化チタン等の金属酸
化物を所定量溶融混合してもよい。It is necessary to use particles having a smooth surface as the specific silica particles (component C). As such silica-based particles, those having a particle size of 10 μm or more, preferably 50 μm or more are preferably used, and particles containing substantially no particles of 1 μm or less are preferable. The above-mentioned silica-based particles having a smooth surface mean particles having no silica fine particles attached to the surface of the silica-based particles. In addition to the silica, a specific amount of a metal oxide such as lead oxide or titanium oxide may be melt-mixed with the specific silica-based particles from the viewpoint of adjusting the refractive index.
【0014】そして、上記1μm以下の微粒子の除去
は、超音波を用いて分級することにより行うことができ
る。すなわち、シリカ系粒子を水に分散させ、これに超
音波をかけた後、しばらく放置してこの上澄み液を除去
するという操作を必要回数繰り返すことにより、粒子表
面に付着していた微粒子および遊離の微粒子をほぼ完全
に除去することができる。Then, the removal of the fine particles of 1 μm or less can be carried out by classification using ultrasonic waves. That is, silica particles are dispersed in water, ultrasonic waves are applied to this, and the operation of leaving this for a while and removing the supernatant liquid is repeated a necessary number of times to remove fine particles and free particles attached to the particle surface. The fine particles can be removed almost completely.
【0015】また、上記特定のシリカ系粒子(C成分)
としては、表面が平滑であれば球状でも破砕状(図3参
照)でもいずれでもよいが、体積当たりの表面積を考慮
すると、好ましくは球状のものを用いるのが好ましい。
すなわち、破砕状のように表面積が大きいと、それだけ
光が散乱するからである。一般に、破砕状物は、マクロ
的には形状は凹凸であるが、光の波長レベルでは平滑と
みなすことができる。一方、球状物はマクロ的には表面
が平滑と考えられるが、光の波長レベルでは、表面が破
砕状物よりむしろ凹凸の激しい場合があり、このような
ものはこの発明においては好ましくない。例えば、溶融
球状シリカでは、その製造工程中に副生成する微粒子の
シリカ表面への付着により、光の波長レベルでは表面に
かなりの凹凸が形成される。この球状シリカ1表面に微
粒子2が付着した状態のシリカを図2に示す。この微粒
子2の副生成の原因は、高温で溶融時に、一部のシリカ
が熱分解した後、再びシリカを生成するという可逆反応
が生じ、その際に再生したシリカが微粒子2になるため
と考えられる。したがって、表面が平滑な球状のシリカ
系粒子を作製するためには、例えば、ガラスのように融
点の低いものであれば、その破砕状物を用いて溶融法に
より球状のシリカ系粒子を作製することができる。この
ようにして得られたシリカ系粒子は、図1に示すよう
に、いわゆるガラスビーズであり、略真球で平滑な表面
を有している。Further, the above specific silica-based particles (component C)
The surface may be spherical or crushed (see FIG. 3) as long as the surface is smooth, but considering the surface area per volume, it is preferable to use a spherical shape.
That is, if the surface area is large like crushed particles, light is scattered to that extent. Generally, the crushed material has irregularities in a macroscopic shape, but can be regarded as smooth at the wavelength level of light. On the other hand, the surface of the spherical object is considered to be smooth in a macroscopic view, but at the wavelength level of light, the surface may have more irregularities than the crushed object, which is not preferable in the present invention. For example, in fused spherical silica, due to adhesion of fine particles, which are by-produced during the manufacturing process, to the silica surface, considerable irregularities are formed on the surface at the wavelength level of light. FIG. 2 shows silica in which fine particles 2 are attached to the surface of the spherical silica 1. It is considered that the cause of the by-production of the fine particles 2 is that when melted at a high temperature, a reversible reaction occurs in which some silica is thermally decomposed and then again forms silica, and the silica regenerated at that time becomes the fine particles 2. Be done. Therefore, in order to produce spherical silica-based particles having a smooth surface, for example, if the material has a low melting point such as glass, the spherical material is used to produce spherical silica-based particles by a melting method. be able to. The silica-based particles thus obtained are so-called glass beads as shown in FIG. 1 and have a substantially spherical and smooth surface.
【0016】上記特定のシリカ系粒子(C成分)の含有
割合は、エポキシ樹脂組成物全体の10〜80%の範囲
内に設定することが好ましい。すなわち、シリカ系粒子
の含有量が10%未満では硬化物の線膨張係数が充分に
低下せず、また80%を超えると線膨張係数は低下する
が樹脂粘度が高くなり、成形性が劣る傾向がみられるか
らである。なお、上記シリカ系粒子の含有割合は、エポ
キシ樹脂組成物硬化体を燃焼させ、その灰分として残存
するシリカ系粒子の重量から算出することができる。The content of the specific silica particles (component C) is preferably set within the range of 10 to 80% of the total epoxy resin composition. That is, if the content of silica-based particles is less than 10%, the linear expansion coefficient of the cured product does not decrease sufficiently, and if it exceeds 80%, the linear expansion coefficient decreases but the resin viscosity increases and the moldability tends to deteriorate. Is seen. The content ratio of the silica-based particles can be calculated from the weight of the silica-based particles remaining as ash by burning the cured epoxy resin composition.
【0017】そして、上記特定のシリカ系粒子(C成
分)の屈折率と、上記透明性エポキシ樹脂(A成分)お
よび硬化剤(B成分)を主体とするエポキシ樹脂硬化体
の屈折率の差を±0.01の範囲に設定する方法として
は、下記の〜の方法があげられる。Then, the difference between the refractive index of the specific silica-based particles (component C) and the refractive index of the cured epoxy resin mainly composed of the transparent epoxy resin (component A) and the curing agent (component B) is calculated. Examples of the method of setting within the range of ± 0.01 include the following methods (1) to (3).
【0018】上記AおよびB成分からなるエポキシ樹
脂組成物硬化体のみの屈折率を調整する方法(例えば、
A成分の種類の選択,A成分の2種類以上の併用あるい
はB成分の種類の選択,B成分の2種類以上の併用
等)。 特定のシリカ系粒子(C成分)の屈折率を調整する方
法。 上記およびを併用する方法。A method for adjusting the refractive index of only the cured product of the epoxy resin composition comprising the above components A and B (for example,
Selection of type of component A, combination of two or more types of component A or selection of type of component B, combination of two or more types of component B). A method of adjusting the refractive index of specific silica-based particles (C component). A method of using the above and.
【0019】そして、上記の方法としては、具体的に
は酸化鉛,酸化チタン等の金属酸化物をシリカ系粒子に
所定量溶融混合することが一般的である。なお、上記
「主体とする」とは主体とする成分のみ(A成分および
B成分)からなる場合も含める趣旨である。In the above method, specifically, a metal oxide such as lead oxide or titanium oxide is generally melt-mixed with silica particles in a predetermined amount. The term “mainly composed” is intended to include the case where only the main constituents (component A and component B) are included.
【0020】また、上記A〜C成分ととに、シランカッ
プリング剤を用いてもよい。シランカップリング剤を用
いることによりエポキシ樹脂とシリカ系粒子の密着性が
高くなり、硬化物の透明性を向上させることができる。
このようなシランカップリング剤としては、エポキシ基
またはアミノ基を有するものが好ましく、具体的には、
エポキシ基を有するものとしては、β−(3,4−エポ
キシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン等があげられ
る。アミノ基を有するものとしては、N−β−アミノエ
チル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β
−アミノエチル−γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が
あげられる。これらは単独でもしくは併せて用いられ
る。上記シランカップリング剤の使用量は、シリカ系粒
子100部に対して0.5〜3部の範囲内に設定するの
が好ましい。A silane coupling agent may be used together with the above components A to C. By using the silane coupling agent, the adhesion between the epoxy resin and the silica-based particles becomes high, and the transparency of the cured product can be improved.
As such a silane coupling agent, those having an epoxy group or an amino group are preferable, and specifically,
As those having an epoxy group, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-
Examples thereof include glycidoxypropyltrimethoxysilane and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. As those having an amino group, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β
-Aminoethyl-γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-
Examples thereof include phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane. These may be used alone or in combination. The amount of the silane coupling agent used is preferably set within the range of 0.5 to 3 parts with respect to 100 parts of the silica-based particles.
【0021】なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成
物には、上記A〜C成分以外に、必要に応じて硬化触
媒,染料,変性剤,変色防止剤,老化防止剤,離型剤,
反応性ないし非反応性の希釈剤等の従来公知の添加剤を
適宜配合することができる。In the epoxy resin composition used in the present invention, in addition to the above components A to C, if necessary, a curing catalyst, a dye, a modifier, a discoloration preventing agent, an antiaging agent, a release agent,
A conventionally known additive such as a reactive or non-reactive diluent can be appropriately added.
【0022】上記硬化触媒としては、三級アミン,イミ
ダゾール化合物および有機金属錯塩等があげられる。Examples of the curing catalyst include tertiary amines, imidazole compounds and organometallic complex salts.
【0023】このようなエポキシ樹脂組成物は、例えば
つぎのように製造することができる。すなわち、上記A
〜C成分ならびにそれ以外の添加剤を適宜配合し、予備
混合した後、混練機にかけて混練して溶融混合する。そ
して、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉
砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製
造することができる。また、上記透明性エポキシ樹脂
(A成分)が常温で液状のものである場合には、これ以
外の成分をA成分とともに混合するのみで目的とするエ
ポキシ樹脂組成物を得ることができる。Such an epoxy resin composition can be manufactured, for example, as follows. That is, the above A
~ C component and other additives are appropriately blended, pre-mixed, and then kneaded in a kneader to melt-mix. Then, it can be manufactured by a series of steps in which it is cooled to room temperature, pulverized by a known means, and tableted if necessary. Further, when the transparent epoxy resin (component A) is liquid at room temperature, the target epoxy resin composition can be obtained only by mixing the other components with the component A.
【0024】そして、この発明に用いるエポキシ樹脂組
成物として、上記A成分およびB成分を主体とするエポ
キシ樹脂硬化体の屈折率と、上記特定のシリカ系粒子の
屈折率の差が±0.01以内のものが用いられる。上記
屈折率はアッベ屈折計を用いて測定される。In the epoxy resin composition used in the present invention, the difference between the refractive index of the cured epoxy resin mainly composed of the components A and B and the refractive index of the specific silica particles is ± 0.01. Those within are used. The refractive index is measured using an Abbe refractometer.
【0025】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
光半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通
常のトランスファー成形,注型等の公知のモールド方法
により行うことができる。その結果、光半導体素子を上
記エポキシ樹脂組成物硬化体からなる封止樹脂層によっ
て封止した光半導体装置が得られる。The encapsulation of an optical semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding or casting. As a result, an optical semiconductor device is obtained in which the optical semiconductor element is encapsulated with the encapsulating resin layer made of the cured epoxy resin composition.
【0026】このようにして得られる光半導体装置は、
透明性に優れ、内部応力が極めて小さく高い信頼性を備
えている。The optical semiconductor device thus obtained is
It has excellent transparency, extremely low internal stress, and high reliability.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上のように、この発明の光半導体装置
は、その屈折率がエポキシ樹脂硬化体と略等しい表面が
平滑なシリカ系粒子(C成分)を含むエポキシ樹脂組成
物を用いて光半導体素子を樹脂封止して得られたもので
ある。このため、この封止樹脂は光透過性に優れ、しか
もその内部応力が小さくなっており、例えばLEDでは
その輝度劣化の抑制等が効果的になされ、信頼性が極め
て高くなる。As described above, the optical semiconductor device of the present invention uses an epoxy resin composition containing silica-based particles (component C) having a smooth surface and a refractive index substantially equal to that of the cured epoxy resin. It is obtained by sealing a semiconductor element with resin. For this reason, this sealing resin has excellent light transmittance and its internal stress is small. For example, in an LED, the deterioration of the luminance thereof is effectively suppressed, and the reliability becomes extremely high.
【0028】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【0029】[0029]
【実施例1】エポキシ当量185のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(液状樹脂)を70部、下記の構造式で表
されるエポキシ当量252の脂環式エポキシ樹脂(液状
樹脂)30部、Example 1 70 parts of a bisphenol A type epoxy resin (liquid resin) having an epoxy equivalent of 185, 30 parts of an alicyclic epoxy resin (liquid resin) having an epoxy equivalent of 252 represented by the following structural formula,
【0030】[0030]
【化1】 [Chemical 1]
【0031】メチルヘキサヒドロ無水フタル酸100
部、2−エチル−4−メチルイミダゾール0.4部、酸
化防止剤2.5部(上記各成分配合の樹脂組成物硬化体
の屈折率は1.530である)に、屈折率が1.530
で、平均粒子径125μm(粒子径100μm除去)
で、実質的に1μm以下の微粒子を含まないシリカ系粒
子(ガラスビーズ)150部を添加し混合した。つい
で、これを120℃で熱硬化させてシリカ系粒子含有エ
ポキシ樹脂組成物硬化体を得た。この硬化体の光透過率
は厚み4mmで82%という高い値であった。Methyl hexahydrophthalic anhydride 100
Parts, 2-ethyl-4-methylimidazole 0.4 parts, and antioxidant 2.5 parts (refractive index of the cured resin composition of the above-mentioned respective components is 1.530). 530
And average particle size 125μm (particle size 100μm removed)
Then, 150 parts of silica-based particles (glass beads) substantially free of fine particles of 1 μm or less were added and mixed. Then, this was heat-cured at 120 ° C. to obtain a silica-based particle-containing cured epoxy resin composition. The light transmittance of this cured product was as high as 82% at a thickness of 4 mm.
【0032】[0032]
【実施例2】エポキシ当量650のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(液状樹脂)を75部、下記の構造式で表
されるエポキシ当量187の脂環式エポキシ樹脂(固形
樹脂)25部、Example 2 75 parts of bisphenol A type epoxy resin (liquid resin) having an epoxy equivalent of 650, 25 parts of alicyclic epoxy resin (solid resin) having an epoxy equivalent of 187 represented by the following structural formula,
【0033】[0033]
【化2】 〔上記式において、Rはトリメチロールプロパン残基
で、n≒15である。〕[Chemical 2] [In the above formula, R is a trimethylolpropane residue, and n≈15. ]
【0034】テトラヒドロ無水フタル酸34部、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール0.3部、酸化防止剤
2.5部(上記各成分配合の樹脂組成物硬化体の屈折率
は1.565である)に、屈折率が1.565で、平均
粒子径125μm(粒子径100μm除去)で、実質的
に1μm以下の微粒子を含まないシリカ系粒子(ガラス
ビーズ)130部を添加し溶融混合を行い、冷却固化し
た後、粉砕して粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。この
粉末状エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形で15
0℃で熱硬化させ、シリカ系粒子含有エポキシ樹脂組成
物硬化体を得た。この硬化体の光透過率は厚み4mmで
82%という高い値であった。34 parts of tetrahydrophthalic anhydride, 0.3 part of 2-ethyl-4-methylimidazole, 2.5 parts of an antioxidant (the refractive index of a cured resin composition containing the above components is 1.565). ), 130 parts of silica-based particles (glass beads) having a refractive index of 1.565, an average particle diameter of 125 μm (particle diameter of 100 μm removed), and substantially no particles of 1 μm or less are added and melt-mixed, After cooling and solidifying, it was pulverized to obtain a powdery epoxy resin composition. This powdery epoxy resin composition is transferred by molding 15
It was thermally cured at 0 ° C. to obtain a silica-based particle-containing cured epoxy resin composition. The light transmittance of this cured product was as high as 82% at a thickness of 4 mm.
【0035】[0035]
【実施例3】シリカ系粒子の配合量を20部に変えた。
それ以外は実施例2と同様にしてシリカ系粒子含有エポ
キシ樹脂組成物硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み4mmで85%という高い値であった。Example 3 The compounding amount of silica-based particles was changed to 20 parts.
Otherwise in the same manner as in Example 2, a silica-based particle-containing cured epoxy resin composition was obtained. The light transmittance of this cured product was as high as 85% at a thickness of 4 mm.
【0036】[0036]
【実施例4】シリカ系粒子の配合量を540部に変え
た。それ以外は実施例2と同様にしてシリカ系粒子含有
エポキシ樹脂組成物硬化体を得た。この硬化体の光透過
率は厚み4mmで75%という高い値であった。Example 4 The compounding amount of silica-based particles was changed to 540 parts. Otherwise in the same manner as in Example 2, a silica-based particle-containing cured epoxy resin composition was obtained. The light transmittance of this cured product was as high as 75% at a thickness of 4 mm.
【0037】[0037]
【実施例5】β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)
エチルトリメトキシシランを添加した。それ以外は実施
例2と同様にしてシリカ系粒子含有エポキシ樹脂組成物
硬化体を得た。この硬化体の光透過率は厚み4mmで8
3%という高い値であった。Example 5 β- (3,4-epoxycyclohexyl)
Ethyltrimethoxysilane was added. Otherwise in the same manner as in Example 2, a silica-based particle-containing cured epoxy resin composition was obtained. The light transmittance of this cured product is 8 at a thickness of 4 mm.
It was a high value of 3%.
【0038】[0038]
【比較例1】エポキシ当量650のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(液状樹脂)を75部、下記の構造式で表
されるエポキシ当量187の脂環式エポキシ樹脂(固形
樹脂)25部、Comparative Example 1 75 parts of bisphenol A type epoxy resin (liquid resin) having an epoxy equivalent of 650, 25 parts of alicyclic epoxy resin (solid resin) having an epoxy equivalent of 187 represented by the following structural formula,
【0039】[0039]
【化3】 〔上記式において、Rはトリメチロールプロパン残基
で、n≒15である。〕[Chemical 3] [In the above formula, R is a trimethylolpropane residue, and n≈15. ]
【0040】テトラヒドロ無水フタル酸34部、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール0.4部、酸化防止剤
2.5部(上記各成分配合の樹脂組成物硬化体の屈折率
は1.565である)に、屈折率が1.565で、粒子
径が0.1〜7μmの範囲になるシリカ系粒子を130
部添加し溶融混合を行い、冷却固化した後、粉砕して粉
末状エポキシ樹脂組成物を得た。この粉末状エポキシ樹
脂組成物をトランスファー成形で150℃で熱硬化さ
せ、シリカ系粒子含有エポキシ樹脂組成物硬化体を得
た。上記エポキシ樹脂組成物硬化体とシリカ系粒子の屈
折率を一致させたにもかかわらず、得られた硬化体の光
透過率は厚み4mmで40%という低い値であった。34 parts of tetrahydrophthalic anhydride, 0.4 part of 2-ethyl-4-methylimidazole, 2.5 parts of an antioxidant (the refractive index of a cured resin composition containing the above components is 1.565). ) Is a silica-based particle having a refractive index of 1.565 and a particle diameter in the range of 0.1 to 7 μm.
Part of the mixture was added, melt-mixed, cooled and solidified, and then pulverized to obtain a powdery epoxy resin composition. The powdery epoxy resin composition was thermally cured at 150 ° C. by transfer molding to obtain a silica-based particle-containing cured epoxy resin composition. Although the cured product of the epoxy resin composition and the silica-based particles had the same refractive index, the resulting cured product had a low light transmittance of 40% at a thickness of 4 mm.
【0041】[0041]
【比較例2】シリカ系粒子を用いなかった。それ以外は
実施例2と同様にして粉末状エポキシ樹脂組成物を得
た。Comparative Example 2 No silica-based particles were used. A powdery epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above.
【0042】つぎに、実施例1〜5および比較例2で得
られたエポキシ樹脂組成物を用いてLEDを樹脂封止し
て光半導体装置を作製した。そして、この光半導体装置
の通電輝度劣化を測定した。その結果を下記の表1に示
す。なお、上記通電輝度劣化の測定方法は、つぎのよう
にして行った。すなわち、上記光半導体装置(LEDデ
バイス)に定電流を流し、輝度として電流印加5秒後の
受光素子の出力電流値を求め劣化率を測定した。 〔測定条件〕 パッケージ:直径5mmのパイロットランプ。 評価素子:GaAs,0.5mm×0.5mm。 評価条件:−30℃放置で20mA通電の1000時間
後の輝度劣化率を測定した。Next, the epoxy resin composition obtained in each of Examples 1 to 5 and Comparative Example 2 was used to resin-encapsulate an LED to produce an optical semiconductor device. Then, the deterioration of energization luminance of this optical semiconductor device was measured. The results are shown in Table 1 below. The method of measuring the deterioration of the energized luminance was performed as follows. That is, a constant current was applied to the above-mentioned optical semiconductor device (LED device), and the output current value of the light receiving element 5 seconds after the current application was calculated as the luminance to measure the deterioration rate. [Measurement conditions] Package: A pilot lamp with a diameter of 5 mm. Evaluation element: GaAs, 0.5 mm × 0.5 mm. Evaluation condition: The luminance deterioration rate after 1000 hours of 20 mA energization was measured while standing at -30 ° C.
【0043】[0043]
【表1】 [Table 1]
【0044】上記表1の結果から、実施例品は比較例品
に比べて輝度劣化が抑制され、光透過性とともに低応力
性も向上していることがわかる。From the results shown in Table 1 above, it can be seen that the product of Example is suppressed in the deterioration of luminance as compared with the product of Comparative Example, and the light transmission property and the low stress property are improved.
【図1】表面が平滑な球状のシリカ系粒子の形態を示す
説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a form of spherical silica-based particles having a smooth surface.
【図2】球状シリカ表面に微粒子が付着した形態を示す
説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a form in which fine particles adhere to the surface of spherical silica.
【図3】表面が平滑な破砕状のシリカ系粒子の形態を示
す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a form of crushed silica-based particles having a smooth surface.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成4年3月5日[Submission date] March 5, 1992
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0015[Correction target item name] 0015
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0015】また、上記特定のシリカ系粒子(C成分)
としては、表面が平滑であれば球状でも破砕状(図3参
照)でもいずれでもよいが、体積当たりの表面積を考慮
すると、好ましくは球状のものを用いるのが好ましい。
すなわち、破砕状のように表面積が大きいと、それだけ
光が散乱するからである。一般に、破砕状物は、マクロ
的には形状は凹凸であるが、光の波長レベルでは平滑と
みなすことができる。一方、球状物はマクロ的には表面
が平滑と考えられるが、光の波長レベルでは、表面が破
砕状物よりむしろ凹凸の激しい場合があり、このような
ものはこの発明においては好ましくない。例えば、溶融
球状シリカでは、その製造工程中に副生成する微粒子の
シリカ表面への付着により、光の波長レベルでは表面に
かなりの凹凸が形成される。この球状シリカ表面に微粒
子が付着した状態のシリカ系粒子の粒子構造を図2に示
す。上記付着した微粒子の副生成の原因は、高温で溶融
時に、一部のシリカが熱分解した後、再びシリカを生成
するという可逆反応が生じ、その際に再生したシリカが
微粒子になるためと考えられる。したがって、表面が平
滑な球状のシリカ系粒子を作製するためには、例えば、
ガラスのように融点の低いものであれば、その破砕状物
を用いて溶融法により球状のシリカ系粒子を作製するこ
とができる。このようにして得られたシリカ系粒子は、
図1に示すように、いわゆるガラスビーズであり、略真
球で平滑な表面を有している。Further, the above specific silica-based particles (component C)
The surface may be spherical or crushed (see FIG. 3) as long as the surface is smooth, but considering the surface area per volume, it is preferable to use a spherical shape.
That is, if the surface area is large like crushed particles, light is scattered to that extent. Generally, the crushed material has irregularities in a macroscopic shape, but can be regarded as smooth at the wavelength level of light. On the other hand, the surface of the spherical object is considered to be smooth in a macroscopic view, but at the wavelength level of light, the surface may have more irregularities than the crushed object, which is not preferred in the present invention. For example, in fused spherical silica, due to the adhesion of fine particles produced as a by-product during the manufacturing process to the silica surface, considerable irregularities are formed on the surface at the wavelength level of light. FIG. 2 shows the particle structure of silica-based particles in which fine particles are attached to the surface of the spherical silica. The reason for the by-production of the adhered fine particles is considered to be that, when melted at a high temperature, a reversible reaction occurs in which some silica is thermally decomposed and then silica is again generated, and the regenerated silica becomes fine particles at that time. Be done. Therefore, in order to produce spherical silica-based particles having a smooth surface, for example,
If the material has a low melting point, such as glass, spherical silica-based particles can be produced by a melting method using the crushed material. The silica-based particles thus obtained are
As shown in FIG. 1, so-called glass beads, which are substantially spherical and have a smooth surface.
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図1】表面が平滑な球状のシリカ系粒子の粒子構造を
示す電子顕微鏡写真である。FIG. 1 is an electron micrograph showing a particle structure of spherical silica-based particles having a smooth surface.
【図2】球状シリカ表面に微粒子が付着した粒子構造を
示す電子顕微鏡写真である。FIG. 2 is an electron micrograph showing a particle structure in which fine particles are attached to the surface of spherical silica.
【図3】表面が平滑な破砕状のシリカ系粒子の粒子構造
を示す電子顕微鏡写真である。FIG. 3 is an electron micrograph showing a particle structure of crushed silica-based particles having a smooth surface.
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図1】 [Figure 1]
【図2】 [Fig. 2]
【図3】 [Figure 3]
Claims (2)
(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)および(B)
成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が
±0.01の範囲に設定されているエポキシ樹脂組成物
を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。 (A)透明性エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)表面が平滑なシリカ系粒子。1. The following components (A) to (C) are included:
Silica-based particles as component (C), and (A) and (B)
An optical semiconductor device obtained by encapsulating an optical semiconductor element with an epoxy resin composition in which the difference between the refractive index of a cured epoxy resin containing the components as a main component is set within ± 0.01. (A) Transparent epoxy resin. (B) Hardener. (C) Silica-based particles having a smooth surface.
(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)および(B)
成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が
±0.01の範囲に設定されている光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 (A)透明性エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)表面が平滑なシリカ系粒子。2. The following components (A) to (C) are included:
Silica-based particles as component (C), and (A) and (B)
An epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation, wherein the difference from the refractive index of the epoxy resin cured product mainly composed of the components is set within ± 0.01. (A) Transparent epoxy resin. (B) Hardener. (C) Silica-based particles having a smooth surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3360709A JPH05183075A (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3360709A JPH05183075A (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Optical semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05183075A true JPH05183075A (en) | 1993-07-23 |
Family
ID=18470580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3360709A Pending JPH05183075A (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Optical semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05183075A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003519929A (en) * | 1999-12-30 | 2003-06-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Surface mountable light emitting diode light source and method of manufacturing light emitting diode light source |
JP2007150233A (en) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Trion:Kk | Color-temperature controllable light-emitting device |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3360709A patent/JPH05183075A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003519929A (en) * | 1999-12-30 | 2003-06-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Surface mountable light emitting diode light source and method of manufacturing light emitting diode light source |
JP2007150233A (en) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Trion:Kk | Color-temperature controllable light-emitting device |
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