JPH051746B2 - - Google Patents
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- JPH051746B2 JPH051746B2 JP61101368A JP10136886A JPH051746B2 JP H051746 B2 JPH051746 B2 JP H051746B2 JP 61101368 A JP61101368 A JP 61101368A JP 10136886 A JP10136886 A JP 10136886A JP H051746 B2 JPH051746 B2 JP H051746B2
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Classifications
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ光によつて情報を記録再
生することのできる光情報記録媒体およびその製
造方法に関するものである。 （従来の技術） レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154，1550，1966）｝。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物はよく使用されており（特公昭47−
26897号公報）、とくにテルル−セレン系合金はよ
く使用されている（特公昭54−41902号公報、特
公昭57−7919号公報、特公昭57−56058公報）。 このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体の１例は第１図に示すような構成
になつている。すなわち基板１に隣接してテルル
−セレン系合金よりなる記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用され、基板１には
ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように通常、案内溝が設
けられている。 レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3umであり、溝の深さは使用するレーザ波
長の１／20から１／４の範囲に設定される。集光
に関しても同様にサーボ系が構成されている。 情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワ
ーのレーザ光をピツト上を通過するように照射す
ることにより、ピツトの有無に起因する反射率の
変化を検出した行なう。 近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ，７，189，
1964（phys.stat.sol.７，189，1964）｝。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、テルル−セレン系合金膜で耐候
性がよく、かつ、良好な品質の記録再生信号が得
られ、かつ、半導体レーザ記録に適したものはな
かつた。 本発明の目的は、耐候性がよく、かつ、信号品
質が良好で半導体レーザ記録に適した光情報記録
媒体およびその製造方法を提供することにある。 （問題点を解決する手段） 本発明の光情報記録媒体は、基板の片側または
両側に記録層を設け、情報を半導体レーザ光によ
つて記録しかつ読み取る光情報記録媒体におい
て、前記記録層が窒素とセレンとテルルを主成分
とすることを特徴とし、本発明の光情報記録媒体
の製造方法は、基板の片側または両側に記録層を
設け、情報を半導体レーザ光によつて記録しかつ
読み取る光情報記録媒体の製造方法において、セ
レンとテルルあるいはセレンとテルルの合金をタ
ーゲツトとし、不活性ガスと窒素ガスの混合ガス
中でスパツタ法により前記基板上に形成すること
を特徴とする。窒素とセレンとテルルを主成分と
する記録層の厚さは記録再生特性の観点から180
Åから400Åがとくに望ましい。セレンの含有量
は記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点か
ら原子％で10％以上30％以下がとくに望ましい。
窒素の含有量は記録再生特性、耐候性の観点から
原子％で２％以上10％以下が特に望ましい。 スパツタガスの最適窒素ガス分圧はスパツタガ
ス流量に依存する。製造の安定性の観点では、ス
パツタガス流量を充分に大きくして行なうことが
望ましい。このような条件では窒素ガス分圧は１
％未満が望ましい。 （作用） 本発明の窒素とセレンとテルルとを主成分とす
る記録層が従来のテルル−セレン系合金よりも高
感度である理由は、窒化テルル、窒化セレンの爆
発性が、被照射溶融部での***の形成から表面張
力による孔の拡張現象がおこる記録層温度を低下
せしめたためである。 テルル窒素記録層に比べて、本発明の記録層は
セレンを添加して系全体の融点をさげることによ
り高感度化している。 記録層における窒素の含有量は少なすぎては本
発明の効果が得られないのでいけないが、多すぎ
てもいけない。窒素が多すぎると、半導体レーザ
波長（800nm前後）での膜の吸収がほとんどなく
なり、高感度での記録ができなくなる。このため
には窒素含有量は原子％で10％以下が特に望まし
い。 記録層中の窒素量の制御は主にスパツタガスの
窒素ガス分圧とスパツタガス流量で行なう。光情
報記録媒体を量産性よく安定に製造するためには
スパツタガス流量を充分に大きくしてスパツタリ
ングする必要がある。このような条件において
は、窒素ガス分圧は１％未満で良好な記録再生特
性が得られる。 （実施例） 以下、本発明の実施例について説明する。 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。１×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で80対20のテルルセ
レン合金の焼結体の８インチターゲツトをこの混
合ガスで投入パワー100Wでスパツタリングする
ことにより、約220Å厚の膜をデイスク基板上に
形成した。しかる後、温度85℃相対湿度90％の環
境に12時間保存してテルル−セレン−窒素層を結
晶化させることにより光情報記録媒体を製作し
た。この記録層を分析したところ、テルルとセレ
ンと窒素との原子数比はおよそ77対19対４であつ
た。この光デイスクの波長830nmにおける基板入
射のランド部の反射率を測定したところおよそ35
％であつた。波長830nmの半導体レーザ光を基板
を通して入射して記録層上で1.6umφ程度に絞り、
媒体線速度5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記
録パルス幅70nsec、記録パワー7.5ｍＷの条件で
ランド部に記録し、0.7ｍＷの一定パワーで再生
した。バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズの比
（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好な値が安定に得られ、ビ
ツトエラーレイト（BER）も安定して10-6台が
得られた。 この光デイスクを60℃90℃の環境に1000時間保
存しても反射率、Ｃ／Ｎ、記録感度、BER等の
すべての特性の変化はなかつた。80℃90％とい過
酷な高温高湿度環境に3000時間保存しても記録感
度、BERに実用上問題はなかつた。又、85℃90
％というさらに過酷な高温高湿度環境に2000時間
保存しても記録感度、BERに実用上問題はなか
つた。 以上のことより、本発明の光記録媒体が高感度
で信号品質が良好であるとともに、耐候性が優れ
ており、小型の半導体レーザによる記録に適した
ものであることが確認された。 記録層の厚さをかえたときの光情報記録媒体の
記録再生特性を表１に示す。記録層を薄くするほ
ど高感度となるが、ピツトの周囲に形成されるリ
ムが不連続となり記録後ノイズが大きくなること
と反射率が低下しキヤリアーが小さくなることの
ため、良好なＣ／Ｎ値は得られなくなつた。一
方、記録膜を厚くすると記録感度が悪くなり、被
照射部から溶融除去される記録層材料の量が多く
なることからリムが均一形成されなくなりＣ／Ｎ
が低下した。したがつて記録層の厚さとしては
180Åから400Åの範囲がとくによい。
生することのできる光情報記録媒体およびその製
造方法に関するものである。 （従来の技術） レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154，1550，1966）｝。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物はよく使用されており（特公昭47−
26897号公報）、とくにテルル−セレン系合金はよ
く使用されている（特公昭54−41902号公報、特
公昭57−7919号公報、特公昭57−56058公報）。 このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体の１例は第１図に示すような構成
になつている。すなわち基板１に隣接してテルル
−セレン系合金よりなる記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用され、基板１には
ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように通常、案内溝が設
けられている。 レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3umであり、溝の深さは使用するレーザ波
長の１／20から１／４の範囲に設定される。集光
に関しても同様にサーボ系が構成されている。 情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワ
ーのレーザ光をピツト上を通過するように照射す
ることにより、ピツトの有無に起因する反射率の
変化を検出した行なう。 近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ，７，189，
1964（phys.stat.sol.７，189，1964）｝。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、テルル−セレン系合金膜で耐候
性がよく、かつ、良好な品質の記録再生信号が得
られ、かつ、半導体レーザ記録に適したものはな
かつた。 本発明の目的は、耐候性がよく、かつ、信号品
質が良好で半導体レーザ記録に適した光情報記録
媒体およびその製造方法を提供することにある。 （問題点を解決する手段） 本発明の光情報記録媒体は、基板の片側または
両側に記録層を設け、情報を半導体レーザ光によ
つて記録しかつ読み取る光情報記録媒体におい
て、前記記録層が窒素とセレンとテルルを主成分
とすることを特徴とし、本発明の光情報記録媒体
の製造方法は、基板の片側または両側に記録層を
設け、情報を半導体レーザ光によつて記録しかつ
読み取る光情報記録媒体の製造方法において、セ
レンとテルルあるいはセレンとテルルの合金をタ
ーゲツトとし、不活性ガスと窒素ガスの混合ガス
中でスパツタ法により前記基板上に形成すること
を特徴とする。窒素とセレンとテルルを主成分と
する記録層の厚さは記録再生特性の観点から180
Åから400Åがとくに望ましい。セレンの含有量
は記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点か
ら原子％で10％以上30％以下がとくに望ましい。
窒素の含有量は記録再生特性、耐候性の観点から
原子％で２％以上10％以下が特に望ましい。 スパツタガスの最適窒素ガス分圧はスパツタガ
ス流量に依存する。製造の安定性の観点では、ス
パツタガス流量を充分に大きくして行なうことが
望ましい。このような条件では窒素ガス分圧は１
％未満が望ましい。 （作用） 本発明の窒素とセレンとテルルとを主成分とす
る記録層が従来のテルル−セレン系合金よりも高
感度である理由は、窒化テルル、窒化セレンの爆
発性が、被照射溶融部での***の形成から表面張
力による孔の拡張現象がおこる記録層温度を低下
せしめたためである。 テルル窒素記録層に比べて、本発明の記録層は
セレンを添加して系全体の融点をさげることによ
り高感度化している。 記録層における窒素の含有量は少なすぎては本
発明の効果が得られないのでいけないが、多すぎ
てもいけない。窒素が多すぎると、半導体レーザ
波長（800nm前後）での膜の吸収がほとんどなく
なり、高感度での記録ができなくなる。このため
には窒素含有量は原子％で10％以下が特に望まし
い。 記録層中の窒素量の制御は主にスパツタガスの
窒素ガス分圧とスパツタガス流量で行なう。光情
報記録媒体を量産性よく安定に製造するためには
スパツタガス流量を充分に大きくしてスパツタリ
ングする必要がある。このような条件において
は、窒素ガス分圧は１％未満で良好な記録再生特
性が得られる。 （実施例） 以下、本発明の実施例について説明する。 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。１×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で80対20のテルルセ
レン合金の焼結体の８インチターゲツトをこの混
合ガスで投入パワー100Wでスパツタリングする
ことにより、約220Å厚の膜をデイスク基板上に
形成した。しかる後、温度85℃相対湿度90％の環
境に12時間保存してテルル−セレン−窒素層を結
晶化させることにより光情報記録媒体を製作し
た。この記録層を分析したところ、テルルとセレ
ンと窒素との原子数比はおよそ77対19対４であつ
た。この光デイスクの波長830nmにおける基板入
射のランド部の反射率を測定したところおよそ35
％であつた。波長830nmの半導体レーザ光を基板
を通して入射して記録層上で1.6umφ程度に絞り、
媒体線速度5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記
録パルス幅70nsec、記録パワー7.5ｍＷの条件で
ランド部に記録し、0.7ｍＷの一定パワーで再生
した。バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズの比
（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好な値が安定に得られ、ビ
ツトエラーレイト（BER）も安定して10-6台が
得られた。 この光デイスクを60℃90℃の環境に1000時間保
存しても反射率、Ｃ／Ｎ、記録感度、BER等の
すべての特性の変化はなかつた。80℃90％とい過
酷な高温高湿度環境に3000時間保存しても記録感
度、BERに実用上問題はなかつた。又、85℃90
％というさらに過酷な高温高湿度環境に2000時間
保存しても記録感度、BERに実用上問題はなか
つた。 以上のことより、本発明の光記録媒体が高感度
で信号品質が良好であるとともに、耐候性が優れ
ており、小型の半導体レーザによる記録に適した
ものであることが確認された。 記録層の厚さをかえたときの光情報記録媒体の
記録再生特性を表１に示す。記録層を薄くするほ
ど高感度となるが、ピツトの周囲に形成されるリ
ムが不連続となり記録後ノイズが大きくなること
と反射率が低下しキヤリアーが小さくなることの
ため、良好なＣ／Ｎ値は得られなくなつた。一
方、記録膜を厚くすると記録感度が悪くなり、被
照射部から溶融除去される記録層材料の量が多く
なることからリムが均一形成されなくなりＣ／Ｎ
が低下した。したがつて記録層の厚さとしては
180Åから400Åの範囲がとくによい。
【表】
セレンの含有量の効果はスパツタリングターゲ
ツトの組成をかえて実験した。ターゲツト組成の
テルルとセレンとの比は、スパツタリングによつ
て得られた膜中のテルルとセレンとの比にほぼ等
しかつた。表２にセレン含有量をかえたときの媒
体特性を示す。表２にセレン含有量が少なすぎる
膜では、高温高湿度環境に長時間保存すると腐食
がおこり問題であつた。一方、セレンが多すぎる
膜ではミクロンオーダーの凹凸が生じて未記録ノ
イズが大きくなり問題であつた。したがつてセレ
ン含有量としては原子％で10％以上30％以下がと
くに良好であつた。
ツトの組成をかえて実験した。ターゲツト組成の
テルルとセレンとの比は、スパツタリングによつ
て得られた膜中のテルルとセレンとの比にほぼ等
しかつた。表２にセレン含有量をかえたときの媒
体特性を示す。表２にセレン含有量が少なすぎる
膜では、高温高湿度環境に長時間保存すると腐食
がおこり問題であつた。一方、セレンが多すぎる
膜ではミクロンオーダーの凹凸が生じて未記録ノ
イズが大きくなり問題であつた。したがつてセレ
ン含有量としては原子％で10％以上30％以下がと
くに良好であつた。
【表】
窒素の含有量をかえたときの媒体特性を表３に
示す。窒素の含有量の少なすぎる膜では、記録感
度が悪かつた。又、トラツク１周にわたつて均一
に記録できず、部分的にピツトの欠落が観察され
た。したがつてBERは非常に悪く、Ｃ／Ｎも悪
かつた。記録パワーをあげていくと良好なＣ／Ｎ
は得られたが（多数トラツク記録すると良好な
Ｃ／Ｎ値のトラツクもあつたという意味であり、
平均的なＣ／Ｎ値としては悪い）、さらに記録パ
ワーをあげていくとトラツキングサーボが誤動作
してしまい、記録パワーの余裕度が非常に狭く問
題であつた。又、良好なＣ／Ｎが得られた場合に
おいても、BERは悪くピツトの部分的欠落が見
られた。この理由は、テルル−セレン膜は融点が
低いものの、被照射溶融部に***が形成されにく
いのでピツトが開きにくく、したがつて、ピツト
形成に大きな記録パワーが必要になつてしまうた
めである。又、大きな記録パワーを入れるため、
溶融部の面積が大きくなり、ひとたびピツトが開
くと大きなピツトになつてしまうのでトラツキン
グサーボが誤動作しやすくなるのである。テルル
セレンの一部を窒化した本発明の光情報記録媒体
では、窒化テルル、窒化セレンの爆発性のため、
被照射溶融部に***が容易にかつ安定に形成され
るため、記録感度がよく、かつピツトの欠落がな
いのでBERもよい。又、大きな面積にわたつて
溶融しないでピツトが開くため、ピツトはあまり
大きくなく、トラツキングサーボの誤動作はな
い。窒素含有量が多すぎる膜では、膜の表面性が
悪くなり、ピツト周囲のリムがきれいに形成され
なくなるので記録後ノイズが大きくなつた。した
がつて良好なＣ／Ｎ値は得られれなかつた。さら
に窒素含有量が多くなると、アルゴンレーザ波長
では吸収があるものの、800nm前後の半導体レー
ザ波長ではほとんど吸収がない膜となつた。した
がつて窒素含有量としては原子％で２％以上10％
以下がとくに望ましい。
示す。窒素の含有量の少なすぎる膜では、記録感
度が悪かつた。又、トラツク１周にわたつて均一
に記録できず、部分的にピツトの欠落が観察され
た。したがつてBERは非常に悪く、Ｃ／Ｎも悪
かつた。記録パワーをあげていくと良好なＣ／Ｎ
は得られたが（多数トラツク記録すると良好な
Ｃ／Ｎ値のトラツクもあつたという意味であり、
平均的なＣ／Ｎ値としては悪い）、さらに記録パ
ワーをあげていくとトラツキングサーボが誤動作
してしまい、記録パワーの余裕度が非常に狭く問
題であつた。又、良好なＣ／Ｎが得られた場合に
おいても、BERは悪くピツトの部分的欠落が見
られた。この理由は、テルル−セレン膜は融点が
低いものの、被照射溶融部に***が形成されにく
いのでピツトが開きにくく、したがつて、ピツト
形成に大きな記録パワーが必要になつてしまうた
めである。又、大きな記録パワーを入れるため、
溶融部の面積が大きくなり、ひとたびピツトが開
くと大きなピツトになつてしまうのでトラツキン
グサーボが誤動作しやすくなるのである。テルル
セレンの一部を窒化した本発明の光情報記録媒体
では、窒化テルル、窒化セレンの爆発性のため、
被照射溶融部に***が容易にかつ安定に形成され
るため、記録感度がよく、かつピツトの欠落がな
いのでBERもよい。又、大きな面積にわたつて
溶融しないでピツトが開くため、ピツトはあまり
大きくなく、トラツキングサーボの誤動作はな
い。窒素含有量が多すぎる膜では、膜の表面性が
悪くなり、ピツト周囲のリムがきれいに形成され
なくなるので記録後ノイズが大きくなつた。した
がつて良好なＣ／Ｎ値は得られれなかつた。さら
に窒素含有量が多くなると、アルゴンレーザ波長
では吸収があるものの、800nm前後の半導体レー
ザ波長ではほとんど吸収がない膜となつた。した
がつて窒素含有量としては原子％で２％以上10％
以下がとくに望ましい。
【表】
記録層中の窒素量の制御は主にスパツタガスの
窒素ガス分圧とスパツタガス流量で行なつた。実
験当初スパツタガス流量1.4SCCMと小さな値で
成膜していたので、窒素ガス分圧４％で窒素含有
量４原子％の成膜が得られた。しかしながらスパ
ツタ装置のチヤンバーの内部状態の微妙な違いに
より媒体特性値が大きく変動することがわかつ
た。しかし、スパツタガス流量を20SCCM以上で
成膜すると安定に記録膜を製作できることがわか
つた。この条件では、窒素ガス分圧は１％未満で
良好な記録再生特性が安定に得られた。 （発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明の光情
報記録媒体は耐候性がよく、かつ、信号品質が良
好で半導体レーザ記録に適したものである。
窒素ガス分圧とスパツタガス流量で行なつた。実
験当初スパツタガス流量1.4SCCMと小さな値で
成膜していたので、窒素ガス分圧４％で窒素含有
量４原子％の成膜が得られた。しかしながらスパ
ツタ装置のチヤンバーの内部状態の微妙な違いに
より媒体特性値が大きく変動することがわかつ
た。しかし、スパツタガス流量を20SCCM以上で
成膜すると安定に記録膜を製作できることがわか
つた。この条件では、窒素ガス分圧は１％未満で
良好な記録再生特性が安定に得られた。 （発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明の光情
報記録媒体は耐候性がよく、かつ、信号品質が良
好で半導体レーザ記録に適したものである。
第１図は、光情報記録媒体の説明図。１は基
板、２１は記録層、２２はピツト。
板、２１は記録層、２２はピツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板の片側または両側に記録層を設け、情報
を半導体レーザ光によつて記録しかつ読み取る光
情報記録媒体において、前記記録層が窒素とセレ
ンとテルルを主成分とすることを特徴とする光情
報記録媒体。 ２ 基板の片側または両側に記録層を設け、情報
を半導体レーザ光によつて記録しかつ読み取る光
情報記録媒体の製造方法において、セレンとテル
ルあるいはセレンとテルルの合金をターゲツトと
し、不活性ガスと窒素ガスの混合ガス中でスパツ
タ法により前記基板上に形成することを特徴とす
る光情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101368A JPS62256691A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
| US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
| DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
| EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101368A JPS62256691A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256691A JPS62256691A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH051746B2 true JPH051746B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14298879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61101368A Granted JPS62256691A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256691A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171446A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
| CN1839052B (zh) | 2003-08-21 | 2011-09-07 | 三菱化学媒体股份有限公司 | 记录介质 |
| JP5098633B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | ディスク原盤、ディスク原盤製造方法、スタンパ、ディスク基板、光ディスク、光ディスク製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211685A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61101368A patent/JPS62256691A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211685A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256691A (ja) | 1987-11-09 |
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