JPH05159345A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ピックアップ装置において，迷光によって
フォーカシング・エラー信号にオフセットが生じるのを
防止する。 【構成】 ２つの光検出器21と22の出力信号に基づいて
フォーカシング・エラー信号が作成される。これらの光
検出器21，22に入射する迷光の光量が異なるとフォーカ
シング・エラー信号にオフセットが生じる。ケース40の
内壁面であって，入射迷光量の多い光検出器21に対向す
る場所に，迷光減衰部50を形成し，光検出器21に入射す
る迷光量を減少させる。２つの光検出器21と22に入射す
る迷光量がほぼ等しくなりフォーカシング・エラー信号
におけるオフセットがなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】この発明は，光学的記録媒体に情報を記録
／再生するための光ピックアップ装置に関する。

【０００２】この発明において，光学的記録媒体は光デ
ィスク，光カード等の光記録媒体のみならず，光磁気デ
ィスク，光磁気カード等の光磁気記録媒体を含む。

【０００３】またこの発明において情報の記録／再生と
は，光学的記録媒体に情報を記録すること，光学的記録
媒体に記録されている情報を再生すること，ならびに記
録および再生することを含む。

【０００４】

【背景技術】光ピックアップ装置は，基本的には，光源
の出射光を集光して光学的記録媒体に投射し，光学的記
録媒体からの反射光をビーム・スプリッタ等を用いて少
なくとも２つの光ビームに分割し，これらの光ビームを
集光してそれぞれ２つの光検出器によって受光するもの
である。光検出器の出力信号に基づいてトラッキング・
エラー信号やフォーカシング・エラー信号が作成され
る。情報の再生の場合には，２つの光検出器のいずれか
一方または両方の出力信号に基づいて読取信号が作成さ
れる。光磁気記録媒体に対しては情報の書込み（または
消去）も可能である。この場合には一般に出射光強度が
増大するように光源が駆動される。

【０００５】フォーカシング・エラーの検出にはビーム
・サイズ法，非点収差法等がある。ダブル・ビーム・サ
イズ法のように，２つの光検出器の出力信号に基づいて
フォーカシング・エラー信号を作成するものについて述
べる。

【０００６】２つの光検出器に入射する光の光量は均衡
していることが必要である。光ピックアップ装置の光学
系がケース内に収められているときには，ケースの内壁
面からの反射光が光検出器に迷光として入射し，均衡が
とれないという問題が生じる。上述のように，情報の書
込みおよび消去モードにおいては光源の出射光強度が増
大するので，２つの光検出器に入射する迷光量が少しで
も異なると，入射迷光量の差が著しくなり，フォーカシ
ング・エラー信号に著しいオフセットが生じる。

【０００７】

【発明の開示】この発明は，情報の記録と再生のように
動作モードを変えたときに生じる光源の出射光強度の変
化，温度変化による光源の発光量の変動等があっても，
フォーカシング・エラー信号等の２つの光検出器の出力
信号に基づいて作成される信号に現われるオフセットを
極力小さくすることができるようにすることを目的とす
る。

【０００８】第１の発明による光ピックアップ装置は，
発光素子，上記発光素子から出射される発散光を光学的
記録媒体上に集光させるとともに光学的記録媒体からの
反射光を集光させる集光光学系，上記集光光学系に配置
され，入射する光の一部を透過しかつ一部を反射するビ
ーム・スプリッタ手段，光学的記録媒体によって反射さ
れ，上記集光光学系に入射する光のうち上記ビーム・ス
プリッタ手段を透過したまたは上記ビーム・スプリッタ
手段によって反射された光を受光する少なくとも２つの
光検出器，上記発光素子，上記ビーム・スプリッタ手段
を含む上記集光光学系および光検出器がその内部に配置
されかつ保持されるケース，ならびに上記光検出器の少
なくとも一方が対向する上記ケースの内壁面に形成さ
れ，上記内壁面で反射して上記光検出器に入射する迷光
の光量を調整する迷光調整手段を備えている。

【０００９】上記の少なくとも２つの光検出器に入射す
る迷光の光量がほぼ等しくなるように上記迷光調整手段
によって調整される。

【００１０】第１の発明の好ましい実施態様において
は，上記の少なくとも２つの光検出器のうち，入射する
迷光の光量の多い光検出器に対向する内壁面に上記迷光
調整手段が設けられ，上記迷光調整手段によって上記光
検出器に入射する迷光の光量が減少するように調整され
る。

【００１１】上記２つの光検出器の出力信号に基づいて
フォーカシング・エラー信号，その他の信号が作成され
る。

【００１２】光ピックアップ装置の光学系がケース内に
収納され，ケースの内壁面で反射して光検出器に入射す
る迷光が多少あっても，上記迷光調整手段によって２つ
の光検出器に入射する迷光の光量がほぼ等しくなるよう
に調整される。２つの光検出器の出力信号に応じて作成
されるフォーカシング・エラー信号において２つの光検
出器に入射する迷光による影響がほぼ相殺される。した
がって，情報の書込み，消去等の動作において発光素子
の光量が増大しても，また温度変化等によって発光素子
の出射光量が変化しても，フォーカシング・エラー信号
にオフセットが殆どまたは全く生じない。

【００１３】第２の発明による光ピックアップ装置は，
発光素子，上記発光素子から出射される発散光を光学的
記録媒体上に集光させるとともに光学的記録媒体からの
反射光を集光させる集光光学系，上記集光光学系に配置
され，入射する光の一部を透過しかつ一部を反射するビ
ーム・スプリッタ手段，光学的記録媒体によって反射さ
れ，上記集光光学系に入射する光のうち上記ビーム・ス
プリッタ手段を透過したまたは上記ビーム・スプリッタ
手段によって反射された光を受光する少なくとも２つの
光検出器，上記２つの光検出器の出力信号に基づいてフ
ォーカシング・エラー信号を作成する手段，および上記
２つの光検出器の少なくともいずれか一方の出力信号を
用いてフォーカシング・エラー信号に現われるオフセッ
トを補正する手段を備えている。

【００１４】第２の発明の好ましい実施態様において
は，上記オフセット補正手段は，上記フォーカシング・
エラー信号から上記いずれか一方の光検出器の出力信号
に関係する信号を減算または加算するものである。

【００１５】フォーカシング・エラー信号が２つの光検
出器の出力信号に基づいて作成されるものにおいて，フ
ォーカシング・エラー信号に現われるオフセットは２つ
の光検出器に入射する迷光の光量に差があることに起因
する。また，このオフセットは発光素子の発光強度が変
化することによって変化する。

【００１６】第２の発明によると，少なくともいずれか
一方の光検出器に入射する全光量に基づいて，フォーカ
シング・エラー信号に現われるオフセットを補正してい
るので，読取り，書込み，消去等の動作モードの違いに
よって，また周囲温度の変化によって発光素子の発光強
度が変化しても常にオフセットが殆どまたは全く生じな
い。

【００１７】

【実施例の説明】第１および第２の発明は，光ピックア
ップ装置の種々の構成の光学系に対して適用可能であ
る。

【００１８】たとえば，第１および第２の発明が適用可
能な従来の光ピックアップ装置の一例は，半導体レーザ
からの発散光をコリメートする第１の光学系，コリメー
トされた光を光学的記録媒体上に集光させるとともに光
学的記録媒体からの反射光をコリメートする第２の光学
系，第２の光学系によってコリメートされた反射光を偏
光分離するための第１の偏光ビーム・スプリッタ，偏光
分離された光をさらにトラッキング制御用光とフォーカ
シング制御用光とに分離するための第２の偏光ビーム・
スプリッタ，分離された光をさらにトラッキング制御用
光検出器の受光面上に集光させるための第３の光学系，
分離された光をフォーカシング制御用光検出器の受光面
上に集光させるための第４の光学系，第３または第４の
光学系に設けられ，読取信号を得るための光検出器に光
を導くための第５の光学系等から構成されている。

【００１９】しかしながら，以下に示す実施例の説明に
おいては，出願人が先に提案した光ピックアップ装置の
光学系（第１および第２の先願発明；特願平３−210478
および３−210479）に適用したものについて説明する。

【００２０】まず，これらの先願発明について説明す
る。

【００２１】図１は第１の先願発明の実施例を示すもの
であり，光ディスクへの情報の記録／再生のための光ピ
ックアップ装置の構成を示している。

【００２２】光ピックアップ装置は，半導体レーザ11
と，この半導体レーザ11から出射する発散光を光ディス
ク20上に集光する集光光学系とを含んでいる。集光光学
系は，発散光をコリメートするコリメート・レンズ12
と，コリメート光を集光する対物レンズ13とを含んでい
る。

【００２３】半導体レーザ11とコリメート・レンズ12と
の間の上記発散光の光路上に，２枚のガラス板14および
15が，半導体レーザ11および集光光学系の光軸に対して
傾けた状態で配置されている。

【００２４】半導体レーザ11から出射する発散光は２枚
のガラス板14および15を透過して，集光光学系によって
光ディスク20上に集光される。半導体レーザ11から出射
する発散光の一部はガラス板14で反射して光検出器23に
よって受光される。光検出器23の受光信号に基づいて半
導体レーザ11の出射光強度が制御される。

【００２５】光ディスク20からの反射光は集光光学系に
よって集光される。この集光される反射光は，その一部
がガラス板15によって反射され光検出器22に入射し，こ
のガラス板15を透過した光の一部はさらにガラス板14で
反射され光検出器21に入射する。

【００２６】光ディスク20からの反射光は集光光学系に
よって集光されているのでガラス板15と光検出器22との
間，およびガラス板14と光検出器21との間に集光レンズ
等を設ける必要は必ずしもない。

【００２７】光検出器21および22の出力信号はフォーカ
シング・エラー信号，トラッキング・エラー信号および
読取信号の作成に用いられる。

【００２８】フォーカシング・エラー信号はたとえばビ
ーム・サイズ法や非点収差法により作成される。ダブル
・ビーム・サイズ法においては，正しくフォーカシング
が行なわれている場合における反射光の焦点位置の前お
よび後の位置に光検出器21および22がそれぞれ配置され
る。光検出器21および22に受光される光ビームの大きさ
を表わす信号が得られるように光検出器21および22が構
成され，光検出器21と22の出力信号の差をとることによ
ってフォーカシング・エラー信号が作成される。光検出
器21および22はそれぞれ，たとえば３分割のフォトダイ
オードを含み，中央のフォトダイオードの出力信号と両
側のフォトダイオードの出力信号の和信号との差が光検
出器の出力信号となる。

【００２９】光軸に対して斜めに配置されたガラス板の
反射光には非点収差を含む収差が生じる。この非点収差
を利用して非点収差法に基づくフォーカシング・エラー
信号が得られる。たとえば光検出器21または22のいずれ
か一方が４分割フォトダイオードから構成され，これら
の４つのフォトダイオードの出力信号の加減算によりフ
ォーカシング・エラー信号が生成される。

【００３０】トラッキング・エラー信号の作成にはたと
えばプッシュプル法が用いられる。すなわち，光検出器
21または22が光ディスク20のトラック方向に垂直な方向
に２分割または３分割されたフォトダイオードを含むよ
うに構成され，両側のフォトダイオードの出力信号の差
信号がトラッキング・エラー信号となる。

【００３１】光ディスク20に記録されている情報の読取
信号は光検出器21と22の出力信号の加算により作成する
ことができる。もちろん，光検出器21および22のいずれ
か一方の出力信号を読取信号としてもよい。

【００３２】必要ならば３枚以上のガラス板を配置し，
各ガラス板に対応して光検出器を設けるようにしてもよ
い。

【００３３】ガラス板の反射率，透過率は必要に応じて
適切にあらかじめ調整される。この調整において，ガラ
ス板の少なくとも一面に無反射コート，半鏡面コート等
のコーティングを施すとよい。無反射コートは，とくに
ガラス板の両面のうちいずれか一方の面のみからの反射
光を得ることが必要な場合に有用である。

【００３４】さらに必要であれば，ガラス板の厚さを，
光ディスク20上において波面収差の影響が無視できる程
度にまで薄く（たとえば100 μｍ程度以下）する。また
は，コリメート・レンズ12等の形状を，光ディスク20上
に形成される光スポットに波面収差の影響がほとんど生
じないような形状（たとえば非球面，非対称レンズとす
る）とするとよい。

【００３５】また，半導体レーザ11と集光光学系のコリ
メート・レンズ12との間に，半導体レーザ11から出射す
る楕円形断面の光を円形断面の光に修正する光ビーム整
形光学系を設けることもできる。さらに，半導体レーザ
11とガラス14との間に，半導体レーザ11の出射光を通過
させ，光ディスク20からの反射光の半導体レーザ11への
入射を阻止するアイソレータ光学系を設けてもよい。も
し必要ならばガラス板と光検出器との間に集光光学系を
設けることもできる。

【００３６】図２は光磁気ディスクの記録／再生に適し
た光ピックアップ装置の構成を示している。図１に示す
ものと同一物には同一符号を付し説明を省略する。

【００３７】光検出器21および22の受光面の前方に検光
子31および32がそれぞれ設けられている。これらの検光
子31と32は，それらを通過する光の偏光方向が互いに直
交するように配置されている。また，半導体レーザ11か
ら出射する直線偏光の偏光方向は検光子31，32を通過す
る光の偏光方向と，ともに45度の角度をなしている。

【００３８】以上の構成により，光磁気ディスク30に記
録されている情報によって生じる偏光面回転角の変化
が，光検出器21と22の出力信号の差によって検出され
る。

【００３９】半導体レーザ11の前面に偏光子を設けても
よいのはいうまでもない。

【００４０】図３は変形例を示している。

【００４１】図２に示すものと比較すると，ガラス板14
に代えて反射率が比較的高く，透過率が比較的低いハー
フミラー16が配置されている。また，半導体レーザ11と
光検出器21の位置が交換されている。

【００４２】半導体レーザ11の出射光はハーフミラー16
によって反射して集光光学系に導かれ，光磁気ディスク
30上に焦点を結ぶように集光される。光磁気ディスク30
からの反射光のうち，ガラス板15を透過した光のさらに
一部はハーフミラー16を透過して光検出器21に入射す
る。他の構成は図２に示すのと同じである。

【００４３】図４はさらに他の変形例を示している。

【００４４】集光光学系からコリメート・レンズ12が除
かれ，一層の小型化が図られている。対物レンズ13は半
導体レーザ11の発散する出射光を光磁気ディスク30上に
集光する。また，光磁気ディスク30からの反射光は対物
レンズ13によって集光される。他の構成は図２に示すも
のと同じである。

【００４５】図１に示す光ピックアップ装置において
も，図３に示すように半導体レーザ11と光検出器21の位
置をとりかえたり，図４に示すように集光光学系からコ
リメート・レンズ12を取除いたりすることができるのは
いうまでもない。

【００４６】図５および図６は第２の先願発明の実施例
を示している。

【００４７】これらの図においても上述した実施例と同
一物には同一符号を付し重複説明を避ける。

【００４８】ガラス板14と15とは，集光光学系の光軸に
垂直な面がこれらのガラス板14および15と交叉すること
により形成される線分が互いに直交するように配置され
ている。

【００４９】図７は，ガラス板（屈折率＝1.5 ）の面に
光が斜めに入射した場合における，その光の反射係数と
透過係数の入射角依存性を示している。

【００５０】Ｔ_p はＰ偏光成分の透過係数，Ｔ_s はＳ偏
光成分の透過係数，Ｒ_p はＰ偏光成分の反射係数，Ｒ_s
はＳ偏光成分の反射係数である。ガラス面に平行な成分
がＳ偏光成分，垂直な成分がＰ偏光成分である。

【００５１】図７から分るように，ある角度α_B （これ
をブリュースター角という）において，Ｒ_p が０％とな
り，Ｔ_p が100 ％となる。このときＲ_s ，Ｔ_s は０また
は100 ％以外の値をとる。

【００５２】したがって，ガラス板を入射光に対してブ
リュースター角α_Bで傾けておけば，ガラス板からの反
射光はＳ偏光成分のみとなる。ガラス板の傾き角がブリ
ュースター角以外であってもガラス板からの反射光には
Ｐ偏光成分よりもＳ偏光成分がより多く含まれるように
なる。

【００５３】ガラス板14と15とを，集光光学系の光軸に
垂直な面がこれらのガラス板14および15と交叉すること
により形成される線分が互いに直交するように配置し，
かつ集光光学系によって集光される反射光の入射角がブ
リュースター角になるように傾けておけば，ガラス板14
および15からの反射光は互いに直交する偏光成分のみを
含むものとなり，これらの光のみが光検出器21および22
によってそれぞれ検知される。

【００５４】ガラス板14と15のその入射光に対する傾き
角がブリュースター角以外であっても，ガラス板14と15
からの反射光は互いに直交する偏光成分をより多く含む
ようになる。これらの互いに直交する偏光成分のみがそ
れぞれ通過するように，偏光方向が互いに直交するよう
に配置された検光子31および32を光検出器21および22の
前方に設けることにより，互いに直交する偏光成分のみ
が光検出器21および22によってそれぞれ検知される。

【００５５】半導体レーザ11から出射する直線偏光の偏
光方向はこれらの互いに直交する偏光方向（検光子31，
32を通過する光の偏光方向）と，ともに45度の角度をな
している。

【００５６】以上の構成により，光磁気ディスク30に記
録されている情報によって生じる偏光面回転角の変化
が，光検出器21と22の出力信号の差によって検出され
る。

【００５７】半導体レーザ11の前面に偏光子を設けても
よいのはいうまでもない。

【００５８】光検出器21および22の出力信号は上述した
ようにフォーカシング・エラー信号およびトラッキング
・エラー信号の作成にも用いられる。

【００５９】光ピックアップ装置の光学系を図３に示す
ように配置してもよい。ハーフミラー16とガラス板15と
は，光軸に垂直な平面と交わることにより生じる線分が
互いに平行になるように配置される。この構成によって
も，互いに直交する偏光方向成分を多く含む光がガラス
板15で反射しおよびハーフミラー16を透過する。そし
て，これらの光が互いに直交する偏光方向の光の透過を
許す検光子31および32をそれぞれ通して光検出器21およ
び22に入射する。

【００６０】さらに図４に示すようにコリメート・レン
ズ12を省略することも可能である。

【００６１】第１の発明の実施例について説明する。

【００６２】図８から図10は第１の発明の実施例を示し
ている。図８および図９は，基本的には図５および図６
に示す光学系をケースに内蔵したものである。図10は図
９の一部を拡大して示すものである。

【００６３】図８および図９に示す光学系は図５および
図６に示す光学系と基本的には同じものであり，全く同
じ機能をもつ。図８および図９の光学系は図５および図
６と左右が逆に描かれている。また，半導体レーザの出
射光の光量を制御するための光検出器23が光検出器22と
対向する位置に設けられている。光検出器21はガラス板
14からの反射光の焦点位置の前方に，光検出器22はガラ
ス板15からの反射光の焦点位置の後方にそれぞれ配置さ
れている。さらに，検光子31，32の図示が省略されてい
る。これらの検光子31，32は光検出器21，22内にそれぞ
れ含ませることができる。

【００６４】半導体レーザ11から出射し，ガラス板14，
15を通ってコリメート・レンズ12によってコリメートさ
れた光は立上げミラー41によって直角に偏向され，光磁
気ディスク30の方に向う。このコリメート光は対物レン
ズ13によって集光され，光磁気ディスク30に投射され
る。光磁気ディスク30からの反射光は対物レンズ13によ
ってコリメートされ，さらに立上げミラー41によって直
角に偏向される。このコリメート光はコリメート・レン
ズ12によって集光されながら，ガラス板15，14によって
それぞれ反射され，光検出器22，21に入射することにな
る。対物レンズ13はアクチュエータ・コイル42によって
フォーカシング制御（およびトラッキング制御）のため
に微動される。

【００６５】これらの光学系の各素子，すなわち半導体
レーザ11，コリメート・レンズ12，ガラス板14，15，光
検出器21，22，23等はケース40内に配置され，かつ適当
な固定手段により固定される。

【００６６】ケース40内部においてはガラス板14，15か
らの反射光や散乱光がケース40の内壁によって反射し，
この反射光が迷光として光検出器21，22，23に入射す
る。このようなケース40の内壁での光の反射をできるだ
け少なくするためにケース40の内壁面には黒体が形成
（黒色に塗る，または黒色のフイルムをコートする等）
されている。しかしながら，それでもケース40の内壁面
からの反射光を零にすることはできない。

【００６７】半導体レーザ11の出射光の一部はガラス板
14の半導体レーザ側の面で反射して，拡散しながらケー
ス40の内壁面に向い，ケース40の内壁面で反射し，ガラ
ス板14を通って光検出器21に迷光として入射する。光検
出器22にも同じようにして迷光が入射する。

【００６８】光検出器21の方が光検出器22よりも半導体
レーザ11に近い位置にあるので，光検出器21に入射する
迷光の光量の方が多い。そこで，光検出器21に対向する
ケースの内壁面に迷光減衰部（迷光調整部または迷光阻
止部）50が形成されている。

【００６９】図10に示すように，この実施例では迷光減
衰部50はグレーティングのような微細な凹凸により構成
されている。この迷光減衰部50によって，光は散乱また
は光検出器21からはそれる方向に反射するので，光検出
器21に入射する迷光が減少する。好ましくは，光検出器
21に入射する迷光の光量と光検出器22に入射する迷光の
光量とが等しくなるように迷光減衰部50が調整して形成
される。

【００７０】図11は迷光減衰部の種々の例を示してい
る。同図(A) は凸状の曲面をもつ迷光減衰部51を，(B)
は底面が斜面に形成されたくぼみよりなる迷光減衰部52
を，(C) は底面が傾いた曲面によって形成されたくぼみ
よりなる迷光減衰部53をそれぞれ示している。これらの
迷光減衰部51〜53はいずれも，反射光の方向を変え，反
射光が光検出器21に入射するのを防ぐ働きをする。

【００７１】図12はフォーカシング・エラー信号を作成
する回路の一例を示すものであり，ダブル・ビーム・サ
イズ法によりフォーカシング・エラー信号を作成する。

【００７２】光検出器21，22はいずれも，３分割フォト
ダイオードから構成されている。光検出器21を構成する
３個のフォトダイオードを21ａ，21ｂ，21ｃとし，光検
出器22を構成する３個のフォトダイオードを22ａ，22
ｂ，22ｃとする。

【００７３】光検出器21における両側のフォトダイオー
ド21ａと21ｃの出力信号が加算器61で加算される。加算
器61の出力信号のうち，迷光成分を除く信号成分をＦ
１，迷光成分をＭ２とする。同じように，光検出器22に
おける両側のフォトダイオード22ａと22ｃの出力信号が
加算器62で加算される。加算器62の出力信号のうち，迷
光成分を除く信号成分をＦ２，迷光成分をＭ２とする。
加算器61の出力信号から加算器62の出力信号が減算器63
で減算され，フォーカシング・エラー信号Ｆが得られ
る。

【００７４】フォーカシング・エラー信号Ｆは次式で与
えられる。

【００７５】 Ｆ＝（Ｆ１＋Ｍ１）−（Ｆ２＋Ｍ２） ＝（Ｆ１−Ｆ２）＋（Ｍ１−Ｍ２） …式１

【００７６】ここで，Ｍ２＝ｋＭ１とおくと，迷光成分
Ｍ＝Ｍ１−Ｍ２は， Ｍ＝Ｍ１−ｋＭ１ ＝Ｍ１（１−ｋ） …式２ となる。

【００７７】光検出器21と22に入射する迷光の光量が等
しくなければ係数ｋは１以外の値である。この場合に
は，式２から迷光成分Ｍは０とはならず，これによって
フォーカシング・エラー信号Ｆにオフセットが生じる。
したがって，記録（消去）／再生等の動作モードに応じ
て，または周囲温度の変化により半導体レーザ11の発光
光量が変化すると，このオフセットも変化するので，正
しいフォーカシング・エラー信号が得られない。

【００７８】上述したように，迷光減衰部50の働きによ
り，光検出器21と光検出器22に入射する迷光の光量がほ
ぼ等しくなるように調整されるから，係数ｋはほぼ１と
なる。すなわち，式２における迷光成分Ｍはほぼ零とな
る。したがって，フォーカシング・エラー信号Ｆは式１
から， Ｆ＝Ｆ１−Ｆ２ …式３ となり，オフセットは生じない。もちろん，半導体レー
ザ11の発光出力に変化が生じてもフォーカシング・エラ
ー信号はこれによって影響を受けることがない。

【００７９】第１の発明は，迷光減衰部をケースの内壁
面に設けることによって迷光の影響を除去するものであ
るが，第２の発明はフォーカシング・エラー信号の影響
を電気回路上で除去するものである。

【００８０】図13に示す実線は迷光が存在しない場合の
フォーカシング・エラー信号を示している。横軸は対物
レンズと光磁気ディスクとの間の距離であり，縦軸はフ
ォーカシング・エラー信号のレベルを示す。上述のよう
に，２つの光検出器21と22に入射する迷光の光量に差が
あると，破線で示すようにオフセットが生じる。このオ
フセット量は，半導体レーザ11の発光強度にほぼ比例し
て変化する。

【００８１】図14は第２の発明の実施例を示している。
フォーカシング・エラー信号はダブル・ビーム・サイズ
法によって作成されるが，図12に示すものと演算回路が
少し異なっている。もちろん，図12に示す演算回路にも
第２の発明は適用できる。

【００８２】迷光の影響を考えない場合には，フォーカ
シング・エラー信号は加算器71，72，減算器73によっ
て，次式が演算されることにより作成される。

【００８３】 （21ａ＋21ｃ＋22ｂ）−（22ａ＋22ｃ＋21ｂ） …式４

【００８４】式４においてフォトダイオード21ａ〜22ｃ
の出力信号をこれらと同じ符号を用いて表わしている。

【００８５】加算器75によって 22ａ＋22ｂ＋22ｃ …式５ が演算される。式５は光検出器22が受光する全光量を表
わしており，これは半導体レーザ11の発光強度に比例し
ている。加算器75の出力はアッテネータ76によって１よ
りも小さい適当な係数を用いて減算される。

【００８６】減算器74において，減算器73の出力からア
ッテネータ76の出力が減算されることにより最終的なフ
ォーカシング・エラー信号が得られる。

【００８７】アッテネータ76の出力は迷光によって生じ
るオフセットを表わすようにあらかじめ調整される。減
算器73の出力信号が迷光の影響により図13の破線で示す
曲線となっているとすれば，これからオフセットを減算
することにより，実線で示すオフセットのないフォーカ
シング・エラー信号が得られることになる。これが減算
器74の出力である。

【００８８】アッテネータ76の出力は半導体レーザ11の
発光強度に比例しているから，半導体レーザ11の発光強
度に変動または変化があっても，常にオフセットが補正
され，オフセットのないフォーカシング・エラー信号が
得られることになる。

【００８９】オフセットが負方向に現われる場合には，
減算器74を加算器で置きかえればよい。

【００９０】第１の発明および第２の発明は上述した第
１の先願発明にも適用できるのはいうまでもない。

【００９１】また，第１の発明と第２の発明とを組合せ
て，より正確なオフセット補償を行なうようにすること
もできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の先願発明の実施例を示し，光ディスクの
記録／再生に適した光ピックアップ装置の構成を示すも
のである。

【図２】第１の先願発明の他の実施例を示し，光磁気デ
ィスクの記録／再生に適した光ピックアップ装置の構成
を示すものである。

【図３】図２に示す光ピックアップ装置の変形例を示す
ものである。

【図４】図２に示す光ピックアップ装置の変形例を示す
ものである。

【図５】第２の先願発明による光ピックアップ装置の実
施例を示すものであり，光ピックアップ装置の光学的構
成の平面図である。

【図６】図５に示す光学系の一部を示す斜視図である。

【図７】ガラス板の反射係数および透過係数の入射角依
存性を示すグラフである。

【図８】第１の発明の実施例を示す水平断面図である。

【図９】第１の発明の実施例を示す垂直断面図である。

【図１０】図９に示す断面図の一部を拡大して示す断面
図である。

【図１１】(A) ，(B) および(C) は迷光減衰部の他の例
をそれぞれ示す断面図である。

【図１２】フォーカシング・エラー信号を作成する電気
回路を示す回路図である。

【図１３】フォーカシング・エラー信号を示すグラフで
ある。

【図１４】第２の発明の実施例を示す回路図である。

【符号の説明】

11 半導体レーザ 12 コリメート・レンズ 13 対物レンズ 14，15 ガラス板 20 光ディスク 21，22 光検出器 30 光磁気ディスク 31，32 検光子 40 ケース 50，51，52，53 迷光減衰部 74 減算器 75 加算器 76 アッテネータ

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Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子，上記発光素子から出射される
   発散光を光学的記録媒体上に集光させるとともに光学的
   記録媒体からの反射光を集光させる集光光学系，上記集
   光光学系に配置され，入射する光の一部を透過しかつ一
   部を反射するビーム・スプリッタ手段，光学的記録媒体
   によって反射され，上記集光光学系に入射する光のうち
   上記ビーム・スプリッタ手段を透過したまたは上記ビー
   ム・スプリッタ手段によって反射された光を受光する少
   なくとも２つの光検出器，上記発光素子，上記ビーム・
   スプリッタ手段を含む上記集光光学系および光検出器が
   その内部に配置されかつ保持されるケース，ならびに上
   記光検出器の少なくとも一方が対向する上記ケースの内
   壁面に形成され，上記内壁面で反射して上記光検出器に
   入射する迷光の光量を調整する迷光調整手段，を備えた
   光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 上記の少なくとも２つの光検出器に入射
   する迷光の光量がほぼ等しくなるように上記迷光調整手
   段によって調整されている，請求項１に記載の光ピック
   アップ装置。
3. 【請求項３】 上記の少なくとも２つの光検出器のう
   ち，入射する迷光の光量の多い光検出器に対向する内壁
   面に上記迷光調整手段が設けられ，上記迷光調整手段に
   よって上記光検出器に入射する迷光の光量が減少する，
   請求項１に記載の光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】 上記２つの光検出器の出力信号に基づい
   てフォーカシング・エラー信号を作成する手段をさらに
   備えている，請求項２に記載の光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 光源と，入射光の一部を反射させるビー
   ム・スプリッタと，このビーム・スプリッタからの反射
   光を受光する光検出器とがケース内に配置され，上記ケ
   ースの上記光検出器に対向する内面に，その内面からの
   反射光を減少させる，または反射光が光検出器に入射し
   ないようにする迷光阻止部が設けられている迷光防止装
   置。
6. 【請求項６】 発光素子，上記発光素子から出射される
   発散光を光学的記録媒体上に集光させるとともに光学的
   記録媒体からの反射光を集光させる集光光学系，上記集
   光光学系に配置され，入射する光の一部を透過しかつ一
   部を反射するビーム・スプリッタ手段，光学的記録媒体
   によって反射され，上記集光光学系に入射する光のうち
   上記ビーム・スプリッタ手段を透過したまたは上記ビー
   ム・スプリッタ手段によって反射された光を受光する少
   なくとも２つの光検出器，上記２つの光検出器の出力信
   号に基づいてフォーカシング・エラー信号を作成する手
   段，および 上記２つの光検出器の少なくともいずれか一方の出力信
   号を用いてフォーカシング・エラー信号に現われるオフ
   セットを補正する手段，を備えた光ピックアップ装置。
7. 【請求項７】 上記オフセット補正手段が，上記フォー
   カシング・エラー信号から上記いずれか一方の光検出器
   の出力信号に関係する信号を減算または加算するもので
   ある，請求項６に記載の光ピックアップ装置。
8. 【請求項８】 光学的記録媒体からの反射光の一部を受
   光し，フォーカシング・エラー信号を作成するための受
   光信号を発生する２つの受光手段，上記２つの受光手段
   の受光信号に基づいてフォーカシング・エラー信号を作
   成する手段，および 上記２つの受光手段の少なくともいずれか一方の出力信
   号を用いてフォーカシング・エラー信号に含まれるオフ
   セット量を補正する手段，を備えたオフセット補正装
   置。