JPH05143937A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPH05143937A JPH05143937A JP33116791A JP33116791A JPH05143937A JP H05143937 A JPH05143937 A JP H05143937A JP 33116791 A JP33116791 A JP 33116791A JP 33116791 A JP33116791 A JP 33116791A JP H05143937 A JPH05143937 A JP H05143937A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果素子の長手方向に平行な磁化容易
軸を持ちながら磁気抵抗効果素子の長手方向に外部磁界
を作用させてもヒステリシスの無いＭＲ特性曲線が得ら
れるようにする。 【構成】磁気抵抗効果素子１の長手方向にセンス電流ｉ
が流され、且つ磁気記録媒体からの信号磁界Ｈ０ が前
記センス電流ｉに平行に作用するようにした磁気抵抗効
果型ヘッドに於いて、磁気抵抗効果素子１の磁化容易軸
e.a を前記磁気抵抗効果素子１の長手方向とし、第１
のバイアス手段によって発生する磁界ＨＢ１により、前
記磁気抵抗効果素子１をその短手方向に飽和磁化させて
おき、第２のバイアス手段によって前記磁気抵抗効果素
子１の長手方向にバイアス磁界ＨＢ２をかけるようにし
てなる磁気抵抗効果型ヘッドである。
軸を持ちながら磁気抵抗効果素子の長手方向に外部磁界
を作用させてもヒステリシスの無いＭＲ特性曲線が得ら
れるようにする。 【構成】磁気抵抗効果素子１の長手方向にセンス電流ｉ
が流され、且つ磁気記録媒体からの信号磁界Ｈ０ が前
記センス電流ｉに平行に作用するようにした磁気抵抗効
果型ヘッドに於いて、磁気抵抗効果素子１の磁化容易軸
e.a を前記磁気抵抗効果素子１の長手方向とし、第１
のバイアス手段によって発生する磁界ＨＢ１により、前
記磁気抵抗効果素子１をその短手方向に飽和磁化させて
おき、第２のバイアス手段によって前記磁気抵抗効果素
子１の長手方向にバイアス磁界ＨＢ２をかけるようにし
てなる磁気抵抗効果型ヘッドである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等の
磁気記録再生装置に使用される磁気抵抗効果型ヘッドに
関わり、特に狭トラック化に好適な磁気抵抗効果型ヘッ
ドの構造に関する。
磁気記録再生装置に使用される磁気抵抗効果型ヘッドに
関わり、特に狭トラック化に好適な磁気抵抗効果型ヘッ
ドの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化には誘導型ヘッドに
代って磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと記
す。）が好適であるとされ、近年ＭＲヘッドの研究開発
が盛んになってきている。前記したような高密度化を達
成するための一つの手段として磁気ヘッドの狭トラック
化があるが、これを実現するための様々なＭＲヘッド構
造が提案されている。中でも、磁気抵抗効果素子（以下
ＭＲ素子と記す。）の長手方向に信号磁界を作用させ、
前記ＭＲ素子の短辺をトラック幅に対応させた構造のＭ
Ｒヘッドが狭トラック化に有利な構造として提案されて
いる。以下に、従来のＭＲヘッドの２つの例について述
べる。
代って磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと記
す。）が好適であるとされ、近年ＭＲヘッドの研究開発
が盛んになってきている。前記したような高密度化を達
成するための一つの手段として磁気ヘッドの狭トラック
化があるが、これを実現するための様々なＭＲヘッド構
造が提案されている。中でも、磁気抵抗効果素子（以下
ＭＲ素子と記す。）の長手方向に信号磁界を作用させ、
前記ＭＲ素子の短辺をトラック幅に対応させた構造のＭ
Ｒヘッドが狭トラック化に有利な構造として提案されて
いる。以下に、従来のＭＲヘッドの２つの例について述
べる。
【０００３】第１の例（図示せず）は、例えば特開昭６
２−２３４２１８号に開示されている如きものである。
ＭＲヘッドは２層のＭＲ素子で構成されており、前記Ｍ
Ｒ素子の磁化容易軸が前記ＭＲ素子の短手方向に向けら
れたものであり、別に設けたバイアス手段により信号磁
界に略平行なバイアス磁界を印加して前記ＭＲ素子が信
号磁界に対して直線性良く動作するようにしたＭＲヘッ
ドである。しかし、前記したようなＭＲヘッドでは狭ト
ラックになればなるほどＭＲ素子の素子幅が狭くなり、
磁化容易軸を前記ＭＲ素子の短手方向に向けることが困
難となり、磁壁の発生を招きバルクハウゼンノイズを発
生させてしまうと言う問題があった。
２−２３４２１８号に開示されている如きものである。
ＭＲヘッドは２層のＭＲ素子で構成されており、前記Ｍ
Ｒ素子の磁化容易軸が前記ＭＲ素子の短手方向に向けら
れたものであり、別に設けたバイアス手段により信号磁
界に略平行なバイアス磁界を印加して前記ＭＲ素子が信
号磁界に対して直線性良く動作するようにしたＭＲヘッ
ドである。しかし、前記したようなＭＲヘッドでは狭ト
ラックになればなるほどＭＲ素子の素子幅が狭くなり、
磁化容易軸を前記ＭＲ素子の短手方向に向けることが困
難となり、磁壁の発生を招きバルクハウゼンノイズを発
生させてしまうと言う問題があった。
【０００４】図７は、従来のＭＲヘッドの第２の例を示
す概略図である。この第２の従来例のＭＲヘッドに於い
ては、図７に示したようにＭＲ素子１の長手方向に略平
行に所定のセンス電流ｉが流され、且つ磁気記録媒体か
らの信号磁界Ｈ０ が前記センス電流ｉに略平行に作用
するようにしたＭＲヘッドであって、ＭＲ素子１の磁化
容易軸 e.a をＭＲ素子１の長手方向に向け、別に設け
たバイアス手段（図示せず）により前記ＭＲ素子１の短
手方向にバイアス磁界ＨBを印加して最適バイアス磁界
を得、ＭＲ素子を動作させるようにしたものである。
す概略図である。この第２の従来例のＭＲヘッドに於い
ては、図７に示したようにＭＲ素子１の長手方向に略平
行に所定のセンス電流ｉが流され、且つ磁気記録媒体か
らの信号磁界Ｈ０ が前記センス電流ｉに略平行に作用
するようにしたＭＲヘッドであって、ＭＲ素子１の磁化
容易軸 e.a をＭＲ素子１の長手方向に向け、別に設け
たバイアス手段（図示せず）により前記ＭＲ素子１の短
手方向にバイアス磁界ＨBを印加して最適バイアス磁界
を得、ＭＲ素子を動作させるようにしたものである。
【０００５】ところが、前記した従来のＭＲヘッドの第
２の例に於いては、ＭＲ特性曲線にヒステリシスが現れ
てしまうと言う問題がある。図８は、従来のＭＲヘッド
の第２の例に於けるＭＲ特性曲線を示す図である。図８
に於いて、Ｈ０は信号磁界、ＲはＭＲ素子１の電極間の
抵抗値を示している。例えば、図８のＭＲ特性曲線の曲
線Ａに沿って前記ＭＲ素子１が動作しているとすると、
その時の信号出力は出力Ａのようになる。しかし、ある
瞬間に何等かの原因により大きな負の外部磁界がＭＲ素
子１に作用すると、ＭＲ素子１の動作曲線は曲線Ｂに移
り信号出力は出力Ｂとなり再生信号の位相が反転してし
まうと言う問題があった。
２の例に於いては、ＭＲ特性曲線にヒステリシスが現れ
てしまうと言う問題がある。図８は、従来のＭＲヘッド
の第２の例に於けるＭＲ特性曲線を示す図である。図８
に於いて、Ｈ０は信号磁界、ＲはＭＲ素子１の電極間の
抵抗値を示している。例えば、図８のＭＲ特性曲線の曲
線Ａに沿って前記ＭＲ素子１が動作しているとすると、
その時の信号出力は出力Ａのようになる。しかし、ある
瞬間に何等かの原因により大きな負の外部磁界がＭＲ素
子１に作用すると、ＭＲ素子１の動作曲線は曲線Ｂに移
り信号出力は出力Ｂとなり再生信号の位相が反転してし
まうと言う問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のＭＲヘッドに於いては、ＭＲ素子の短手方向に磁化容
易軸を向けようとすると、狭トラック化を計った場合に
磁化容易軸の制御が困難でかつバルクハウゼンノイズが
発生し易く、またＭＲ素子の長手方向に磁化容易軸を向
けた場合には、ＭＲ特性曲線がヒステリシスを持ってし
まうという問題があった。本発明は上記の問題を解決す
べくなされたもので、ＭＲ素子の長手方向に信号磁界を
作用させるようにしたＭＲヘッドに於いて、ＭＲ素子の
長手方向に略平行な磁化容易軸を持ちながらヒステリシ
スの無いＭＲ特性曲線が得られるようにしようとするも
のである。
のＭＲヘッドに於いては、ＭＲ素子の短手方向に磁化容
易軸を向けようとすると、狭トラック化を計った場合に
磁化容易軸の制御が困難でかつバルクハウゼンノイズが
発生し易く、またＭＲ素子の長手方向に磁化容易軸を向
けた場合には、ＭＲ特性曲線がヒステリシスを持ってし
まうという問題があった。本発明は上記の問題を解決す
べくなされたもので、ＭＲ素子の長手方向に信号磁界を
作用させるようにしたＭＲヘッドに於いて、ＭＲ素子の
長手方向に略平行な磁化容易軸を持ちながらヒステリシ
スの無いＭＲ特性曲線が得られるようにしようとするも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】磁気抵抗効果素子の長手
方向にセンス電流が流され、且つ磁気記録媒体からの信
号磁界が前記磁気抵抗効果素子の長手方向に作用するよ
うにした磁気抵抗効果型ヘッドに於いて、前記磁気抵抗
効果素子がその長手方向に磁化容易軸を持ち、第１のバ
イアス手段によって前記磁気抵抗効果素子がその短手方
向に予め飽和磁化されており、且つ第２のバイアス手段
によってバイアス磁界が前記磁気抵抗効果素子の略長手
方向にかけられるようにしたＭＲヘッドであり、前記第
１のバイアス手段を、前記磁気抵抗効果素子と所定距離
隔てて略平行に配された導体線とし、この導体線を流れ
る直流電流によって発生する磁界により前記磁気抵抗効
果素子がその短手方向に飽和磁化されるようにするか、
或いは前記第１のバイアス手段を、前記磁気抵抗効果素
子の短手方向の端辺に近接して配された高抗磁力薄膜と
し、この高抗磁力薄膜から発生する磁界により前記磁気
抵抗効果素子がその短手方向に飽和磁化されるようにす
る。さらに前記第１のバイアス手段によって発生した磁
界を軟磁性薄膜により、前記磁気抵抗効果素子の短手方
向に誘導して前記磁気抵抗効果素子がその短手方向に飽
和磁化されるようにしたものである。
方向にセンス電流が流され、且つ磁気記録媒体からの信
号磁界が前記磁気抵抗効果素子の長手方向に作用するよ
うにした磁気抵抗効果型ヘッドに於いて、前記磁気抵抗
効果素子がその長手方向に磁化容易軸を持ち、第１のバ
イアス手段によって前記磁気抵抗効果素子がその短手方
向に予め飽和磁化されており、且つ第２のバイアス手段
によってバイアス磁界が前記磁気抵抗効果素子の略長手
方向にかけられるようにしたＭＲヘッドであり、前記第
１のバイアス手段を、前記磁気抵抗効果素子と所定距離
隔てて略平行に配された導体線とし、この導体線を流れ
る直流電流によって発生する磁界により前記磁気抵抗効
果素子がその短手方向に飽和磁化されるようにするか、
或いは前記第１のバイアス手段を、前記磁気抵抗効果素
子の短手方向の端辺に近接して配された高抗磁力薄膜と
し、この高抗磁力薄膜から発生する磁界により前記磁気
抵抗効果素子がその短手方向に飽和磁化されるようにす
る。さらに前記第１のバイアス手段によって発生した磁
界を軟磁性薄膜により、前記磁気抵抗効果素子の短手方
向に誘導して前記磁気抵抗効果素子がその短手方向に飽
和磁化されるようにしたものである。
【０００８】
【作用】ＭＲ素子がその長手方向に磁化容易軸を持ち、
第１のバイアス手段によって前記ＭＲ素子がその短手方
向に予め飽和磁化されており、且つ第２のバイアス手段
によって前記ＭＲ素子の略長手方向にバイアス磁界をか
けるようにしたので、バルクハウゼンノイズの発生が無
く、外部磁界の変化に対してヒステリシスの無いＭＲ特
性曲線を得ることが可能となる。
第１のバイアス手段によって前記ＭＲ素子がその短手方
向に予め飽和磁化されており、且つ第２のバイアス手段
によって前記ＭＲ素子の略長手方向にバイアス磁界をか
けるようにしたので、バルクハウゼンノイズの発生が無
く、外部磁界の変化に対してヒステリシスの無いＭＲ特
性曲線を得ることが可能となる。
【０００９】また、前記第１のバイアス手段を、前記Ｍ
Ｒ素子と所定距離隔てて配した導体とすることにより、
この導体線を流れる直流電流によって発生する磁界によ
り前記ＭＲ素子をその短手方向に飽和磁化させることが
可能である。或いは前記第１のバイアス手段を前記ＭＲ
素子の短手方向の少なくも一方の端辺に近接して配した
高抗磁力薄膜とすることにより、この高抗磁力薄膜から
発生する磁界によっても前記ＭＲ素子をその短手方向に
飽和磁化させることが可能である。さらには、導体線を
直流電流が流れることによって発生する磁界や高抗磁力
薄膜から発生する磁界を、軟磁性薄膜により前記ＭＲ素
子の短手方向に誘導して前記ＭＲ素子をその短手方向に
飽和磁化させることも可能である。
Ｒ素子と所定距離隔てて配した導体とすることにより、
この導体線を流れる直流電流によって発生する磁界によ
り前記ＭＲ素子をその短手方向に飽和磁化させることが
可能である。或いは前記第１のバイアス手段を前記ＭＲ
素子の短手方向の少なくも一方の端辺に近接して配した
高抗磁力薄膜とすることにより、この高抗磁力薄膜から
発生する磁界によっても前記ＭＲ素子をその短手方向に
飽和磁化させることが可能である。さらには、導体線を
直流電流が流れることによって発生する磁界や高抗磁力
薄膜から発生する磁界を、軟磁性薄膜により前記ＭＲ素
子の短手方向に誘導して前記ＭＲ素子をその短手方向に
飽和磁化させることも可能である。
【００１０】
【実施例】本発明のＭＲヘッドについて図１乃至図６を
用いて説明する。図１は、本発明のＭＲヘッドの原理を
示す図である。図１に於いて、前記ＭＲ素子１の磁化容
易軸 e.a は予めＭＲ素子１の長手方向に向けられてい
る。ＭＲ素子の磁化容易軸 e.a は形状異方性によりＭ
Ｒ素子の長手方向に向き易い。特に、ＭＲ素子幅が狭く
なればなるほど（即ち狭トラックになればなるほど）磁
化容易軸はＭＲ素子１の長手方向に安定して向き易くな
る。従って、ＭＲ素子１の磁区制御には特別な工夫はい
らず単層膜でも容易に一軸異方性を得ることが出来る。
用いて説明する。図１は、本発明のＭＲヘッドの原理を
示す図である。図１に於いて、前記ＭＲ素子１の磁化容
易軸 e.a は予めＭＲ素子１の長手方向に向けられてい
る。ＭＲ素子の磁化容易軸 e.a は形状異方性によりＭ
Ｒ素子の長手方向に向き易い。特に、ＭＲ素子幅が狭く
なればなるほど（即ち狭トラックになればなるほど）磁
化容易軸はＭＲ素子１の長手方向に安定して向き易くな
る。従って、ＭＲ素子１の磁区制御には特別な工夫はい
らず単層膜でも容易に一軸異方性を得ることが出来る。
【００１１】このようなＭＲ素子１に対して、第１のバ
イアス手段（図示せず）によって発生する磁界ＨＢ１を
前記ＭＲ素子１の短手方向に作用させ、同方向にＭＲ素
子１を飽和磁化させる。更に別に設けた第２のバイアス
手段（図示せず）により前記ＭＲ素子１の長手方向にバ
イアス磁界ＨＢ２を印加して最適バイアス状態にしてお
き、前記ＭＲ素子１の長手方向に信号磁界Ｈ０ を作用
させるようにしてある。
イアス手段（図示せず）によって発生する磁界ＨＢ１を
前記ＭＲ素子１の短手方向に作用させ、同方向にＭＲ素
子１を飽和磁化させる。更に別に設けた第２のバイアス
手段（図示せず）により前記ＭＲ素子１の長手方向にバ
イアス磁界ＨＢ２を印加して最適バイアス状態にしてお
き、前記ＭＲ素子１の長手方向に信号磁界Ｈ０ を作用
させるようにしてある。
【００１２】図２は、本発明のＭＲヘッドに於けるＭＲ
特性曲線である。図２に於いて、横軸は信号磁界
Ｈ０ 、縦軸は前記ＭＲ素子１の電極間抵抗値Ｒを示し
ている。同図で信号磁界Ｓが印加されると、出力信号Ｄ
が安定して得られることを示している。即ち、図２に示
すようなヒステリシスの無い安定なＭＲ特性曲線を得る
ことができると共に、前記ＭＲヘッドの動作に於いて波
形歪みの無い大きな再生出力を得ることが可能となる。
特性曲線である。図２に於いて、横軸は信号磁界
Ｈ０ 、縦軸は前記ＭＲ素子１の電極間抵抗値Ｒを示し
ている。同図で信号磁界Ｓが印加されると、出力信号Ｄ
が安定して得られることを示している。即ち、図２に示
すようなヒステリシスの無い安定なＭＲ特性曲線を得る
ことができると共に、前記ＭＲヘッドの動作に於いて波
形歪みの無い大きな再生出力を得ることが可能となる。
【００１３】図３は、本発明のＭＲヘッドの第１実施例
に於ける要部拡大概略図である。図３に示した第１実施
例では、ＭＲ素子１と所定距離隔てて略平行に配された
導体線２を流れる直流電流ｉ２によって発生する磁界Ｈ
Ｂ１で前記ＭＲ素子１をその短手方向に飽和磁化するよ
うにしてあり、前記導体線２を前記ＭＲ素子１の長手方
向の一方の端部に接続し、前記導体線２を流れる直流電
流ｉ２をＭＲ素子１のセンス電流ｉと一致させている。
以下、図３を用いて本発明の第１実施例の説明をする。
図３に於いて、前記ＭＲ素子１の長手方向の両端部には
ＭＲ素子１にセンス電流を供給するためのリード線２、
３が接続されている。前記リード線２は、前記ＭＲ素子
１の略長手方向に且つ前記ＭＲ素子１と略平行に設置さ
れている。即ち前記接続部以外では、前記リード線２は
薄い絶縁層（図示せず）を介して前記ＭＲ素子１に並設
されている。
に於ける要部拡大概略図である。図３に示した第１実施
例では、ＭＲ素子１と所定距離隔てて略平行に配された
導体線２を流れる直流電流ｉ２によって発生する磁界Ｈ
Ｂ１で前記ＭＲ素子１をその短手方向に飽和磁化するよ
うにしてあり、前記導体線２を前記ＭＲ素子１の長手方
向の一方の端部に接続し、前記導体線２を流れる直流電
流ｉ２をＭＲ素子１のセンス電流ｉと一致させている。
以下、図３を用いて本発明の第１実施例の説明をする。
図３に於いて、前記ＭＲ素子１の長手方向の両端部には
ＭＲ素子１にセンス電流を供給するためのリード線２、
３が接続されている。前記リード線２は、前記ＭＲ素子
１の略長手方向に且つ前記ＭＲ素子１と略平行に設置さ
れている。即ち前記接続部以外では、前記リード線２は
薄い絶縁層（図示せず）を介して前記ＭＲ素子１に並設
されている。
【００１４】前記ＭＲ素子１のリード線２を流れるセン
ス電流ｉによって発生する磁界ＨＢ１を、前記ＭＲ素子
１の短手方向に作用させ同方向にＭＲ素子１を飽和磁化
させている。更に別に設けたバイアス手段（図示せず）
により前記ＭＲ素子１の長手方向にバイアス磁界ＨＢ２
を印加して最適バイアス状態にしておき、前記ＭＲ素子
１の長手方向に信号磁界Ｈ０ を作用させるようにし
て、図２に示したようなヒステリシスの無い安定なＭＲ
特性曲線を得ることができると共に、前記ＭＲヘッドの
動作に於いて波形歪みの無い大きな再生出力を得ること
が可能となる。
ス電流ｉによって発生する磁界ＨＢ１を、前記ＭＲ素子
１の短手方向に作用させ同方向にＭＲ素子１を飽和磁化
させている。更に別に設けたバイアス手段（図示せず）
により前記ＭＲ素子１の長手方向にバイアス磁界ＨＢ２
を印加して最適バイアス状態にしておき、前記ＭＲ素子
１の長手方向に信号磁界Ｈ０ を作用させるようにし
て、図２に示したようなヒステリシスの無い安定なＭＲ
特性曲線を得ることができると共に、前記ＭＲヘッドの
動作に於いて波形歪みの無い大きな再生出力を得ること
が可能となる。
【００１５】図４は、本発明のＭＲヘッドの第２実施例
に於ける要部拡大概略図である。図４に於いて、ＭＲ素
子１の長手方向の両端部にはセンス電流ｉを供給するた
めのリード線２、３が接続されている。また、前記ＭＲ
素子１と略同一の平面上にある高抗磁力薄膜４が前記Ｍ
Ｒ素子１の短手方向の両端辺に近接して配されている。
前記ＭＲ素子１に対してその短手方向に前記高抗磁力薄
膜４からの磁界ＨＢ１を作用させて、前記ＭＲ素子１を
飽和磁化させ、さらに別に設けたバイアス手段（図示せ
ず）により、前記ＭＲ素子１の略長手方向にバイアス磁
界ＨＢ２を印加して最適バイアス状態にしておき、前記
ＭＲ素子１の長手方向に信号磁界Ｈ０ を作用させるよ
うにして、図２に示したようなヒステリシスの無い安定
なＭＲ特性曲線を得ることが出来ると共に、前記ＭＲヘ
ッドの動作に於いて波形歪みの無い大きな再生出力を得
ることが可能となる。
に於ける要部拡大概略図である。図４に於いて、ＭＲ素
子１の長手方向の両端部にはセンス電流ｉを供給するた
めのリード線２、３が接続されている。また、前記ＭＲ
素子１と略同一の平面上にある高抗磁力薄膜４が前記Ｍ
Ｒ素子１の短手方向の両端辺に近接して配されている。
前記ＭＲ素子１に対してその短手方向に前記高抗磁力薄
膜４からの磁界ＨＢ１を作用させて、前記ＭＲ素子１を
飽和磁化させ、さらに別に設けたバイアス手段（図示せ
ず）により、前記ＭＲ素子１の略長手方向にバイアス磁
界ＨＢ２を印加して最適バイアス状態にしておき、前記
ＭＲ素子１の長手方向に信号磁界Ｈ０ を作用させるよ
うにして、図２に示したようなヒステリシスの無い安定
なＭＲ特性曲線を得ることが出来ると共に、前記ＭＲヘ
ッドの動作に於いて波形歪みの無い大きな再生出力を得
ることが可能となる。
【００１６】図５は、本発明のＭＲヘッドの第３実施例
に於ける要部拡大概略図である。以下図３と異なる部分
について説明する。図５に於いて、ＭＲ素子１にはＭＲ
素子１にセンス電流を供給するためのリード線２、３が
接続されている。リード線２、３は、それぞれの一端が
前記ＭＲ素子１の長手方向方向の別々の端部に接続され
ており、この接続部付近を除き前記ＭＲ素子１の長手方
向に略平行に設置されている。略コの字型をした軟磁性
体５は薄い板状或いは薄膜状となっていて、前記ＭＲ素
子１と略同一の平面上にあり、前記リード線２とリード
線３の間に配置されている。
に於ける要部拡大概略図である。以下図３と異なる部分
について説明する。図５に於いて、ＭＲ素子１にはＭＲ
素子１にセンス電流を供給するためのリード線２、３が
接続されている。リード線２、３は、それぞれの一端が
前記ＭＲ素子１の長手方向方向の別々の端部に接続され
ており、この接続部付近を除き前記ＭＲ素子１の長手方
向に略平行に設置されている。略コの字型をした軟磁性
体５は薄い板状或いは薄膜状となっていて、前記ＭＲ素
子１と略同一の平面上にあり、前記リード線２とリード
線３の間に配置されている。
【００１７】前記軟磁性体５の端部５ａは、前記ＭＲ素
子１の短手方向の端辺１ａに近接している。図示してい
ないが反対側の端部も同様であって、前記軟磁性体５の
端部５ｂは、前記ＭＲ素子１の短手方向の端辺１ｂに近
接している。従って図５に示すヘッドでは、前記軟磁性
体５と前記ＭＲ素子１とで磁気的に閉回路を形成してお
り、前記リード線２、３を流れる電流ｉ２、ｉ３によっ
て発生する磁界ＨＢ１を、前記軟磁性材５によって前記
ＭＲ素子１の短手方向に誘導し、かつこの方向にＭＲ素
子１を飽和磁化させるようにしたもので、ＭＲ素子１の
短手方向の反磁界が小さくなり、前記第１の実施例のＭ
Ｒヘッドに比べ小さいセンス電流でＭＲ素子１を確実、
容易に飽和磁化させ得る。
子１の短手方向の端辺１ａに近接している。図示してい
ないが反対側の端部も同様であって、前記軟磁性体５の
端部５ｂは、前記ＭＲ素子１の短手方向の端辺１ｂに近
接している。従って図５に示すヘッドでは、前記軟磁性
体５と前記ＭＲ素子１とで磁気的に閉回路を形成してお
り、前記リード線２、３を流れる電流ｉ２、ｉ３によっ
て発生する磁界ＨＢ１を、前記軟磁性材５によって前記
ＭＲ素子１の短手方向に誘導し、かつこの方向にＭＲ素
子１を飽和磁化させるようにしたもので、ＭＲ素子１の
短手方向の反磁界が小さくなり、前記第１の実施例のＭ
Ｒヘッドに比べ小さいセンス電流でＭＲ素子１を確実、
容易に飽和磁化させ得る。
【００１８】尚前記リード線２を流れる電流ｉ２によっ
て発生する磁界と、軟磁性材５により導かれる磁界Ｈ
Ｂ１とは、前記ＭＲ素子１上では互いに逆向きとなるた
めに、リード線２をＭＲ素子１から離して設けると尚の
こと良い。また、前記リード線２、３の少くも一方を前
記軟磁性材５の一辺を１回以上巻回する態様で設けるな
らばより少いセンス電流でＭＲ素子１を飽和磁化するこ
とが可能となる。尚、前記軟磁性材５をＭＲ素子１と同
一の軟磁性薄膜で形成することも可能である。また、図
５に於いては、リード線２を流れる電流ｉ２によって発
生する磁界を、軟磁性材５によりＭＲ素子１の短手方向
に導くようにしたが、リード線２とは別の独立した導体
線を軟磁性材５の一辺に巻回させるようにして磁界Ｈ
Ｂ１を発生させることも可能である。
て発生する磁界と、軟磁性材５により導かれる磁界Ｈ
Ｂ１とは、前記ＭＲ素子１上では互いに逆向きとなるた
めに、リード線２をＭＲ素子１から離して設けると尚の
こと良い。また、前記リード線２、３の少くも一方を前
記軟磁性材５の一辺を１回以上巻回する態様で設けるな
らばより少いセンス電流でＭＲ素子１を飽和磁化するこ
とが可能となる。尚、前記軟磁性材５をＭＲ素子１と同
一の軟磁性薄膜で形成することも可能である。また、図
５に於いては、リード線２を流れる電流ｉ２によって発
生する磁界を、軟磁性材５によりＭＲ素子１の短手方向
に導くようにしたが、リード線２とは別の独立した導体
線を軟磁性材５の一辺に巻回させるようにして磁界Ｈ
Ｂ１を発生させることも可能である。
【００１９】図６は、本発明のＭＲヘッドの第４実施例
に於ける要部拡大概略図である。図６に於いて、ＭＲ素
子１にはセンス電流ｉを供給するためのリード線２、３
がＭＲ素子１の長手方向の別々の端部に接続されてい
る。２つの軟磁性体５は、薄い板状或いは薄膜状となっ
ていて、前記ＭＲ素子１と略同一の平面上にあり、ＭＲ
素子１の短手方向の両端辺に配されている。また前記軟
磁性体５はＭＲヘッドの後方部に於いて高抗磁力薄膜４
を介して磁気的に接続されている。前記軟磁性体５の端
辺５ａは、前記ＭＲ素子１の短手方向の端辺１ａに近接
して配置され、また前記軟磁性体５の端部５ｂは、前記
ＭＲ素子１の短手方向の端辺１ｂに近接して配置されて
いる。
に於ける要部拡大概略図である。図６に於いて、ＭＲ素
子１にはセンス電流ｉを供給するためのリード線２、３
がＭＲ素子１の長手方向の別々の端部に接続されてい
る。２つの軟磁性体５は、薄い板状或いは薄膜状となっ
ていて、前記ＭＲ素子１と略同一の平面上にあり、ＭＲ
素子１の短手方向の両端辺に配されている。また前記軟
磁性体５はＭＲヘッドの後方部に於いて高抗磁力薄膜４
を介して磁気的に接続されている。前記軟磁性体５の端
辺５ａは、前記ＭＲ素子１の短手方向の端辺１ａに近接
して配置され、また前記軟磁性体５の端部５ｂは、前記
ＭＲ素子１の短手方向の端辺１ｂに近接して配置されて
いる。
【００２０】従って図６に示すヘッドでは、前記軟磁性
体５と前記ＭＲ素子１と前記高抗磁力薄膜４とで磁気的
に閉回路を形成しており、前記高抗磁力薄膜４によって
発生する磁界ＨＢ１を、前記軟磁性材５によって前記Ｍ
Ｒ素子１の短手方向に誘導し、かつこの方向にＭＲ素子
１を飽和磁化させるようにしたものであり、ＭＲ素子１
の短手方向の反磁界が小さくなり、前記第２実施例のＭ
Ｒヘッドに比べ小さな磁界でＭＲ素子１を確実、容易に
飽和磁化させることが出来る。このように、高抗磁力薄
膜４の磁界強度は小さくても良いから、前記高抗磁力薄
膜４からの磁界によって媒体の信号磁界が消去されると
言う問題は発生しない。
体５と前記ＭＲ素子１と前記高抗磁力薄膜４とで磁気的
に閉回路を形成しており、前記高抗磁力薄膜４によって
発生する磁界ＨＢ１を、前記軟磁性材５によって前記Ｍ
Ｒ素子１の短手方向に誘導し、かつこの方向にＭＲ素子
１を飽和磁化させるようにしたものであり、ＭＲ素子１
の短手方向の反磁界が小さくなり、前記第２実施例のＭ
Ｒヘッドに比べ小さな磁界でＭＲ素子１を確実、容易に
飽和磁化させることが出来る。このように、高抗磁力薄
膜４の磁界強度は小さくても良いから、前記高抗磁力薄
膜４からの磁界によって媒体の信号磁界が消去されると
言う問題は発生しない。
【００２１】
【発明の効果】ＭＲ素子の磁化容易軸をＭＲ素子の長手
方向とし、第１のバイアス手段によって発生する磁界に
より、前記ＭＲ素子をその短手方向に飽和磁化させ、第
２のバイアス手段により前記ＭＲ素子の略長手方向にバ
イアスをかけ信号磁界を前記ＭＲ素子の長手方向に作用
させるようにしたことにより、狭トラックに於いてもバ
ルクハウゼンノイズの発生が無く且つヒステリシスの無
いＭＲ特性曲線が得られ、直線性の良い安定な動作を示
すＭＲヘッドを提供することが可能となる。
方向とし、第１のバイアス手段によって発生する磁界に
より、前記ＭＲ素子をその短手方向に飽和磁化させ、第
２のバイアス手段により前記ＭＲ素子の略長手方向にバ
イアスをかけ信号磁界を前記ＭＲ素子の長手方向に作用
させるようにしたことにより、狭トラックに於いてもバ
ルクハウゼンノイズの発生が無く且つヒステリシスの無
いＭＲ特性曲線が得られ、直線性の良い安定な動作を示
すＭＲヘッドを提供することが可能となる。
【図１】本発明のＭＲヘッドの原理を示す図である。
【図２】本発明のＭＲヘッドに於けるＭＲ特性曲線であ
る。
る。
【図３】本発明のＭＲヘッドの第１実施例の要部拡大概
略図である。
略図である。
【図４】本発明のＭＲヘッドの第２実施例に於ける要部
拡大概略図である。
拡大概略図である。
【図５】本発明のＭＲヘッドの第３実施例に於ける要部
拡大概略図である。
拡大概略図である。
【図６】本発明のＭＲヘッドの第４実施例に於ける要部
拡大概略図である。
拡大概略図である。
【図７】従来のＭＲヘッドの第２の例を示す概略図であ
る。
る。
【図８】従来のＭＲヘッドの第２の例に於けるＭＲ特性
曲線を示す図である。
曲線を示す図である。
１ ＭＲ素子 ２、３ リード線 ４ 高抗磁力薄膜 ５ 軟磁性材 e.a 磁化容易軸 Ｈ０ 信号磁界 ＨＢ１ ＭＲ素子の短辺方向のバイアス磁界 ＨＢ２ ＭＲ素子の長手方向のバイアス磁界 ｉ センス電流 ｉ２、ｉ３ リード線電流 Ｒ ＭＲ素子の抵抗値
Claims (4)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子の長手方向にセンス電流
が流され、且つ磁気記録媒体からの信号磁界が前記磁気
抵抗効果素子の長手方向に作用するようにした磁気抵抗
効果型ヘッドに於いて、長手方向に略平行な磁化容易軸
を持ち、第１のバイアス手段によって短手方向に予め飽
和磁化され、第２のバイアス手段のバイアス磁界が略長
手方向にかけられるようにした磁気抵抗効果素子を備え
たことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】前記第１のバイアス手段が、前記磁気抵抗
効果素子と所定距離隔てて略平行に配された導体線から
なり、この導体線を流れる直流電流によって発生する磁
界により前記磁気抵抗効果素子がその短手方向に飽和磁
化されるようにしてなる請求項１記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項３】前記第１のバイアス手段が、前記磁気抵抗
効果素子の短手方向の少なくとも一方の端辺に近接して
配された高抗磁力薄膜からなり、この高抗磁力薄膜から
発生する磁界により、前記磁気抵抗効果素子がその短手
方向に飽和磁化されるようにしてなる請求項１記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】前記第１のバイアス手段によって発生した
磁界を、軟磁性薄膜により前記磁気抵抗効果素子の短手
方向に誘導して、前記磁気抵抗効果素子がその短手方向
に飽和磁化されるようにしてなる請求項１記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33116791A JPH05143937A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33116791A JPH05143937A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05143937A true JPH05143937A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18240636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33116791A Pending JPH05143937A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05143937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP33116791A patent/JPH05143937A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
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