JPH07201019A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH07201019A JPH07201019A JP28078094A JP28078094A JPH07201019A JP H07201019 A JPH07201019 A JP H07201019A JP 28078094 A JP28078094 A JP 28078094A JP 28078094 A JP28078094 A JP 28078094A JP H07201019 A JPH07201019 A JP H07201019A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生感度低下させることなくバルクハウゼン
ノイズの発生を抑制し、記録媒体上の信号にも悪影響を
及ばさない磁気抵抗効果型ヘッドの構成を明らかにす
る。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気
抵抗効果により磁気的信号を電気的信号に変換するため
の磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の長手方向に信
号検出用の電流を流すための一対の電極とを備える磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜の長手方向
両端の側面から所定の距離だけ離れた位置に、軟磁性材
料からなる磁区制御層を設けたことを特徴とするもので
ある。
ノイズの発生を抑制し、記録媒体上の信号にも悪影響を
及ばさない磁気抵抗効果型ヘッドの構成を明らかにす
る。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気
抵抗効果により磁気的信号を電気的信号に変換するため
の磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の長手方向に信
号検出用の電流を流すための一対の電極とを備える磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜の長手方向
両端の側面から所定の距離だけ離れた位置に、軟磁性材
料からなる磁区制御層を設けたことを特徴とするもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果により磁
気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものであり、特に、磁気ディスク装置等の小型
で大容量の磁気記録装置に使用される磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関するものである。
気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものであり、特に、磁気ディスク装置等の小型
で大容量の磁気記録装置に使用される磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気ディスク
装置等の再生用ヘッドとしての注目されているが、磁気
抵抗効果膜内の磁壁移動により、バルクハウゼンノイズ
が発生するという問題があった。この問題を解決するた
めの手段として、特公昭６０−３２３３０号公報には、
磁気抵抗効果膜上に反強磁性膜を形成することが開示さ
れている。この手段によれば、磁気抵抗効果膜と反強磁
性膜との交換結合によって磁気抵抗効果膜が単磁区化
し、バルクハウゼンノイズは低減するが、前記交換結合
が強すぎると、再生感度が低下するという問題が生じ
る。
装置等の再生用ヘッドとしての注目されているが、磁気
抵抗効果膜内の磁壁移動により、バルクハウゼンノイズ
が発生するという問題があった。この問題を解決するた
めの手段として、特公昭６０−３２３３０号公報には、
磁気抵抗効果膜上に反強磁性膜を形成することが開示さ
れている。この手段によれば、磁気抵抗効果膜と反強磁
性膜との交換結合によって磁気抵抗効果膜が単磁区化
し、バルクハウゼンノイズは低減するが、前記交換結合
が強すぎると、再生感度が低下するという問題が生じ
る。
【０００３】一方、特開昭６４−１１１２号公報には、
磁気抵抗効果膜の長手方向両端部に硬磁性材を配するこ
とが開示されている。この手段によれば、硬磁性材から
の漏れ磁界によって磁気抵抗効果膜が単磁区化し、バル
クハウゼンノイズは低減するが、前記漏れ磁界が強すぎ
ると、再生感度が低下するという問題が生じる。また、
この漏れ磁界が記録媒体上の信号に悪影響を及ぼすとい
う問題もある。
磁気抵抗効果膜の長手方向両端部に硬磁性材を配するこ
とが開示されている。この手段によれば、硬磁性材から
の漏れ磁界によって磁気抵抗効果膜が単磁区化し、バル
クハウゼンノイズは低減するが、前記漏れ磁界が強すぎ
ると、再生感度が低下するという問題が生じる。また、
この漏れ磁界が記録媒体上の信号に悪影響を及ぼすとい
う問題もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、再生感度を
低下させることなくバルクハウゼンノイズの発生を抑制
し、記録媒体上の信号にも悪影響を及ばさない磁気抵抗
効果型ヘッドの構成を明らかにするものである。
低下させることなくバルクハウゼンノイズの発生を抑制
し、記録媒体上の信号にも悪影響を及ばさない磁気抵抗
効果型ヘッドの構成を明らかにするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗効
果型ヘッドは、磁気抵抗効果により磁気的信号を電気的
信号に変換するための磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜の長手方向に信号検出用の電流を流すための一対の
電極とを備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果膜の長手方向両端の側面から所定の距離だけ離れ
た位置に、軟磁性材料からなる磁区制御層を設けたこと
を特徴とするものである。
果型ヘッドは、磁気抵抗効果により磁気的信号を電気的
信号に変換するための磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜の長手方向に信号検出用の電流を流すための一対の
電極とを備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果膜の長手方向両端の側面から所定の距離だけ離れ
た位置に、軟磁性材料からなる磁区制御層を設けたこと
を特徴とするものである。
【０００６】
【作用】上記本発明の構成によれば、磁区制御層が磁気
抵抗効果膜と静磁的に結合し、磁区制御層内に還流磁区
が形成されやすくなるため、磁気抵抗効果膜の端部にお
ける還流磁区の発生が抑制される。また、磁気抵抗効果
膜と磁区制御層とは離れているため、信号を再生する
際、磁区制御層内の磁壁の移動が磁気抵抗効果膜に悪影
響を及ぼすこともない。従って、再生感度を低下させる
ことなくバルクハウゼンノイズを低減することができ
る。
抵抗効果膜と静磁的に結合し、磁区制御層内に還流磁区
が形成されやすくなるため、磁気抵抗効果膜の端部にお
ける還流磁区の発生が抑制される。また、磁気抵抗効果
膜と磁区制御層とは離れているため、信号を再生する
際、磁区制御層内の磁壁の移動が磁気抵抗効果膜に悪影
響を及ぼすこともない。従って、再生感度を低下させる
ことなくバルクハウゼンノイズを低減することができ
る。
【０００７】さらに、軟磁性材からなる磁区制御層は、
記録媒体対向面に露出しても記録媒体上の信号に悪影響
を及ぼすことがない。
記録媒体対向面に露出しても記録媒体上の信号に悪影響
を及ぼすことがない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【０００９】図１は、本発明に従う一実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドを示す断面図である。図１を参照して、Ａ
ｌ2Ｏ3−ＴｉＣからなる基板３３の上には、Ａｌ2Ｏ3か
らなる膜厚１０μｍの絶縁層３２、ＮｉＦｅ合金からな
る膜厚１μｍの下部シ−ルド層２９、及びＡｌ2Ｏ3から
なる膜厚０．２μｍの絶縁層３１が順次形成されてい
る。絶縁層３１の上には、磁気抵抗効果素子部２０が形
成されている。磁気抵抗効果素子部２０は、ＮｉＦｅ合
金からなる膜厚３００Åの磁気抵抗効果膜２１、ＮｉＣ
ｕ合金からなる膜厚１０Åの交換結合制御膜２２、及び
γ−ＦｅＭｎ合金からなる膜厚１５０Åの反強磁性膜２
３により構成されている。なお、磁気抵抗効果膜２１は
長手方向を磁化容易軸とする一軸異方性を有し、その一
軸異方性磁界は６Ｏｅである。
効果型ヘッドを示す断面図である。図１を参照して、Ａ
ｌ2Ｏ3−ＴｉＣからなる基板３３の上には、Ａｌ2Ｏ3か
らなる膜厚１０μｍの絶縁層３２、ＮｉＦｅ合金からな
る膜厚１μｍの下部シ−ルド層２９、及びＡｌ2Ｏ3から
なる膜厚０．２μｍの絶縁層３１が順次形成されてい
る。絶縁層３１の上には、磁気抵抗効果素子部２０が形
成されている。磁気抵抗効果素子部２０は、ＮｉＦｅ合
金からなる膜厚３００Åの磁気抵抗効果膜２１、ＮｉＣ
ｕ合金からなる膜厚１０Åの交換結合制御膜２２、及び
γ−ＦｅＭｎ合金からなる膜厚１５０Åの反強磁性膜２
３により構成されている。なお、磁気抵抗効果膜２１は
長手方向を磁化容易軸とする一軸異方性を有し、その一
軸異方性磁界は６Ｏｅである。
【００１０】磁気抵抗効果素子部２１の上には、Ｍｏか
らなる膜厚８０Åのシャトン層２４が形成されており、
磁気抵抗効果膜２１の側面から距離ｌだけ離れた絶縁層
３１の上には、高飽和磁束密度の軟磁性材料からなり、
膜厚が磁気抵抗効果膜２１と同等もしくは僅かに厚い磁
区制御層２５、２６が形成されている。この実施例で
は、磁区制御層２５、２６の材料としてＣｏＺｒＳｎア
モルファス合金を用い、その膜厚を３００Åとしてい
る。この場合、磁区制御層２５、２６の一軸異方性磁界
は１７Ｏｅで、磁気抵抗効果膜２１の一軸異方性磁界よ
りも大きく、磁区制御層２５及び２６の磁気抵抗比（以
下、ＭＲ比と略す）は０．１％以下で、磁気抵抗効果膜
２１のＭＲ比より１桁〜２桁小さい。
らなる膜厚８０Åのシャトン層２４が形成されており、
磁気抵抗効果膜２１の側面から距離ｌだけ離れた絶縁層
３１の上には、高飽和磁束密度の軟磁性材料からなり、
膜厚が磁気抵抗効果膜２１と同等もしくは僅かに厚い磁
区制御層２５、２６が形成されている。この実施例で
は、磁区制御層２５、２６の材料としてＣｏＺｒＳｎア
モルファス合金を用い、その膜厚を３００Åとしてい
る。この場合、磁区制御層２５、２６の一軸異方性磁界
は１７Ｏｅで、磁気抵抗効果膜２１の一軸異方性磁界よ
りも大きく、磁区制御層２５及び２６の磁気抵抗比（以
下、ＭＲ比と略す）は０．１％以下で、磁気抵抗効果膜
２１のＭＲ比より１桁〜２桁小さい。
【００１１】シャント層２４上の両側には、Ｍｏ／Ｃｕ
／Ｍｏの３層からなり、膜厚がそれぞれ２００Å／１０
００Å／２００Åの一対の電極２７、２８が形成されて
いる。電極２７は磁区制御層２５を覆うように、電極２
８は磁区制御層２６を覆うように形成されている。電極
２７と電極２８の間が、トラック部となる。
／Ｍｏの３層からなり、膜厚がそれぞれ２００Å／１０
００Å／２００Åの一対の電極２７、２８が形成されて
いる。電極２７は磁区制御層２５を覆うように、電極２
８は磁区制御層２６を覆うように形成されている。電極
２７と電極２８の間が、トラック部となる。
【００１２】図２は、図１に示す実施例の磁区抵抗効果
型ヘッドを示す斜視図である。図２に示すように、電極
２７、２８の上には、Ａｌ2Ｏ3からなる膜厚０．２μｍ
の絶縁層（図示せず）を介してＮｉＦｅ合金からなる膜
厚１μｍの上部シ−ルド層３０が設けられている。な
お、図２においては、磁区制御層２５、２６や下部シ−
ルド層２９上の絶縁層についても図示省略している。
型ヘッドを示す斜視図である。図２に示すように、電極
２７、２８の上には、Ａｌ2Ｏ3からなる膜厚０．２μｍ
の絶縁層（図示せず）を介してＮｉＦｅ合金からなる膜
厚１μｍの上部シ−ルド層３０が設けられている。な
お、図２においては、磁区制御層２５、２６や下部シ−
ルド層２９上の絶縁層についても図示省略している。
【００１３】上記磁気抵抗効果型ヘッドを構成する各層
は、基板３３の上に順次スパッタリング法等により成膜
され、エッチング法等により所定の平面形状に整形され
たものである。
は、基板３３の上に順次スパッタリング法等により成膜
され、エッチング法等により所定の平面形状に整形され
たものである。
【００１４】磁気抵抗効果素子部２０に含まれる磁気抵
抗効果膜２１は、磁気抵抗効果により記録媒体上の磁気
的信号を電気的信号に変換するものであり、その材料と
しては上記ＮｉＦｅ合金以外にもＣｏＦｅ合金、ＮｉＣ
ｏ合金等が用いられ、これらの合金からなる膜を積層し
て用いてもよい。
抗効果膜２１は、磁気抵抗効果により記録媒体上の磁気
的信号を電気的信号に変換するものであり、その材料と
しては上記ＮｉＦｅ合金以外にもＣｏＦｅ合金、ＮｉＣ
ｏ合金等が用いられ、これらの合金からなる膜を積層し
て用いてもよい。
【００１５】磁気抵抗効果素子部２０に含まれる反強磁
性膜２３は、磁気抵抗効果膜２１に交換結合磁界を付与
するために設けられており、その材料としては上記γ−
ＦｅＭｎ合金以外にもＦｅＭｎ合金にＰｄ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｅｒ等の第３成分の元素を添加した合金、ＮｉＭｎ
合金、ＣｒＡｌ合金、ＮｉＯ等が用いられる。
性膜２３は、磁気抵抗効果膜２１に交換結合磁界を付与
するために設けられており、その材料としては上記γ−
ＦｅＭｎ合金以外にもＦｅＭｎ合金にＰｄ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｅｒ等の第３成分の元素を添加した合金、ＮｉＭｎ
合金、ＣｒＡｌ合金、ＮｉＯ等が用いられる。
【００１６】磁気抵抗効果素子部２０に含まれる交換結
合制御膜２２は、前記交換結合磁界を制御する（弱めて
安定化する）ために設けられており、その材料としては
上記ＮｉＣｕ合金等、２０℃以下のキュリー点を有する
常磁性材や、ＮｉＦｅＮｂ合金等、飽和磁束密度の小さ
い軟磁性材が用いられる。ただし、薄い膜厚で十分な交
換結合磁界制御の効果を得るためには、前記常磁性材を
用いることが好ましい。
合制御膜２２は、前記交換結合磁界を制御する（弱めて
安定化する）ために設けられており、その材料としては
上記ＮｉＣｕ合金等、２０℃以下のキュリー点を有する
常磁性材や、ＮｉＦｅＮｂ合金等、飽和磁束密度の小さ
い軟磁性材が用いられる。ただし、薄い膜厚で十分な交
換結合磁界制御の効果を得るためには、前記常磁性材を
用いることが好ましい。
【００１７】なお、磁気抵抗効果素子部２０は、エッチ
ング法により１５０×５μｍの平面形状に整形されてい
る。
ング法により１５０×５μｍの平面形状に整形されてい
る。
【００１８】下部シ−ルド層１及び上部シ−ルド層５
は、磁気抵抗効果素子部１０に信号磁号磁界以外の外部
磁界が混入するのを防止し、再生分解能を高めるために
設けられており、その材料としては上記ＮｉＦｅ合金以
外にもＣｏ系非晶質合金等の軟磁性材が用いられ、膜厚
は一般に１〜３μｍである。
は、磁気抵抗効果素子部１０に信号磁号磁界以外の外部
磁界が混入するのを防止し、再生分解能を高めるために
設けられており、その材料としては上記ＮｉＦｅ合金以
外にもＣｏ系非晶質合金等の軟磁性材が用いられ、膜厚
は一般に１〜３μｍである。
【００１９】電極２７、２８は、磁気抵抗効果素子部２
０の磁気抵抗効果膜に信号検出用の電流を流すために設
けられており、その膜厚は一般に１０００〜２０００Å
である。
０の磁気抵抗効果膜に信号検出用の電流を流すために設
けられており、その膜厚は一般に１０００〜２０００Å
である。
【００２０】シャトン膜２４は、磁気抵抗効果膜素子部
２０に対してバイアス磁界を印加するため設けられてお
り、その材料としては上記Ｍｏ以外にもＴｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗ等が用いられ、膜厚は一般に８０〜１０００Åで
ある。
２０に対してバイアス磁界を印加するため設けられてお
り、その材料としては上記Ｍｏ以外にもＴｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗ等が用いられ、膜厚は一般に８０〜１０００Åで
ある。
【００２１】図３は、図１に示す実施例の磁気抵抗効果
膜２１及び磁区制御層２５、２６の磁区構造を、ビッタ
−法により観測した結果を示す平面図である。図３に示
すように、磁気抵抗効果膜２１内には磁壁が存在せず、
磁気抵抗効果膜２１は単磁区化している。一方、磁区制
御層２５、２６には磁壁４５、４６がそれぞれ発生して
いる。これは、磁区制御層２５、２６が磁壁エネルギ−
の大きな材料により構成されているためである。
膜２１及び磁区制御層２５、２６の磁区構造を、ビッタ
−法により観測した結果を示す平面図である。図３に示
すように、磁気抵抗効果膜２１内には磁壁が存在せず、
磁気抵抗効果膜２１は単磁区化している。一方、磁区制
御層２５、２６には磁壁４５、４６がそれぞれ発生して
いる。これは、磁区制御層２５、２６が磁壁エネルギ−
の大きな材料により構成されているためである。
【００２２】磁気抵抗効果型ヘッドとして信号を再生す
る際、磁区制御層２５、２６内の磁壁４５、４６は信号
磁界の影響を受けて移動するが、磁気抵抗効果素子２１
は磁区制御層２５及び２６から離れているために、磁壁
４５、４６の移動が磁気抵抗効果素子２１内に新たな磁
壁の発生をもたらすようなことはなく、バルクハウゼン
ノイズも発生しない。
る際、磁区制御層２５、２６内の磁壁４５、４６は信号
磁界の影響を受けて移動するが、磁気抵抗効果素子２１
は磁区制御層２５及び２６から離れているために、磁壁
４５、４６の移動が磁気抵抗効果素子２１内に新たな磁
壁の発生をもたらすようなことはなく、バルクハウゼン
ノイズも発生しない。
【００２３】図４は、磁区制御層を設けていない場合の
磁気抵抗効果膜の磁区構造を示す平面図である。このよ
うな場合には磁気抵抗効果膜１１内に磁壁４１が発生し
やすくなり、該磁壁４１は、磁気抵抗効果型ヘッドとし
て信号を再生する際に信号磁界の影響を受けて移動しや
すく、バルクハウゼンノイズが発生しやすくなる。
磁気抵抗効果膜の磁区構造を示す平面図である。このよ
うな場合には磁気抵抗効果膜１１内に磁壁４１が発生し
やすくなり、該磁壁４１は、磁気抵抗効果型ヘッドとし
て信号を再生する際に信号磁界の影響を受けて移動しや
すく、バルクハウゼンノイズが発生しやすくなる。
【００２４】以上のことからわかるように、本発明によ
る磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、磁区制御層を設け
ることにより、バルクハウゼンノイズの発生が抑制され
ている。
る磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、磁区制御層を設け
ることにより、バルクハウゼンノイズの発生が抑制され
ている。
【００２５】図５は、図１に示す磁気抵抗効果膜２１と
磁区制御層２５、２６との間の距離ｌと、バルクハウゼ
ンノイズの発生状況との関係を示す図である。図５にお
いて、縦軸は磁区抵抗効果膜の端部に発生する磁区の大
きさ、すなわち図４に示すｍを示している。
磁区制御層２５、２６との間の距離ｌと、バルクハウゼ
ンノイズの発生状況との関係を示す図である。図５にお
いて、縦軸は磁区抵抗効果膜の端部に発生する磁区の大
きさ、すなわち図４に示すｍを示している。
【００２６】図５からわかるように、磁気抵抗効果膜と
磁区制御層との間の距離ｌが２μｍ以下であれば磁気抵
抗効果膜に磁壁が発生せず、磁気抵抗効果膜は単磁区構
造になる。また、距離ｌが４μｍ以下では磁区の大きさ
ｍが５μｍ以下となり、バルクハウゼンノイズが発生し
ない。
磁区制御層との間の距離ｌが２μｍ以下であれば磁気抵
抗効果膜に磁壁が発生せず、磁気抵抗効果膜は単磁区構
造になる。また、距離ｌが４μｍ以下では磁区の大きさ
ｍが５μｍ以下となり、バルクハウゼンノイズが発生し
ない。
【００２７】図６は、各種磁気抵抗効果型ヘッドについ
ての抵抗−磁界曲線であり、図６の（ａ）は、図１に示
す実施例の磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド
［Ａ］と略す）に関するものであり、（ｂ）は、反強磁
性膜も交換結合制御膜も磁区制御層も有していない磁気
抵抗効果素子部から構成される磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッド［Ｂ］と略す）に関するものであ
り、（ｃ）は、磁気抵抗効果膜に接して反強磁性膜が設
けられ交換結合制御膜及び磁区制御層を有していない磁
気抵抗効果素子部から構成される磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッド［Ｃ］と略す）に関するものであ
る。なお、ＭＲヘッド［Ｃ］における交換結合磁界は２
０Ｏｅ以上となっている。
ての抵抗−磁界曲線であり、図６の（ａ）は、図１に示
す実施例の磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド
［Ａ］と略す）に関するものであり、（ｂ）は、反強磁
性膜も交換結合制御膜も磁区制御層も有していない磁気
抵抗効果素子部から構成される磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッド［Ｂ］と略す）に関するものであ
り、（ｃ）は、磁気抵抗効果膜に接して反強磁性膜が設
けられ交換結合制御膜及び磁区制御層を有していない磁
気抵抗効果素子部から構成される磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッド［Ｃ］と略す）に関するものであ
る。なお、ＭＲヘッド［Ｃ］における交換結合磁界は２
０Ｏｅ以上となっている。
【００２８】図６を見ればわかるように、ＭＲヘッド
［Ｂ］においては最大抵抗変化率（以下、ＭＲ比と略
す）が大きく、再生感度の点では優れているが、バルク
ハウゼンノイズが発生する。ＭＲヘッド［Ｃ］はバルク
ハウゼンノイズが発生しないという点では優れている
が、ＭＲ比が小さくて最適バイアス磁界も大きいため、
再生感度の点で不利である。これに対して、本発明実施
例のＭＲヘッド［Ａ］においてはバルクハウゼンノイズ
が発生せず、ＭＲ比が大きくて最適バイアス磁界も小さ
いため、再生感度の点でも優れている。
［Ｂ］においては最大抵抗変化率（以下、ＭＲ比と略
す）が大きく、再生感度の点では優れているが、バルク
ハウゼンノイズが発生する。ＭＲヘッド［Ｃ］はバルク
ハウゼンノイズが発生しないという点では優れている
が、ＭＲ比が小さくて最適バイアス磁界も大きいため、
再生感度の点で不利である。これに対して、本発明実施
例のＭＲヘッド［Ａ］においてはバルクハウゼンノイズ
が発生せず、ＭＲ比が大きくて最適バイアス磁界も小さ
いため、再生感度の点でも優れている。
【００２９】図７〜図９は、本発明における磁気抵抗効
果膜と磁区制御層との相対配置や磁区制御層の平面形状
の例を示す平面図であり、各図に示された磁気抵抗効果
膜２１及び磁区制御層２５、２６の上側の端辺が磁気記
録媒体に対向することになる。
果膜と磁区制御層との相対配置や磁区制御層の平面形状
の例を示す平面図であり、各図に示された磁気抵抗効果
膜２１及び磁区制御層２５、２６の上側の端辺が磁気記
録媒体に対向することになる。
【００３０】図７に示す例では、磁気抵抗効果膜２１と
磁区制御層２５、２６の幅が互いにほぼ等しい。すなわ
ち、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの
全幅に対して、磁区制御層２５、２６の側面が対向して
いる。
磁区制御層２５、２６の幅が互いにほぼ等しい。すなわ
ち、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの
全幅に対して、磁区制御層２５、２６の側面が対向して
いる。
【００３１】図８に示す例では、磁区制御層２５、２６
の幅が磁気抵抗効果膜２１よりも広く、磁区制御層２
５、２６が磁気抵抗効果膜よりも下方に突出している。
この構造においても、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両
端の側面２１ａの全幅に対して、磁区制御層２５、２６
の側面が対向している。
の幅が磁気抵抗効果膜２１よりも広く、磁区制御層２
５、２６が磁気抵抗効果膜よりも下方に突出している。
この構造においても、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両
端の側面２１ａの全幅に対して、磁区制御層２５、２６
の側面が対向している。
【００３２】図９に示す例では、磁区制御層２５、２６
の幅が磁気抵抗効果膜２１よりも広く、磁気抵抗効果膜
２１の下方において、磁区制御層２５及び２６が互いに
近づく方向に突出している。この構造においても、磁気
抵抗効果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの全幅に対
して、磁区制御層２５、２６の側面が対向している。
の幅が磁気抵抗効果膜２１よりも広く、磁気抵抗効果膜
２１の下方において、磁区制御層２５及び２６が互いに
近づく方向に突出している。この構造においても、磁気
抵抗効果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの全幅に対
して、磁区制御層２５、２６の側面が対向している。
【００３３】図１０及び図１１は、磁気抵抗効果膜と磁
区制御層との相対配置や磁区制御層の平面形状の好まし
くない例を示す平面図であり、各図に示された磁気抵抗
効果膜２１及び磁区制御層２５、２６の上側の端辺が磁
気記録媒体に対向することになる。
区制御層との相対配置や磁区制御層の平面形状の好まし
くない例を示す平面図であり、各図に示された磁気抵抗
効果膜２１及び磁区制御層２５、２６の上側の端辺が磁
気記録媒体に対向することになる。
【００３４】図１０に示す例では、磁区制御層２５、２
６の幅が磁気抵抗効果層２１の幅よりも狭くなってい
る。この場合ように、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両
端の側面２１ａに対して磁区制御層２５、２６の側面が
対向しない部分があると、本発明における磁区制御層に
よる効果が低減する。
６の幅が磁気抵抗効果層２１の幅よりも狭くなってい
る。この場合ように、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両
端の側面２１ａに対して磁区制御層２５、２６の側面が
対向しない部分があると、本発明における磁区制御層に
よる効果が低減する。
【００３５】図１１に示す例では、磁区制御層２５、２
６の側面が尖った形状になっており、この場合も、本発
明における磁区制御層による効果が低減する。
６の側面が尖った形状になっており、この場合も、本発
明における磁区制御層による効果が低減する。
【００３６】以上のことからわかるように、本発明にお
ける磁区制御層による効果を得るためには、磁気抵抗効
果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの全幅に対して、
磁区制御層２５、２６の側面が対向していることが好ま
しい。
ける磁区制御層による効果を得るためには、磁気抵抗効
果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの全幅に対して、
磁区制御層２５、２６の側面が対向していることが好ま
しい。
【００３７】なお、以上の説明ではシャトンバイアス方
式でシールド型の磁気抵抗効果型ヘッドを例に挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ソフトバ
イアス方式やヨーク型等、他の方式、型式の磁気抵抗効
果型ヘッドにも適用され得るものである。
式でシールド型の磁気抵抗効果型ヘッドを例に挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ソフトバ
イアス方式やヨーク型等、他の方式、型式の磁気抵抗効
果型ヘッドにも適用され得るものである。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、再生感度や再生分解能
を低下させることなくバルクハウゼンノイズの発生を抑
制した磁気抵抗効果型ヘッドが提供される。
を低下させることなくバルクハウゼンノイズの発生を抑
制した磁気抵抗効果型ヘッドが提供される。
【図１】本発明に従う実施例における磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す断面図。
ッドを示す断面図。
【図２】図１に示す実施例の磁気抵抗効果型ヘッドを示
す斜視図。
す斜視図。
【図３】図１に示す実施例における磁気抵抗効果膜の磁
区構造を示す平面図。
区構造を示す平面図。
【図４】比較例における磁気抵抗効果膜の磁区構造を示
す平面図。
す平面図。
【図５】磁気抵抗効果膜と磁区制御層の間の距離と、磁
区の大きさとの関係を示す図。
区の大きさとの関係を示す図。
【図６】各種磁気抵抗効果型ヘッドについての抵抗−磁
界曲線図。
界曲線図。
【図７】本発明における磁気抵抗効果膜と磁区制御層の
形状及び配置の一例を示す平面図。
形状及び配置の一例を示す平面図。
【図８】本発明における磁気抵抗効果膜と磁区制御層の
形状及び配置の他の例を示す平面図。
形状及び配置の他の例を示す平面図。
【図９】本発明における磁気抵抗効果膜と磁区制御層の
形状及び配置のさらに他の例を示す平面図。
形状及び配置のさらに他の例を示す平面図。
【図１０】比較例における磁気抵抗効果膜と磁区制御層
の形状及び配置を示す平面図。
の形状及び配置を示す平面図。
【図１１】他の比較例における磁気抵抗効果膜と磁区制
御層の形状及び配置を示す平面図。
御層の形状及び配置を示す平面図。
２７、２８ 電極 ２４ シャント層 ２０ 磁気抵抗効果素子部 ２１ 磁気抵抗効果膜 ２２ 交換結合制御膜 ２３ 反強磁性膜 ２５、２６ 磁区制御層
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果により磁気的信号を電気的
信号に変換するための磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜の長手方向に信号検出用の電流を流すための一対の
電極とを備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜の長手方向両端の側面から所定の距
離だけ離れた位置に、軟磁性材料からなる磁区制御層が
設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記磁区制御層が、前記磁気抵抗効果膜
に比べて一軸異方性磁界の大きい軟磁性材料からなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜と前記磁区制御層と
の間の距離が、４μｍ以下であることを特徴とする請求
項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 前記磁区制御層が、前記磁気抵抗効果膜
の両端の側面の全域に対向する側面を有することを特徴
とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果膜、前記磁区制御層、
及び前記一対の電極が、一対のシ−ルド層の間に設けら
れていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果膜に接して設けられる
交換結合制御膜と、該交換結合制御膜に接して設けられ
る反強磁性膜とを備えることを特徴とする請求項１に記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項７】 前記交換結合制御膜が、常磁性材料から
なることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項８】 前記交換結合制御膜が、軟磁性材料から
なることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28078094A JPH07201019A (ja) | 1993-11-16 | 1994-11-15 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28665193 | 1993-11-16 | ||
| JP29832793 | 1993-11-29 | ||
| JP5-286651 | 1993-11-29 | ||
| JP5-298327 | 1993-11-29 | ||
| JP28078094A JPH07201019A (ja) | 1993-11-16 | 1994-11-15 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201019A true JPH07201019A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=27336774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28078094A Pending JPH07201019A (ja) | 1993-11-16 | 1994-11-15 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138915A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-05-27 | Nec Corp | 電極膜及びこれを利用した磁気抵抗効果ヘッド |
| KR100723901B1 (ko) * | 2005-03-23 | 2007-06-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 연자성 박막 및 자기 기록 헤드 |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP28078094A patent/JPH07201019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138915A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-05-27 | Nec Corp | 電極膜及びこれを利用した磁気抵抗効果ヘッド |
| KR100723901B1 (ko) * | 2005-03-23 | 2007-06-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 연자성 박막 및 자기 기록 헤드 |
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