JPH0513788A - 赤外線検知装置 - Google Patents
赤外線検知装置Info
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- JPH0513788A JPH0513788A JP3158239A JP15823991A JPH0513788A JP H0513788 A JPH0513788 A JP H0513788A JP 3158239 A JP3158239 A JP 3158239A JP 15823991 A JP15823991 A JP 15823991A JP H0513788 A JPH0513788 A JP H0513788A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外線検知装置に関し、検知すべき波長依存
性の高い高感度の赤外線検知装置の提供を目的とする。 【構成】 基板１上に該基板１と構成原子の異なる水銀
を含む化合物半導体結晶２を設け、該結晶に電極膜４で
画定された受光部領域５を設けた検知装置に於いて、前
記受光部領域５内の水銀を含む化合物半導体結晶２の厚
さを部分的に変化させたことを特徴とする。
性の高い高感度の赤外線検知装置の提供を目的とする。 【構成】 基板１上に該基板１と構成原子の異なる水銀
を含む化合物半導体結晶２を設け、該結晶に電極膜４で
画定された受光部領域５を設けた検知装置に於いて、前
記受光部領域５内の水銀を含む化合物半導体結晶２の厚
さを部分的に変化させたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線検知装置に係り、
特に基板上に該基板と構成原子の異なる水銀を含む化合
物半導体結晶を設け、該結晶を受光部領域とする赤外線
検知装置に関する。
特に基板上に該基板と構成原子の異なる水銀を含む化合
物半導体結晶を設け、該結晶を受光部領域とする赤外線
検知装置に関する。
【０００２】近年、サファイアのような絶縁性基板、或
いはガリウム砒素、シリコンのような半導体基板上にカ
ドミウムテルル（CdTe）結晶をバッファ層として設け、
この上に該基板の構成原子と異なる原子を含む水銀・カ
ドミウム・テルル（Hg1-x Cd x Te）のような化合物半導
体結晶を形成し、この化合物半導体結晶を用いて赤外線
検知装置を形成している。
いはガリウム砒素、シリコンのような半導体基板上にカ
ドミウムテルル（CdTe）結晶をバッファ層として設け、
この上に該基板の構成原子と異なる原子を含む水銀・カ
ドミウム・テルル（Hg1-x Cd x Te）のような化合物半導
体結晶を形成し、この化合物半導体結晶を用いて赤外線
検知装置を形成している。
【０００３】このように安価に入手できる半導体基板の
ような異種基板上に、Hg1-x Cdx Te結晶を形成し、これ
を用いて赤外線検知装置を形成すると該装置が低コスト
で得られる。
ような異種基板上に、Hg1-x Cdx Te結晶を形成し、これ
を用いて赤外線検知装置を形成すると該装置が低コスト
で得られる。
【０００４】ところでこのような異種基板上にHg1-x Cd
x Te結晶を形成し、この結晶に多素子型の赤外線検知素
子を設けると、素子間の検知特性にばらつきが生じ易
く、このばらつきを抑えて均一な素子特性を有する多素
子型の赤外線検知装置が要望されている。
x Te結晶を形成し、この結晶に多素子型の赤外線検知素
子を設けると、素子間の検知特性にばらつきが生じ易
く、このばらつきを抑えて均一な素子特性を有する多素
子型の赤外線検知装置が要望されている。
【０００５】
【従来の技術】例えば、図5(a)に示すように、異種基板
のサファイア基板１の上にCdTe層2Aを気相成長法で形成
した後、Hg1-xCdx Te結晶２を液相エピタキシャル成長
方法で形成すると、CdTe層2Aを構成するCd、Teの原子
と、Hg1-x Cdx Te結晶２を構成するHg、Cd、Teの原子と
の間で相互拡散が生じるためと、CdTeの偏析係数が大き
いため、サファイア基板１とCdTe層2Aの境界面３に近づ
くHg1-x Cdx Te結晶２程、ｘ値の大きいHg1-x Cdx Te結
晶が形成される。
のサファイア基板１の上にCdTe層2Aを気相成長法で形成
した後、Hg1-xCdx Te結晶２を液相エピタキシャル成長
方法で形成すると、CdTe層2Aを構成するCd、Teの原子
と、Hg1-x Cdx Te結晶２を構成するHg、Cd、Teの原子と
の間で相互拡散が生じるためと、CdTeの偏析係数が大き
いため、サファイア基板１とCdTe層2Aの境界面３に近づ
くHg1-x Cdx Te結晶２程、ｘ値の大きいHg1-x Cdx Te結
晶が形成される。
【０００６】また一方、前記境界面３より隔たる程、ｘ
値の小さいHg1-x Cdx Te結晶２が得られ、形成されるHg
1-x Cdx Te結晶２の厚さｔ方向に沿って組成勾配を有し
ており、均一な組成のHg1-x Cdx Te結晶が得られない不
都合がある。
値の小さいHg1-x Cdx Te結晶２が得られ、形成されるHg
1-x Cdx Te結晶２の厚さｔ方向に沿って組成勾配を有し
ており、均一な組成のHg1-x Cdx Te結晶が得られない不
都合がある。
【０００７】このHg1-x Cdx Te結晶２のｘ値が大きくな
る程、エネルギーバンドギャップが大きくなり、該結晶
で検知できる赤外線検知装置のカットオフ波長が短くな
る。つまりサファイア基板１とCdTe層2Aの境界面３に近
づく程、Hg1-x Cdx Te結晶のｘ値が大きくなり、検知で
きる波長が短波長側にシフトする傾向にあり、サファイ
ア基板１とCdTe層2Aの境界面３より隔たる程、Hg1-xCd
x Te結晶２のｘ値が小さくなり、検知できる波長が長波
長側にシフトする傾向があり、均一な特性の多素子型の
赤外線検知装置が得られないという現状である。
る程、エネルギーバンドギャップが大きくなり、該結晶
で検知できる赤外線検知装置のカットオフ波長が短くな
る。つまりサファイア基板１とCdTe層2Aの境界面３に近
づく程、Hg1-x Cdx Te結晶のｘ値が大きくなり、検知で
きる波長が短波長側にシフトする傾向にあり、サファイ
ア基板１とCdTe層2Aの境界面３より隔たる程、Hg1-xCd
x Te結晶２のｘ値が小さくなり、検知できる波長が長波
長側にシフトする傾向があり、均一な特性の多素子型の
赤外線検知装置が得られないという現状である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように厚さ方向に
沿ってｘ値の異なるHg1-x Cdx Te結晶を用いて赤外線検
知装置を形成すると、図5(a)に示すように、電極膜4 で
画定された受光部領域5へ入射された赤外線の内で、カ
ットオフ波長より僅かに短い波長の内の一部の光は、受
光部領域５で光電変換されるが、この入射赤外線の内で
光電変換されなかった残余の光は、サファイア基板１と
CdTe層2Aとの境界面３に当たって反射する。
沿ってｘ値の異なるHg1-x Cdx Te結晶を用いて赤外線検
知装置を形成すると、図5(a)に示すように、電極膜4 で
画定された受光部領域5へ入射された赤外線の内で、カ
ットオフ波長より僅かに短い波長の内の一部の光は、受
光部領域５で光電変換されるが、この入射赤外線の内で
光電変換されなかった残余の光は、サファイア基板１と
CdTe層2Aとの境界面３に当たって反射する。
【０００９】そして、その反射光が入射赤外線と干渉を
起こし、この干渉によって入射赤外線の光量が、本来の
入射した光量と異なるような影響を受け、特定の波長の
光に対して特定の感度を有する赤外線検知装置が得られ
ない問題がある。
起こし、この干渉によって入射赤外線の光量が、本来の
入射した光量と異なるような影響を受け、特定の波長の
光に対して特定の感度を有する赤外線検知装置が得られ
ない問題がある。
【００１０】図5(b)の中の実線は、このように入射赤外
線と反射光が干渉を起こした状態を示す図で、図示する
ように、干渉の影響によって特定の波長で感度を有せ
ず、波長依存性の高い高感度な検知装置が得られない。
線と反射光が干渉を起こした状態を示す図で、図示する
ように、干渉の影響によって特定の波長で感度を有せ
ず、波長依存性の高い高感度な検知装置が得られない。
【００１１】なお、図5(b)の中の点線は上記干渉のない
時の感度特性を示している。本発明は上記した問題点を
解決し、特定の波長に対して特定の感度を有する波長依
存性の高い、高感度の赤外線検知装置の提供を目的とす
る。
時の感度特性を示している。本発明は上記した問題点を
解決し、特定の波長に対して特定の感度を有する波長依
存性の高い、高感度の赤外線検知装置の提供を目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線検知装置
は、基板上に該基板と構成原子の異なる水銀を含む化合
物半導体結晶を設け、該結晶に電極膜で画定された受光
部領域を設けた検知装置に於いて、前記受光部領域内の
化合物半導体結晶、或いは基板の厚さを部分的に変化さ
せたことを特徴とする。
は、基板上に該基板と構成原子の異なる水銀を含む化合
物半導体結晶を設け、該結晶に電極膜で画定された受光
部領域を設けた検知装置に於いて、前記受光部領域内の
化合物半導体結晶、或いは基板の厚さを部分的に変化さ
せたことを特徴とする。
【００１３】また前記基板上にｘ値が１、または１に近
接した値を有するHg1-x Cdx Te結晶を設け、該Hg1-x Cd
x Te結晶上にHg1-x Cdx Te結晶を設け、該Hg1-x Cdx Te
結晶に電極膜で画定された受光部を設けた検知装置に於
いて、前記受光部領域内の前記Hg1-x Cdx Te結晶の厚さ
を部分的に変化させたことを特徴とする。
接した値を有するHg1-x Cdx Te結晶を設け、該Hg1-x Cd
x Te結晶上にHg1-x Cdx Te結晶を設け、該Hg1-x Cdx Te
結晶に電極膜で画定された受光部を設けた検知装置に於
いて、前記受光部領域内の前記Hg1-x Cdx Te結晶の厚さ
を部分的に変化させたことを特徴とする。
【００１４】更に前記受光部領域内に入射した入射赤外
線と、該赤外線が基板と化合物半導体結晶の境界面で反
射して生じた反射光とが、干渉して入射赤外線を強める
厚さを有する受光部領域内の面積と、干渉して入射赤外
線を弱める厚さを有する受光部領域内の面積とが、それ
ぞれ等しい面積を有することを特徴とするものである。
線と、該赤外線が基板と化合物半導体結晶の境界面で反
射して生じた反射光とが、干渉して入射赤外線を強める
厚さを有する受光部領域内の面積と、干渉して入射赤外
線を弱める厚さを有する受光部領域内の面積とが、それ
ぞれ等しい面積を有することを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】例えば、図4(a)に示すように、Hg1-x Cdx Te結
晶２の受光部領域５に波長がλの赤外線を略垂直方向よ
り入射し、このHg1-x Cdx Te結晶２の受光部領域５の厚
さをｄ1 、ｄ2 と異ならせ、このHg1-x Cdx Te結晶2 の
屈折率をｎとし、ｋ＝1,2,3 …の正の整数とすると、入
射赤外線と、該赤外線がサファイア基板1 との境界面３
で反射した反射光とが干渉により互いにその光を強める
条件は数式１に示すようになる。
晶２の受光部領域５に波長がλの赤外線を略垂直方向よ
り入射し、このHg1-x Cdx Te結晶２の受光部領域５の厚
さをｄ1 、ｄ2 と異ならせ、このHg1-x Cdx Te結晶2 の
屈折率をｎとし、ｋ＝1,2,3 …の正の整数とすると、入
射赤外線と、該赤外線がサファイア基板1 との境界面３
で反射した反射光とが干渉により互いにその光を強める
条件は数式１に示すようになる。
【００１６】
【数１】
【００１７】またこの入射赤外線と、前記反射光とが干
渉により互いにその光を弱める条件は数式２に示す。
渉により互いにその光を弱める条件は数式２に示す。
【００１８】
【数２】
【００１９】そして図4(b)に示すように、この干渉によ
り入射赤外線と反射光が互いに強め合う場合は曲線11の
ようになり、干渉により入射赤外線と反射光が互いに弱
め合う場合は曲線12のようになり、両者の曲線の値を差
し引くと、入射赤外線と反射光の干渉がない場合の曲線
は点線で示す13のような曲線になる。
り入射赤外線と反射光が互いに強め合う場合は曲線11の
ようになり、干渉により入射赤外線と反射光が互いに弱
め合う場合は曲線12のようになり、両者の曲線の値を差
し引くと、入射赤外線と反射光の干渉がない場合の曲線
は点線で示す13のような曲線になる。
【００２０】このため、前記したようにHg1-x Cdx Te結
晶2 の受光部領域5 内の厚さを、ｄ 1 ＞ｄ2 と異ならせ
た場合、数式３に示すような条件の時、両方の厚さの異
なるHg1-x Cdx Te結晶と基板の境界面で反射した反射光
と入射赤外線は干渉を起こさなくなる。
晶2 の受光部領域5 内の厚さを、ｄ 1 ＞ｄ2 と異ならせ
た場合、数式３に示すような条件の時、両方の厚さの異
なるHg1-x Cdx Te結晶と基板の境界面で反射した反射光
と入射赤外線は干渉を起こさなくなる。
【００２１】
【数３】
【００２２】この数式3 を変形して数式4 を得る。但し
Δｄ＝（ｄ1 −ｄ2 ）である。
Δｄ＝（ｄ1 −ｄ2 ）である。
【００２３】
【数４】
【００２４】そして赤外線検知装置の受光部領域５でHg
1-x Cdx Teの結晶２の厚さがｄ1 の領域と、Hg1-x Cdx
Te結晶２の厚さがｄ2 の領域を等しい面積に等分に形成
することで、この厚さの異なる領域で干渉条件が反転し
て、干渉作用が相殺されるので、受光領域内で入射赤外
線と反射光の干渉が生じなくなり、検知すべき波長に対
して高感度を有する波長依存性の強い、多素子型の高感
度な赤外線検知装置が得られる。
1-x Cdx Teの結晶２の厚さがｄ1 の領域と、Hg1-x Cdx
Te結晶２の厚さがｄ2 の領域を等しい面積に等分に形成
することで、この厚さの異なる領域で干渉条件が反転し
て、干渉作用が相殺されるので、受光領域内で入射赤外
線と反射光の干渉が生じなくなり、検知すべき波長に対
して高感度を有する波長依存性の強い、多素子型の高感
度な赤外線検知装置が得られる。
【００２５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の一実施例につき
詳細に説明する。図1(a)、および該図1(a)のＡ−Ａ´線
の断面図の図1(b)に示すように、異種基板であるサファ
イア基板１上にCdTe層2Aを気相成長法で成長した後、Hg
1-x Cdx Te結晶２を液相エピタキシャル成長方法等を用
いて例えばｘ値が0.21のHg1-xCd x Te結晶を10μm の厚
さに形成する。次いで波長12μm の光に対して数式４の
値を満足するように、Δｄ＝0.85μm と成るように、受
光部領域の半分の面積を0.85μm だけ選択的にレジスト
膜( 図示せず) をマスクとして用い、エッチング液にて
エッチングする。
詳細に説明する。図1(a)、および該図1(a)のＡ−Ａ´線
の断面図の図1(b)に示すように、異種基板であるサファ
イア基板１上にCdTe層2Aを気相成長法で成長した後、Hg
1-x Cdx Te結晶２を液相エピタキシャル成長方法等を用
いて例えばｘ値が0.21のHg1-xCd x Te結晶を10μm の厚
さに形成する。次いで波長12μm の光に対して数式４の
値を満足するように、Δｄ＝0.85μm と成るように、受
光部領域の半分の面積を0.85μm だけ選択的にレジスト
膜( 図示せず) をマスクとして用い、エッチング液にて
エッチングする。
【００２６】次いで、受光部領域上にレジスト膜( 図示
せず) を塗布後、該レジスト膜をマスクとして蒸着によ
りインジウム膜よりなる電極膜4を形成後、リフトオフ
法で受光部領域5 上のレジスト膜を除去するとともに、
その上の電極膜4 をも除去して多素子型の光導電型の赤
外線検知装置を形成する。
せず) を塗布後、該レジスト膜をマスクとして蒸着によ
りインジウム膜よりなる電極膜4を形成後、リフトオフ
法で受光部領域5 上のレジスト膜を除去するとともに、
その上の電極膜4 をも除去して多素子型の光導電型の赤
外線検知装置を形成する。
【００２７】このような本発明の赤外線検知装置によれ
ば、受光部領域５でHg1-x Cdx Teの結晶２の厚さがｄ1
の領域と、Hg1-x Cdx Te結晶２の厚さがｄ2 の領域を等
しい面積に等分に形成することで、この厚さの異なる領
域で干渉条件が反転して、干渉作用が相殺されるので、
受光部領域内で入射赤外線と反射光の干渉が生じなくな
り、検知すべき波長に対して高感度を有する波長依存性
の強い、多素子型の高感度な赤外線検知装置が得られ
る。
ば、受光部領域５でHg1-x Cdx Teの結晶２の厚さがｄ1
の領域と、Hg1-x Cdx Te結晶２の厚さがｄ2 の領域を等
しい面積に等分に形成することで、この厚さの異なる領
域で干渉条件が反転して、干渉作用が相殺されるので、
受光部領域内で入射赤外線と反射光の干渉が生じなくな
り、検知すべき波長に対して高感度を有する波長依存性
の強い、多素子型の高感度な赤外線検知装置が得られ
る。
【００２８】本発明の赤外線検知装置の他の実施例とし
て図2(a)に示すように、受光部領域5 が形成される領域
のサファイア基板１の厚さを、その上に形成されるHg
1-x Cd x Te結晶2 の厚さがｄ1 の領域と、ｄ2 の領域を
等しい面積に等分に形成できるように予め選択的にエッ
チングしても良い。
て図2(a)に示すように、受光部領域5 が形成される領域
のサファイア基板１の厚さを、その上に形成されるHg
1-x Cd x Te結晶2 の厚さがｄ1 の領域と、ｄ2 の領域を
等しい面積に等分に形成できるように予め選択的にエッ
チングしても良い。
【００２９】また図2(b)に示すように、サファイア基板
１上にCdTe層2Aを受光部形成予定領域下の厚さを選択的
に変化させて形成し、その上にHg1-x Cdx Te結晶２を形
成しても良い。
１上にCdTe層2Aを受光部形成予定領域下の厚さを選択的
に変化させて形成し、その上にHg1-x Cdx Te結晶２を形
成しても良い。
【００３０】また他の変形例として、図3(a)に示すよう
に上記受光部領域５のHg1-x Cdx Te結晶２の厚さは直線
状に変化させても良いし、図3(b)に示すように、該受光
部領域５のHg1-x Cdx Te結晶２の厚さは、階段状に厚さ
の異なる部分を多数設けても良い。
に上記受光部領域５のHg1-x Cdx Te結晶２の厚さは直線
状に変化させても良いし、図3(b)に示すように、該受光
部領域５のHg1-x Cdx Te結晶２の厚さは、階段状に厚さ
の異なる部分を多数設けても良い。
【００３１】また図3(c)に示すように受光部領域５のHg
1-x Cdx Te結晶２の中央部で最も厚さが薄くなるように
し、受光部領域５の周辺部に向かって直線状に厚くする
形状を採っても良いし、また図3(d)に示すように受光部
領域５のHg1-x Cdx Te結晶２の中央部が最も厚くなるよ
うに円弧状に形成しても良い。
1-x Cdx Te結晶２の中央部で最も厚さが薄くなるように
し、受光部領域５の周辺部に向かって直線状に厚くする
形状を採っても良いし、また図3(d)に示すように受光部
領域５のHg1-x Cdx Te結晶２の中央部が最も厚くなるよ
うに円弧状に形成しても良い。
【００３２】要はHg1-x Cdx Te結晶２の受光部領域５に
検知すべき特定の波長の赤外線を入射する場合、この入
射赤外線と基板１とHg1-x Cdx Te結晶２の境界面に当た
って反射する反射光が、干渉により強め合う厚さと、干
渉により互いに弱め合うような厚さを等分の面積づつ有
するような受光部を形成すると良い。
検知すべき特定の波長の赤外線を入射する場合、この入
射赤外線と基板１とHg1-x Cdx Te結晶２の境界面に当た
って反射する反射光が、干渉により強め合う厚さと、干
渉により互いに弱め合うような厚さを等分の面積づつ有
するような受光部を形成すると良い。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の赤外線検知
装置によれば、入射赤外線と反射赤外線による干渉作用
が相殺され、検知すべき本来の波長の光に対して高感度
を有し、波長依存性の高い高感度な赤外線検知装置が得
られる効果がある。
装置によれば、入射赤外線と反射赤外線による干渉作用
が相殺され、検知すべき本来の波長の光に対して高感度
を有し、波長依存性の高い高感度な赤外線検知装置が得
られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の赤外線検知装置の平面図および断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の赤外線検知装置の他の実施例の断面
図である。
図である。
【図３】 本発明の装置の受光部領域の他の変形例の断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明の装置の原理の説明図である。
【図５】 従来の装置に於ける不都合な状態図である。
1 サファイア基板
2 Hg1-x Cdx Te結晶
2A CdTe層
3 境界面
4 電極膜
5 受光部領域
11 干渉して入射光を強める場合の波長と感度の関係曲
線 12 干渉して入射光を弱める場合の波長と感度の関係曲
線 13 入射光と反射光が干渉しない場合の波長と感度の関
係曲線
線 12 干渉して入射光を弱める場合の波長と感度の関係曲
線 13 入射光と反射光が干渉しない場合の波長と感度の関
係曲線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０４Ｎ 5/33 8838−5Ｃ
8422−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ
(72)発明者 河内 哲也
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板(1) 上に該基板(1) と構成原子の異
なる水銀を含む化合物半導体結晶(2) を設け、該結晶に
電極膜(4) で画定された受光部領域(5) を設けた検知装
置に於いて、 前記受光部領域(5) 内の化合物半導体結晶(2) 、或いは
基板(1) の厚さを部分的に変化させたことを特徴とする
赤外線検知装置。 - 【請求項２】 基板(1) 上にｘ値が１、または１に近接
した値を有するHg1- x Cdx Te結晶(2) を設け、該Hg1-x
Cdx Te結晶(2) に電極膜(4) で画定された受光部(5) を
設けた検知装置に於いて、 前記受光部領域(5) 内の前記Hg1-x Cdx Te結晶(2) の厚
さを部分的に変化させたことを特徴とする赤外線検知装
置。 - 【請求項３】 請求項１、または２に記載の受光部領域
(5) 内に入射した入射赤外線と、該赤外線が基板(1) と
化合物半導体結晶(2) の境界面(3) で反射して生じた反
射光とが、干渉して入射赤外線を強める厚さを有する受
光部領域(5)内の面積と、干渉して入射赤外線を弱める
厚さを有する受光部領域(5) 内の面積とが、それぞれ等
しい面積を有することを特徴とする赤外線検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3158239A JPH0513788A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 赤外線検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3158239A JPH0513788A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 赤外線検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513788A true JPH0513788A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15667311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3158239A Withdrawn JPH0513788A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 赤外線検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152599A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JP2002111124A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3158239A patent/JPH0513788A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152599A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JP2002111124A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
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