JPH0477471B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0477471B2 JPH0477471B2 JP57009199A JP919982A JPH0477471B2 JP H0477471 B2 JPH0477471 B2 JP H0477471B2 JP 57009199 A JP57009199 A JP 57009199A JP 919982 A JP919982 A JP 919982A JP H0477471 B2 JPH0477471 B2 JP H0477471B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- light
- color filter
- filter
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 10
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルフアス半導体を光活性層に用い
た色センサーに関する。
た色センサーに関する。
光活性層に単結晶シリコンを用いた色センサー
は既に知られている。その原理的な構成は、第1
図に示す如く、単結晶シリコン基板1表面に複数
のフオトダイオード領域2,3,4を設けると共
に、これら各領域上に異なる色フイルタ、例えば
赤色フイルタ5、緑色フイルタ6及び青色フイル
タ7を配し、更にその上に赤外カツトフイルタ8
を配したもので、斯るセンサーにおいて、各フイ
ルタを介して可視光が基板1に入射すると、入射
可視光の含む色に応じて、それが赤ならダイオー
ド領域2に、緑ならダイオード領域3に、又青な
らダイオード領域4に夫々信号が出力される。
は既に知られている。その原理的な構成は、第1
図に示す如く、単結晶シリコン基板1表面に複数
のフオトダイオード領域2,3,4を設けると共
に、これら各領域上に異なる色フイルタ、例えば
赤色フイルタ5、緑色フイルタ6及び青色フイル
タ7を配し、更にその上に赤外カツトフイルタ8
を配したもので、斯るセンサーにおいて、各フイ
ルタを介して可視光が基板1に入射すると、入射
可視光の含む色に応じて、それが赤ならダイオー
ド領域2に、緑ならダイオード領域3に、又青な
らダイオード領域4に夫々信号が出力される。
単結晶シリコン自体の感光度特性は第2図の曲
線Aに示す如く、赤外領域にピークを呈する。一
方、赤色フイルタ5は赤色帯域で透過度のピーク
を示すものの、その帯域特性の拡がりは通常減衰
しながらも赤外領域にまですそ野を引いている。
従つて光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、
赤色フイルタを通すだけでは、フオトダイオード
領域2は、減衰しながらも共に入射する赤外光
に、単結晶シリコン自体の感光度特性に応じて強
く感応してしまい、正確な色情報を検出できな
い。上記従来の色センサーにおける赤外カツトフ
イルタ8は、この様な入射赤外光を除去するため
に設けられており、不可欠の存在である。
線Aに示す如く、赤外領域にピークを呈する。一
方、赤色フイルタ5は赤色帯域で透過度のピーク
を示すものの、その帯域特性の拡がりは通常減衰
しながらも赤外領域にまですそ野を引いている。
従つて光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、
赤色フイルタを通すだけでは、フオトダイオード
領域2は、減衰しながらも共に入射する赤外光
に、単結晶シリコン自体の感光度特性に応じて強
く感応してしまい、正確な色情報を検出できな
い。上記従来の色センサーにおける赤外カツトフ
イルタ8は、この様な入射赤外光を除去するため
に設けられており、不可欠の存在である。
しかしながら、斯る赤外カツトフイルタの存在
はセンサーの構成を複雑にするだけでなく、製造
に際して、そのフイルタをシリコン基板上に重畳
被着する工程で脆弱なシリコン基板を破損しやす
いといつた欠点をもたらす。
はセンサーの構成を複雑にするだけでなく、製造
に際して、そのフイルタをシリコン基板上に重畳
被着する工程で脆弱なシリコン基板を破損しやす
いといつた欠点をもたらす。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、以
下本発明を実施例において説明する。
下本発明を実施例において説明する。
第3図に本実施例としての赤、緑、青の各色に
感応する色センサー10を示す。この色センサー
10は厚さ0.3mm程度のガラスやプラスチツクス
などからなる透光性基板11に設けられた第1、
第2、第3の薄膜状感光素子12R,12G,1
2Bを含む。これらの各感光素子は基板11の1
主面に設けられた各素子に個有の色フイルタ膜、
即ち、第1感光素子12Rには赤色フイルタ膜1
3R、第2感光素子12Gには緑色フイルタ膜1
3G、第3感光素子12Bには青色フイルタ膜1
3Bを有している。各フイルタ膜としてはイース
トマン・コダツク社製のWRATTEN
GELATEN FILTERが好適であり、赤色フイル
タ膜13RとしてはそのNo.25、緑色フイルタ膜1
3GとしてはNo.58、又青色フイルタ膜13Bとし
てはNo.47Bの各品番のものが用いられ、これらは
例えばカナダバルサンなどの透明樹脂接着剤によ
り基板11上に固着される。
感応する色センサー10を示す。この色センサー
10は厚さ0.3mm程度のガラスやプラスチツクス
などからなる透光性基板11に設けられた第1、
第2、第3の薄膜状感光素子12R,12G,1
2Bを含む。これらの各感光素子は基板11の1
主面に設けられた各素子に個有の色フイルタ膜、
即ち、第1感光素子12Rには赤色フイルタ膜1
3R、第2感光素子12Gには緑色フイルタ膜1
3G、第3感光素子12Bには青色フイルタ膜1
3Bを有している。各フイルタ膜としてはイース
トマン・コダツク社製のWRATTEN
GELATEN FILTERが好適であり、赤色フイル
タ膜13RとしてはそのNo.25、緑色フイルタ膜1
3GとしてはNo.58、又青色フイルタ膜13Bとし
てはNo.47Bの各品番のものが用いられ、これらは
例えばカナダバルサンなどの透明樹脂接着剤によ
り基板11上に固着される。
第1〜第3感光素子12R,12G,12Bの
夫々は、更に基板11の他の主面に設けられた第
1電極膜14、光活性層15及び第2電極膜16
の積層体を備えており、これら積層体は夫々の感
光素子のフイルタ膜と個別に対向している。
夫々は、更に基板11の他の主面に設けられた第
1電極膜14、光活性層15及び第2電極膜16
の積層体を備えており、これら積層体は夫々の感
光素子のフイルタ膜と個別に対向している。
上記第1電極膜14は酸化錫やインジウム・錫
酸化物などの透明導電物からなり、第2電極膜1
6はアルミニウムなどからなる。
酸化物などの透明導電物からなり、第2電極膜1
6はアルミニウムなどからなる。
上記光活性層15は厚さ約1μmのアモルフアス
シリコン半導体で構成され、第4図にその詳細が
示されている。これを製造方法と共により具体的
に説明すると、各素子12R,12G,12Bの
第1電極14のみを形成済みの基板11を反応室
に納め、シランガスや不純物ガスからなる雰囲気
中でのグロー放電により第1電極14上にアモル
フアスシリコンからなるP型層15a、I型層1
5b及びN型層15cを順次堆積して光活性層1
5が形成される。その堆積領域はマスクの使用に
より所定部分に限定し得るものである。尚、グロ
ー放電によるアモルフアスシリコンダイオードの
形成自体は特公昭53−37718号公報に開示されて
いる様に周知である。
シリコン半導体で構成され、第4図にその詳細が
示されている。これを製造方法と共により具体的
に説明すると、各素子12R,12G,12Bの
第1電極14のみを形成済みの基板11を反応室
に納め、シランガスや不純物ガスからなる雰囲気
中でのグロー放電により第1電極14上にアモル
フアスシリコンからなるP型層15a、I型層1
5b及びN型層15cを順次堆積して光活性層1
5が形成される。その堆積領域はマスクの使用に
より所定部分に限定し得るものである。尚、グロ
ー放電によるアモルフアスシリコンダイオードの
形成自体は特公昭53−37718号公報に開示されて
いる様に周知である。
各感光素子12R,12G,12Bは、各色フ
イルタ13R,13G,13Bより小面積でその
内方に位置するように配されている。
イルタ13R,13G,13Bより小面積でその
内方に位置するように配されている。
ところで、今、各感光素子12R,12G,1
2Bを、各色フイルタ13R,13G,13Bと
同じ面積とすると、以下のような問題が生じる。
2Bを、各色フイルタ13R,13G,13Bと
同じ面積とすると、以下のような問題が生じる。
即ち、各感光素子12R,12G,12Bと各
色フイルタ13R,13G,13Bとの間に透光
性基板10が存在するために、例えば、色フイル
タ13Rに色フイルタ13Gとの境界近傍に斜め
に照射される光は、色フイルタ13Gと対向する
感光素子12Gに入射されてしまう、所謂、クロ
ストークが発生する。従つて、感光素子12Gは
色フイルタ13Gを透過してきた光のみならず、
色フイルタ13Rを透過した光をも検出すること
となるため、正確な信号を得ることができない。
色フイルタ13R,13G,13Bとの間に透光
性基板10が存在するために、例えば、色フイル
タ13Rに色フイルタ13Gとの境界近傍に斜め
に照射される光は、色フイルタ13Gと対向する
感光素子12Gに入射されてしまう、所謂、クロ
ストークが発生する。従つて、感光素子12Gは
色フイルタ13Gを透過してきた光のみならず、
色フイルタ13Rを透過した光をも検出すること
となるため、正確な信号を得ることができない。
それに対し、本発明は、各感光素子12R,1
2G,12Bは、各色フイルタ13R,13G,
13Bより小面積でその内方に位置するように配
されているので、例えば、色フイルタ13Rの色
フイルタ13Gとの境界近傍に斜めに光が照射さ
れても、感光素子12Gは、色フイルタ13Rの
端部から引つ込んで位置するため、この素子12
Gに入射されることはない。よつて、正確な色検
出を得ることができる。
2G,12Bは、各色フイルタ13R,13G,
13Bより小面積でその内方に位置するように配
されているので、例えば、色フイルタ13Rの色
フイルタ13Gとの境界近傍に斜めに光が照射さ
れても、感光素子12Gは、色フイルタ13Rの
端部から引つ込んで位置するため、この素子12
Gに入射されることはない。よつて、正確な色検
出を得ることができる。
上記色センサー10において、各色フイルタ1
3R,13G,13Bの存在により、これらフイ
ルタ側より入射する光は、それが赤色を含む場
合、赤色フイルタ13R及び基板11を介して第
1感光素子12Rに入り、該素子内の主にI型層
15bで自由キヤリアを発生せしめる。この自由
キヤリアは第1、第2電極14,16に集めら
れ、両電極間に電圧が発生する。同様にして、入
射光が緑色を含む場合、又青色を含む場合、夫々
第2感光素子12G、第3感光素子12Bにおい
て第1、第2電極14,16間に電圧が発生す
る。よつてこれらの電圧を検出することにより入
射光の色検出をなすことができる。
3R,13G,13Bの存在により、これらフイ
ルタ側より入射する光は、それが赤色を含む場
合、赤色フイルタ13R及び基板11を介して第
1感光素子12Rに入り、該素子内の主にI型層
15bで自由キヤリアを発生せしめる。この自由
キヤリアは第1、第2電極14,16に集めら
れ、両電極間に電圧が発生する。同様にして、入
射光が緑色を含む場合、又青色を含む場合、夫々
第2感光素子12G、第3感光素子12Bにおい
て第1、第2電極14,16間に電圧が発生す
る。よつてこれらの電圧を検出することにより入
射光の色検出をなすことができる。
アモルフアス半導体の感光度特性は第2図の曲
線Bに示す如く、ほとんど可視光領域に納まる帯
域を有している。このため、本実施例色センサー
10では、たとえ赤色フイルタ13Rを通して赤
外光が入つたとしても、それはほとんど検出され
ず、従つて従来必要としていた赤外カツトフイル
タを用いることなく正確な色情報を検出すること
ができる。また、本実施例色センサー10にあつ
ては、各色フイルタ13R,13G,13Bは光
活性層15とは反対側の基板表面に取着されるの
で、その取着時に光活性層15を傷めることもな
い。
線Bに示す如く、ほとんど可視光領域に納まる帯
域を有している。このため、本実施例色センサー
10では、たとえ赤色フイルタ13Rを通して赤
外光が入つたとしても、それはほとんど検出され
ず、従つて従来必要としていた赤外カツトフイル
タを用いることなく正確な色情報を検出すること
ができる。また、本実施例色センサー10にあつ
ては、各色フイルタ13R,13G,13Bは光
活性層15とは反対側の基板表面に取着されるの
で、その取着時に光活性層15を傷めることもな
い。
本発明実施例はこの様な優れた色センサー10
において、その色検出精度をより高めんとするも
のである。即ち、アモルフアス半導体の感光度特
性は第2図で述べた様に可視光領域に帯域が納ま
つているものの、それは平坦でなく図示の如く約
550nm付近にピークを有している。又各色フイル
タ膜13R,13G,13Bの透過度も第5図に
て曲線17R,17G,17Bで示す如く同一で
はなく、特に赤色フイルタ膜13Rのそれが最も
大きい。このため第1〜第3感光素子12R,1
2G,12Bの感光度も相違し、同一入射強度で
あつても夫々異なる検出出力を発生することとな
る。
において、その色検出精度をより高めんとするも
のである。即ち、アモルフアス半導体の感光度特
性は第2図で述べた様に可視光領域に帯域が納ま
つているものの、それは平坦でなく図示の如く約
550nm付近にピークを有している。又各色フイル
タ膜13R,13G,13Bの透過度も第5図に
て曲線17R,17G,17Bで示す如く同一で
はなく、特に赤色フイルタ膜13Rのそれが最も
大きい。このため第1〜第3感光素子12R,1
2G,12Bの感光度も相違し、同一入射強度で
あつても夫々異なる検出出力を発生することとな
る。
本発明実施例の最も大きな特徴として、各素子
12R,12G,12Bの受光面積がこの様な各
素子の光感度に対応して異なつており、最も感光
度の大きい素子の受光面積が最も小さくなつてい
る。より具体的には、第1、第2、第3の感光素
子12R,12G,12Bの受光面積の比は約
2:3:5の割合いに設定されており、これによ
り各素子の感光度(出力電圧/入射光強度)は
ほゞ同一となり、良好な精度で色検出がなされ
る。
12R,12G,12Bの受光面積がこの様な各
素子の光感度に対応して異なつており、最も感光
度の大きい素子の受光面積が最も小さくなつてい
る。より具体的には、第1、第2、第3の感光素
子12R,12G,12Bの受光面積の比は約
2:3:5の割合いに設定されており、これによ
り各素子の感光度(出力電圧/入射光強度)は
ほゞ同一となり、良好な精度で色検出がなされ
る。
上記実施例では、各素子12R,12G,12
Bの光活性層15はPIN接合を含む光起電力型で
あつたが、例えば約5μm厚さのI型のアモルフア
スシリコンのみで形成して光導電型の光活性層に
変更することもできる。この場合、第6図に示す
如く、光活性層15の表面に1対の電極16a,
16bを被着する構成でも良い。
Bの光活性層15はPIN接合を含む光起電力型で
あつたが、例えば約5μm厚さのI型のアモルフア
スシリコンのみで形成して光導電型の光活性層に
変更することもできる。この場合、第6図に示す
如く、光活性層15の表面に1対の電極16a,
16bを被着する構成でも良い。
尚、上記実施例では、光活性層15と第1、第
2電極膜14,16の何れも各素子毎に分離して
いる。
2電極膜14,16の何れも各素子毎に分離して
いる。
とりわけ、光活性層15を各感光素子毎に分離
するようにパターン化している。このことは、各
感光素子12R,12G,12Bを各色フイルタ
13R,13G,13Bより小面積でその内方に
位置するように配することで、正確な色検出を行
わしめたのと同様の理由によるものである。
するようにパターン化している。このことは、各
感光素子12R,12G,12Bを各色フイルタ
13R,13G,13Bより小面積でその内方に
位置するように配することで、正確な色検出を行
わしめたのと同様の理由によるものである。
即ち、上記光活性層15を各感光素子間に跨る
ように形成したならば、この素子間に在る光活性
層15に各色フイルタの境界近傍から斜めに入射
した光が照射されることとなり誤つた色情報が含
まれることとなるからである。
ように形成したならば、この素子間に在る光活性
層15に各色フイルタの境界近傍から斜めに入射
した光が照射されることとなり誤つた色情報が含
まれることとなるからである。
又、上記実施例の光活性層15に用いたアモル
フアスシリコンに代えて、アモルフアスシリコン
カーバイトなど他のものをも使用し得、更には1
部に多結晶や微結晶を混入することも可能であ
る。
フアスシリコンに代えて、アモルフアスシリコン
カーバイトなど他のものをも使用し得、更には1
部に多結晶や微結晶を混入することも可能であ
る。
又、必要に応じて感光素子の数を適宜増減し得
る。
る。
以上の説明より明らかな如く、本発明によれ
ば、赤外カツトフイルタを不要にし、その他の色
フイルタの取着の簡単な色センサーを実現でき、
又その色検出精度を高めることができる。
ば、赤外カツトフイルタを不要にし、その他の色
フイルタの取着の簡単な色センサーを実現でき、
又その色検出精度を高めることができる。
第1図は従来例を示す断面図、第2図は感光特
性図、第3図Aは本発明実施例の平面図、第3図
Bは同B−B断面図、第3図Cは同C−C断面
図、第4図は要部拡大断面図、第5図は透過特性
図、第6図は他の実施例の要部断面図である。 11……基板、12A,12B,12C……第
1、第2、第3感光素子、15……光活性層。
性図、第3図Aは本発明実施例の平面図、第3図
Bは同B−B断面図、第3図Cは同C−C断面
図、第4図は要部拡大断面図、第5図は透過特性
図、第6図は他の実施例の要部断面図である。 11……基板、12A,12B,12C……第
1、第2、第3感光素子、15……光活性層。
Claims (1)
- 1 透光性基板に設けられた複数の薄膜状感光素
子を含み、該素子の各々は、上記基板の一主面に
設けられた各素子に固有の色フイルタ膜と、上記
基板の他の主面に設けられた概ね可視光領域に感
光度特性を有するアモルフアス半導体を主体とす
る光活性層及び上記色フイルタ膜の各々と個別に
対向する電極膜の積層体とを備え、上記各素子
は、その受光面積が上記色フイルタ膜より小面積
にパターン化され、且つその配置を前記色フイル
タ膜より内方となるように配されると共に、上記
受光面積を各素子の光感度に対応して異ならしめ
たことを特徴とする色センサー。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57009199A JPS58125867A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
GB08300968A GB2115980B (en) | 1982-01-22 | 1983-01-14 | Color sensor |
FR8300882A FR2520557B1 (fr) | 1982-01-22 | 1983-01-20 | Capteur chromatique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57009199A JPS58125867A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58125867A JPS58125867A (ja) | 1983-07-27 |
JPH0477471B2 true JPH0477471B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=11713821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57009199A Granted JPS58125867A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58125867A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2702709B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1998-01-26 | 松下電子工業株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
JP2010261838A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Tyntek Corp | 光センサの出力比例調整方法 |
JP2011112452A (ja) | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Olympus Corp | カラーセンサ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
JPS53129525A (en) * | 1977-04-18 | 1978-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid pickup color camera |
JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
JPS564286A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Canon Inc | Photoelectric converter |
JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
JPS56138362A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57009199A patent/JPS58125867A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
JPS53129525A (en) * | 1977-04-18 | 1978-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid pickup color camera |
JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
JPS564286A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Canon Inc | Photoelectric converter |
JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
JPS56138362A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Canon Inc | Photoelectric converter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58125867A (ja) | 1983-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59143362A (ja) | パツシベ−シヨン膜 | |
US4656109A (en) | Layered solid state color photosensitive device | |
JPS6258120A (ja) | 色判別方法 | |
JPH0477471B2 (ja) | ||
JPH04218964A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0433147B2 (ja) | ||
JPH06260625A (ja) | イメージセンサ装置及び製造方法 | |
JPS62262001A (ja) | カラ−固体撮像装置 | |
US5438200A (en) | Composite photodetector substrate and method of forming the same | |
JPH0477470B2 (ja) | ||
JPH11214664A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JPS61203668A (ja) | イメ−ジセンサ | |
JP2630407B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
JPH0478019B2 (ja) | ||
JPH01271706A (ja) | 光フィルタ及び該光フィルタを用いた光電センサー | |
JPS637473B2 (ja) | ||
JPH07244215A (ja) | 赤外用干渉フィルター | |
JPH02271225A (ja) | 色センサー素子及び素子群 | |
JPH11121728A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS617661A (ja) | 光電変換素子およびこれを利用したカラ−原稿読み取り素子 | |
JPH02218173A (ja) | 光電導型赤外線検知素子 | |
JP2661901B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JPH0294670A (ja) | 光センサー | |
JPS5826832B2 (ja) | 光導電タ−ゲツトの製造方法 | |
JPH0262922A (ja) | 光センサー |