JPH05136390A - 画像読取装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、原稿からの反射光がＴＦＴ
部に入射することなく、センサのＳ／Ｎ比の低下がな
く、かつ特性の安定した画像読取装置を、低コストで、
簡単に提供することにある。 【構成】 絶縁基板上に形成された光電変換素子と、該
光電変換素子と同一基板上に形成された薄膜トランジス
タを有する画像読取装置において、前記光電変換素子の
センサ部１を除いて、少なくとも前記薄膜トランジスタ
３，４の上部に、絶縁性の遮光層４３を形成したことを
特徴とする画像読取装置。また、少なくとも前記薄膜ト
ランジスタ３，４上部に透明有機樹脂層１２を形成し、
その表面に、印刷により前記絶縁性の遮光層４３を形成
することを特徴とする画像読取装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置、デ
ィジタルコピー装置、イメージスキャナー等の画像入力
部に用いられる画像読取装置及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器
の画像入力装置の小型化や画像ひずみの改良を目指し
て、原稿と同一寸法の密着型ラインセンサが開発され、
これを組込んだファクシミリ装置が使用され始めてき
た。

【０００３】その例として、出願人により日経エレクト
ロニクス１９８７．１１．１６（Ｎｏ．４３４）２０７
〜２２１頁に発表された完全密着型画像読取装置があ
る。

【０００４】図８は、このような従来の画像読取装置の
光電変換素子アレイの主走査方向から見た模式的断面図
であり、図９は、光電変換素子アレイの原稿側から見た
模式的平面図である。なお、図８は図９のＡ−Ａ’断面
図を示している。

【０００５】同図に示すように、従来の画像読取装置で
は、ａ−Ｓｉ：Ｈを用いて光電変換素子部１、蓄積コン
デンサ部２、ＴＦＴ部３および４、マトリクス信号配線
部５およびゲート駆動配線部６等を透光性絶縁基板１０
上に簡便なプロセスにより一体的に形成している。

【０００６】絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の導電体
層２４、ＳｉＮ等の第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈか
らなる光導電性半導体層２６、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ：Ｈのオー
ミックコンタクト層２７、Ａ１の第２の導電体層２８が
形成されている。

【０００７】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３、４の半導体層表面
の保護安定化をはかるためにポリイミド等の不純物イオ
ン等の含有量の極めて少ない有機材料からなるパッシベ
ーション層１８、さらにその上には原稿Ｐとの摩擦から
光電変換素子等を保護するためにマイクロシートガラス
等からなる耐摩擦層８が接着層１５を介して形成されて
いる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の画像読取装置においては、さらなる低コスト化を
目指した場合、以下のような解決すべき課題を生じる。

【０００９】画像読取装置の低コスト化を達成する一つ
の手段として、光電変換素子部等を形成した透光性基板
の副走査方向の基板幅を小さくすることが行われる。こ
の種の画像読取装置は、まず大判の透光性基板上に複数
の光電変換素子アレイを同時に形成し、そののち光電変
換素子アレイごとに分割して、それぞれ独立したアレイ
状の画像読取装置が形成される。すなわち、光電変換素
子部等を形成した透光性基板の基板幅を小さくすると、
大判の基板に形成する光電変換素子アレイの数量を増加
することができ、コストダウンすることができる。

【００１０】ところが、光電変換素子アレイの基板幅を
縮小することによりコストダウンを達成しようとして
も、原稿からの反射光の一部が、ＴＦＴ部へ入射し、Ｔ
ＦＴのオフ抵抗を下げるという問題が発生する。

【００１１】図１０は、このような問題を説明するため
の従来の画像読取装置の断面図を示すものである。同図
において、基板１０の光入射窓４４から入射した光Ｌ
は、原稿Ｐで反射され、その反射光Ｌ’は光電変換素子
のセンサ部１に入射するだけでなく、ＴＦＴ部３にも入
射する。

【００１２】図１１に、ＴＦＴのＶｇ−Ｉｄ曲線を示
す。同図において、６１は、ＴＦＴのＷ／Ｌが５００μ
ｍ／１０μｍのＴＦＴの光を照射させないときのＶｇ−
Ｉｄ曲線である。また６２は、ＴＦＴに例えば、センサ
部へ入射する照度の１０分の１（ここでは２０［ｌ
ｘ］）の光がＴＦＴのチャネル部へ入射したときのＶｇ
−Ｉｄ曲線である。図に示されるように、ＴＦＴがオフ
の動作点（Ｖｇ＝０Ｖ）では、電流が２桁以上流れ、こ
れがリーク電流となり、センサのＳ／Ｎ比の低下を引き
起こすという問題を生じる。

【００１３】本発明の目的は、原稿からの反射光がＴＦ
Ｔ部に入射することなく、センサのＳ／Ｎ比の低下がな
く、かつ特性の安定した画像読取装置を、低コストで、
簡単に提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は前述し
た課題を解決するための手段として、絶縁基板上に形成
された光電変換素子と、該光電変換素子と同一基板上に
形成された薄膜トランジスタを有する画像読取装置にお
いて、前記光電変換素子のセンサ部を除いて、少なくと
も前記薄膜トランジスタの上部に、絶縁性の遮光層を形
成したことを特徴とする画像読取装置を提供するもので
ある。

【００１５】また、少なくとも前記薄膜トランジスタ上
部に透明有機樹脂層を形成し、その表面に、印刷により
前記絶縁性の遮光層を形成することを特徴とする画像読
取装置の製造方法により、前記課題を解決しようとする
ものである。

【００１６】

【作用】本発明によれば、画像読取装置の信号転送スイ
ッチである薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び駆動系のシ
フトレジスタに用いられるＴＦＴを、遮光性の絶縁物で
覆うことにより、原稿からの反射光を遮光することがで
きる。そのため、転送系、駆動系のＴＦＴのオフ電流を
低減し、誤動作を防ぎ、あるいは、Ｓ／Ｎ比の良い画像
読取装置を提供することができるものである。

【００１７】またこれは、少なくともＴＦＴ上に透明有
機樹脂を塗布して平坦化するとともに印刷時の衝撃緩和
層とした後、遮光層を印刷することにより、印刷工程の
精度を良くすることができ、さらに、この有機樹脂によ
って、印刷の際に素子へ与える衝撃を緩和することがで
きる。

【００１８】また、印刷工程により遮光層を形成するこ
とにより、パターニング工程を不要とすることが可能に
なった。

【００１９】また絶縁性の遮光層とすることで、金属等
の導電性の遮光層を用いたときに生ずる浮遊容量を生じ
ることがなく、ＴＦＴのチャネル表面側の電位が不安定
になるという問題がない。

【００２０】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００２１】図１は本実施例の模式的な主走査方向断面
図であり、図２はその平面図である。なお、図１は、図
２のＡ−Ａ’断面図を示す。本実施例では、半導体層と
してａ−Ｓｉ：Ｈを用いて、光電変換素子部１、蓄積コ
ンデンサ部２、ＴＦＴ部３および４、マトリクス信号配
線部５およびゲート駆動配線部６等が透光性絶縁基板１
０上に同一プロセスにより一体的に形成されている。

【００２２】絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の導電体
層２４、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈの光
導電性半導体層２６、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコ
ンタクト層２７、Ａ１の第２の導電体層２８が形成され
ている。

【００２３】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極配線である。原稿Ｐで反射された信号光
Ｌ’はａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線３０、
３１間に流れる電流を変化させる。なお、３２は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極３０
（ソース電極あるいはドレイン電極）および３１（ドレ
イン電極あるいはソース電極）に対向する制御電極（ゲ
ート電極）となるようにしてもよい。

【００２４】蓄積コンデンサ部２は、下層電極配線３３
と、この下層電極配線３３上に形成された第１の絶縁層
２５と光導電性半導体２６と、光導電性半導体２６上に
形成され光電変換部１の上層電極配線３１に連続した配
線とから構成される。この蓄積コンデンサ部２の構造は
いわゆるＭＩＳコンデンサの構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
３３を常に負にバイアスする状態で用いることにより、
安定な容量と周波数特性を得ることができる。

【００２５】ＴＦＴ部３および４は、ゲート電極たる下
層電極配線３４と、ゲート絶縁層をなす第２の絶縁層２
５と、半導体層２６と、ソース電極たる上層電極配線３
５と、ドレイン電極たる上層電極配線３６等とから構成
される。

【００２６】マトリクス信号配線部５においては、基板
１０上に第１の導電層からなる個別信号配線２２、個別
信号配線を被う絶縁層２５、半導体層２６、そして個別
信号配線と交差して第２の導電層からなる共通信号配線
３７が順次積層されている。３８は、個別信号配線２２
と共通信号配線３７とオーミックコンタクトをとるため
のコンタクトホール、３９は共通信号配線間に設けられ
た線間シールド配線である。

【００２７】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部６において
は、基板１０上に第１の導電層２４からなる個別ゲート
配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２５、半導体層
２６、オーミックコンタクト層２７、そして個別ゲート
配線４０と交差して、第２の導電層２８からなる共通ゲ
ート配線４１が順次積層されている。４２は個別ゲート
配線４０と共通ゲート配線４１とのオーミックコンタク
トを取るためのコンタクトホールである。

【００２８】以上のように本実施例の画像読取装置は、
光電変換素子部、蓄積コンデンサ部、ＴＦＴ部、マトリ
クス信号配線部およびゲート駆動配線部のすべてが光導
電性半導体層および絶縁層、導電体層等の積層構造を有
するので、各部を同一プロセスにより同時形成されてい
る。

【００２９】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３、４の半導体層表面
の保護安定化のためにＳｉＮの無機薄膜からなるパッシ
ベーション層１１、またパッシベーション層１１上には
ポリイミド樹脂等の透明有機樹脂からなる衝撃緩和層１
２が形成され、さらにその上の、光電変換素子部及び、
光源からの光の通過する窓部以外の部分、特にＴＦＴ部
の上部に、本発明の絶縁性樹脂からなる遮光層４３が形
成されている。

【００３０】さらにその上には、原稿Ｐとの摩擦から光
電変換素子等を保護するためにマイクロシートガラス等
からなる耐摩擦層８が接着層を介して接着されている。

【００３１】なお、耐摩耗層８のセンサ側には、ＩＴＯ
等の透光性導電層からなる静電気対策層１５が形成され
ていて、原稿Ｐと耐摩耗層８との摩擦により発生する静
電気が光電変換素子等に悪影響を及ぼさないように配置
されている。

【００３２】次に、具体的に本発明の画像読取装置の製
造方法を説明する。

【００３３】まず、ガラス等の大型の絶縁基板上にＣｒ
を厚さ１０００Å、スパッタ法で堆積し、その後、所望
の形状にパターニングして第１の導電体層２４を形成す
る。その後、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の半導体層２６、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコンタ
クト層２７をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積さ
せる。

【００３４】上記各層の成膜条件は表１に示すとおりで
ある。

【００３５】しかる後に、ソース、ドレイン電極となる
導電材料であるＡｌを５０００Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第２の導電
体層２８を形成する。

【００３６】その後、不要なオーミックコンタクト層を
エッチングで除去し、光電変換素子部１及びＴＦＴ部３
乃び４のチャネルを形成する。オーミックコンタクト層
の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによって
行う。

【００３７】その後、光電変換素子間の半導体層をエッ
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。

【００３８】さらにその後、パッシベーション層１１と
してＳｉＮ層をプラズマＣＶＤ法によって光電変換素子
が形成された大型の基板の全面に堆積する。

【００３９】パッシベーション層１１を形成する時、基
板温度をあまり高く上げると、半導体層２６に含まれる
水素が抜けたり、或は第２の導電体層のＡｌとオーミッ
クコンタクト層２７との間で相互拡散が生じるので、こ
の時の基板温度は第１の絶縁層２５、半導体層２６、オ
ーミックコンタクト層２７の形成時の基板温度以上には
高くしないことが好ましい。例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈを半
導体層として用いた画像読取装置では、ａ−Ｓｉ：Ｈの
堆積時の基板温度は１５０℃〜２５０℃であるので、パ
ッシベーション層１１の形成時の基板温度は１５０℃以
下にすることが好ましい。よって、本発明の画像読取装
置では、基板温度を１５０℃にして、ＳｉＨ₄ ＝４ＳＣ
ＣＭ、Ｎ₂ ＝２００ＳＣＣＭ（ＳｉＨ₄ ：Ｎ₂ ＝１：５
０）のガスを用いて、０．２Ｔｏｒｒの圧力でＳｉＮの
パッシベーション層１１を厚さ６０００Å形成する。

【００４０】続いて、ＳｉＮのパッシベーション層１１
上にポリイミド樹脂をスピンナーにより厚さ３μｍ程度
塗布し、加熱硬化させ、衝撃緩和層１２を形成する。こ
の際、衝撃緩和層１２の硬化温度もパッシベーション層
１１の形成温度と同様に１５０℃以下にすることが望ま
しい。

【００４１】しかる後、遮光性を有する黒色の樹脂、例
えばシリコン樹脂、ポリイミド樹脂、あるいはエポキシ
樹脂を印刷によって塗布する。

【００４２】遮光性を有する黒色の樹脂は、樹脂に例え
ば顔料用の炭素を分散させることで得られる。

【００４３】印刷版は、センサ部１及び入射窓４４部以
外に全て黒色樹脂を塗布するパターンでも良いし、光を
入射させたくない部分、例えばＴＦＴ部付近のみに塗布
するパターンでも良い。塗布した黒色樹脂によって遮光
層４３を形成する。

【００４４】印刷法によって塗布した後、各樹脂の条件
に合わせて硬化させる。熱硬化の場合は、ＳｉＮパッシ
ベーションの温度と同様の理由で、１５０℃以下の温度
で硬化する樹脂を選ぶ方が望ましい。

【００４５】さらには、エポキシ樹脂からなる接着剤を
ディスペンサで塗布し、薄板ガラス８をその上に載せ、
従来技術の中で述べたように加圧接着させ、接着層９を
加熱硬化させる。接着層９の加熱硬化温度はやはり１５
０℃以下にすることが望ましい。

【００４６】そして大型の絶縁基板上に薄板ガラスを貼
り合わせた後、光電変換素子アレイごとにスライサーに
より分割する。このようにして本発明の画像読取装置を
作製する。

【００４７】ここで、遮光層４３の厚さは、数十μｍ以
下にしなければならない。光電変換素子は、１ｍｍ当た
り８ビット以上設けることが必要で、例えば１ｍｍ当た
り８ビットの素子であれば素子のピッチは１２５μｍに
なる。薄板ガラスの厚さは約５０μｍあり、原稿と光電
変換素子の間の距離を素子のピッチ以上にとると素子間
の光学的クロストークが生じ、分解能が低下する。

【００４８】従って、光電変換素子あるいはＴＦＴと薄
板ガラスの間のスペースは数十μｍ程度にしかできな
い。従って遮光層の厚さも数十μｍ以下にする必要があ
る。

【００４９】実際には、遮光層の透過率は１０％以下に
すれば十分である。例えば、図１２は、シリコン樹脂に
炭素を分散させた樹脂を用いた遮光層の厚さと光の透過
率の関係を示す例であるが、この樹脂の遮光層の場合、
１０μｍあれば十分である。

【００５０】図２は、本実施例に基づいて、遮光層４３
を印刷した光電変換素子アレイを上部から見た平面図で
ある。斜線で示した部分が遮光層４３の部分である。

【００５１】図２は、ＴＦＴ部付近のみ遮光層４３を印
刷塗布した例を示す。

【００５２】また、図３は、センサ部１及び光源からの
光の通過窓４４付近を除く部分全体に遮光層４３を印刷
して形成した例を示すものである。

【００５３】［他の実施例］図４は、本発明の他の実施
例を示す断面図であり、光通過窓付近の部分拡大図であ
る。図４は、光源からの光通過窓４４がセンサ部１とＴ
ＦＴ部３との間にある例を示す。図１で説明した部分と
同一の部分には同一の番号を付けることで詳しい説明は
省略する。

【００５４】本例では、図１の断面図に示した例より
も、原稿Ｐからの反射光Ｌ’が、ＴＦＴ部３に入射しや
すくなるため、遮光層４３を設ける効果はさらに大きく
なる。

【００５５】次に、図５は、いわゆる周知の画像読取装
置である導光レンズ（不図示）を用いた画像読取装置
に、本発明を応用した例を示す断面図である。ＴＦＴ部
３の上部に遮光層４３を設けることによって、導光レン
ズを通過してきた原稿からの反射光Ｌ’がＴＦＴのチャ
ネルへ到達するのを防ぐ。

【００５６】この実施例では、絶縁性の遮光層４３の厚
さの制限がなく、センサ部１に遮光材がかからない範囲
で厚く塗布することができる。

【００５７】図６は、本発明の画像読取装置の等価回路
図を示す。同図において、光電変換素子Ｓ_1-1 〜Ｓ
_36-48 に入射した光情報は、光電変換素子Ｓ_1-1 〜Ｓ
_36-48 から蓄積コンデンサＣ_S1-1〜Ｃ_S36-48、転送用Ｔ
ＦＴのＴ_1-1 〜Ｔ_36-48、リセット用ＴＦＴのＲ_1-1 〜
Ｒ_36-48 、マトリクス信号配線Ｌ₁ 〜Ｌ₄₈を通って、並
列の電圧出力となる。さらに、読み出し用スイッチＩＣ
によって直列信号となり外部に取り出される。

【００５８】本発明の画像読取装置の構成例では、総画
素数１７２８ビットの光電変換素子を４８ビットずつま
とめて３６ブロックに分割してある。各動作は順次この
ブロック単位で進む。

【００５９】第１ブロックの光電変換素子Ｓ_1-1 〜Ｓ
_1-48に入射した光情報は、光電流に変換され、蓄積コン
デンサＣ_S1-1〜Ｃ_S1-48 に電荷として蓄えられる。一定
時間後、ゲート駆動線Ｇ₁ に転送用の第１の電圧パルス
を加え、転送用ＴＦＴのＴ_1-1〜Ｔ_1-48をオン状態に切
り替える。これで蓄積コンデンサＣ_S1-1〜Ｃ_S1-48 の電
荷がマトリクス信号配線Ｌ₁ 〜Ｌ₄₈を通って、負荷コン
デンサＣ_L1〜Ｃ_L48 に転送される。

【００６０】続いて、負荷コンデンサＣ_L1〜Ｃ_L48 に蓄
えられた電荷は、転送パルスＧ_t により転送用スイッチ
Ｕ_SW1 〜Ｕ_SW48を同時に駆動し、読み出し用コンデンサ
Ｃ_T1〜Ｃ_T48 に転送される。

【００６１】引き続いて、ゲート駆動線ｇ₁ 〜ｇ₄₈にシ
フトレジスタＳＲ₂ から電圧パルスが順次加えられるこ
とにより、読み出し用コンデンサＣ_T1〜Ｃ_T48 に転送さ
れた第１ブロックの信号電荷は、読み出し用スイッチＴ
_SW1 〜Ｔ_SW48により直列信号に変換され、増幅器Ａｍｐ
により増幅され画像読取装置の外部へ出力電圧Ｖ_outと
して取り出される。

【００６２】そして、リセットパルスｇ_res がリセット
スイッチＶ_SWに逐次印加され、読み出し用スイッチＴ_SW
とリセットスイッチＶ_SWが同時にＯＮ状態となり、読み
出し用コンデンサＣ_T1〜Ｃ_T48 は逐次リセット電位Ｖ_R
にリセットされる。

【００６３】また、リセットスイッチＲ_SW1 〜Ｒ_SW48に
リセット用の電圧パルスＣ_res を印加して負荷コンデン
サＣ_L1〜Ｃ_L48 をリセットする。次に、ゲート駆動線Ｇ
₂に電圧パルスを印加し、第２ブロックの転送動作が始
まる。同時にリセットＴＦＴのＲ_1-1 〜Ｒ_1-48がオン状
態になり、第１ブロックの蓄積コンデンサＣ_S1-1〜Ｃ
_S1-48 の電荷をリセットし、次の読み出しに備える。

【００６４】以下、ゲート駆動線Ｇ₃ 、Ｇ₄ 、…を順次
駆動することにより１ライン分のデータを出力する。

【００６５】さて、このようにして構成した画像読取装
置を適用して、ファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写機及び電子黒板等の種々の装置を構成する
ことができる。

【００６６】図７は、本発明の画像読取装置を用いて構
成したファクシミリ装置の一例を示す断面図である。こ
こで、１０２は原稿６を読み取り位置に向けて給送する
ための給送ローラ、１０４は原稿６を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。１０６は画像読取装置
に対して読み取り位置に設けられて原稿Ｐ被読み取り面
を規制するとともに原稿Ｐを搬送するプラテンローラで
ある。

【００６７】Ｒは図示の例ではロール紙形態をした記録
媒体であり、画像読取装置により読み取られた画像情報
あるいは外部から送信された画像情報が形成される。１
１０は当該画像形成をおこなうための記録ヘッドで、サ
ーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種々のもの
を用いることができる。また、この記録ヘッドは、シリ
アルタイプのものでも、ラインタイプのものでもよい。
１１２は記録ヘッド１１０による記録位置に対して記録
媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面を規制するプラ
テンローラである。

【００６８】１２０は、操作入力を受容するスイッチや
メッセージその他、装置の状態を報知するための表示部
等を配したオペレーションパネルである。

【００６９】１３０は、システムコントローラ基板であ
り、各部の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路
部、送受信部等が設けられる。１４０は、装置の電源で
ある。

【００７０】

【表１】

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、センサとＴＦＴを
同一基板上に形成した画像読取装置において、ＴＦＴ部
を絶縁性の遮光材で遮光することにより、 （１）Ｓ／Ｎ比が高く （２）製造コストの低い 画像読取装置を提供することができる。

【００７２】また、印刷工程により遮光層を形成するこ
とにより、パターニング工程を不要とすることができ、
工程を簡略化することができた。

【００７３】また絶縁性の遮光層とすることで、金属の
遮光層を用いたときに生ずる浮遊容量が生じることがな
く、これによりＴＦＴのチャネル表面側の電位が不安定
になるという問題がなく、安定した特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す断面図

【図２】本発明の実施例を示す平面図

【図３】本発明の他の実施例の平面図

【図４】本発明の他の実施例を示す断面図

【図５】本発明の他の実施例を示す断面図

【図６】画像読取装置の等価回路

【図７】本発明による画像読取装置を用いたファクシミ
リの断面図

【図８】従来の画像読取装置を示す断面図

【図９】従来の画像読取装置を示す平面図

【図１０】従来の画像読取装置の光路を示す図

【図１１】ＴＦＴのＶｇ−Ｉｄ曲線

【図１２】絶縁性遮光層の厚さと透過率の関係を表わす
グラフ

【符号の説明】

１ センサ部 ２ コンデンサ部 ３、４ 薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部） ８ 薄板ガラス ９ 接着層 １０ ガラス基板 １２ ポリイミド樹脂（有機樹脂層） ４３ 遮光層 ４４ 入射窓 Ｐ 原稿 Ｌ 光源からの光 Ｌ’ 原稿からの反射光

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に形成された光電変換素子
   と、該光電変換素子と同一基板上に形成された薄膜トラ
   ンジスタを有する画像読取装置において、 前記光電変換素子のセンサ部を除いて、少なくとも前記
   薄膜トランジスタの上部に、絶縁性の遮光層を形成した
   ことを特徴とする画像読取装置。
2. 【請求項２】 前記遮光層が、遮光性を有する絶縁性樹
   脂を印刷したものであることを特徴とする請求項１に記
   載の画像読取装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の画像読取装置の製造方
   法において、 少なくとも前記薄膜トランジスタ上部に透明有機樹脂層
   を形成し、その表面に、印刷により前記絶縁性の遮光層
   を形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。