JP2959854B2 - 画像読取装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 139
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に関し、
特に原稿の幅方向に対応させた一次元ラインセンサを有
し、その一次元ラインセンサ上に対して密着させた状態
で画像読み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像
情報を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写装置等に好適に用いられる画像読取装置に
関する。
特に原稿の幅方向に対応させた一次元ラインセンサを有
し、その一次元ラインセンサ上に対して密着させた状態
で画像読み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像
情報を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写装置等に好適に用いられる画像読取装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ファクシミリ、イメージリーダ等
の小型化、高性能化のために、光電変換装置として、等
倍光学系をもつ長尺ラインセンサの開発が行われてい
る。さらに、小型化、低コスト化のため等倍ファイバー
レンズアレイを用いずに、薄板ガラス等の透明スぺーサ
を介して原稿からの反射光をセンサで直接検知する画像
読取装置が開発されている。
の小型化、高性能化のために、光電変換装置として、等
倍光学系をもつ長尺ラインセンサの開発が行われてい
る。さらに、小型化、低コスト化のため等倍ファイバー
レンズアレイを用いずに、薄板ガラス等の透明スぺーサ
を介して原稿からの反射光をセンサで直接検知する画像
読取装置が開発されている。
【0003】図7および図8は、日経エレクトロニクス
1987.11.16(No.434)207〜221
頁あるいは特開昭63−226064号公報等において
本出願人らが提案した上述の画像読取装置の模式図であ
る。
1987.11.16(No.434)207〜221
頁あるいは特開昭63−226064号公報等において
本出願人らが提案した上述の画像読取装置の模式図であ
る。
【0004】図7は、従来の画像読取装置の光電変換素
子アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、図
8は、光電変換素子アレイの原稿側から見た模式的平面
図である。なお、図7は図8のA−A′断面図を示して
いる。
子アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、図
8は、光電変換素子アレイの原稿側から見た模式的平面
図である。なお、図7は図8のA−A′断面図を示して
いる。
【0005】従来の画像読取装置では、a−Si:H
(非晶質水素化シリコン)を用いて光電変換素子部1、
蓄積コンデンサ部2、TFT(薄膜トランジスタ)部
3、マトリクス信号配線部5およびゲート駆動配線部6
等を透光性絶縁基板10上に簡便なプロセスにより一体
的に形成している。透光性絶縁基板10上には、Crか
らなる第1の導電体層24、SiN等からなる絶縁層2
5、a−Si:Hからなる光導電性半導体層26、n+
a−Si:Hからなるオーミックコンタクト層27、A
lからなる第2の導電体層28が形成されている。
(非晶質水素化シリコン)を用いて光電変換素子部1、
蓄積コンデンサ部2、TFT(薄膜トランジスタ)部
3、マトリクス信号配線部5およびゲート駆動配線部6
等を透光性絶縁基板10上に簡便なプロセスにより一体
的に形成している。透光性絶縁基板10上には、Crか
らなる第1の導電体層24、SiN等からなる絶縁層2
5、a−Si:Hからなる光導電性半導体層26、n+
a−Si:Hからなるオーミックコンタクト層27、A
lからなる第2の導電体層28が形成されている。
【0006】さらに、第2の導電体層28上には、主と
して光電変換素子部1およびTFT部3の半導体層26
表面の保護安定化をはかるために窒化シリコン膜あるい
は、酸化シリコン膜等の無機薄膜材料からなるパッシベ
ーション層11及び、不純物イオン等の含有量の極めて
少ないポリイミド等の有機材料からなる衝撃緩和層1
2、さらにその上には原稿搬送ローラTによって搬送さ
れる原稿Pとの摩擦から光電変換素子等を保護するため
に薄板ガラス等からなる耐摩耗層8が接着層9およびI
TOなどの透光性導電体からなる静電シールド層15を
介して形成されている。
して光電変換素子部1およびTFT部3の半導体層26
表面の保護安定化をはかるために窒化シリコン膜あるい
は、酸化シリコン膜等の無機薄膜材料からなるパッシベ
ーション層11及び、不純物イオン等の含有量の極めて
少ないポリイミド等の有機材料からなる衝撃緩和層1
2、さらにその上には原稿搬送ローラTによって搬送さ
れる原稿Pとの摩擦から光電変換素子等を保護するため
に薄板ガラス等からなる耐摩耗層8が接着層9およびI
TOなどの透光性導電体からなる静電シールド層15を
介して形成されている。
【0007】なお、衝撃緩和層12上の耐摩耗層8の端
部近傍には、硬化前の接着剤がボンデングパット部17
へ流れ込むことを防止するために流れ止め16を設けて
いる。
部近傍には、硬化前の接着剤がボンデングパット部17
へ流れ込むことを防止するために流れ止め16を設けて
いる。
【0008】図9、図10、図11は、従来の画像読取
装置の静電シールド層を、いわゆるグランド電極に接続
する状態を示す模式的斜視図及び断面図を示す。
装置の静電シールド層を、いわゆるグランド電極に接続
する状態を示す模式的斜視図及び断面図を示す。
【0009】図9は導電性ゴムを用いたグランド電極と
の接続状態を示す模式的斜視図である。図10は、図9
中のA−A′断面図である。
の接続状態を示す模式的斜視図である。図10は、図9
中のA−A′断面図である。
【0010】図9、図10に示すように、薄板ガラス等
からなる耐摩耗層8の下面にITO等からなる静電シー
ルド層15が形成され、耐摩耗層8の端部より耐摩耗層
上面に回り込む、耐摩耗層上面の静電シールド層回り込
み部14と導電性ゴム19がステンレス板20等の金属
にて機械的に押圧され、電気的に接続される。また、こ
のステンレス板20は図9に示すように画像読み取り装
置の筐体21にネジ29により固定される。更に、ステ
ンレス板20はファクシミリ等の装置に組み込まれる際
に装置のグランド電極と機械的に接続される。
からなる耐摩耗層8の下面にITO等からなる静電シー
ルド層15が形成され、耐摩耗層8の端部より耐摩耗層
上面に回り込む、耐摩耗層上面の静電シールド層回り込
み部14と導電性ゴム19がステンレス板20等の金属
にて機械的に押圧され、電気的に接続される。また、こ
のステンレス板20は図9に示すように画像読み取り装
置の筐体21にネジ29により固定される。更に、ステ
ンレス板20はファクシミリ等の装置に組み込まれる際
に装置のグランド電極と機械的に接続される。
【0011】図11は、導電樹脂を用いたグランド電極
との接続状態を示す模式的斜視図である。
との接続状態を示す模式的斜視図である。
【0012】図11に示すように、耐摩耗層8上面の静
電シールド層回り込み部14と画像読取装置の筐体21
とをデスペンサーにより導電樹脂49をポッテングする
ことで、グランド電極との電気的接続を行う。
電シールド層回り込み部14と画像読取装置の筐体21
とをデスペンサーにより導電樹脂49をポッテングする
ことで、グランド電極との電気的接続を行う。
【0013】このように形成した従来の画像読取装置で
は、光源Sを透光性基板10上の原稿P配置側とは反対
の面側に配置している。そして光源Sから出射した照明
光Lは透光性基板10を透過して原稿Pを照明し、その
反射光L′を光電変換素子部1に受容している。光電変
換素子部1に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積
コンデンサ部2に電荷として蓄えられた後、TFT部3
のスイッチ動作によりマトリクス信号配線部5に転送さ
れ、原稿Pとの摩擦から生じる静電気の影響を受けず、
外部へ読み出される。
は、光源Sを透光性基板10上の原稿P配置側とは反対
の面側に配置している。そして光源Sから出射した照明
光Lは透光性基板10を透過して原稿Pを照明し、その
反射光L′を光電変換素子部1に受容している。光電変
換素子部1に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積
コンデンサ部2に電荷として蓄えられた後、TFT部3
のスイッチ動作によりマトリクス信号配線部5に転送さ
れ、原稿Pとの摩擦から生じる静電気の影響を受けず、
外部へ読み出される。
【0014】図12〜図14は、特開平1−12857
8号公報に開示される従来の画像読取装置の製造方法を
示す工程図であり、特に光電変換素子上への耐摩耗層の
貼り合わせ方法を示す。
8号公報に開示される従来の画像読取装置の製造方法を
示す工程図であり、特に光電変換素子上への耐摩耗層の
貼り合わせ方法を示す。
【0015】まず、図12に示すように、大判のガラス
基板60上に光電変換素子部1およびTFT部3等を主
走査方向(図中のX方向)に1728ビット配列した光
電変換アレイを副走査方向(図中のY方向)に複数アレ
イ形成し、その上にはポリイミド樹脂からなる衝撃緩和
層12を形成する。次に、図13に示すように、不図示
の外部回路と電気的接続をするためのボンディングパッ
ドを設けたボンディングパッド部17以外の基板上にエ
ポキシ樹脂からなる接着剤9を塗布し、下面に透光性静
電シールド層が形成された薄板ガラスからなる耐摩耗層
8をその上に載せる。そして、図14に示すように、ボ
ンディングパッド部17側の薄板ガラスの端部から走査
方向に加圧ローラーRを用いて、加圧移動させ、薄板ガ
ラスからなる耐摩耗層8を光電変換素子上に貼り合わせ
る。なお、衝撃緩和層12上の耐摩耗層8の端部近傍に
は、硬化前の接着剤がボンデングパット部17へ流れ込
むことを防止するために流れ止め16を設けている。
基板60上に光電変換素子部1およびTFT部3等を主
走査方向(図中のX方向)に1728ビット配列した光
電変換アレイを副走査方向(図中のY方向)に複数アレ
イ形成し、その上にはポリイミド樹脂からなる衝撃緩和
層12を形成する。次に、図13に示すように、不図示
の外部回路と電気的接続をするためのボンディングパッ
ドを設けたボンディングパッド部17以外の基板上にエ
ポキシ樹脂からなる接着剤9を塗布し、下面に透光性静
電シールド層が形成された薄板ガラスからなる耐摩耗層
8をその上に載せる。そして、図14に示すように、ボ
ンディングパッド部17側の薄板ガラスの端部から走査
方向に加圧ローラーRを用いて、加圧移動させ、薄板ガ
ラスからなる耐摩耗層8を光電変換素子上に貼り合わせ
る。なお、衝撃緩和層12上の耐摩耗層8の端部近傍に
は、硬化前の接着剤がボンデングパット部17へ流れ込
むことを防止するために流れ止め16を設けている。
【0016】さらに、接着層9を硬化させた後、分割ラ
イン69に沿ってスライスし、光電変換アレイを形成す
る。
イン69に沿ってスライスし、光電変換アレイを形成す
る。
【0017】
【発明が解決しようとしている課題】しかし上述したよ
うな、静電シールド層を一定電位に保持するための電極
間接続方法として、導電樹脂や導電性ゴム等を用いる方
法においては、次のような欠点があった。
うな、静電シールド層を一定電位に保持するための電極
間接続方法として、導電樹脂や導電性ゴム等を用いる方
法においては、次のような欠点があった。
【0018】まず、図9及び図10に示した導電性ゴム
を用いる接続方法では、 導電性ゴム等の接続材料や接続保持部材が、原稿走
行面より突出することとなり、原稿走行の大きな障害に
なる。また構成部材が増えるためコストアップ要因とな
る。
を用いる接続方法では、 導電性ゴム等の接続材料や接続保持部材が、原稿走
行面より突出することとなり、原稿走行の大きな障害に
なる。また構成部材が増えるためコストアップ要因とな
る。
【0019】 静電シールド層回り込み部14を広く
とる必要があり、またステンレス板20を設け、且つネ
ジ等で固定するため、製品外形が大型化してしまう。
とる必要があり、またステンレス板20を設け、且つネ
ジ等で固定するため、製品外形が大型化してしまう。
【0020】また、図11に示した導電樹脂を用いる接
続方法では、 筐体に、導電樹脂をポッテングして接続するための
領域が必要となって筐体が大きくなり、製品外形が大型
化してしまう。
続方法では、 筐体に、導電樹脂をポッテングして接続するための
領域が必要となって筐体が大きくなり、製品外形が大型
化してしまう。
【0021】 導電樹脂と筐体との熱膨張係数の差等
から電気的接続の信頼性が問題となる。
から電気的接続の信頼性が問題となる。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明の画像読取装置
は、透光性基体上に複数の光電変換手段と、該複数の光
電変換手段上に設けられた複数層からなる透光性保護層
とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向させて前記透
光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原稿配置側の
面とは反対の面側に配置した光源から光を出射し前記原
稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に受容する画
像読取装置であって、前記透光性保護層の原稿側の面上
に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有する不透光性
導電層を介して形成された画像読取装置において、前記
透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層が、前記耐
摩耗層端部より前記耐摩耗層上面に回り込んでおり、透
光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り込み部
と前記透光性基体上の配線とを、前記透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続することを
特徴とする。
は、透光性基体上に複数の光電変換手段と、該複数の光
電変換手段上に設けられた複数層からなる透光性保護層
とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向させて前記透
光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原稿配置側の
面とは反対の面側に配置した光源から光を出射し前記原
稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に受容する画
像読取装置であって、前記透光性保護層の原稿側の面上
に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有する不透光性
導電層を介して形成された画像読取装置において、前記
透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層が、前記耐
摩耗層端部より前記耐摩耗層上面に回り込んでおり、透
光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り込み部
と前記透光性基体上の配線とを、前記透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続することを
特徴とする。
【0023】
【作用】本発明は、透光性導電層又は窓を有する不透光
性導電層を、耐摩耗層端部より該耐摩耗層上面に回り込
ませ、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回
り込み部と透光性基体上の配線とを、透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続すること
で、電気接続のための特別な電極領域及び構成部材を必
要をせず、導電性ゴム等の接続材料が原稿走行面より大
きく突出することがなくなるので、製品の小型化、製造
プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を持つ信頼性の高
い画像読取装置を提供することができる。
性導電層を、耐摩耗層端部より該耐摩耗層上面に回り込
ませ、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回
り込み部と透光性基体上の配線とを、透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続すること
で、電気接続のための特別な電極領域及び構成部材を必
要をせず、導電性ゴム等の接続材料が原稿走行面より大
きく突出することがなくなるので、製品の小型化、製造
プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を持つ信頼性の高
い画像読取装置を提供することができる。
【0024】
【実施例】以下、図面を用いて、本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【0025】図1、図2及び図3は、それぞれ本発明の
画像変換装置の一実施例を説明するための主走査方向断
面図、平面図及び副走査方向断面図である。なお、図1
及び図3は、それぞれ図2のA−A′断面図及びC−
C′断面図を示す。
画像変換装置の一実施例を説明するための主走査方向断
面図、平面図及び副走査方向断面図である。なお、図1
及び図3は、それぞれ図2のA−A′断面図及びC−
C′断面図を示す。
【0026】本実施例では、半導体層としてa−Si:
Hを用いて、光電変換素子部1、蓄積コンデンサ部2、
TFT部3、マトリクス信号配線部5およびゲート駆動
配線部6(かかる構成で光電変換手段を構成する)等が
透光性基体たる透光性絶縁基板10上に同一プロセスに
より一体的に形成されている。
Hを用いて、光電変換素子部1、蓄積コンデンサ部2、
TFT部3、マトリクス信号配線部5およびゲート駆動
配線部6(かかる構成で光電変換手段を構成する)等が
透光性基体たる透光性絶縁基板10上に同一プロセスに
より一体的に形成されている。
【0027】透光性絶縁基板10上には、Crの第1の
導電体層24、SiNの第1の絶縁層25、a−Si:
Hの光導電性半導体層26、n+ a−Si:Hのオーミ
ックコンタクト層27、Alの第2の導電体層28が形
成されている。
導電体層24、SiNの第1の絶縁層25、a−Si:
Hの光導電性半導体層26、n+ a−Si:Hのオーミ
ックコンタクト層27、Alの第2の導電体層28が形
成されている。
【0028】光電変換素子部1において、30および3
1は上層電極配線である。原稿Pで反射された信号光
L′はa−Si:Hからなる光導電性半導体層26の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線30,
31間に流れる電流を変化させる。なお、32は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極30
(ソース電極あるいはドレイン電極)および31(ドレ
イン電極あるいはソース電極)に対向する制御電極(ゲ
ート電極)となるようにしてもよい。
1は上層電極配線である。原稿Pで反射された信号光
L′はa−Si:Hからなる光導電性半導体層26の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線30,
31間に流れる電流を変化させる。なお、32は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極30
(ソース電極あるいはドレイン電極)および31(ドレ
イン電極あるいはソース電極)に対向する制御電極(ゲ
ート電極)となるようにしてもよい。
【0029】蓄積コンデンサ部2は、下層電極配線33
と、この下層電極配線33上に形成された第1の絶縁層
25と光導電性半導体26と、光導電性半導体26上に
形成され光電変換部1の上層電極配線31に連続した配
線とから構成される。この蓄積コンデンサ部2の構造は
いわゆるMISコンデンサの構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
33を常に負にバイアスする状態で用いることにより、
安定な容量と周波数特性を得ることができる。
と、この下層電極配線33上に形成された第1の絶縁層
25と光導電性半導体26と、光導電性半導体26上に
形成され光電変換部1の上層電極配線31に連続した配
線とから構成される。この蓄積コンデンサ部2の構造は
いわゆるMISコンデンサの構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
33を常に負にバイアスする状態で用いることにより、
安定な容量と周波数特性を得ることができる。
【0030】TFT部3は、ゲート電極たる下層電極配
線34と、ゲート絶縁層をなす第2の絶縁層25と、半
導体層26と、ソース電極たる上層電極配線35と、ド
レイン電極たる上層電極配線36等とから構成される。
線34と、ゲート絶縁層をなす第2の絶縁層25と、半
導体層26と、ソース電極たる上層電極配線35と、ド
レイン電極たる上層電極配線36等とから構成される。
【0031】マトリクス信号配線部5においては、透光
性絶縁基板10上に第1の導電層からなる個別信号配線
22、個別信号配線を被う絶縁層25、半導体層26、
そして個別信号配線と交差して第2の導電層からなる共
通信号配線37が順次積層されている。38は、個別信
号配線22と共通信号配線37とオーミックコンタクト
をとるためのコンタクトホール、39は共通信号配線間
に設けられた線間シールド配線である。
性絶縁基板10上に第1の導電層からなる個別信号配線
22、個別信号配線を被う絶縁層25、半導体層26、
そして個別信号配線と交差して第2の導電層からなる共
通信号配線37が順次積層されている。38は、個別信
号配線22と共通信号配線37とオーミックコンタクト
をとるためのコンタクトホール、39は共通信号配線間
に設けられた線間シールド配線である。
【0032】TFT駆動用ゲート線の配線部6において
は、透光性絶縁基板10上に第1の導電層24からなる
個別ゲート配線40、個別ゲート配線を被う絶縁層2
5、半導体層26、オーミックコンタクト層27、そし
て個別ゲート配線40と交差して、第2の導電層28か
らなる共通ゲート配線41が順次積層されている。42
は個別ゲート配線40と共通ゲート配線41とのオーミ
ックコンタクトを取るためのコンタクトホールである。
18は、グランド電極接続用Alパッドである。以上の
ように本実施例の画像読取装置は、光電変換素子部、蓄
積コンデンサ部、TFT部、マトリクス信号配線部およ
びゲート駆動配線部のすべてが光導電性半導体層および
絶縁層、導電体層等の積層構造を有するので、各部を同
一プロセスにより同時形成されている。
は、透光性絶縁基板10上に第1の導電層24からなる
個別ゲート配線40、個別ゲート配線を被う絶縁層2
5、半導体層26、オーミックコンタクト層27、そし
て個別ゲート配線40と交差して、第2の導電層28か
らなる共通ゲート配線41が順次積層されている。42
は個別ゲート配線40と共通ゲート配線41とのオーミ
ックコンタクトを取るためのコンタクトホールである。
18は、グランド電極接続用Alパッドである。以上の
ように本実施例の画像読取装置は、光電変換素子部、蓄
積コンデンサ部、TFT部、マトリクス信号配線部およ
びゲート駆動配線部のすべてが光導電性半導体層および
絶縁層、導電体層等の積層構造を有するので、各部を同
一プロセスにより同時形成されている。
【0033】更に、第2の導電層28上には、主として
光電変換素子部1およびTFT部3の半導体層表面の保
護安定化のためにSiNの無機薄膜からなるパッシベー
ション層11、またパッシベーション層11上にはポリ
イミド樹脂からなる衝撃緩和層12が形成され、グラン
ド電極接続用パッド18上のパッシベーション層11及
び衝撃緩和層12は開口する。さらにその上には原稿P
との摩擦から光電変換素子等を保護するために薄板ガラ
ス等からなる耐摩擦層8が接着層9を介して接着されて
いる。
光電変換素子部1およびTFT部3の半導体層表面の保
護安定化のためにSiNの無機薄膜からなるパッシベー
ション層11、またパッシベーション層11上にはポリ
イミド樹脂からなる衝撃緩和層12が形成され、グラン
ド電極接続用パッド18上のパッシベーション層11及
び衝撃緩和層12は開口する。さらにその上には原稿P
との摩擦から光電変換素子等を保護するために薄板ガラ
ス等からなる耐摩擦層8が接着層9を介して接着されて
いる。
【0034】なおパッシベーション層11と耐摩耗層8
との間には、ITO等の透光性導電層(又は窓を有する
不透光性導電層であってもよい)からなる静電シールド
層15が形成され、耐摩耗層8端部より、耐摩耗層上面
に静電シールド層が回り込んで、耐摩耗層上面の静電シ
ールド層回り込み部14を構成している。この静電シー
ルド層回り込み部14と透光性絶縁基板10上に設けた
グランド電極接続用パッド18とは、導電樹脂58及び
導電材料からなる流れ止め(導電材料とする)16によ
り電気的に接続され、更にグランド電極接続用パッド1
8は、透光性絶縁基板10上の配線を通しボンデングパ
ッドを設けたボンデングパッド部(接続電極部)17に
至る。そしてボンデングワイヤー等により不図示の電気
回路基板上のグランド電極と接続される。この構造によ
り静電シールド層15の電位を一定に保っており、原稿
Pと耐摩耗層8との摩擦により発生する静電気が光電変
換素子等に悪影響を及ばさないように配置されている。
なお、パッシベーション層11、衝撃緩和層12、接着
層9は透光性保護層を構成する。
との間には、ITO等の透光性導電層(又は窓を有する
不透光性導電層であってもよい)からなる静電シールド
層15が形成され、耐摩耗層8端部より、耐摩耗層上面
に静電シールド層が回り込んで、耐摩耗層上面の静電シ
ールド層回り込み部14を構成している。この静電シー
ルド層回り込み部14と透光性絶縁基板10上に設けた
グランド電極接続用パッド18とは、導電樹脂58及び
導電材料からなる流れ止め(導電材料とする)16によ
り電気的に接続され、更にグランド電極接続用パッド1
8は、透光性絶縁基板10上の配線を通しボンデングパ
ッドを設けたボンデングパッド部(接続電極部)17に
至る。そしてボンデングワイヤー等により不図示の電気
回路基板上のグランド電極と接続される。この構造によ
り静電シールド層15の電位を一定に保っており、原稿
Pと耐摩耗層8との摩擦により発生する静電気が光電変
換素子等に悪影響を及ばさないように配置されている。
なお、パッシベーション層11、衝撃緩和層12、接着
層9は透光性保護層を構成する。
【0035】次に、具体的に本発明の画像読取装置の製
造方法等を説明する。
造方法等を説明する。
【0036】まず、ガラス等の大型の透光性絶縁基板上
にCrを厚さ1000Åスパッタ法で堆積し、その後所
望の形状にパターニングして第1の導電体層24を形成
する。その後、SiNの第1の絶縁層25、a−Si:
Hの半導体層26、n+ a−Si:Hのオーミックコン
タクト層27をプラズマCVD法によって連続的に堆積
させる。
にCrを厚さ1000Åスパッタ法で堆積し、その後所
望の形状にパターニングして第1の導電体層24を形成
する。その後、SiNの第1の絶縁層25、a−Si:
Hの半導体層26、n+ a−Si:Hのオーミックコン
タクト層27をプラズマCVD法によって連続的に堆積
させる。
【0037】然る後に、ソース、ドレイン電極となる導
電材料であるAlを5000Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第2の導電
体層28を形成する。その後、不要なオーミックコンタ
クト層をエッチングで除去し、光電変換素子部1及びT
FT部3のチャネルを形成する。オーミックコンタクト
層の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによっ
て行う。
電材料であるAlを5000Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第2の導電
体層28を形成する。その後、不要なオーミックコンタ
クト層をエッチングで除去し、光電変換素子部1及びT
FT部3のチャネルを形成する。オーミックコンタクト
層の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによっ
て行う。
【0038】その後、光電変換素子間の半導体層をエッ
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。さらにそ
の後、パッシベーション層11としてSiN層をプラズ
マCVD法によって光電変換素子が形成された大型の基
板の全面に厚さ6000Å程度堆積する。その後、ボン
デングパッド部17及び、グランド電極接続用パッド部
18等の電気的接続が必要とされる箇所は、エッチング
によりパッシベーション層を除去する。
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。さらにそ
の後、パッシベーション層11としてSiN層をプラズ
マCVD法によって光電変換素子が形成された大型の基
板の全面に厚さ6000Å程度堆積する。その後、ボン
デングパッド部17及び、グランド電極接続用パッド部
18等の電気的接続が必要とされる箇所は、エッチング
によりパッシベーション層を除去する。
【0039】続いて、SiNのパッシベーション層11
上にポリイミド樹脂をスピンナーにより厚さ3μm程度
塗布し、加熱硬化させ、衝撃緩和層12を形成する。こ
の際、SiNのパッシベーション層11と同様に電気的
接続を要する部分は、マスキングテープにより衝撃緩和
層12を形成させない。
上にポリイミド樹脂をスピンナーにより厚さ3μm程度
塗布し、加熱硬化させ、衝撃緩和層12を形成する。こ
の際、SiNのパッシベーション層11と同様に電気的
接続を要する部分は、マスキングテープにより衝撃緩和
層12を形成させない。
【0040】さらには、エポキシ樹脂からなる接着剤を
ディスペンサで塗布し、薄板ガラスからなる耐摩耗層8
をその上に載せ、図12〜図14を用いて説明したよう
に加圧接着させ、接着層9を加熱硬化させる。
ディスペンサで塗布し、薄板ガラスからなる耐摩耗層8
をその上に載せ、図12〜図14を用いて説明したよう
に加圧接着させ、接着層9を加熱硬化させる。
【0041】このとき、衝撃緩和層12上の耐摩耗層8
の端部近傍には、硬化前の接着剤9がボンデングパッド
部へ流れ込むことを防止するために、流れ止め16を設
けている。この流れ止め16を導電樹脂で形成し、接着
層9を硬化した後、導電性流れ止め16と耐摩耗層8上
面の静電シールド層回り込み部14を、更に導電樹脂5
8により電気的に接続する。ここで、流れ止め16は、
従来の流れ止め機能に加え、電気接続機能を有す。
の端部近傍には、硬化前の接着剤9がボンデングパッド
部へ流れ込むことを防止するために、流れ止め16を設
けている。この流れ止め16を導電樹脂で形成し、接着
層9を硬化した後、導電性流れ止め16と耐摩耗層8上
面の静電シールド層回り込み部14を、更に導電樹脂5
8により電気的に接続する。ここで、流れ止め16は、
従来の流れ止め機能に加え、電気接続機能を有す。
【0042】そして、光電変換アレイごとにスライサー
により分割する。このようにして本発明の画像読取装置
を作製する。
により分割する。このようにして本発明の画像読取装置
を作製する。
【0043】なお、以上説明した実施例は、静電シール
ド層回り込み部14とグランド電極接続用パッド18と
を電気的に接続する開口部をボンデングパッド部(接続
電極部)17側に設けているが、開口部を設ける位置は
かかる位置に限定されるものではない。
ド層回り込み部14とグランド電極接続用パッド18と
を電気的に接続する開口部をボンデングパッド部(接続
電極部)17側に設けているが、開口部を設ける位置は
かかる位置に限定されるものではない。
【0044】図4及び図5は、本発明の画像変換装置の
他の実施例を説明するための平面図及び副走査方向断面
図である。なお、図5は、図4のC−C′断面図を示
す。図1〜図3と同一構成部材については同一符号を付
して説明を省略する。
他の実施例を説明するための平面図及び副走査方向断面
図である。なお、図5は、図4のC−C′断面図を示
す。図1〜図3と同一構成部材については同一符号を付
して説明を省略する。
【0045】本実施例では静電シールド層回り込み部1
4とグランド電極接続用パッド18とを電気的に接続す
る開口部をボンデングパッド部(接続電極部)17配置
側と反対側に設けている。
4とグランド電極接続用パッド18とを電気的に接続す
る開口部をボンデングパッド部(接続電極部)17配置
側と反対側に設けている。
【0046】図6は、本発明の画像読取装置を用いて構
成したファクシミリ装置の一例を示す。ここで、102
は原稿Pを読み取り位置に向けて給送するための給送ロ
ーラ、104は原稿Pを一枚ずつ確実に分離給送するた
めの分離片である。106は画像読取装置(センサユニ
ット100)に対して読み取り位置に設けられて原稿P
の被読み取り面を規制するとともに原稿Pを搬送するプ
ラテンローラである。Rは図示の例ではロール紙形態を
した記録媒体であり、画像読取装置により読み取られた
画像情報あるいは外部から送信された画像情報が形成さ
れる。110は当該画像形成をおこなうための記録ヘッ
ドで、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種
々のものを用いることができる。また、この記録ヘッド
110は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプの
ものでもよい。112は記録ヘッド110による記録位
置に対して記録媒体Pを搬送するとともにその被記録面
を規制するプラテンローラである。120は、操作入力
を受容するスイッチやメッセージその他、装置の状態を
報知するための表示部等を配したオペレーションパネル
である。130は、システムコントロール基板であり、
各部の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路部、
送受信部等が設けられる。140は、装置の電源であ
る。
成したファクシミリ装置の一例を示す。ここで、102
は原稿Pを読み取り位置に向けて給送するための給送ロ
ーラ、104は原稿Pを一枚ずつ確実に分離給送するた
めの分離片である。106は画像読取装置(センサユニ
ット100)に対して読み取り位置に設けられて原稿P
の被読み取り面を規制するとともに原稿Pを搬送するプ
ラテンローラである。Rは図示の例ではロール紙形態を
した記録媒体であり、画像読取装置により読み取られた
画像情報あるいは外部から送信された画像情報が形成さ
れる。110は当該画像形成をおこなうための記録ヘッ
ドで、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種
々のものを用いることができる。また、この記録ヘッド
110は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプの
ものでもよい。112は記録ヘッド110による記録位
置に対して記録媒体Pを搬送するとともにその被記録面
を規制するプラテンローラである。120は、操作入力
を受容するスイッチやメッセージその他、装置の状態を
報知するための表示部等を配したオペレーションパネル
である。130は、システムコントロール基板であり、
各部の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路部、
送受信部等が設けられる。140は、装置の電源であ
る。
【0047】本発明の画像読取装置をファクシミリ等の
システムの画像入力部として用いることにより、システ
ム側の画像処理が簡易な手段で行なうことができるよう
になり、システム全体としてのコストを大幅に低減する
ことができた。
システムの画像入力部として用いることにより、システ
ム側の画像処理が簡易な手段で行なうことができるよう
になり、システム全体としてのコストを大幅に低減する
ことができた。
【0048】
【発明の効果】以上、詳細に説明をしたように、本発明
の画像読取装置によれば、透光性基体内で配線接続が完
了し、従来のような接続のための電極領域が大幅に縮小
でき、更に原稿走行時障害となる導電性ゴムの接続保持
部材の出っぱり、製造プロセスの複雑化を解決し、製品
の小型化、製造プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を
持つ信頼性の高い画像読取装置を提供することができ
る。
の画像読取装置によれば、透光性基体内で配線接続が完
了し、従来のような接続のための電極領域が大幅に縮小
でき、更に原稿走行時障害となる導電性ゴムの接続保持
部材の出っぱり、製造プロセスの複雑化を解決し、製品
の小型化、製造プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を
持つ信頼性の高い画像読取装置を提供することができ
る。
【図1】本発明の画像変換装置の一実施例を説明するた
めの主走査方向断面図である。
めの主走査方向断面図である。
【図2】本発明の画像変換装置の一実施例を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
【図3】本発明の画像変換装置の一実施例を説明するた
めの副走査方向断面図である。
めの副走査方向断面図である。
【図4】本発明の画像変換装置の他の実施例を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図5】本発明の画像変換装置の他の実施例を説明する
ための副走査方向断面図である
ための副走査方向断面図である
【図6】本発明の画像読取装置を用いて構成したファク
シミリ装置の一例を示す構成図である。
シミリ装置の一例を示す構成図である。
【図7】従来の画像読取装置の光電変換素子アレイの主
走査方向から見た模式的断面図である。
走査方向から見た模式的断面図である。
【図8】従来の画像読取装置の光電変換素子アレイの原
稿側から見た模式的平面図である。
稿側から見た模式的平面図である。
【図9】導電性ゴムを用いたグランド電極との接続状態
を示す模式的斜視図である。
を示す模式的斜視図である。
【図10】図9中のA−A′断面図である。
【図11】導電樹脂を用いたグランド電極との接続状態
を示す模式的斜視図である。
を示す模式的斜視図である。
【図12】特開平1−128578号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
【図13】特開平1−128578号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
【図14】特開平1−128578号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
1 光電変換素子部、 2 蓄積コンデンサ部、 3
TFT部、 5 マトリクス信号配線部、 6 ゲート
駆動配線部、 8 耐摩擦層、 9 接着層、10 透
光性絶縁基板、 11 パッシベーション層、 12
衝撃緩和層、14静電シールド層回り込み部、 15
静電シールド層、 16 流れ止め、 17 ボンデン
グパッド部(接続電極部)、 18 グランド電極接続
用パッド、24 第1の導電体層、 25 第1の絶縁
層、 26 光導電性半導体層、 27 オーミックコ
ンタクト層、 28 第2の導電体層、 30上層電極
配線、 31 上層電極配線、 32 遮光層、 33
下層電極配線、 34 下層電極配線、 35 上層
電極配線、 36 上層電極配線、37共通信号配線、
38 コンタクトホール、 39 線間シールド配
線、 40 個別ゲート配線、 41 共通ゲート配
線、 42 コンタクトホール、58 導電樹脂。
TFT部、 5 マトリクス信号配線部、 6 ゲート
駆動配線部、 8 耐摩擦層、 9 接着層、10 透
光性絶縁基板、 11 パッシベーション層、 12
衝撃緩和層、14静電シールド層回り込み部、 15
静電シールド層、 16 流れ止め、 17 ボンデン
グパッド部(接続電極部)、 18 グランド電極接続
用パッド、24 第1の導電体層、 25 第1の絶縁
層、 26 光導電性半導体層、 27 オーミックコ
ンタクト層、 28 第2の導電体層、 30上層電極
配線、 31 上層電極配線、 32 遮光層、 33
下層電極配線、 34 下層電極配線、 35 上層
電極配線、 36 上層電極配線、37共通信号配線、
38 コンタクトホール、 39 線間シールド配
線、 40 個別ゲート配線、 41 共通ゲート配
線、 42 コンタクトホール、58 導電樹脂。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 27/146 H04N 1/028
Claims (4)
- 【請求項1】 透光性基体上に複数の光電変換手段と、
該複数の光電変換手段上に設けられた複数層からなる透
光性保護層とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向さ
せて前記透光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原
稿配置側の面とは反対の面側に配置した光源から光を出
射し前記原稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に
受容する画像読取装置であって、前記透光性保護層の原
稿側の面上に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有す
る不透光性導電層を介して形成された画像読取装置にお
いて、前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層
が、前記耐摩耗層端部より前記耐摩耗層上面に回り込ん
でおり、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の
回り込み部と前記透光性基体上の配線とを、前記透光性
保護層の少なくとも一層の開口部を介して電気的に接続
することを特徴とする画像読取装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の画像読取装置において、
前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り
込み部と前記透光性基体上の配線とを接続することで前
記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層を一定電
位に保持することを特徴とする画像読取装置。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の画像読取装
置において、前記光電変換手段に接続するための配線を
前記透光性基体以外の配線に接続するための複数個から
なる接続用電極部が、前記複数の光電変換手段の端部近
傍に配置され、該接続用電極部と該光電変換手段の端部
との間に、前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導
電層の回り込み部と前記透光性基体上の配線とを電気的
に接続する前記開口部を設けたことを特徴とする画像読
取装置。 - 【請求項4】 請求項1又は請求項2記載の画像読取装
置において、前記光電変換手段に接続するための配線を
前記透光性基体以外の配線に接続するための複数個から
なる接続用電極部が、前記複数の光電変換手段の一方の
端部近傍に配置され、該複数個からなる接続用電極部を
近傍に有さない前記複数の光電変換手段の他方の端部に
前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り
込み部と前記透光性基体上の配線とを電気的に接続する
前記開口部を設けたことを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3029213A JP2959854B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3029213A JP2959854B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 画像読取装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH04245852A JPH04245852A (ja) | 1992-09-02 |
JP2959854B2 true JP2959854B2 (ja) | 1999-10-06 |
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ID=12269917
Family Applications (1)
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JP3029213A Expired - Fee Related JP2959854B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 画像読取装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2959854B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3029213A patent/JP2959854B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH04245852A (ja) | 1992-09-02 |
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