JPH05129452A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 歩留まりの良い半導体装置の製造方法を得
る。 【構成】 ｐ型シリコン基板１の主表面の第１の絶縁膜
５，６にコンタクトホール７を設け、このウエハの上に
タングステン膜８を形成し、少なくとも第１の絶縁膜上
のタングステン膜８中にＡｓイオン１２を注入し、少な
くとも第１の絶縁膜上のタングステン膜８をエッチング
して除去する。 【効果】 イオン注入によりタングステン膜のグレイン
が打ち砕かれて微細な粒子となるので、タングステン膜
エッチング除去時の残渣の発生が少なくなり、歩留まり
の良い半導体装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置及びその
製造方法に関し、特に多層配線構造を有し、各配線間を
接続するコンタクトホールの改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の多層配線構造のコンタクトホール
の一例として、アルミ配線と不純物拡散層または多結晶
シリコン膜配線等を接続するコンタクトホールを例とし
て説明する。近年、微細化にともないコンタクトホール
の幅は小さく、その深さは深くなり、深さ／幅＝アスペ
クト比とすると、アスペクト比が益々大きくなりコンタ
クトホール内にアルミが入らなくなってきたため、コン
タクトホールを多結晶シリコン膜またはタングステン膜
などで埋め込む方法が採用されて来ている。例えば特開
昭６１−３４０４号公報にはコンタクトホールを開孔
し、多結晶シリコン膜を堆積したのち余分の部分の多結
晶シリコン膜を熱酸化により酸化物に変換した後除去す
ることにより、コンタクトホール内を多結晶シリコン膜
で埋め込む方法が示されている。また、素子分離用とし
てシリコン基板に設けた溝を埋める方法として酸化物と
多結晶シリコン膜を用いたものは特開昭６０−１５４６
３８号公報に示され、タングステン、モリブデンの酸化
物を用いたものは特開昭６０−１５８６４３号公報に示
されている。

【０００３】図９〜図１６は、タングステン（Ｗ）膜を
用いてコンタクトホールを埋め込む方法の従来の半導体
装置の製造方法を製造工程順に示す断面図である。図９
において、１はＰ型シリコン基板、２はＰ型シリコン基
板１の一主面上に形成されたフィールド酸化膜、３はフ
ィールド酸化膜２を貫通してＰ型シリコン基板１上に形
成されたＮ⁺ 不純物拡散層、４はフィールド酸化膜２の
上に形成されたゲート電極または配線となる多結晶シリ
コン膜、５はＣＶＤ法により１〜４から成るウエハ上に
形成されたノンドープ酸化シリコン膜、６はＣＶＤ法に
よりノンドープ酸化シリコン膜５上に形成されたＢＰＳ
Ｇ膜である。そして、ＢＰＳＧ膜６を熱処理することに
よりリフローしたのち、レジスト（図示せず）をマスク
にＢＰＳＧ膜６およびノンドープ酸化シリコン膜５を異
方性ドライエッチングすることによりコンタクトホール
７を形成する。このコンタクトホール７の幅は０．８μ
ｍ、その深さは１μｍ程度である。次に、図１０に示す
ように六フッ化タングステン（ＷＦ６）ガスと水素（Ｈ
２）ガスを用い温度約４５０℃、約１０Ｔｏｒｒ程度の
真空状態でＣＶＤ法によりタングステン膜８を膜厚約１
μｍ堆積する。この時、タングステン膜８は堆積時の温
度により図１０に示すように一部がグレイン（粗粒）化
する。グレインは電子顕微鏡で観察することができ、当
然生成条件によるグレインサイズは約０．５〜１μｍ程
度になる。特に、厚み方向に大きく成長する。しかる
後、図１１に示すように微量の酸素を含んだ六フッ化イ
オウ（ＳＦ６）ガスを用いてタングステン膜８をプラズ
マ異方性ドライエッチングすることにより、コンタクト
ホール７内にタングステン膜８を形成する。この時、前
述のタングステン膜８のグレインにより約０．１〜０．
３μｍ程度の微細なタングステン膜８の残渣９がＢＰＳ
Ｇ膜６上に発生する。次に、図１２に示すようにスパッ
タ法を用いてアルミ配線１０を施し、タングステン膜８
と接続する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成され且つ製造されているので、タングス
テン膜８の残渣９により上層のアルミ配線１０が断線ま
たはショートしやすい。またタングステン膜８の生成条
件によっては図１３に示すようにコンタクトホール７内
を完全に埋め込むことができず、タングステン膜８内に
空洞１１が形成される場合がある。この場合、当然なが
ら異方性ドライエッチングを行うと図１４に示すように
空洞１１が大きくなる。空洞１１はタングステン膜８の
生成温度が高く、生成スピードが速い場合、コンタクト
ホール７がネガティブスロープになった場合などに発生
しやすい。この空洞１１の発生を防ぐためには図１５に
示すように、コンタクトホール形成時にフッ化水素酸溶
液を用いたＷｅｔエッチング＋異方性ドライエッチング
を行うことによりその上部を大きくしたコンタクトホー
ル７Ａを開孔すればよいが、タングステン膜８を異方性
ドライエッチングした際、図１６に示すようにコンタク
トホール７Ａ内に厚さが均一になるように精度よくタン
グステン膜８を残すことができないので配線が難しく、
また当然タングステン膜８の残渣９も発生するので上層
のアルミ配線が断線またはショートしやすく、歩留りが
悪くなる等の問題点があった。

【０００５】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので高融点金属膜の残渣が少なく、また
高融点金属膜をほぼ完全にコンタクトホール内に埋め込
んだ半導体装置およびその製造方法を提供することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、半導体基板の一主面上の第１の絶縁膜
にコンタクトホールを設ける工程と、上記第１の絶縁膜
上及び上記コンタクトホール内に高融点金属膜を生成す
る工程と、少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点
金属膜中に不純物をイオン注入する工程と、少なくとも
上記第１の絶縁膜上の前記高融点金属膜をエッチングし
て除去する工程とを含むものである。

【０００７】また、半導体基板の一主面上の第１の絶縁
膜にコンタクトホールを設ける工程と、上記第１の絶縁
膜上及び上記コンタクトホール内に高融点金属膜を生成
する工程と、上記高融点金属膜上に導電膜を生成する工
程と、上記導電膜をエッチングして除去することによ
り、少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜
を露出させる工程と、上記高融点金属膜中に不純物をイ
オン注入する工程と、少なくとも上記第１の絶縁膜上の
上記高融点金属膜をエッチングして除去する工程とを含
むものである。

【０００８】また、半導体基板の一主面上の第１の絶縁
膜にコンタクトホールを設ける工程と、上記第１の絶縁
膜上及び上記コンタクトホール内に高融点金属膜を生成
する工程と、上記第２の絶縁膜をエッチングして除去す
ることにより、少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高
融点金属膜を露出させる工程と、上記高融点金属膜中に
不純物をイオン注入する工程と、少なくとも上記第１の
絶縁膜上の上記高融点金属膜をエッチングして除去する
工程とを含むものである。

【０００９】また、この発明に係る半導体装置は、半導
体基板の一主面上に形成された第１の絶縁膜と、この第
１の絶縁膜の所定位置に形成されたコンタクトホール
と、このコンタクトホール内に堆積された高融点金属膜
と、この高融点金属膜の上に部分的に形成された導電膜
とを備えたものである。

【００１０】また、半導体基板の一主面上に形成された
第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の所定位置に形成さ
れたコンタクトホールと、このコンタクトホール内に堆
積された高融点金属膜と、この高融点金属膜の上に部分
的に形成された第２の絶縁膜とを備えたものである。

【００１１】

【作用】この発明においては、高融点金属膜をエッチン
グして除去する前に、この高融点金属膜に不純物をイオ
ン注入する。これにより、高融点金属膜がアモロファス
状態になり、高融点金属膜をエッチングして除去する際
の高融点金属膜の残渣を少なくすることができる。

【００１２】また、高融点金属膜をエッチング除去する
前に、高融点金属膜上に導電膜を生成し、この導電膜を
エッチングして除去し、少なくとも第１の絶縁上の高融
点金属膜を露出した後この高融点金属膜に不純物をイオ
ン注入する。これにより、高融点金属膜がアモロファス
状態となり、高融点金属膜をエッチングして除去する際
の高融点金属膜の残渣を少なくすることができ、また空
洞を生じることなく高融点金属膜をコンタクトホール内
に精度良く埋めることができる。

【００１３】また、高融点金属膜をエッチング除去する
前に、高融点金属膜上に第２の絶縁膜を生成し、この第
２の絶縁膜をエッチングして除去し、少なくとも第１の
絶縁上の高融点金属膜を露出した後この高融点金属膜に
不純物をイオン注入する。これにより、高融点金属膜が
アモロファス状態となり、高融点金属膜をエッチングし
て除去する際の高融点金属膜の残渣を少なくすることが
でき、また空洞を生じることなく高融点金属膜をコンタ
クトホール内に精度良く埋めることができる。

【００１４】また、コンタクトホールの埋め込み層を導
電膜と高融点金属膜の多層膜とする。これにより精度良
く埋め込まれた高融点金属膜を持つコンタクトホールが
得られる。

【００１５】また、コンタクトホールの埋め込み層を第
２の絶縁膜と高融点金属膜の多層膜とする。これにより
精度良く埋め込まれた高融点金属膜を持つコンタクトホ
ールが得られる。

【００１６】

【実施例】以下、この発明の諸実施例を図１〜ず８につ
いて説明する。なお、各図において、図９〜図１６と対
応する部分には同一符号を付して説明する。 実施例１．図１及び図２はこの発明の一実施例を製造工
程順に示す断面図である。図１において、先ず従来と同
様に、半導体基板例えばＰ型シリコン基板１の一主面上
にフィールド酸化膜２、Ｎ⁺ 不純物拡散層３、多結晶シ
リコン膜４、ノンドープ酸化シリコン膜５、このノンド
ープ酸化シリコン膜５と共に第１の絶縁膜を構成するＢ
ＰＳＧ膜６を順次形成し、コンタクトホール７を開孔す
る。次に高融点金属膜例えばタングステン膜８を例えば
約１μｍの厚さで堆積する。しかる後、不純物例えば砒
素（Ａｓ）のイオン１２を例えば５Ｅ１５ｃｍ２、８０
ＫｅＶの条件でイオン注入技術を用いてタングステン膜
８中に注入する。この際、タングステン膜８のグレイン
はＡｓイオン１２に打ち砕かれ極めて小さい粒子状態
（アモロファス状態）になる。次に、図２に示すように
六フッ化イオウガスを用いてタングステン膜８を異方性
ドライエッチングし、コンタクトホール７内にタングス
テン膜８の埋めこみ層を形成する。次にアルミ配線１０
を施し、タングステン膜８と接続する。

【００１７】このように本実施例では、粒子の極めて小
さいアモロファス状態のタングステン膜８をエッチング
するため、タングステン膜８の残渣９が極めて発生しに
くく、アルミ配線１０のパターニングが良くなる。

【００１８】実施例２．図３〜図５はこの発明の他の実
施例を製造工程順に示す断面図である。図３において、
先ず従来と同様に、Ｐ型シリコン基板１の一主面上にフ
ィールド酸化膜２、Ｎ⁺ 不純物拡散層３、多結晶シリコ
ン膜４、ノンドープ酸化シリコン膜５、ＢＰＳＧ膜６を
順次形成する。次に、レジスト（図示せず）をマスクに
ＢＰＳＧ膜６の一部約１／３の膜厚分をフッ化水素酸溶
液でエッチングしたのち、残りの酸化膜を異方性ドライ
エッチングし、コンタクトホール７Ａを開孔する。次に
タングステン膜８を例えば約１μｍの厚さで堆積する。
次に、タングステン膜８上にこれよりエッチングレート
の遅い導電膜例えばリンをドープした多結晶シリコン膜
１３をシランガスを用いて減圧ＣＶＤ法により例えば約
０．６μｍ程度堆積する。次に、図４に示すように多結
晶シリコン膜１３を六フッ化イオウガスを用いて異方性
ドライエッチングし、タングステン膜８を露出させる。
この時、コンタクトホール７Ａの上部には多結晶シリコ
ン膜１３の一部が残る。次に、実施例１と同様にイオン
注入技術を用いてＡｓイオン１２をタングステン膜８中
に注入する。次に、図５に示すように、タングステン膜
８をエッチングし、コンタクトホール７Ａ内をタングス
テン膜８で埋める。この時、コンタクトホール７Ａの上
部には多結晶シリコン膜１３が残る場合がある。次に、
アルミ配線１０を施し、タングステン膜８と接続する。

【００１９】この時、当然コンタクトホール７Ａの垂直
部分すなわち異方性ドライエッチングされた部分の厚み
は、従来（図１３，図１４）の約３／４程度になってい
るため前述のようなタングステン膜８の空洞は発生しに
くい。また、多結晶シリコン膜１３の生成は約６００℃
で行われる。この時、タングステン膜８のグレインは成
長し堆積時より大きくなる。したがって、イオン注入に
よりグレインを砕くことは有効である。また、多結晶シ
リコン膜１３を堆積する変わりに、タングステン膜８を
厚く堆積させた場合は、コンタクトホール７Ａを埋める
ことができるかもしれないが、タングステン膜８のグレ
インは大きくなるし、膜厚の厚い場合はそのグレインを
すべて打ち砕くことは困難である。多結晶シリコン膜１
３の方がタングステン膜８よりグレインが成長しにく
く、また溝中への埋めこみも容易である。したがって、
コンタクトホール７Ａ内の埋めこみはタングステン膜８
のみより、タングステン膜８と多結晶シリコン膜１３の
多層膜を用いる方が良い。

【００２０】このように本実施例では、タングステン膜
８をエッチングして除去する前に、タングステン膜８の
上に多結晶シリコン膜１３を堆積し、この多結晶シリコ
ン膜１３を異方性ドライエッチングして少なくともＢＰ
ＳＧ膜６上のタングステン膜８を露出した後このタング
ステン膜８にＡｓイオン１２を注入するようにしたの
で、タングステン膜８の残渣９を少なくできると共に、
タングステン膜８の空洞の発生を抑えてタングステン膜
８をコンタクトホール７Ａ内に均一な厚みをもつように
精度良く埋めることができる。

【００２１】実施例３．図６〜図８はこの発明の他の実
施例を製造工程順に示す断面図である。図６において、
先ず従来と同様に、Ｐ型シリコン基板１の一主面上にフ
ィールド酸化膜２、Ｎ⁺ 不純物拡散層３、多結晶シリコ
ン膜４、ノンドープ酸化シリコン膜５、ＢＰＳＧ膜６を
順次形成する。次に、レジスト（図示せず）をマスクに
ＢＰＳＧ膜６の一部約１／２の膜厚分をフッ化水素酸溶
液でエッチングしたのち、残りの酸化膜を異方性ドライ
エッチングし、コンタクトホール７Ａを開孔する。次に
タングステン膜８を例えば約１μｍの厚さで堆積する。
次に、シランガスと酸素ガスを用いて減圧ＣＶＤ法によ
りタングステン膜８上にこれよりエッチングレートの遅
い絶縁膜例えば酸化シリコン膜１４を例えば約０．５μ
ｍ堆積する。次に、酸化シリコン膜１４上に液状の酸化
シリコン膜１５を塗布し、コンタクトホール７Ａの上部
の穴を完全に埋める。次に、図７に示すように酸化シリ
コン膜１５および酸化シリコン膜１４を異方性ドライエ
ッチングをする。この異方性ドライエッチングは比較的
オバーに行い、コンタクトホール７Ａの上部に残る酸化
シリコン膜１４はできるだけすくなくする。この異方性
ドライエッチングで酸化シリコン膜１４とタングステン
膜８のエッチングレート比は約５０倍程度あり、オーバ
ーエッチングの場でも十分タングステン膜８が残る。し
かる後、上記実施例と同様にＡｓイオン１２を注入し、
図８に示すようにタングステン膜８をエッチングしてコ
ンタクトホール７Ａ部分のみに残す。この時、酸化シリ
コン膜１４の一部がコンタクトホール７Ａの上部に残る
場合がある。次に、アルミ配線１０を施し、タングステ
ン膜８と接続する。

【００２２】このように本実施例では、タングステン膜
８をエッチングして除去する前に、タングステン膜８の
上に酸化シリコン膜１４及び１５を堆積し、この酸化シ
リコン膜１４及び１５を異方性ドライエッチングして少
なくともＢＰＳＧ膜６上のタングステン膜８を露出した
後このタングステン膜８にＡｓイオン１２を注入するよ
うにしたので、タングステン膜８の残渣９を少なくでき
ると共に、タングステン膜８の空洞の発生を抑えてタン
グステン膜８をコンタクトホール７Ａ内に均一な厚みを
もつように精度良く埋めることができる。

【００２３】実施例４．上記実施例３ではＣＶＤ法によ
る酸化シリコン膜１４堆積後、液状酸化シリコン化膜１
５を生成したが、逆の順序で生成してもよく、また、コ
ンタクトホール７Ａの部分をうめられれば液状の酸化シ
リコン膜１５のみでもよい。従って、第２の絶縁膜とし
てはＣＶＤ法による酸化シリコン膜１４と液状の酸化シ
リコン膜１５で構成してもよいし、液状の酸化シリコン
膜１５のみで構成してもよい。

【００２４】この様なタングステン膜８上に酸化シリコ
ン膜１４を生成する方法は、図８に示すように最終的に
酸化シリコン膜１４が残る。したがって、コンタクトホ
ール７Ａの開孔時、コンタクトホール７Ａの上部の径を
比較的大きくする必要がある。酸化シリコン膜１４を使
用する場合も、上記多結晶シリコン膜１３と同様に穴埋
め効果がある。

【００２５】実施例５．なお上記各実施例では、不純物
のイオン注入としてＡｓのイオン注入を行った場合につ
いて説明したが、他の不純物のイオン注入でもよく、タ
ングステン膜８のグレインを打ち砕くことができればよ
い。また、タングステン膜８のエッチングは等方性ドラ
イエッチングでもよく、また等方性ドライエッチングと
異方性ドライエッチングの組み合わせでもよい。また、
上記各実施例は高融点金属膜としてタングステン膜を用
いてコンタクトホールを埋める場合に付いて説明した
が、その他の高融点金属膜例えばモリブデン膜でもよい
のはいうまでもない。また、タングステン膜下にチタン
などのバリアメタルを形成しても良い。

【００２６】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体基板の一主面上の第１の絶縁膜にコンタクトホールを
設ける工程と、上記第１の絶縁膜上及び上記コンタクト
ホール内に高融点金属膜を生成する工程と、少なくとも
上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜中に不純物をイ
オン注入する工程と、少なくとも上記第１の絶縁膜上の
前記高融点金属膜をエッチングして除去する工程とを含
むので高融点金属膜の残渣が少なくなり、歩留まりのよ
い半導体装置が得られるという効果がある。

【００２７】また、半導体基板の一主面上の第１の絶縁
膜にコンタクトホールを設ける工程と、上記第１の絶縁
膜上及び上記コンタクトホール内に高融点金属膜を生成
する工程と、上記高融点金属膜上に導電膜を生成する工
程と、上記導電膜をエッチングして除去することによ
り、少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜
を露出させる工程と、上記高融点金属膜中に不純物をイ
オン注入する工程と、少なくとも上記第１の絶縁膜上の
上記高融点金属膜をエッチングして除去する工程とを含
むので、高融点金属膜の残渣が少なくなり、また空洞を
生じることなく高融点金属膜をコンタクトホール内に精
度良く埋められるため配線が容易となり、一段と歩留ま
りのよい半導体装置が得られるという効果がある。

【００２８】また、半導体基板の一主面上の第１の絶縁
膜にコンタクトホールを設ける工程と、上記第１の絶縁
膜上及び上記コンタクトホール内に高融点金属膜を生成
する工程と、上記第２の絶縁膜をエッチングして除去す
ることにより、少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高
融点金属膜を露出させる工程と、上記高融点金属膜中に
不純物をイオン注入する工程と、少なくとも上記第１の
絶縁膜上の上記高融点金属膜をエッチングして除去する
工程とを含むので、高融点金属膜の残渣が少なくなり、
また空洞を生じることなく高融点金属膜をコンタクトホ
ール内に精度良く埋められるため配線が容易となり、一
段と歩留まりのよい半導体装置が得られるという効果が
ある。

【００２９】また、半導体基板の一主面上に形成された
第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の所定位置に形成さ
れたコンタクトホールと、このコンタクトホール内に堆
積された高融点金属膜と、この高融点金属膜の上に部分
的に形成された導電膜とを備えたので、歩留まりのよい
半導体装置が得られるという効果がある。

【００３０】また、半導体基板の一主面上に形成された
第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の所定位置に形成さ
れたコンタクトホールと、このコンタクトホール内に堆
積された高融点金属膜と、この高融点金属膜の上に部分
的に形成された第２の絶縁膜とを備えたので、歩留まり
のよい半導体装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を製造工程順に示す断面図
である。

【図２】この発明の一実施例を製造工程順に示す断面図
である。

【図３】この発明の他の一実施例を製造工程順に示す断
面図である。

【図４】この発明の他の一実施例を製造工程順に示す断
面図である。

【図５】この発明の他の一実施例を製造工程順に示す断
面図である。

【図６】この発明の更に他の一実施例を製造工程順に示
す断面図である。

【図７】この発明の更に他の一実施例を製造工程順に示
す断面図である。

【図８】この発明の更に他の一実施例を製造工程順に示
す断面図である。

【図９】従来の半導体装置の製造方法の一例を製造工程
順に示す断面図である。

【図１０】従来の半導体装置の製造方法の一例を製造工
程順に示す断面図である。

【図１１】従来の半導体装置の製造方法の一例を製造工
程順に示す断面図である。

【図１２】従来の半導体装置の製造方法の一例を製造工
程順に示す断面図である。

【図１３】従来の半導体装置の製造方法の他の一例を製
造工程順に示す断面図である。

【図１４】従来の半導体装置の製造方法の他の一例を製
造工程順に示す断面図である。

【図１５】従来の半導体装置の製造方法の他の一例を製
造工程順に示す断面図である。

【図１６】従来の半導体装置の製造方法の他の一例を製
造工程順に示す断面図である。

【符号の説明】

３ ｐ型シリコン基板 ５ ノンドープ酸化シリコン膜 ６ ＢＰＳＧ膜 ７，７Ａ コンタクトホール ８ タングステン膜 １２ Ａｓイオン １３ 多結晶シリコン膜 １４，１５ 酸化シリコン膜

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の一主面上の第１の絶縁膜に
   コンタクトホールを設ける工程と、 上記第１の絶縁膜上及び上記コンタクトホール内に高融
   点金属膜を生成する工程と、 少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜中に
   不純物をイオン注入する工程と、 少なくとも上記第１の絶縁膜上の前記高融点金属膜をエ
   ッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 半導体基板の一主面上の第１の絶縁膜に
   コンタクトホールを設ける工程と、 上記第１の絶縁膜上及び上記コンタクトホール内に高融
   点金属膜を生成する工程と、 上記高融点金属膜上に導電膜を生成する工程と、 上記導電膜をエッチングして除去することにより、少な
   くとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜を露出さ
   せる工程と、 上記高融点金属膜中に不純物をイオン注入する工程と、 少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜をエ
   ッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体基板の一主面上の第１の絶縁膜に
   コンタクトホールを設ける工程と、 上記第１の絶縁膜上及び上記コンタクトホール内に高融
   点金属膜を生成する工程と、 上記第２の絶縁膜をエッチングして除去することによ
   り、少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜
   を露出させる工程と、 上記高融点金属膜中に不純物をイオン注入する工程と、 少なくとも上記第１の絶縁膜上の上記高融点金属膜をエ
   ッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 コンタクトホールは少なくとも一部がテ
   ーパーを持ち、最下面の幅より最上面の幅が大きい請求
   項２又は請求項３記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体基板の一主面上に形成された第１
   の絶縁膜と、 この第１の絶縁膜の所定位置に形成されたコンタクトホ
   ールと、 このコンタクトホール内に堆積された高融点金属膜と、 この高融点金属膜の上に部分的に形成された導電膜とを
   備えたことを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 半導体基板の一主面上に形成された第１
   の絶縁膜と、 この第１の絶縁膜の所定位置に形成されたコンタクトホ
   ールと、 このコンタクトホール内に堆積された高融点金属膜と、 この高融点金属膜の上に部分的に形成された第２の絶縁
   膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】 コンタクトホールは少なくとも一部がテ
   ーパーを持ち、最下面の幅より最上面の幅が大きい請求
   項５又は請求項６記載の半導体装置。