JPH05121802A - 半導体励起固体レーザ - Google Patents
半導体励起固体レーザInfo
- Publication number
- JPH05121802A JPH05121802A JP27754791A JP27754791A JPH05121802A JP H05121802 A JPH05121802 A JP H05121802A JP 27754791 A JP27754791 A JP 27754791A JP 27754791 A JP27754791 A JP 27754791A JP H05121802 A JPH05121802 A JP H05121802A
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- laser
- solid
- state laser
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一の固体レーザ媒質を用いて複数の固体レ
ーザ光を発生することができる半導体励起固体レーザを
得ることを目的とする。 【構成】 半導体レーザ１１，１２からの励起光２を、
薄い平板状の固体レーザ媒質端面３２に直接入射し、平
板マイクロレンズ６１，６２，６３，６４等を用いて固
体レーザ媒質端面３２と部分反射ミラー５との間に複数
の共振器を形成する。
ーザ光を発生することができる半導体励起固体レーザを
得ることを目的とする。 【構成】 半導体レーザ１１，１２からの励起光２を、
薄い平板状の固体レーザ媒質端面３２に直接入射し、平
板マイクロレンズ６１，６２，６３，６４等を用いて固
体レーザ媒質端面３２と部分反射ミラー５との間に複数
の共振器を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザを励起
源として、１つの固体レーザ媒質からの多数のレーザ光
を発生させる半導体励起固体レーザに関するものであ
る。
源として、１つの固体レーザ媒質からの多数のレーザ光
を発生させる半導体励起固体レーザに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、例えば「レーザー研究第１８巻
第８号（１９９０）Ｐ６２２−６２７」に示された小さ
な断面のレーザ媒質に半導体レーザを近接配置する半導
体励起固体レーザの概略構成図を示すものである。図に
おいて、１は励起光を発生する半導体レーザ、２は励起
光、３は固体レーザ媒質で、たとえば長さ５ｍｍ、幅２
ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの矩形断面のＮｄ：ＹＡＧ（Ｙ
3-xＮｄxＡｌ5Ｏ12 ）結晶、４は固体レーザ媒質３から
出力されるレーザ光、３２は固体レーザ媒質３の励起光
入射端面で励起光２に対しては無反射、レーザ光４に対
しては全反射のコーティングが形成されている。３３は
固体レーザ媒質３の端面でレーザ光４に対して無反射の
コーティングが形成されている。５は固体レーザ媒質３
の端面３３に対向して配設された部分反射ミラーであ
る。
第８号（１９９０）Ｐ６２２−６２７」に示された小さ
な断面のレーザ媒質に半導体レーザを近接配置する半導
体励起固体レーザの概略構成図を示すものである。図に
おいて、１は励起光を発生する半導体レーザ、２は励起
光、３は固体レーザ媒質で、たとえば長さ５ｍｍ、幅２
ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの矩形断面のＮｄ：ＹＡＧ（Ｙ
3-xＮｄxＡｌ5Ｏ12 ）結晶、４は固体レーザ媒質３から
出力されるレーザ光、３２は固体レーザ媒質３の励起光
入射端面で励起光２に対しては無反射、レーザ光４に対
しては全反射のコーティングが形成されている。３３は
固体レーザ媒質３の端面でレーザ光４に対して無反射の
コーティングが形成されている。５は固体レーザ媒質３
の端面３３に対向して配設された部分反射ミラーであ
る。
【０００３】次に、動作について説明する。励起光２は
固体レーザ媒質３の励起光入射端面３２から入射する。
固体レーザ媒質３の上下面３１で内部反射を繰り返し、
固体レーザ媒質３内に閉じこめられたまま吸収され、有
効に固体レーザ媒質３を励起する。半導体レーザ活性層
に対して垂直方向に広がる光を上下面３１で反射させる
ことにより、固体レーザ媒質３内の光励起領域は、半導
体レーザ活性層に対して垂直方向、平行方向ともに０．
５ｍｍ程度となる。励起光入射端面３２と部分反射ミラ
ー５とで安定形レーザ共振器が構成され、例えば励起光
入射端面３２が平面、部分反射ミラー５の曲率半径が１
０００ｍｍ、共振器長が１０ｍｍの場合、基本モード
（ガウスモード）の直径が約０．３５ｍｍのレーザ光４
が発振する。
固体レーザ媒質３の励起光入射端面３２から入射する。
固体レーザ媒質３の上下面３１で内部反射を繰り返し、
固体レーザ媒質３内に閉じこめられたまま吸収され、有
効に固体レーザ媒質３を励起する。半導体レーザ活性層
に対して垂直方向に広がる光を上下面３１で反射させる
ことにより、固体レーザ媒質３内の光励起領域は、半導
体レーザ活性層に対して垂直方向、平行方向ともに０．
５ｍｍ程度となる。励起光入射端面３２と部分反射ミラ
ー５とで安定形レーザ共振器が構成され、例えば励起光
入射端面３２が平面、部分反射ミラー５の曲率半径が１
０００ｍｍ、共振器長が１０ｍｍの場合、基本モード
（ガウスモード）の直径が約０．３５ｍｍのレーザ光４
が発振する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体励起固体
レーザにおいては、単一の装置からは単一のレーザ光４
しか得ることができず、複数の独立のレーザ光を得るに
は、複数の装置を用意しなければならないという課題が
あった。
レーザにおいては、単一の装置からは単一のレーザ光４
しか得ることができず、複数の独立のレーザ光を得るに
は、複数の装置を用意しなければならないという課題が
あった。
【０００５】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、単一の装置で複数のレーザ光を
発生することができる半導体励起固体レーザを得ること
を目的とする。
ためになされたもので、単一の装置で複数のレーザ光を
発生することができる半導体励起固体レーザを得ること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体励起固体レーザは、レーザ共振器内に複数のレ
ーザ光を出射させるための複数個のマイクロレンズを配
設したものである。
る半導体励起固体レーザは、レーザ共振器内に複数のレ
ーザ光を出射させるための複数個のマイクロレンズを配
設したものである。
【０００７】この発明の請求項２に係る半導体励起固体
レーザは、レーザ共振器内に、複数のレーザ光を出射さ
せるためのマイクロレンズおよび波長変換を行なう非線
形光学素子をそれぞれ配設したものである。
レーザは、レーザ共振器内に、複数のレーザ光を出射さ
せるためのマイクロレンズおよび波長変換を行なう非線
形光学素子をそれぞれ配設したものである。
【０００８】この発明の請求項３に係る半導体励起固体
レーザは、レーザ共振器内に、複数のレーザ光を出射さ
せるための二次元アレイ状のマイクロレンズを配設した
ものである。
レーザは、レーザ共振器内に、複数のレーザ光を出射さ
せるための二次元アレイ状のマイクロレンズを配設した
ものである。
【０００９】
【作 用】この発明においては、半導体レーザからの励
起光を固体レーザ媒質に入射し、複数のマイクロレンズ
により１つの固体レーザ媒質内にマイクロレンズの数と
同数のレーザ光を形成する。
起光を固体レーザ媒質に入射し、複数のマイクロレンズ
により１つの固体レーザ媒質内にマイクロレンズの数と
同数のレーザ光を形成する。
【００１０】
【実施例】実施例 １ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
（ａ）において、１１，１２は複数の励起光を発生する
半導体レーザで、例えば１ｍｍのピッチでそれぞれ１０
個、９個の発光点が直線上に配置されている。２は励起
光、３は固体レーザ媒質で、たとえば長さ１０ｍｍ、幅
５ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの矩形断面のＮｄ：ＹＡＧ（Ｙ
3-xＮｄxＡｌ5Ｏ12 ）結晶、４１，４２，４３，４４は
固体レーザ媒質３から出力されるレーザ光、３２は固体
レーザ媒質３の一方の端面で、レーザ光４１，４２，４
３，４４に対して全反射のコーティングが形成されてい
る。３３は固体レーザ媒質３の他方の端面でレーザ光４
１，４２，４３，４４に対して無反射のコーティングが
形成されている。３４は固体レーザ媒質３の側面で、励
起光２に対して無反射のコーティングが形成されてい
る。５は部分反射ミラー、６１，６２，６３，６４は固
体レーザ媒質３と部分反射ミラー５との間に介在しレー
ザ光４１，４２，４３，４４の形状を一定にするマイク
ロレンズである。
（ａ）において、１１，１２は複数の励起光を発生する
半導体レーザで、例えば１ｍｍのピッチでそれぞれ１０
個、９個の発光点が直線上に配置されている。２は励起
光、３は固体レーザ媒質で、たとえば長さ１０ｍｍ、幅
５ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの矩形断面のＮｄ：ＹＡＧ（Ｙ
3-xＮｄxＡｌ5Ｏ12 ）結晶、４１，４２，４３，４４は
固体レーザ媒質３から出力されるレーザ光、３２は固体
レーザ媒質３の一方の端面で、レーザ光４１，４２，４
３，４４に対して全反射のコーティングが形成されてい
る。３３は固体レーザ媒質３の他方の端面でレーザ光４
１，４２，４３，４４に対して無反射のコーティングが
形成されている。３４は固体レーザ媒質３の側面で、励
起光２に対して無反射のコーティングが形成されてい
る。５は部分反射ミラー、６１，６２，６３，６４は固
体レーザ媒質３と部分反射ミラー５との間に介在しレー
ザ光４１，４２，４３，４４の形状を一定にするマイク
ロレンズである。
【００１１】次に、動作について説明する。半導体レー
ザ１１，１２から発生した励起光２は、固体レーザ媒質
３の側面３４から入射し、図１（ｂ）に示すように固体
レーザ媒質３の上下面３１で内部反射を繰り返し、固体
レーザ媒質３内に閉じこめられたまま吸収され、有効に
固体レーザ媒質３を励起する。固体レーザ媒質端面３２
と部分反射ミラー５の間で安定型レーザ共振器が構成さ
れるが、マイクロレンズ６１，６２，６３，６４の作用
により実質的に０．５ｍｍ×０．５ｍｍ程度の励起領域
を持つ４つの独立なレーザ共振器が構成される。例え
ば、固体レーザ媒質端面３２、部分反射ミラー５ともに
平面であり、マイクロレンズ６１，６２，６３，６４の
焦点距離が７００ｍｍ、共振器長１５ｍｍの場合、基本
モードのレーザ光直径が約０．３５ｍｍの４つのレーザ
光が発振する。
ザ１１，１２から発生した励起光２は、固体レーザ媒質
３の側面３４から入射し、図１（ｂ）に示すように固体
レーザ媒質３の上下面３１で内部反射を繰り返し、固体
レーザ媒質３内に閉じこめられたまま吸収され、有効に
固体レーザ媒質３を励起する。固体レーザ媒質端面３２
と部分反射ミラー５の間で安定型レーザ共振器が構成さ
れるが、マイクロレンズ６１，６２，６３，６４の作用
により実質的に０．５ｍｍ×０．５ｍｍ程度の励起領域
を持つ４つの独立なレーザ共振器が構成される。例え
ば、固体レーザ媒質端面３２、部分反射ミラー５ともに
平面であり、マイクロレンズ６１，６２，６３，６４の
焦点距離が７００ｍｍ、共振器長１５ｍｍの場合、基本
モードのレーザ光直径が約０．３５ｍｍの４つのレーザ
光が発振する。
【００１２】上記の実施例において、マイクロレンズの
焦点距離はレーザ光ごとに異なる焦点距離を持つマイク
ロレンズを用いることができ、その場合、異なるレーザ
光パラメータを持つレーザ光を発振させることが可能で
ある。
焦点距離はレーザ光ごとに異なる焦点距離を持つマイク
ロレンズを用いることができ、その場合、異なるレーザ
光パラメータを持つレーザ光を発振させることが可能で
ある。
【００１３】上記実施例では半導体レーザ１１，１２の
発光点を１０個もしくは９個とし、マイクロレンズ６
１，６２，６３，６４およびレーザ光４１，４２，４
３，４４の数を４個としたが、必要に応じ発光点、レー
ザ光の数を増減してもよい。
発光点を１０個もしくは９個とし、マイクロレンズ６
１，６２，６３，６４およびレーザ光４１，４２，４
３，４４の数を４個としたが、必要に応じ発光点、レー
ザ光の数を増減してもよい。
【００１４】また、上記実施例では複数個のマイクロレ
ンズ６１，６２，６３，６４を用いたが、一次元の平板
マイクロレンズを用いてもよく、この場合マイクロレン
ズの位置設定が容易になる利点がある。
ンズ６１，６２，６３，６４を用いたが、一次元の平板
マイクロレンズを用いてもよく、この場合マイクロレン
ズの位置設定が容易になる利点がある。
【００１５】さらに、上記実施例ではマイクロレンズ６
１，６２，６３，６４により安定型レーザ共振器を構成
しているが、マイクロレンズを用いずに、部分反射ミラ
ーに局部的に発振させる数の凹面を形成して安定型レー
ザ共振器を構成することも可能であり、上記実施例と同
等の効果を有する。
１，６２，６３，６４により安定型レーザ共振器を構成
しているが、マイクロレンズを用いずに、部分反射ミラ
ーに局部的に発振させる数の凹面を形成して安定型レー
ザ共振器を構成することも可能であり、上記実施例と同
等の効果を有する。
【００１６】実施例２．図２は、半導体レーザ１から４
個の励起光２１，２２，２３，２４を固体レーザ媒質３
の端面３２から入射し、７個の要素を持つ一次元の平板
マイクロレンズ６を用いて７個のレーザ光４１，４２，
４３，４４，４５，４６，４７を発振させる実施例であ
る。この実施例ではレーザ光４１，４３，４５，４７は
それぞれ励起光２１，２２，２３，２４だけで励起され
ており、レーザ光４２，４４，４６はそれぞれ励起光２
１と２２，２２と２３，２３と２４の２つの励起光によ
り励起されている。ここでも半導体レーザ１の発光点の
個数、レーザ光の個数は自由に設定することができる。
個の励起光２１，２２，２３，２４を固体レーザ媒質３
の端面３２から入射し、７個の要素を持つ一次元の平板
マイクロレンズ６を用いて７個のレーザ光４１，４２，
４３，４４，４５，４６，４７を発振させる実施例であ
る。この実施例ではレーザ光４１，４３，４５，４７は
それぞれ励起光２１，２２，２３，２４だけで励起され
ており、レーザ光４２，４４，４６はそれぞれ励起光２
１と２２，２２と２３，２３と２４の２つの励起光によ
り励起されている。ここでも半導体レーザ１の発光点の
個数、レーザ光の個数は自由に設定することができる。
【００１７】実施例３．これまでの実施例では同一の波
長の複数のレーザ光を得る例を示したが、それぞれのレ
ーザ共振器で異なる波長のレーザ光を得ることも可能で
ある。図３９４６ｎｍ、１．０６４μｍ、１．３１９μ
ｍの３種の波長の基本波発振を行い、レーザ共振器内に
設置した３つの波長変換を行なう非線形光学素子７１，
７２，７３により第２高調波を発生して青（４７３ｎ
ｍ）、緑（５３２ｎｍ）、赤（６６０ｎｍ）の３色のレ
ーザ光４１，４２，４３を得る実施例である。非線形光
学素子７１の両端面は９４６ｎｍに対する無反射コーテ
ィング、７２の両端面は１．０６４μｍに対する無反射
コーティング、７３の両端面は１．３１９μｍに対する
無反射コーティングが施されており、それぞれのレーザ
共振器においてそれぞれの波長の基本波が選択的に発振
し、それぞれの波長に対し位相整合がとられた非線形光
学素子７１，７２，７３により４７３ｎｍ、５３２ｎ
ｍ、６６０ｎｍのレーザ光４１，４２，４３に波長変換
され、部分反射ミラー５に施された選択透過性のコーテ
ィングにより効率よくレーザ共振器外部に取り出され
る。
長の複数のレーザ光を得る例を示したが、それぞれのレ
ーザ共振器で異なる波長のレーザ光を得ることも可能で
ある。図３９４６ｎｍ、１．０６４μｍ、１．３１９μ
ｍの３種の波長の基本波発振を行い、レーザ共振器内に
設置した３つの波長変換を行なう非線形光学素子７１，
７２，７３により第２高調波を発生して青（４７３ｎ
ｍ）、緑（５３２ｎｍ）、赤（６６０ｎｍ）の３色のレ
ーザ光４１，４２，４３を得る実施例である。非線形光
学素子７１の両端面は９４６ｎｍに対する無反射コーテ
ィング、７２の両端面は１．０６４μｍに対する無反射
コーティング、７３の両端面は１．３１９μｍに対する
無反射コーティングが施されており、それぞれのレーザ
共振器においてそれぞれの波長の基本波が選択的に発振
し、それぞれの波長に対し位相整合がとられた非線形光
学素子７１，７２，７３により４７３ｎｍ、５３２ｎ
ｍ、６６０ｎｍのレーザ光４１，４２，４３に波長変換
され、部分反射ミラー５に施された選択透過性のコーテ
ィングにより効率よくレーザ共振器外部に取り出され
る。
【００１８】実施例４．これまでの実施例では直線上に
複数個のレーザ光を得る例を示したが、図４に示すよう
に２次元アレイ状の平板マイクロレンズ等を用いて２次
元アレイ状のレーザ光を得ることができる。図４につい
て、１は４つの発光点を持つ半導体レーザ、２１，２
２，２３，２４は半導体レーザ１から発生される４個の
励起光、３は例えば正方形断面を持った直方体形状の固
体レーザ媒質、３２は固体レーザ媒質３の励起光入射端
面で、励起光２１，２２，２３，２４に対し無反射、レ
ーザ光４に対し全反射のコーティングが施されている。
４は本レーザで発生される１６個のレーザ光、５は部分
反射ミラー、６はレーザ光４に対応して１６個のレンズ
成分を持つ平板マイクロレンズ等のマイクロレンズアレ
イで、固体レーザ媒質３の励起光入射端面３２と部分反
射ミラーとともに１６個のレーザ共振器を構成する。
複数個のレーザ光を得る例を示したが、図４に示すよう
に２次元アレイ状の平板マイクロレンズ等を用いて２次
元アレイ状のレーザ光を得ることができる。図４につい
て、１は４つの発光点を持つ半導体レーザ、２１，２
２，２３，２４は半導体レーザ１から発生される４個の
励起光、３は例えば正方形断面を持った直方体形状の固
体レーザ媒質、３２は固体レーザ媒質３の励起光入射端
面で、励起光２１，２２，２３，２４に対し無反射、レ
ーザ光４に対し全反射のコーティングが施されている。
４は本レーザで発生される１６個のレーザ光、５は部分
反射ミラー、６はレーザ光４に対応して１６個のレンズ
成分を持つ平板マイクロレンズ等のマイクロレンズアレ
イで、固体レーザ媒質３の励起光入射端面３２と部分反
射ミラーとともに１６個のレーザ共振器を構成する。
【００１９】半導体レーザは一般に活性層に対して垂直
な方向の開き角が水平方向に比べて大きいため、図４の
ように水平方向に発光点を一列に並べると、それぞれの
発光点が励起する領域は垂直方向に複数個（図では４
個）並ぶレーザ光を十分励起できる範囲となる。したが
って本構成により容易に２次元アレイ状の半導体端面励
起固体レーザを得ることができる。また、非線形光学素
子を用いて共振器内波長変換を行なうことにより、例え
ば２次元アレイ状のグリーンレーザを得ることができ
る。
な方向の開き角が水平方向に比べて大きいため、図４の
ように水平方向に発光点を一列に並べると、それぞれの
発光点が励起する領域は垂直方向に複数個（図では４
個）並ぶレーザ光を十分励起できる範囲となる。したが
って本構成により容易に２次元アレイ状の半導体端面励
起固体レーザを得ることができる。また、非線形光学素
子を用いて共振器内波長変換を行なうことにより、例え
ば２次元アレイ状のグリーンレーザを得ることができ
る。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体励起固
体レーザによれば、半導体レーザからの励起光を固体レ
ーザ媒質に入射し、複数のマイクロレンズにより１つの
固体レーザ媒質内にマイクロレンズの数と同数のレーザ
光を形成したので、単一の固体レーザ媒質を用いてでコ
ンパクトな形状で複数の励起固体レーザを容易に得られ
る効果がある。
体レーザによれば、半導体レーザからの励起光を固体レ
ーザ媒質に入射し、複数のマイクロレンズにより１つの
固体レーザ媒質内にマイクロレンズの数と同数のレーザ
光を形成したので、単一の固体レーザ媒質を用いてでコ
ンパクトな形状で複数の励起固体レーザを容易に得られ
る効果がある。
【００２１】また、二次元アレイ状のマイクロレンズを
用いることにより、二次元アレイ状のレーザ光を得るこ
とができる。
用いることにより、二次元アレイ状のレーザ光を得るこ
とができる。
【図１】（ａ）はこの発明の一実施例による半導体励起
固体レーザを示す平面構成図、（ｂ）は図１（ａ）内の
Ａ点からみた側面図である。
固体レーザを示す平面構成図、（ｂ）は図１（ａ）内の
Ａ点からみた側面図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す平面構成図であ
る。
る。
【図３】この発明の第３の実施例を示す平面構成図であ
る。
る。
【図４】（ａ）はこの発明の第４の実施例を示す平面構
成図、（ｂ）は図４（ａ）の側面図である。
成図、（ｂ）は図４（ａ）の側面図である。
【図５】（ａ）は従来の半導体励起固体レーザの一例を
示す平面図、（ｂ）は図５（ａ）の側面断面図である。
示す平面図、（ｂ）は図５（ａ）の側面断面図である。
１１，１２ 半導体レーザ ２ 励起光 ３ 固体レーザ媒質 ５ 部分反射ミラー ３２ 固体レーザ媒質の端面 ３３ 固体レーザ媒質の端面 ３４ 固体レーザ媒質の側面 ４１，４２，４３，４４ レーザ光 ６１，６２，６３，６４ マイクロレンズ
Claims (3)
- 【請求項１】 励起光を発生する半導体レーザと、前記
励起光を表面での内部反射により内部に閉じ込めるとと
もに励起光により励起される固体レーザ媒質と、この固
体レーザ媒質を介在して対向する一対の反射鏡を有しレ
ーザ光を出射させるレーザ共振器とを備えた半導体励起
固体レーザにおいて、前記レーザ共振器内に複数の前記
レーザ光を出射させるための複数のマイクロレンズが配
設されたことを特徴とする半導体励起固体レーザ。 - 【請求項２】 励起光を発生する半導体レーザと、前記
励起光を表面での内部反射により内部に閉じ込めるとと
もに励起光により励起される固体レーザ媒質と、この固
体レーザ媒質を介在して対向する一対の反射鏡を有しレ
ーザ光を出射させるレーザ共振器とを備えた半導体励起
固体レーザにおいて、前記レーザ共振器内に、複数の前
記レーザ光を出射させるための複数のマイクロレンズお
よび波長変換を行なう非線形光学素子がそれぞれ配設さ
れたことを特徴とする半導体励起固体レーザ。 - 【請求項３】 励起光を発生する半導体レーザと、前記
励起光により励起される固体レーザ媒質と、この固体レ
ーザ媒質を介在して対向する一対の反射鏡を有しレーザ
光を出射させるレーザ共振器とを備えた半導体励起固体
レーザにおいて、前記レーザ共振器内に複数の前記レー
ザ光を出射させるための二次元アレイ状の複数のマイク
ロレンズが配設され、二次元アレイ状の前記レーザ光が
発生することを特徴とする半導体励起固体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27754791A JPH05121802A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 半導体励起固体レーザ |
| US07/965,716 US5351259A (en) | 1991-10-24 | 1992-10-23 | Semiconductor laser-pumped solid-state laser with plural beam output |
| DE4235891A DE4235891A1 (de) | 1991-10-24 | 1992-10-23 | Festkoerper-laser mit halbleiterlaseranregung |
| GB9222447A GB2261318B (en) | 1991-10-24 | 1992-10-26 | Semiconductor laser pumped solid state laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27754791A JPH05121802A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 半導体励起固体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121802A true JPH05121802A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17585061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27754791A Pending JPH05121802A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 半導体励起固体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121802A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073552A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Sony Corp | レーザ光発生装置及び画像生成装置 |
| JPWO2007013608A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2009-02-12 | パナソニック株式会社 | レーザ光源およびディスプレイ装置 |
| US7839908B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-11-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Mode control waveguide laser device |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP27754791A patent/JPH05121802A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7839908B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-11-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Mode control waveguide laser device |
| JPWO2007013608A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2009-02-12 | パナソニック株式会社 | レーザ光源およびディスプレイ装置 |
| JP2007073552A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Sony Corp | レーザ光発生装置及び画像生成装置 |
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