JPH05121360A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPH05121360A JPH05121360A JP9040391A JP9040391A JPH05121360A JP H05121360 A JPH05121360 A JP H05121360A JP 9040391 A JP9040391 A JP 9040391A JP 9040391 A JP9040391 A JP 9040391A JP H05121360 A JPH05121360 A JP H05121360A
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- Japan
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- ring member
- lower electrode
- lower ring
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に較べてクリーニング頻度を低減するこ
とができるとともに、クリーニング時間を短縮をするこ
とができ、装置稼動率を向上させて生産性の向上を図る
ことのできる半導体処理装置を提供する。 【構成】 チャンバ１の底部には、蛇腹機構４の周囲を
囲む如く円筒状に形成された下部リング部材１１が設け
られている。また、下部電極３の周囲から下方に延在し
上記下部リング部材１１の周囲を囲む如く上部リング部
材１２が設けられている。これらの下部リング部材１１
および上部リング部材１２は、絶縁性材料からなり、着
脱自在に構成されている。また、蛇腹機構４と下部リン
グ部材１１との間のチャンバ１の底部には、気体パージ
配管１３が接続されており、不活性ガスをパージするこ
とができるよう構成されている。
とができるとともに、クリーニング時間を短縮をするこ
とができ、装置稼動率を向上させて生産性の向上を図る
ことのできる半導体処理装置を提供する。 【構成】 チャンバ１の底部には、蛇腹機構４の周囲を
囲む如く円筒状に形成された下部リング部材１１が設け
られている。また、下部電極３の周囲から下方に延在し
上記下部リング部材１１の周囲を囲む如く上部リング部
材１２が設けられている。これらの下部リング部材１１
および上部リング部材１２は、絶縁性材料からなり、着
脱自在に構成されている。また、蛇腹機構４と下部リン
グ部材１１との間のチャンバ１の底部には、気体パージ
配管１３が接続されており、不活性ガスをパージするこ
とができるよう構成されている。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体処理装置に関す
る。
る。
【０００３】
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程で
は、チャンバ内に被処理物例えば半導体ウエハを収容
し、このチャンバ内に所定の処理ガスを供給して半導体
ウエハに処理を施す半導体処理装置、例えばドライエッ
チング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等が用いられて
いる。
は、チャンバ内に被処理物例えば半導体ウエハを収容
し、このチャンバ内に所定の処理ガスを供給して半導体
ウエハに処理を施す半導体処理装置、例えばドライエッ
チング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等が用いられて
いる。
【０００４】このような半導体処理装置、例えばドライ
エッチング装置では、チャンバ内に、平行平板電極、例
えば上部電極と下部電極が設けられており、例えばこの
下部電極上に半導体ウエハを載置するよう構成されてい
る。そして、チャンバ内を所定の処理ガス雰囲気とする
とともに、上部電極と下部電極との間に所定の高周波電
力を供給し、プラズマを発生させて半導体ウエハの表面
に形成された薄膜をドライエッチングにより除去する。
エッチング装置では、チャンバ内に、平行平板電極、例
えば上部電極と下部電極が設けられており、例えばこの
下部電極上に半導体ウエハを載置するよう構成されてい
る。そして、チャンバ内を所定の処理ガス雰囲気とする
とともに、上部電極と下部電極との間に所定の高周波電
力を供給し、プラズマを発生させて半導体ウエハの表面
に形成された薄膜をドライエッチングにより除去する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体処理装
置、例えばドライエッチング装置では、プラズマの作用
等により、チャンバ内の各部にデポジションが生じて一
旦堆積物が付着し、この堆積物が剥れて半導体ウエハに
付着して不良発生の原因となるため、頻繁にチャンバ内
をクリーニングする必要がある。特に、可動部、例えば
蛇腹状の可動部等に付着した堆積物は、その動きに応じ
て剥れ易いため、頻繁にクリーニングする必要がある。
しかしながら、このようなクリーニングには多大な労力
と時間とを必要とするため、装置稼動率の低下を招き、
生産性低下の一因となっている。
置、例えばドライエッチング装置では、プラズマの作用
等により、チャンバ内の各部にデポジションが生じて一
旦堆積物が付着し、この堆積物が剥れて半導体ウエハに
付着して不良発生の原因となるため、頻繁にチャンバ内
をクリーニングする必要がある。特に、可動部、例えば
蛇腹状の可動部等に付着した堆積物は、その動きに応じ
て剥れ易いため、頻繁にクリーニングする必要がある。
しかしながら、このようなクリーニングには多大な労力
と時間とを必要とするため、装置稼動率の低下を招き、
生産性低下の一因となっている。
【０００６】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べてクリーニング頻度を低減す
ることができるとともに、クリーニング時間を短縮をす
ることができ、装置稼動率を向上させて生産性の向上を
図ることのできる半導体処理装置を提供しようとするも
のである。
されたもので、従来に較べてクリーニング頻度を低減す
ることができるとともに、クリーニング時間を短縮をす
ることができ、装置稼動率を向上させて生産性の向上を
図ることのできる半導体処理装置を提供しようとするも
のである。
【０００７】［発明の構成］
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体処理装置は、チャンバ内に被処理物を収容し、このチ
ャンバ内に所定の処理ガスを供給して前記被処理物に処
理を施す半導体処理装置において、前記チャンバ内側の
構造物の少なくとも一部の表面に近接して着脱可能な遮
蔽体を設け、この遮蔽体と前記構造物表面との間に不活
性ガスをパージ可能に構成したことを特徴とする。
体処理装置は、チャンバ内に被処理物を収容し、このチ
ャンバ内に所定の処理ガスを供給して前記被処理物に処
理を施す半導体処理装置において、前記チャンバ内側の
構造物の少なくとも一部の表面に近接して着脱可能な遮
蔽体を設け、この遮蔽体と前記構造物表面との間に不活
性ガスをパージ可能に構成したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記構成の本発明の半導体処理装置では、チャ
ンバ内側の構造物、例えば蛇腹状の可動部の表面に近接
して着脱可能な遮蔽体を設け、この遮蔽体と構造物表面
との間に不活性ガスをパージ可能に構成されている。こ
のため、蛇腹状の可動部等に堆積物が付着することを防
止することができ、従来に較べてクリーニング頻度を低
減することができる。また、上記遮蔽体を取り外して交
換したり、取り外してクリーニングを実施したりするこ
とができるので、従来に較べてクリーニング時間を短縮
をすることができる。
ンバ内側の構造物、例えば蛇腹状の可動部の表面に近接
して着脱可能な遮蔽体を設け、この遮蔽体と構造物表面
との間に不活性ガスをパージ可能に構成されている。こ
のため、蛇腹状の可動部等に堆積物が付着することを防
止することができ、従来に較べてクリーニング頻度を低
減することができる。また、上記遮蔽体を取り外して交
換したり、取り外してクリーニングを実施したりするこ
とができるので、従来に較べてクリーニング時間を短縮
をすることができる。
【００１０】したがって、従来に較べて装置稼動率を向
上させて生産性の向上を図ることができる。
上させて生産性の向上を図ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハのドライエッチ
ングを行うドライエッチング装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。
ングを行うドライエッチング装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。
【００１２】図１に示すように、本実施例のドライエッ
チング装置は、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒
状のチャンバ１を備えている。このチャンバ１は、導電
性材料、例えばアルミニウム（表面にアルマイト処理を
施してある）等からその主要部が構成されており、チャ
ンバ１内には、円板状に形成された上部電極２と、下部
電極３が対向する如くほぼ平行に設けられている。
チング装置は、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒
状のチャンバ１を備えている。このチャンバ１は、導電
性材料、例えばアルミニウム（表面にアルマイト処理を
施してある）等からその主要部が構成されており、チャ
ンバ１内には、円板状に形成された上部電極２と、下部
電極３が対向する如くほぼ平行に設けられている。
【００１３】この下部電極３の下部には、伸縮自在に構
成された気密封止機構として例えば蛇腹機構４が設けら
れており、図示しない上下動機構により昇降自在とさ
れ、上部電極２との間隔を変更可能に構成されている。
この下部電極３の上面には、被処理物である半導体ウエ
ハ５が載置される。なお、この下部電極３には、図示し
ない冷却機構、例えば、冷却媒体を循環するための冷媒
循環機構が設けられており、半導体ウエハ５を冷却する
ことができるよう構成されている。
成された気密封止機構として例えば蛇腹機構４が設けら
れており、図示しない上下動機構により昇降自在とさ
れ、上部電極２との間隔を変更可能に構成されている。
この下部電極３の上面には、被処理物である半導体ウエ
ハ５が載置される。なお、この下部電極３には、図示し
ない冷却機構、例えば、冷却媒体を循環するための冷媒
循環機構が設けられており、半導体ウエハ５を冷却する
ことができるよう構成されている。
【００１４】一方、上部電極２は、絶縁性材料、例えば
アルミナ等から円筒状に形成された絶縁性部材６によっ
て、チャンバ１の構成部材と電気的に絶縁された状態で
支持されている。また、この上部電極２には複数の処理
ガス流出孔７が形成されており、処理ガス供給配管８か
ら供給された処理ガス（エッチングガス）を、これらの
処理ガス流出孔７から、下部電極３上に載置された半導
体ウエハ５に向けて流出させ、チャンバ１の下部に接続
された排気配管９から排出するよう構成されている。
アルミナ等から円筒状に形成された絶縁性部材６によっ
て、チャンバ１の構成部材と電気的に絶縁された状態で
支持されている。また、この上部電極２には複数の処理
ガス流出孔７が形成されており、処理ガス供給配管８か
ら供給された処理ガス（エッチングガス）を、これらの
処理ガス流出孔７から、下部電極３上に載置された半導
体ウエハ５に向けて流出させ、チャンバ１の下部に接続
された排気配管９から排出するよう構成されている。
【００１５】また、上記上部電極２および下部電極３に
は、電力供給機構１０が接続されており、上部電極２と
下部電極３との間に所定周波数、例えば13.56MHzの高周
波電力を供給可能に構成されている。
は、電力供給機構１０が接続されており、上部電極２と
下部電極３との間に所定周波数、例えば13.56MHzの高周
波電力を供給可能に構成されている。
【００１６】さらに、本実施例のドライエッチング装置
では、図２にも示すように、チャンバ１の底部には、遮
蔽体として蛇腹機構４の周囲を囲む如く円筒状に形成さ
れた下部リング部材１１が設けられている。また、下部
電極３の周囲から下方に延在し上記下部リング部材１１
の周囲を囲む如く上部リング部材１２が設けられてい
る。これらの下部リング部材１１および上部リング部材
１２は、絶縁性材料例えばセラミックス、テフロン等か
らなり、着脱自在に構成されている。また、蛇腹機構４
と下部リング部材１１との間のチャンバ１の底部には、
気体パージ配管１３が接続されており、図２に矢印で示
すように、蛇腹機構４と下部リング部材１１との間に不
活性ガス例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等のガスをパ
ージすることができるよう構成されている。
では、図２にも示すように、チャンバ１の底部には、遮
蔽体として蛇腹機構４の周囲を囲む如く円筒状に形成さ
れた下部リング部材１１が設けられている。また、下部
電極３の周囲から下方に延在し上記下部リング部材１１
の周囲を囲む如く上部リング部材１２が設けられてい
る。これらの下部リング部材１１および上部リング部材
１２は、絶縁性材料例えばセラミックス、テフロン等か
らなり、着脱自在に構成されている。また、蛇腹機構４
と下部リング部材１１との間のチャンバ１の底部には、
気体パージ配管１３が接続されており、図２に矢印で示
すように、蛇腹機構４と下部リング部材１１との間に不
活性ガス例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等のガスをパ
ージすることができるよう構成されている。
【００１７】また、チャンバ１の側壁部内側を覆う如
く、上記下部リング部材１１および上部リング部材１２
と同様な絶縁性材料によって構成された円筒状部材１４
が、着脱自在に設けられている。
く、上記下部リング部材１１および上部リング部材１２
と同様な絶縁性材料によって構成された円筒状部材１４
が、着脱自在に設けられている。
【００１８】上記構成のこの実施例のドライエッチング
装置では、図示しない上下動機構により、下部電極３を
下降させた状態で図示しない搬入口から半導体ウエハ５
をチャンバ１内に搬入し、下部電極３上に載置する。
装置では、図示しない上下動機構により、下部電極３を
下降させた状態で図示しない搬入口から半導体ウエハ５
をチャンバ１内に搬入し、下部電極３上に載置する。
【００１９】この後、下部電極３を上昇させ、上部電極
２と下部電極３との間隔を所定間隔に設定する。
２と下部電極３との間隔を所定間隔に設定する。
【００２０】しかる後、処理ガス供給配管８から所定の
処理ガス（エッチングガス）を供給し、処理ガス流出孔
７から半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、排
気配管９から排気を実施してチャンバ１内を所定圧力の
処理ガス雰囲気とし、これとともに、電力供給機構１０
から上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、例え
ば13.56MHzの高周波電力を供給する。すると、上部電極
２と下部電極３との間に放電が生じ、処理ガスがプラズ
マ化されて半導体ウエハ５の表面に形成された薄膜のド
ライエッチングが行われる。この時、同時に気体パージ
配管１３から、蛇腹機構４と下部リング部材１１との間
に不活性ガスをパージする。
処理ガス（エッチングガス）を供給し、処理ガス流出孔
７から半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、排
気配管９から排気を実施してチャンバ１内を所定圧力の
処理ガス雰囲気とし、これとともに、電力供給機構１０
から上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、例え
ば13.56MHzの高周波電力を供給する。すると、上部電極
２と下部電極３との間に放電が生じ、処理ガスがプラズ
マ化されて半導体ウエハ５の表面に形成された薄膜のド
ライエッチングが行われる。この時、同時に気体パージ
配管１３から、蛇腹機構４と下部リング部材１１との間
に不活性ガスをパージする。
【００２１】したがって、チャンバ１内では、半導体ウ
エハ５のドライエッチングとともに、デポジションが生
じ、各構造物に堆積物が付着するが、不活性ガスがパー
ジされているため少なくとも蛇腹機構４の部位には堆積
物が付着することを防止することができる。ここで、も
し、この蛇腹機構４に堆積物が付着すると、蛇腹機構４
の伸縮に伴って堆積物が剥離して飛散し易く、このため
頻繁にクリーニングする必要があるが、本実施例では、
蛇腹機構４に対する堆積物の付着を防止することができ
るので、必要なクリーニングの頻度を低減することがで
きる。なお、チャンバ１内壁の露出部分（アルマイト
製）については、例えば粗面状に形成することにより、
堆積物の剥離を起こりにくくすることができる。
エハ５のドライエッチングとともに、デポジションが生
じ、各構造物に堆積物が付着するが、不活性ガスがパー
ジされているため少なくとも蛇腹機構４の部位には堆積
物が付着することを防止することができる。ここで、も
し、この蛇腹機構４に堆積物が付着すると、蛇腹機構４
の伸縮に伴って堆積物が剥離して飛散し易く、このため
頻繁にクリーニングする必要があるが、本実施例では、
蛇腹機構４に対する堆積物の付着を防止することができ
るので、必要なクリーニングの頻度を低減することがで
きる。なお、チャンバ１内壁の露出部分（アルマイト
製）については、例えば粗面状に形成することにより、
堆積物の剥離を起こりにくくすることができる。
【００２２】また、下部リング部材１１、上部リング部
材１２、円筒状部材１４等には堆積物が付着するが、こ
れらはチャンバ１から取り外すことができるため、交換
したり容易に洗浄することができるので、従来に較べて
クリーニング時間を短縮することができる。
材１２、円筒状部材１４等には堆積物が付着するが、こ
れらはチャンバ１から取り外すことができるため、交換
したり容易に洗浄することができるので、従来に較べて
クリーニング時間を短縮することができる。
【００２３】さらに、上部リング部材１２および円筒状
部材１４等の絶縁性部材が下部電極３とチャンバ１壁と
の間に介在するため、異常放電等が生じることを防止す
ることができる。このため、デポジションによる堆積物
の量も低減することができ、また、金属汚染の発生も低
減することができるなお、上記実施例では、本発明を半
導体ウエハ５のドライエッチング装置に適用した実施例
について説明したが、本発明はかかる実施例に限定され
るものではなく、例えばＣＶＤ装置等、チャンバ内にデ
ポジションによる堆積物が生じる半導体処理装置であれ
ば、どのような装置にも適用することができる。
部材１４等の絶縁性部材が下部電極３とチャンバ１壁と
の間に介在するため、異常放電等が生じることを防止す
ることができる。このため、デポジションによる堆積物
の量も低減することができ、また、金属汚染の発生も低
減することができるなお、上記実施例では、本発明を半
導体ウエハ５のドライエッチング装置に適用した実施例
について説明したが、本発明はかかる実施例に限定され
るものではなく、例えばＣＶＤ装置等、チャンバ内にデ
ポジションによる堆積物が生じる半導体処理装置であれ
ば、どのような装置にも適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体処
理装置によれば、従来に較べてクリーニング頻度を低減
することができるとともに、クリーニング時間を短縮を
することができ、装置稼動率を向上させて生産性の向上
を図ることができる。
理装置によれば、従来に較べてクリーニング頻度を低減
することができるとともに、クリーニング時間を短縮を
することができ、装置稼動率を向上させて生産性の向上
を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例のドライエッチング装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】図１のドライエッチング装置の要部構成を示す
図である。
図である。
１ チャンバ ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 蛇腹機構 ５ 半導体ウエハ ６ 絶縁性部材 ７ 処理ガス流出孔 ８ 処理ガス供給配管 ９ 排気配管 １０ 電力供給機構 １１ 下部リング部材 １２ 上部リング部材 １３ 気体パージ配管 １４ 円筒状部材
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバ内に被処理物を収容し、このチ
ャンバ内に所定の処理ガスを供給して前記被処理物に処
理を施す半導体処理装置において、 前記チャンバ内側の構造物の少なくとも一部の表面に近
接して着脱可能な遮蔽体を設け、この遮蔽体と前記構造
物表面との間に不活性ガスをパージ可能に構成したこと
を特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040391A JPH05121360A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040391A JPH05121360A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121360A true JPH05121360A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=13997622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040391A Pending JPH05121360A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544380B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-04-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US7204912B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP9040391A patent/JPH05121360A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544380B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-04-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6991701B2 (en) * | 1994-04-20 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US7204912B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990518 |