JPH1092796A

JPH1092796A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH1092796A
Application number: JP26135396A
Authority: JP
Inventors: Kosuke Imafuku; 光祐今福; Yoshiyuki Kobayashi; 義之小林; Masayuki Nagayama; 将之長山; Shiyousuke Endou; 昇佐遠藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-09-10
Filing date: 1996-09-10
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】電極周辺の消耗部品として耐プラズマ性が高
く、パーティクルも発生し難い材料を用いたプラズマ処
理装置を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内に
て載置台６上に載置された被処理体に対してプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に
設けられた消耗部品２４、４６を、純度９９．９％以上
で、かさ比重が３．９８０以上の多結晶アルミナ質焼結
体により構成する。これにより、プラズマに対する耐久
性を向上し、堆積物に対する密着性を向上させてパーテ
ィクルを剥がれ難くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に
プラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイ
スの製造プロセスにおいては、半導体ウエハに対して、
ＣＶＤ等による成膜やパターンエッチング等を繰り返し
施すことにより、所望の回路素子を形成して行く。ウエ
ハの処理に際しては、最近の高密度、高微細化の傾向に
より、益々プロセス条件も厳しくなっており、特に、歩
留まり低下の大きな原因となっているパーティクルの抑
制に関しては厳しい条件が求められている。半導体ウエ
ハの処理に関しては、一般的には一度に多量のウエハを
処理することができることからバッチ式処理装置が使用
されるが、ウエハサイズが８インチ、或いは１２インチ
へと大口径化するに従って、バッチ処理では均一処理が
比較的難しくなってきているので、これに対抗して枚葉
式処理装置、特に、プラズマ処理装置が注目されてきて
いる。

【０００３】プラズマ処理装置においては、例えば真空
引き可能になされた処理容器内の載置台上に半導体ウエ
ハを載置し、これをアルミナ製のクランプリングや静電
チャックにより機械的に或いはクーロン力を利用して載
置台上に固定する。そして、下部電極を兼用する載置台
とこれに対向させて配置した上部電極との間に高周波電
力等を印加することにより真空雰囲気下でプラズマを立
て、例えばエッチングガス等を流してウエハ表面の酸化
物等にエッチング処理を施すことになる。

【０００４】ところで、処理容器内には、上記クランプ
リングや、クランプリングを用いないで静電チャックを
用いた時には、高周波電界がウエハ面に集中するように
載置台の周辺部に配置した石英製のフォーカスリングが
設けられるが、電極周辺のこれらの部品は、プロセス中
においては常時、プラズマに晒されることからプラズマ
にスパッタされて少しずつ消耗したり、或いは、これら
の部品にウエハ表面の酸化物をエッチングする際に発生
するＣＦ系のポリマーよりなる堆積物が次第に付着す
る。

【０００５】この付着物は、部品から剥がれ落ちるとパ
ーティクルとなってウエハ面に付着し、歩留まり低下の
原因となることから、プロセスの積算時間がある程度以
上になったならば、当該部品を処理容器から取り出して
洗浄を施して堆積物を除去するようになっている。ま
た、これらの部品がある程度以上消耗して薄くなったな
らば、部品自体を別の新たな部品と交換することにな
る。載置台と対向して配置される上部電極の周辺部等に
も、上記フォーカスリングの機能と同様に高周波電界を
電極面側に集中させる石英製のシールドリングが設けら
れるが、この部品に関しても同様に消耗し、且つ堆積物
が付着する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体デバ
イスのデザイン設計がそれ程厳しくない従来においては
それ程問題は生じなかったが、最近のように高密度、高
微細化が進んで線幅としてサブミクロンのオーダが要求
されると、パーティクルに対する要求も一層厳しくな
り、よりパーティクルの発生し難い部品が求められてい
る。更には、洗浄、或いは部品交換の毎に処理容器内を
開放しなければならないことからその分、プロセスを中
止してスループットの低下の原因となっており、プラズ
マに対する耐久性を向上させる必要もあった。本発明は
以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく
創案されたものである。本発明の目的は、電極周辺の消
耗部品として耐プラズマ性が高く、パーティクルも発生
し難い材料を用いたプラズマ処理装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、真空引き可能になされた処理容器内に
て載置台上に載置された被処理体に対してプラズマ処理
を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に設
けられた消耗部品を、純度９９．９％以上で、かさ比重
が３．９８０以上の多結晶アルミナ質焼結体により構成
したものである。

【０００８】このように構成することにより、多結晶ア
ルミナ質焼結体よりなる消耗部品の剛性及び機械的強度
が向上して耐プラズマ性が高まり、また、堆積物に対す
る密着性も高めることができる。従って、例えば酸化物
のエッチング時に発生するＣＦ系ポリマー付着物が剥が
れ難くなるのでその分、発生するパーティクルを抑制で
き、洗浄を必要とするまでのランニング期間を長くする
ことが可能となる。更には、耐プラズマ性が高まる結
果、消耗部品の消耗量が少なくなり、この寿命を長くす
ることが可能となる。

【０００９】このような消耗部品としては、電極の近傍
に配置されてプラズマによるスパッタを受け易い部品、
例えばフォーカスリング、クランプリング、シールドリ
ング等が対応するが、これらに限定されない。適用でき
るプラズマ処理装置としては、種類は限定されず、例え
ば平行平板型プラズマ装置、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）装置、ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌ
ｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング装置等に
適用することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプラズマ処
理装置の一実施例について添付図面を参照して説明す
る。図１は本発明に係るプラズマ処理装置を示す構成
図、図２は図１に示す処理装置に用いるクランプリング
を示す平面図である。ここでは、プラズマ処理装置とし
て平行平板型のプラズマエッチング装置を例にとって説
明する。図示するように、このプラズマエッチング装置
２は、例えばアルミニウムにより筒体状に成形された処
理容器４を有している。この処理容器４は接地されてお
り、この内部には、下部電極として導電性材料、例えば
アルミニウムよりなる円板状の載置台６が、容器底部４
Ａの中央部の開口８を介して挿入された昇降軸１０の上
端に指示固定されており、図示しない昇降機構によりこ
の昇降軸１０を昇降駆動することにより、上記載置台６
を上昇、或いは下降し得るようになっている。この載置
台６の上面である載置面に被処理体として、例えば半導
体ウエハＷを載置するようになっている。

【００１１】この載置台６の裏面と容器底部４Ａの開口
８の周辺とは伸縮可能になされた金属性のベローズ１２
を介して気密に連結されており、処理容器４内の気密性
を保持しつつ、載置台６の昇降を許容している。そし
て、載置台６は、このベローズ１２及び処理容器４を介
して間接的に接地されていることになる。この載置台６
内には、通路状の冷却ジャケット１４が設けられてお
り、これに冷媒を流すことによりウエハＷを所望の温度
に維持し得るようになっている。更に、この載置台６の
周辺部の所定の位置には、複数のリフタ孔１６が上下方
向に貫通して設けられており、このリフタ孔１６に対応
させて上下方向に昇降可能にウエハリフタピン１８が配
置されている。このウエハリフタピン１８は底部開口８
を通って上下動可能になされたピン昇降ロッド２０によ
って一体的に昇降移動可能になされている。このピン１
８の貫通部には、載置台６の裏面との間で金属性の伸縮
ベローズ２２が設けられており、ピン１８が気密性を保
持しつつ上下動することを許容している。このように、
載置台６を一点鎖線に示すところに位置させた状態でピ
ン１８を昇降させることにより、ウエハＷを持ち上げた
り、持ち下げたりするようになっている。このようなウ
エハリフタピン１８は一般的にはウエハ周縁部に対応さ
せて３本設けられる。

【００１２】また、この載置台６の周辺部に対応させ
て、その上方には、消耗部品として本発明の特徴とする
クランプリング２４が配置されている。図２にも示すよ
うにこのクランプリング２４は、ウエハＷの径よりも少
し大きい径でリング状に成形されており、その内側端縁
はウエハＷの輪郭に沿って形成され、ウエハＷの外周縁
と僅かに重なってその周辺部を載置台側へ押し付け得る
ようになっている。そのため、クランプリング２４の内
側端縁は、ウエハＷの端縁と接触する部分が断面直角に
成形されている。そして、このクランプリング２４は、
容器４の天井４Ｂに設けた貫通孔２８を貫通して垂下さ
れた複数本、例えば４本のアルミナセラミック製の支持
ロッド２６の下端に支持固定されている。そして、支持
ロッド２６の容器天井４Ｂよりも少し上方に位置する部
分には、それ以上のロッドの降下を規制するストッパ３
０が設けられており、このストッパ３０と容器天井４Ｂ
との間に金属性の伸縮ベローズ３２を設けて、容器内の
気密性を保持しつつ、支持ロッド２６が、一定のストロ
ークで上下動することを許容している。そして、この支
持ロッド２６の上方には、図示しない例えばエアーアク
チュエータが設けられており、各支持ロッド２６を下方
に向けて常時、所定の圧力、例えば３ｋｇｆ／ｃｍ²の
力で付勢するようになっている。

【００１３】従って、載置台６上のウエハＷはその周辺
部が３ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力でクランプリング２４によ
り載置台６上に押圧固定され、載置台６を降下させる
と、支持ロッド２６のストッパ３０が天井４Ｂに到達し
た時点で、クランプリング２４はそこに取り残されてウ
エハＷとクランプリング２４の係合が外れることにな
る。尚、このクランプリングは、上記したウエハ保持機
能の他に、高周波電界を載置面側に集める、いわゆるフ
ォーカス機能も併せ持っている。このクランプリング２
４は、純度が９９．９％以上で、かさ比重が３．９８０
以上の多結晶アルミナ質焼結体により構成される。この
アルミナ質焼結体は、特開平５−１６０２４０号公報に
示されるようなアルミナセラミックスを用いることがで
きる。この場合、平均結晶粒を１０〜１００μｍの範囲
内に設定するのが好ましい。このように、平均結晶粒を
規定することにより、内部の気孔を極めて少なくできる
と共に歪みを小さくして機械的強度、耐プラズマ性を向
上させ、堆積物との密着性も向上させることが可能とな
る。

【００１４】平均結晶粒径が１０μｍ未満であると、結
晶粒界に残留気孔が存在し、耐蝕性の低下を招いたり、
表面の気孔に外部からの汚染物質が侵入し易くなる恐れ
がある。平均結晶粒が１００μｍを越えると、機械的強
度及び耐プラズマ性が低下する。また、アルミナの純度
が９９．９％未満であると、フッ酸等を用いるウェット
洗浄時の耐薬品性が低下してしまう。消耗部品としてこ
のクランプリング２４を製造するには、まず、望ましく
は９９．９９％以上の高純度アルミナ原料粉を用い、こ
れに異常粒子の成長抑制剤としてのマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、有機成形剤を添加混合してクランプリング形状に
成形する。成形方法としては、プレス成形、押出成形、
射出成形またはドクターブレード法がとられる。得られ
た成形体は、９００〜１１００℃の温度の大気中で仮焼
して有機添加物を飛散させ、焼成工程に進める。焼成前
工程での不純物混入は、焼成後の製品に悪影響を与える
ため、各装置や雰囲気等からの汚染をできるだけ少なく
する工夫が必要である。

【００１５】次いで、真密度焼結体を得るため、真空中
や水素ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気において１７００
〜１８５０℃の焼成温度で所要時間保持して仮焼体の焼
成を行ない、製品を完成する。水素ガス雰囲気焼成にお
いては、水素の拡散速度が大きいことから、焼成後期に
おける気孔の排出が容易になり、実質的に気孔がなくな
る。また、焼成中において、アルカリ金属等の不純物の
揮散が進行し、原料粉に含まれる不純物量が少なくな
り、高純度化が一層促進される。ここで、焼成温度及び
保持時間は、平均結晶粒径が１０〜１００μｍとなるよ
う適宜に設定される。図１及び図２に戻って、処理容器
４の天井４Ｂは、絶縁部材３４を介して容器本体側に接
続されており、この天井４Ｂには載置台６に対向させて
薄い容器状のシャワーヘッド３６が設けられている。こ
のシャワーヘッド３６の下面のガス噴射面には、このヘ
ッド３６内に導入された処理ガスやプラズマガスを処理
空間Ｓに向けて噴出する多数の噴射孔３８が設けられて
いる。

【００１６】このシャワーヘッド３６は、導電性材料、
例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムにより
形成されて上部電極を構成しており、途中にマッチング
回路４０を介設した給電線４２を介して例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波を発生する高周波電源４４に接続され
ており、高周波電圧を印加し得るようになっている。そ
して、このシャワーヘッド３６の下端周辺部には、上部
電極に発生する高周波電界を内側の電極面に集めるため
に消耗部品として断面Ｌ字状のシールドリング４６がシ
ャワーヘッド３６の周方向に沿って形成されている。こ
のシールドリング４６は、前記クランプリング２４と同
じ材料の多結晶アルミナ質焼結体により構成されてお
り、耐プラズマ性を向上させて、しかも堆積物との密着
性を向上させてこれが剥がれ落ち難くしている。

【００１７】このシャワーヘッド３６のガス導入口４８
には、ガス導入管５０が接続され、このガス導入管５０
は複数に分岐されて、プラズマガスとしてのＡｒガスを
貯留するＡｒガス源５２、処理ガスとしてＣＨＦ₃とＣ
Ｈ₄のエッチングガスを貯留するエッチングガス源５
４、５６が、それぞれ接続されている。これらの各ガス
は、途中に介設したマスフローコントローラ５８や開閉
弁６０により流量制御されつつ供給されることになる。
また、処理容器４の側壁の一部には、載置台６を降下さ
せた位置に対応させてウエハ搬出入口６２が設けられ、
ここに真空引き可能になされた例えばロードロック室６
４との間を連通・遮断するゲートバルブＧを設けてお
り、また、他方には、図示しない真空ポンプ等を介設し
た真空排気系に接続される排気口６６が設けられてい
る。

【００１８】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれるエッチングプロセスについて説明する。ま
ず、載置台６を一点鎖線に示すように処理容器４内の下
方に降下させた状態において、未処理の半導体ウエハＷ
を、ロードロック室６４側からウエハ搬出入口６２を介
して予め真空状態になされている処理容器４内に導入
し、載置台６上に載置する。次に、昇降軸１０を上方へ
移動させることによって載置台６を上昇させて、ウエハ
Ｗの周縁部を上下動可能に吊り下げられているクランプ
リング２４に当接させて更にこれを押し上げ、ウエハＷ
をクランプリング２４の例えば３ｋｇｆ／ｃｍ²の付勢
力で固定する。そして、シャワーヘッド３６から所定量
のプラズマガスやエッチングガスを処理容器４内に供給
しつつ内部を真空引きしてプロセス圧を維持し、同時に
下部電極である載置台６と上部電極との間に１３．５６
ＭＨｚの高周波電圧を印加して処理空間Ｓにプラズマを
立て、ウエハ表面に形成されている例えば酸化膜のエッ
チング処理を行なう。

【００１９】このようなプラズマによるエッチング処理
を行なう毎に、電極周辺の消耗部品、例えばクランプリ
ング２４やシールドリング４６はプラズマに晒されて僅
かずつではあるが消耗し、また、エッチング時に発生す
るＣＦ系のポリマーが少しずつ堆積することとなる。こ
こで、本実施例ではこれらの消耗部品の構成材料として
剛性が高くて耐プラズマ性に優れ、しかも堆積物との密
着性が優れた多結晶アルミナ質焼結体を用いているの
で、堆積物が容易には剥がれ落ちないことからクリーニ
ングまでのランニング時を長くとることができ、しかも
パーティクルの発生を極力抑制することが可能となる。
また、プラズマによる消耗量も少ないことから、その
分、使用期間を長くして長寿命化することが可能とな
る。このようにして、耐プラズマ性とパーティクル抑制
効果を同時に向上させることができ、歩留まりの向上と
スループットの向上を同時に図ることができる。

【００２０】ここで、プラズマに対する消耗の度合いを
実際に求めたので、その結果を図３及び図４を参照して
説明する。図３は従来のクランプリングの初期形状と約
１８０時間処理後のクランプリングの形状変化を示すグ
ラフである。図４は本発明のクランプリングの初期の形
状と約２７０時間後のクランプリングの形状変化を示す
グラフである。曲線Ａは共に初期形状を示し、曲線Ｂは
約１８０時間処理後の形状を示し、曲線Ｃは約２７０時
間処理後の形状を示している。測定箇所はクランプリン
グのウエハ接触部であり、リング周方向に等間隔で４点
測定したところ全て略同じ消耗量を示した。図３に示す
グラフから明らかなように、約１８０時間の処理後にお
いては最大０．２５ｍｍ程度の消耗を受けており、消耗
部品のスパッタレートは約１．３６μｍ／時間となる。

【００２１】これに対して、図４に示すグラフから明ら
かなように、多結晶アルミナ質焼結体のクランプリング
の場合には、約２７０時間の処理後においてでさえ、僅
か最大０．１２ｍｍ程度の消耗であり、消耗部品のスパ
ッタレートは約０．４４μｍ／時間となる。従って、本
発明の場合には、従来品と比較してプラズマに対する耐
久性を約３倍も向上させることができ、良好な結果を示
している。図５は従来の技術のクランプリングを用いた
時と本発明のクランプリングを用いた時のパーティクル
増加の推移を示すグラフである。測定に際しては、８イ
ンチサイズのモニターウエハを高周波電力の印加時間５
時間毎に処理容器内に入れて、入れる前と入れた後とで
ウエハ上の粒径が０．２μｍ以上のパーティクル数を計
測することにより行なった。パーティクル管理値は３０
個であり、これに達すると、一般的にはクリーニング操
作が入る。この時のプロセス条件は、ＲＦパワーが１３
００ワット、圧力が３００ｍＴｏｒｒ、処理空間Ｓのギ
ャップが９ｍｍ、ＣＨＦ₃／ＣＨ₄／Ａｒガスの各流量
は、それぞれ３０／３０／６００ＳＣＣＭである。

【００２２】このグラフから明らかなように、従来装置
においては、高周波電力の印加時間が、例えば２５時
間、５０時間、８０時間、９０時間の箇所で、パーティ
クル管理値を越えており、ここで洗浄操作が必要である
が、本発明装置の場合には、高周波電力の印加時間が略
１１５〜１３０時間の箇所で初めて大きくパーティクル
管理値を越えており、成膜が非常に剥がれ落ち難くなっ
てパーティクルの発生が抑制されていることが判明す
る。これは、多結晶アルミナ質焼結体と、堆積物との密
着性が向上したからであると考えられる。また、本発明
装置の場合、上記時間帯において大きなピークが発生し
た理由は、今まで堆積していたパーティクルが一気に剥
がれ落ちてウエハ上に落下したためであると考えられ
る。

【００２３】図１に示す装置例にあっては、ウエハＷを
載置台６上に保持固定する手段として、高周波電界のフ
ォーカス機能を併せ持つクランプリング２４を設けてい
るが、これに代えて、クーロン力でウエハを載置台上に
吸着保持する静電チャックを設けた装置にも適用でき
る。図６はそのようなプラズマ処理装置を示す構成図で
あり、図１に示す構成部分と同一部分については同一符
号を付して説明を省略する。すなわち、このプラズマ処
理装置においては、載置台６の上面には、内部に銅など
の導電板よりなるチャック用電極６８を埋め込んだ薄い
ポリイミド樹脂製或いはセラミック製の静電チャック７
０が設けられており、この静電チャック７０が発生する
クーロン力により、この上面にウエハＷを吸着保持する
ようになっている。そして、このチャック用電極６８に
は絶縁された給電用のリード線７２が接続され、このリ
ード線７２は開閉スイッチ７４を介してクーロン力発生
用の高圧直流電圧を出力する高圧直流源７６に接続され
ている。

【００２４】そして、載置台６の載置面の周辺部には、
ウエハＷの外周を近接して囲むように消耗部品としての
リング状のフォーカスリング７８が設けられており、高
周波電界を載置面側に集めるようになっている。このフ
ォーカスリング７８も先のクランプリング２４（図１参
照）と同じ材料である多結晶アルミナ質焼結体により構
成している。これにより、先に説明したと同様にプラズ
マに対する耐久性を大幅に向上させることができ、しか
も、堆積物との密着性を向上させてこれが剥がれ難く
し、結果的にパーティクル発生の抑制効果を向上させる
ことができる。

【００２５】以上の実施例では、クランプリング、シー
ルドリング、フォーカスリングの構造は単に一例を示し
たに過ぎず、これらの構造には限定されない。例えばク
ランプリングやフォーカスリングの構造として、内側に
本発明の多結晶アルミナ質焼結体をリング状に設け、そ
の外側に従来のアルミナ製リングを設けて、いわゆる２
重リング構造とした構成にしてもよい。また、シールド
リングとして処理空間を区画する容器側壁に設けた構造
のものでもよい。更に、消耗部品としては上記した３つ
の部品に限定されず、定期的、或いは不定期的に交換す
る部品ならばどのようなものでも適用することができ
る。更に、上部電極に高周波電圧を印加したものに限定
されず、下部電極、或いは両電極に高周波電圧を印加し
た構造のものにも適用できる。また、プラズマ処理装置
の形式も、平行平板型に限らず、反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）装置、ＭＥＲＩＥ（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌ
ＥｎｈａｎｃｅｄＲＩＥ）装置、ＥＣＲエッチング装
置等にも適用することができる。更に、プロセスとして
はエッチングに限らず、プラズマスパッタ装置、プラズ
マアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置等にも適用する
ことができる。また、被処理体としては、半導体ウエハ
に限定されず、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等にも適
用し得る。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。プラズマにより被処理体を処理する処
理容器内の消耗部品として純度９９．９％以上でかさ比
重が３．９８０以上の多結晶アルミナ質焼結体を用いる
ようにしたので、剛性及び機械的強度を向上してプラズ
マに対する耐久性を大幅に向上させることができ、この
寿命を大幅に延ばすことができる。また、処理容器内に
て発生する堆積物に対する密着性を向上させてこれを剥
がれ難くしているので、パーティクルの発生を大幅に抑
制することができ、歩留まりを向上させることができ
る。また、その結果、クリーニングサイクルを長くでき
るので、その分、スループットも向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を示す構成図で
ある。

【図２】図１に示す処理装置に用いるクランプリングを
示す平面図である。

【図３】従来のクランプリングの初期形状と約１８０時
間処理後のクランプリングの形状変化を示すグラフであ
る。

【図４】本発明のクランプリングの初期の形状と約２７
０時間後のクランプリングの形状変化を示すグラフであ
る。

【図５】従来の技術のクランプリングを用いた時と本発
明のクランプリングを用いた時のパーティクル増加の推
移を示すグラフである。

【図６】消耗部品としてフォーカスリングを用いたプラ
ズマ処理装置を示す構成図である。

【符号の説明】

２プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置）４処理容器６載置台（下部電極）２４クランプリング（消耗部品）２６支持ロッド３６シャワーヘッド（上部電極）４４高周波電源４６シールドリング（シールドリング）７０静電チャック７８フォーカスリング（消耗部品）Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 ＳＣ 21/68 21/68 Ｎ (72)発明者遠藤昇佐山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１東京エレクトロン山梨株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空引き可能になされた処理容器内にて
載置台上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を
施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に設け
られた消耗部品を、純度９９．９％以上で、かさ比重が
３．９８０以上の多結晶アルミナ質焼結体により構成し
たことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記消耗部品は、前記載置台の周辺部に
配置されて電界を前記載置台の載置面側に集めるフォー
カスリングであることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ処理装置。
【請求項３】前記消耗部品は、前記被処理体を前記載
置台上に保持させるためのクランプリングであることを
特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記処理装置内には、前記載置台に対向
させて上部電極が設けられており、前記消耗部品は前記
上部電極の周辺部に配置されて電界をこの上部電極の表
面に集めるシールドリングであることを特徴とする請求
項１乃至３記載のプラズマ処理装置。