JPH05120731A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPH05120731A JPH05120731A JP3279146A JP27914691A JPH05120731A JP H05120731 A JPH05120731 A JP H05120731A JP 3279146 A JP3279146 A JP 3279146A JP 27914691 A JP27914691 A JP 27914691A JP H05120731 A JPH05120731 A JP H05120731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- optical disk
- dust
- film
- contact angle
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスクに関し、長時間使用しても塵埃が
付着した場合でも、容易に該光ディスクの拭き取り操作
で塵埃が除去でき、使用以前の塵埃の付着しない状態に
復帰可能な光ディスクの提供を目的とする。 【構成】 光記録膜２を設けた基板１のレーザ光の入射
面側に保護膜４を備えた光ディスクに於いて、前記保護
膜４の表面粗さが0.003 μm 以下で、かつ該保護膜４上
に滴下した油滴の該保護膜４に対する接触角が、50度以
上であることで構成する。
付着した場合でも、容易に該光ディスクの拭き取り操作
で塵埃が除去でき、使用以前の塵埃の付着しない状態に
復帰可能な光ディスクの提供を目的とする。 【構成】 光記録膜２を設けた基板１のレーザ光の入射
面側に保護膜４を備えた光ディスクに於いて、前記保護
膜４の表面粗さが0.003 μm 以下で、かつ該保護膜４上
に滴下した油滴の該保護膜４に対する接触角が、50度以
上であることで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクに係り、特に
光ディスク形成用の樹脂基板のレーザ光の入射面側に保
護膜を設けた光ディスクに関する。
光ディスク形成用の樹脂基板のレーザ光の入射面側に保
護膜を設けた光ディスクに関する。
【０００２】近年、大容量の文書データや、画像情報を
記憶させる情報記憶媒体として、光ディスクが脚光を浴
びている。光ディスクは、１μm 程度に絞られたレーザ
光により情報の記録や、再生を行うため、大容量の情報
が記憶できる。
記憶させる情報記憶媒体として、光ディスクが脚光を浴
びている。光ディスクは、１μm 程度に絞られたレーザ
光により情報の記録や、再生を行うため、大容量の情報
が記憶できる。
【０００３】光ディスクの基板として安価で、軽量で有
ると言った理由で、透明樹脂基板が用いられることが多
く、そのため、該基板に傷や、塵埃（無機、および有機
塵埃）が付着し易い欠点がある。
ると言った理由で、透明樹脂基板が用いられることが多
く、そのため、該基板に傷や、塵埃（無機、および有機
塵埃）が付着し易い欠点がある。
【０００４】そのため、この傷の発生を防止するため
に、樹脂基板上に透明な有機化合物の保護膜、或いは透
明な無機化合物の保護膜がレーザ光の入射面側に被着形
成されている。
に、樹脂基板上に透明な有機化合物の保護膜、或いは透
明な無機化合物の保護膜がレーザ光の入射面側に被着形
成されている。
【０００５】
【従来の技術】従来の光ディスクに於いては、傷の発生
を防止するためにレーザ光の入射面側に、樹脂基板より
表面硬度が高く、また塵埃の付着を防止するために樹脂
基板より表面抵抗の低い保護膜が用いられていた。
を防止するためにレーザ光の入射面側に、樹脂基板より
表面硬度が高く、また塵埃の付着を防止するために樹脂
基板より表面抵抗の低い保護膜が用いられていた。
【０００６】ところで、上記した従来の保護膜は、傷の
防止には大きい効果が有るが、無機物の塵埃、煙草の煙
のような有機物の塵埃の付着に対して、今一つ不十分で
余り効果が無い。そのため、光ディスクを定期的に布等
を用いて拭いて清掃していたが、オイルミスト等の有機
塵埃が付着していると、清掃しても拭き切れず、清浄に
成らない。
防止には大きい効果が有るが、無機物の塵埃、煙草の煙
のような有機物の塵埃の付着に対して、今一つ不十分で
余り効果が無い。そのため、光ディスクを定期的に布等
を用いて拭いて清掃していたが、オイルミスト等の有機
塵埃が付着していると、清掃しても拭き切れず、清浄に
成らない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来の光ディ
スクでは付着塵埃の悪影響を受けて、情報の記録や再生
にエラーを発生し、精度良く情報の記録や再生を行うこ
とが困難である。
スクでは付着塵埃の悪影響を受けて、情報の記録や再生
にエラーを発生し、精度良く情報の記録や再生を行うこ
とが困難である。
【０００８】本発明は上記した問題点を解決し、塵埃が
多少付着しても容易にその塵埃を拭い去ることができ、
容易にこの清掃作業によって光ディスク表面が清浄とな
るような光ディスクの提供を目的とする。
多少付着しても容易にその塵埃を拭い去ることができ、
容易にこの清掃作業によって光ディスク表面が清浄とな
るような光ディスクの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
記録膜を設けた樹脂基板のレーザ光の入射面側に保護膜
を備えた光ディスクに於いて、前記保護膜の表面粗さが
0.003 μm 以下で、かつ該保護膜に滴下した油滴の該保
護膜に対する接触角が50度以上であることを特徴とす
る。
記録膜を設けた樹脂基板のレーザ光の入射面側に保護膜
を備えた光ディスクに於いて、前記保護膜の表面粗さが
0.003 μm 以下で、かつ該保護膜に滴下した油滴の該保
護膜に対する接触角が50度以上であることを特徴とす
る。
【００１０】また前記保護膜がスピンコート法より塗布
形成された有機化合物膜、或いは真空成膜法により形成
された無機化合物膜であることを特徴とする。更に前記
保護膜が樹脂基板より表面硬度が大であるか、或いは／
および表面抵抗が小さいことを特徴とするものである。
形成された有機化合物膜、或いは真空成膜法により形成
された無機化合物膜であることを特徴とする。更に前記
保護膜が樹脂基板より表面硬度が大であるか、或いは／
および表面抵抗が小さいことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】請求項１に示すように、樹脂基板のレーザ光の
入射面側に、表面粗さが小さい保護膜を形成する。
入射面側に、表面粗さが小さい保護膜を形成する。
【００１２】表面粗さが小さいことは、保護膜の微視的
な凹凸が少なく、無機塵埃がこの凹凸箇所に付着する機
会が少なくなるので、表面粗さは小さい方が良い。実験
の結果、保護膜の表面粗さは0.003 μm 以下で有ると、
長時間、無機塵埃の雰囲気で使用しても光ディスク面に
照射したレーザ光の反射強度の低下する度合いが減少せ
ず、このことより塵埃の付着量が少なくなることが確認
できた。
な凹凸が少なく、無機塵埃がこの凹凸箇所に付着する機
会が少なくなるので、表面粗さは小さい方が良い。実験
の結果、保護膜の表面粗さは0.003 μm 以下で有ると、
長時間、無機塵埃の雰囲気で使用しても光ディスク面に
照射したレーザ光の反射強度の低下する度合いが減少せ
ず、このことより塵埃の付着量が少なくなることが確認
できた。
【００１３】また請求項１に示すように、樹脂基板のレ
ーザ光の入射面側に設けた保護膜に油滴を滴下して、そ
の接触角を測定し、接触角が50度以上であると、長時
間、煙草の煙のような有機塵埃の雰囲気で使用して、仮
に該光ディスク表面に有機塵埃が付着しても、布等のク
リーニング材( 商品名; ミクロスター、帝人株式会社
製) を用いてその表面を拭き去ることで、光ディスク面
に付着した有機塵埃が容易に除去される。
ーザ光の入射面側に設けた保護膜に油滴を滴下して、そ
の接触角を測定し、接触角が50度以上であると、長時
間、煙草の煙のような有機塵埃の雰囲気で使用して、仮
に該光ディスク表面に有機塵埃が付着しても、布等のク
リーニング材( 商品名; ミクロスター、帝人株式会社
製) を用いてその表面を拭き去ることで、光ディスク面
に付着した有機塵埃が容易に除去される。
【００１４】そしてこのようにすると、反射強度が上記
した有機塵埃の雰囲気に曝す以前の状態に復帰し、清掃
によって容易に付着された有機塵埃が除去可能な光ディ
スクを得ることができる。
した有機塵埃の雰囲気に曝す以前の状態に復帰し、清掃
によって容易に付着された有機塵埃が除去可能な光ディ
スクを得ることができる。
【００１５】図4(a)、図4(b)に示すように、この接触角
θは樹脂基板のレーザ光の入射側に形成した保護膜４上
に油滴11を滴下した場合、この油滴11の自由表面と保護
膜４との成す角度であり、この接触角θが大である程、
撥油性が大で、接触角が小さい程、撥油性が小である。
θは樹脂基板のレーザ光の入射側に形成した保護膜４上
に油滴11を滴下した場合、この油滴11の自由表面と保護
膜４との成す角度であり、この接触角θが大である程、
撥油性が大で、接触角が小さい程、撥油性が小である。
【００１６】この撥油性が大、つまり接触角θが大きい
場合、保護膜４上に例えばオイルミストのような有機塵
埃が付着すると、この有機塵埃は弾かれて微小な球状と
なり、容易に前記した清掃用のクリーニング材で拭き取
り除去され、清掃によって清浄な光ディスク表面が得ら
れる。
場合、保護膜４上に例えばオイルミストのような有機塵
埃が付着すると、この有機塵埃は弾かれて微小な球状と
なり、容易に前記した清掃用のクリーニング材で拭き取
り除去され、清掃によって清浄な光ディスク表面が得ら
れる。
【００１７】またこの保護膜は静電荷の帯電を防止して
塵埃の付着を少なくするために、表面抵抗は小さい方が
良く、また塵埃に依る傷の発生を防止するために樹脂基
板より硬度が大きいものが望ましい。
塵埃の付着を少なくするために、表面抵抗は小さい方が
良く、また塵埃に依る傷の発生を防止するために樹脂基
板より硬度が大きいものが望ましい。
【００１８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例に付き詳
細に説明する。図１は本発明の光ディスクの断面図であ
る。図示するように、直径が５インチのポリカーボネイ
トのような透明の樹脂製の基板１のヘッド案内溝（図示
せず）に、テルビウム−二酸化シリコン(Tb-SiO2) 膜の
誘電体膜、テルビウム−鉄−コバルト(Tb-Fe-Co)のよう
な磁性膜、更に前記したTb-SiO2 膜の誘電体膜、アルミ
ニウムのような反射膜を積層した光記録膜２をスパッタ
法で成膜した後、この基板１を前記光記録膜２を対向さ
せて接着剤３（商品名；ホットメルト、XW-13 、東亜合
成化学株式会社製) を用いて貼り合わせる。
細に説明する。図１は本発明の光ディスクの断面図であ
る。図示するように、直径が５インチのポリカーボネイ
トのような透明の樹脂製の基板１のヘッド案内溝（図示
せず）に、テルビウム−二酸化シリコン(Tb-SiO2) 膜の
誘電体膜、テルビウム−鉄−コバルト(Tb-Fe-Co)のよう
な磁性膜、更に前記したTb-SiO2 膜の誘電体膜、アルミ
ニウムのような反射膜を積層した光記録膜２をスパッタ
法で成膜した後、この基板１を前記光記録膜２を対向さ
せて接着剤３（商品名；ホットメルト、XW-13 、東亜合
成化学株式会社製) を用いて貼り合わせる。
【００１９】次いで、この基板１の光記録膜２を形成し
た面の反対側の面に、アクリル系樹脂よりなる有機化合
物の保護膜４をスピンコート法を用いて塗布する。そし
てこの光ディスクの中心位置に該ディスクをディスク駆
動装置に装着するためのハブ５を接着して光ディスクを
形成する。
た面の反対側の面に、アクリル系樹脂よりなる有機化合
物の保護膜４をスピンコート法を用いて塗布する。そし
てこの光ディスクの中心位置に該ディスクをディスク駆
動装置に装着するためのハブ５を接着して光ディスクを
形成する。
【００２０】そしてこの保護膜のアクリル系樹脂に添加
する透明な無機質のSiO2膜のような充填剤を、前記アク
リル樹脂に対して１重量％の割合で添加する。そしてそ
の粒径を変化させて添加すると、粒径の大きい充填剤
程、表面粗さが大となので、この添加する充填剤の直径
を変化させることで、表面粗さを変化させた保護膜を形
成した。
する透明な無機質のSiO2膜のような充填剤を、前記アク
リル樹脂に対して１重量％の割合で添加する。そしてそ
の粒径を変化させて添加すると、粒径の大きい充填剤
程、表面粗さが大となので、この添加する充填剤の直径
を変化させることで、表面粗さを変化させた保護膜を形
成した。
【００２１】そして、このように保護膜を形成した光デ
ィスクを、回転させた状態で、関東ローム層の土の微粉
末（粒径１〜５μm ）を、無機塵埃として充満させ、容
量が0.25m3のデシケータ内に設置する。そして該光ディ
スクを回転させた状態で0.5時間放置し、その後、この
光ディスクを、デシケータより取り出す。
ィスクを、回転させた状態で、関東ローム層の土の微粉
末（粒径１〜５μm ）を、無機塵埃として充満させ、容
量が0.25m3のデシケータ内に設置する。そして該光ディ
スクを回転させた状態で0.5時間放置し、その後、この
光ディスクを、デシケータより取り出す。
【００２２】そして、該光ディスクの中心Ｏより半径方
向に沿って35mmの位置の内周の位置Ｐ、該光ディスクの
中心Ｏより半径方向に沿って45mmの位置の中央の位置
Ｑ、該光ディスクの中心Ｏより半径方向に沿って55mmの
位置の外周の位置Ｒの３点にレーザ光を照射し、その反
射光の光量を測定して反射率を測定した。この反射率の
低下量が小である程、塵埃の付着量は少なく、また反射
率の低下量が大である程、塵埃の付着量は多いい。
向に沿って35mmの位置の内周の位置Ｐ、該光ディスクの
中心Ｏより半径方向に沿って45mmの位置の中央の位置
Ｑ、該光ディスクの中心Ｏより半径方向に沿って55mmの
位置の外周の位置Ｒの３点にレーザ光を照射し、その反
射光の光量を測定して反射率を測定した。この反射率の
低下量が小である程、塵埃の付着量は少なく、また反射
率の低下量が大である程、塵埃の付着量は多いい。
【００２３】このように表面粗さを変化させた保護膜を
形成した場合の反射率の変化量と、保護膜の表面粗さの
関係図を図２に示す。図の縦軸は、光ディスクを前記し
た関東ローム層の無機塵埃の充満したデシケータ内に設
置する以前に、該光ディスクの所定位置にレーザ光を照
射し、その光ディスク面より反射する反射光の反射強度
を測定して、その反射率を100 ％と仮定する。( 実際の
反射率は20％程度である。)次いで、この光ディスクを
前記したデシケータ内に設置し、所定時間経過後の光デ
ィスクの反射率を測定し、この反射率がＲ％と成ったと
する。
形成した場合の反射率の変化量と、保護膜の表面粗さの
関係図を図２に示す。図の縦軸は、光ディスクを前記し
た関東ローム層の無機塵埃の充満したデシケータ内に設
置する以前に、該光ディスクの所定位置にレーザ光を照
射し、その光ディスク面より反射する反射光の反射強度
を測定して、その反射率を100 ％と仮定する。( 実際の
反射率は20％程度である。)次いで、この光ディスクを
前記したデシケータ内に設置し、所定時間経過後の光デ
ィスクの反射率を測定し、この反射率がＲ％と成ったと
する。
【００２４】すると反射率の変化量は（初期値−Ｒ／10
0 ）％で表されるので、この値を縦軸に採って表した。
また横軸は光ディスクの半径方向の位置を示す。図の曲
線ｂ，ｃに示すように、表面粗さを0.005 μm、0.01μm
のように、0.003 μm より増加させると、反射率の変
化量は大となる。然し、曲線a に示すように、表面粗さ
が0.003 μm の保護膜を形成した光ディスクは殆ど反射
率の変化量は見られない。このことより、表面粗さは0.
003 μm 以下が望ましい。
0 ）％で表されるので、この値を縦軸に採って表した。
また横軸は光ディスクの半径方向の位置を示す。図の曲
線ｂ，ｃに示すように、表面粗さを0.005 μm、0.01μm
のように、0.003 μm より増加させると、反射率の変
化量は大となる。然し、曲線a に示すように、表面粗さ
が0.003 μm の保護膜を形成した光ディスクは殆ど反射
率の変化量は見られない。このことより、表面粗さは0.
003 μm 以下が望ましい。
【００２５】また、上記実施例に用いた保護膜のアクリ
ル系樹脂に、更に充填剤を除いた状態でシリコンオイル
を添加し、このシリコンオイルの添加量を変化させて図
４に示す油滴11の保護膜４に対する接触角θを変化させ
ることで、保護膜の撥油性を変化させる。
ル系樹脂に、更に充填剤を除いた状態でシリコンオイル
を添加し、このシリコンオイルの添加量を変化させて図
４に示す油滴11の保護膜４に対する接触角θを変化させ
ることで、保護膜の撥油性を変化させる。
【００２６】そして、このような接触角を異ならさせた
保護膜を光ディスクに付着させて、この光ディスクを煙
草の煙を充満させたデシケータ内にディスクを回転させ
たまま、２時間設置した後、この光ディスクを取り出し
て、その反射率を前記したのと同様にして測定し、その
結果を図３の曲線のa1、b1、c1に示す。
保護膜を光ディスクに付着させて、この光ディスクを煙
草の煙を充満させたデシケータ内にディスクを回転させ
たまま、２時間設置した後、この光ディスクを取り出し
て、その反射率を前記したのと同様にして測定し、その
結果を図３の曲線のa1、b1、c1に示す。
【００２７】図の曲線a1は接触角θが50度、曲線b1は接
触角θが45度、曲線c1は接触角θが30度である。またこ
の光ディスクを、クリーニング材( 商品名; ミクロスタ
ー、帝人株式会社製) を装着したクリーニングドライブ
( 商品名; ディスククリーナー、型式;PC-OD101-11、日
本電気株式会社製) を用いて拭き取り操作を行った後、
その光ディスクの反射率を前記したのと同様にして測定
し、その結果を図３の曲線a2、b2、c2に示す。
触角θが45度、曲線c1は接触角θが30度である。またこ
の光ディスクを、クリーニング材( 商品名; ミクロスタ
ー、帝人株式会社製) を装着したクリーニングドライブ
( 商品名; ディスククリーナー、型式;PC-OD101-11、日
本電気株式会社製) を用いて拭き取り操作を行った後、
その光ディスクの反射率を前記したのと同様にして測定
し、その結果を図３の曲線a2、b2、c2に示す。
【００２８】図の曲線a2は接触角θが50度、曲線b2は接
触角θが45度、曲線c2は接触角θが30度である。この接
触角は、日本真空技術株式会社製で商品名がULVOIL R-7
の真空ポンプ用オイルを用いて、油滴11を保護膜４上に
滴下し、その接触角を実験的に測定して確認した。
触角θが45度、曲線c2は接触角θが30度である。この接
触角は、日本真空技術株式会社製で商品名がULVOIL R-7
の真空ポンプ用オイルを用いて、油滴11を保護膜４上に
滴下し、その接触角を実験的に測定して確認した。
【００２９】図の縦軸は前記した反射率の変化量を示
し、横軸は光ディスクの半径方向の位置を示す。図の曲
線a1、a2に示すように、接触角θが50度であると、長時
間有機塵埃に曝した後、拭き取り操作を行うと反射率
は、該光ティスクを上記有機塵埃の雰囲気に曝す以前の
状態に復帰することが判る。
し、横軸は光ディスクの半径方向の位置を示す。図の曲
線a1、a2に示すように、接触角θが50度であると、長時
間有機塵埃に曝した後、拭き取り操作を行うと反射率
は、該光ティスクを上記有機塵埃の雰囲気に曝す以前の
状態に復帰することが判る。
【００３０】また図の曲線b1、b2、および曲線c1、c2に
示すように、接触角θが45度、30度と低下するにつれ
て、拭き取り操作を行った後の光ディスクの反射率が、
該光ディスクを上記有機塵埃の雰囲気に曝す以前の状態
に復帰することが困難となる。
示すように、接触角θが45度、30度と低下するにつれ
て、拭き取り操作を行った後の光ディスクの反射率が、
該光ディスクを上記有機塵埃の雰囲気に曝す以前の状態
に復帰することが困難となる。
【００３１】従って、上記した保護膜に油滴を滴下した
場合の接触角θが50度以上となるような材質の保護膜を
用いると拭き取り効果が現れて、長時間有機塵埃の雰囲
気に光ディスクを曝しても、該塵埃に曝さない以前の状
態に拭き取り操作の清掃作業により容易に元の状態に復
帰することが判る。
場合の接触角θが50度以上となるような材質の保護膜を
用いると拭き取り効果が現れて、長時間有機塵埃の雰囲
気に光ディスクを曝しても、該塵埃に曝さない以前の状
態に拭き取り操作の清掃作業により容易に元の状態に復
帰することが判る。
【００３２】なお、本実施例では保護膜としてアクリル
系樹脂の有機化合物膜を用いたが、その他、ＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）のような無機化合物膜を保護膜とし
てスパッタ法等の真空成膜方法で形成して用いても良
い。
系樹脂の有機化合物膜を用いたが、その他、ＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）のような無機化合物膜を保護膜とし
てスパッタ法等の真空成膜方法で形成して用いても良
い。
【００３３】また前記保護膜が樹脂基板より表面硬度が
大であるか、表面抵抗が小さいか、また両者の性質を兼
ね備えたものであると更に好ましい。
大であるか、表面抵抗が小さいか、また両者の性質を兼
ね備えたものであると更に好ましい。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光ディスク
によれば、長時間塵埃の雰囲気内で使用しても、該光デ
ィスク面の拭き取り作業を施すと、容易に使用前の塵埃
の付着しない状態に復帰することができるので、拭き取
り作業で清浄な面に復帰可能の取扱の容易な光ディスク
が得られる効果がある。
によれば、長時間塵埃の雰囲気内で使用しても、該光デ
ィスク面の拭き取り作業を施すと、容易に使用前の塵埃
の付着しない状態に復帰することができるので、拭き取
り作業で清浄な面に復帰可能の取扱の容易な光ディスク
が得られる効果がある。
【図１】 本発明の光ディスクの断面図である。
【図２】 保護膜の表面粗さと反射率の変化量との関係
図である。
図である。
【図３】 光ディスクの清掃前と清掃後に於ける保護膜
の接触角と反射率の変化量の関係図である。
の接触角と反射率の変化量の関係図である。
【図４】 接触角の説明図である。
1 基板 2 光記録膜 3 接着剤 4 保護膜 5 ハブ 11 油滴
Claims (2)
- 【請求項１】 光記録膜(2) を設けた基板(1) のレーザ
光の入射面側に保護膜(4) を備えた光ディスクに於い
て、 前記保護膜(4) の表面粗さが0.003 μm 以下で、かつ該
保護膜(4) 上に滴下した油滴の該保護膜(4) に対する接
触角が、50度以上であることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の保護膜(4) がスピンコー
ト法より塗布形成された有機化合物膜、或いは真空成膜
法により形成された無機化合物膜であることを特徴とす
る光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03279146A JP3125370B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03279146A JP3125370B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120731A true JPH05120731A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3125370B2 JP3125370B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=17607086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03279146A Expired - Lifetime JP3125370B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3125370B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008310959A (ja) * | 2008-09-29 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| USRE43968E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP03279146A patent/JP3125370B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE43971E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43968E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
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