JPH05119352A - 電気光学表示装置およびその表示方法 - Google Patents

電気光学表示装置およびその表示方法

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JPH05119352A
JPH05119352A JP30991691A JP30991691A JPH05119352A JP H05119352 A JPH05119352 A JP H05119352A JP 30991691 A JP30991691 A JP 30991691A JP 30991691 A JP30991691 A JP 30991691A JP H05119352 A JPH05119352 A JP H05119352A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 書換え回数の少ない表示をおこなう表示装置
に関して、表示が見やすく、小型で、コストの低い表示
装置を提供することを目的とする。 【構成】 a−Si等の低温で生成できる半導体を使用
したアクティブマトリクス型の表示装置において、各画
素に画素の選択をおこなうための第1のTFTと、第1
素子から送られた信号をもとに画素に給電するための第
2のTFTとを有する電気光学表示装置。ここで、第1
素子から送られた信号は、第2のTFTのゲイト電極や
その他の配線の静電容量によって保持される。このよう
な構成を有する表示装置によって、画素のメモリー性が
実現でき、したがって、それに付随して冗長信号の圧縮
・省略等をおこなうことができ、また、低速書換え動作
が可能となる。すなわち、集権駆動回路の低速動作が可
能である。さらに、周辺回路も、アクティブマトリクス
素子と同じ材料を用いて構成することにより、低コスト
化が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置もしくは類
似の表示装置に関する。本発明は、特にアクティブマト
リクス方式の表示装置およびその表示方法ならびにその
作製方法に関する。本発明の目的の1つは白黒表示のデ
ィスプレーであって、階調表示のような高度な動作や高
速動作が要求されないかわりに、見やすさと低価格が要
求されるディスプレーに関する。特にこのような機能を
備えるディスプレーは、各種のインフォメーションディ
スプレーのような読出専用の表示装置に使用されるもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年の各種OA機器の小型化、省電力化
に伴い、ディスプレー装置も、従来の陰極線管(CR
T)から、液晶ディスプレー(LCD)やプラズマディ
スプレーのようなフラットパネルディスプレー(FP
D)に置き換えられつつある。特にLCDは電力消費量
が小さいため携帯型の機器に用いられることとなった。
【0003】しかしながら、LCDにはまだ、解決すべ
き問題が多くある。現在、多く使用されているLCDは
単純マトリクス型LCDと呼ばれるもので、液晶材料の
名前を取って、STNLCDと称されることがある。S
TNLCDは作製が簡単であるので、コストが低く、広
く普及している。
【0004】しかし、液晶材料としてのSTNは、その
材料本来の特徴である応答速度が極めて遅く、高速で動
く物体の表示をおこなった場合には、物体に追従でき
ず、表示できないという問題がある。
【0005】また、動作の方式から、1フレーム(通常
は10〜30msec)に1つの画素が点灯している時
間は、数10μsecから、数msecである。これは
マトリクスの行数に反比例し、200行のマトリクスで
は、1フレーム30msecとして、約150μsec
しか点灯しない。このため、画面のコントラストは低
く、また、画面を斜めから見たときに非常に見づらいと
いう欠点を有している。さらに、画面の一部に非常に明
るい、あるいは暗い部分があると、その周囲にまで影響
がでてしまう現象(クロストーク)が生じる。
【0006】一方、近年では各画素にアクティブ素子を
有し、これによって画素のスイッチングをおこなわせる
という方式を有するLCDも提案され、市販されてい
る。これらはアクティブマトリクス型LCDと総称され
るが、アクティブ素子の種類によって、TFTLCDや
MIMLCDと呼ばれる。TFTとは、薄膜トランジス
タのことであり、MIMとは、金属/絶縁体/金属とい
う構造を有するダイオードのことである。
【0007】これらのLCDでは、1フレームの間に画
素の点灯する時間は、1フレームにほぼ等しいためコン
トラストが高く、また視野角も広い。しかしながら、技
術的な問題からその製造歩留りが低く、コストや販売価
格が高く、現在のところ、高級なコンピュータのディス
プレー程度にしか実用化されていない。
【0008】また、現在のLCDの需要は、主として携
帯型のコンピュータに使用されている程度であるが、今
後は、より広範囲な応用が期待されている。例えば、コ
ードレス電話、携帯電話に付属したディスプレー、ある
いは携帯型の電子辞書等のインフォメーションディスプ
レーという用途がある。そのような場合には、見やすさ
と低価格が要求され、さらには省電力も要求される。し
かしながら、従来のLCDはその点で満足できるもので
はなかった。
【0009】例えば、STNLCDはコストが低いので
あるが、上記のような問題点から見にくいものであっ
た。また、TFTLCDには、大きく分けてアモルファ
スシリコンを使用したTFTを用いるTFTLCD(以
下、a−SiTFTLCDという)とポリシリコンを使
用したTFTを用いるTFTLCD(以下、ポリシリコ
ンTFTLCDという)の2種類があるが、前者も後者
も画像の見やすさには問題がないが、コスト的にはST
NLCDには太刀打ちできないものである。
【0010】特にa−SiTFTLCDを小型の読出専
用ディスプレーとして使用する場合に、もっともコスト
を上昇させる要因の1つは駆動回路を内蔵できないた
め、ドライバーICをTAB法等によって接続しなけれ
ばならず、このICの費用がコストアップの大きな部分
を占めるようになる。
【0011】図3には、LCDの画素数(ドット数)
と、コストの関係を示してある。この関係は概念的なも
のであり、半定量的なものである。STNLCDのよう
な単純マトリクス方式では、マトリクスの作製自体は比
較的容易であり、小規模マトリクスのコストの大部分は
ドライバーICによって占められる。すなわち、ドライ
バーICの数はマトリクスの端子数に比例するのに対
し、ドット数は端子数の2乗に比例し、結局、ドライバ
ーICの価格はドット数の平方根に比例し、小規模マト
リクスではICの価格によってコストが支配される。図
の単純マトリクス:TABにその様子を示す。
【0012】a−SiTFTLCDでは、マトリクスの
作製が複雑で自体の歩留りが低く、単純マトリクスに比
べて全体的に上方にシフトする。図のa−SiTFT:
TABにその様子を示す。a−SiTFTLCDでは小
規模マトリクスと大規模マトリクスでその価格に占める
要素が異なる。小規模マトリクスではSTNLCDと同
様にドライバーICの価格がコストの大きな部分を占め
る。一方、大規模マトリクスでは、マトリクスの歩留り
低下によるコストが大きな要素となる。
【0013】ポリシリコンTFTLCDでは、ドライバ
ーICは、ポリシリコンによってマトリクス作製と同時
に作製できるのでICを装着する必要はなく、したがっ
て、ドライバーICはコストの要因には入らない。特に
ドライバーICの装着は技術的にも問題があり、小型化
を思考する目的は本来適さないものである。したがっ
て、ポリシリコンTFTLCDは、小型化が可能である
ことも特徴とする。しかしながら、ポリシリコンTFT
LCDはa−SiTFTLCD以上にマトリクス自体の
作製が難しく、ドット数が増加するにしたがって、コス
トは著しく増加する。しかしながら、小規模マトリクス
ではドライバーICのコスト要因がないため、図の完全
ポリシリコンTFTにその様子を示すように、a−Si
TFTLCDと競合できるコストとなっている。
【0014】さて、a−SiTFTLCDでも、ドライ
バーをa−Siで構成できれば図の点線(完全a−Si
TFT)に示すように、STNLCDとの競合できる。
しかしながら、従来のTFTLCD方式ではそれは不可
能であった。すなわち、例えば、160×100の比較
的小規模なマトリクスを考えた場合に、通常の動作では
フレーム周波数が30Hzであるので、特にデータ線の
ドライバーには、480kHzの信号が入力される。し
かしながら、a−SiTFTでは、このような高速動作
に追随できない。同様なことは、カドミウム・セレニウ
ム(CdSe)系の半導体等の化合物半導体においても
なりたつ。これらの半導体材料がアクティブ素子として
積極的に用いられない背景には、その毒性や資源的な問
題もあるが、その応答速度が低いということも重大な問
題となっている。
【0015】この困難を避けるにはフレーム周波数を低
下させればよい。特に、動画を表示する必要のない場合
にはフレーム周波数の低下は何ら問題がないように思え
るのであるが、現在のTFTLCDの技術的な問題か
ら、フレーム走査の様子が目に見え、画面が極めて見に
くくなる。
【0016】従来の液晶材料としてTN液晶を用いたT
FTLCDの画素回路とその動作例を図2に示す。TF
Tのゲイト電極は選択線(ゲイト線ともいう)に、ま
た、ドレインはデータ線(ドレイン線ともいう)に接続
され、ソースは画素電極に接続されている。そして、画
素電極の対向電極は共通電極として通常は一定の電圧に
保たれている。一般には接地されている。
【0017】図2(B)に示すように、選択線には、周
期的にパルスを印加し、また、データ線には画素の情報
を電圧信号として印加する。選択線のパルスの周期は、
通常の動作では1フレームの周期であり、典型的には1
0〜30msecである。また、パルスの幅は、周期を
マトリクスの行数で割ったもの程度、もしくはそれ以下
であり、例えばインフォメーションディスプレー等に使
用されるような比較的小型の100行のマトリクスでは
100〜300μsecである。
【0018】また、データ線の信号は、画素を点灯状態
するときには電圧状態とし、消灯状態とするときは非電
圧状態とする。また、電圧状態の極性は周期的に入れ換
えられる。これは、TN液晶材料に長時間にわたって、
直流をかけた場合には、電気分解を起こして劣化してし
まうからである。この動作を交流化という。
【0019】さて、このような信号の印加されたTFT
のソース側の信号はV1 に示すようになる。最初に選択
線のパルスの印加によって、TFTはON状態となっ
て、ソースの電圧はドレインの電圧と同じになろうと上
昇する。しかし、パルスが切れると同時に、TFTのゲ
イト電極とソース領域の間の寄生容量のためにΔVだけ
電圧の効果がある。その後は、TFTはOFF状態にな
るので、画素電極は電気的に浮いた状態となり、TFT
のリーク電流によって次第に電圧は低下する。
【0020】次に、再び、選択線にパルスが印加され、
TFTがON状態となるとソースの電圧は、今度は負の
ドレイン電圧に近づく。その後、パルスが切れるととも
に、やはり寄生容量の影響でΔVだけ電圧が負にシフト
し、リーク電流によって電圧は減衰する。最後の選択線
のパルスが印加されたときにはドレインの電圧は0であ
るので、画素電極に蓄えられていた電荷が放出され、V
1 は0となる。
【0021】もし、フレーム周波数を低下させると、こ
のような電圧の変動がフレーム周波数で目に見えるよう
になる。フレーム周波数の低下は10Hzが限度であ
る。
【0022】もう1つの解決方法は、ドライバーICだ
けをポリシリコンで作製しようとするものであるが、ガ
ラス基板の種類を限定しないためには、通常行われるよ
うな高温でのアニールができないため、レーザーアニー
ル等の高度な技術を採用しなければならない。しかしな
がら、レーザーアニールはまだ、その技術が確立してい
ない上、量産性に劣る方法である。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、特に動画を
表示する必要のない表示装置において、コストの面で単
純マトリクス方式に対抗でき、アクティブマトリクス方
式と同等な画質を実現できる新しいアクティブマトリク
ス方式と、その表示装置を提供するものである。
【0024】特に本発明は、画素マトリクスと周辺のド
ライバー回路をa−SiTFTあるいはそれと同様な比
較的低温で作製できるTFTで同時に形成することによ
ってドライバーICを不要とし、歩留りの向上と低コス
ト化を実現せんとするものである。
【0025】
【問題を解決するための手段】先に述べたように、特に
動画を表示する必要のないディスプレーにおいてはフレ
ーム周波数を低下させることはa−SiTFTあるいは
CdSe系半導体様な低移動度半導体を用いたTFTを
ドライバー回路に使用するうえで重要な方法である。し
かしながら、フレーム周波数の低下によってちらつきの
ような目に見える画質の劣化を引き起こすことがあって
はならない。
【0026】ところで、従来の考えでは、フレーム周波
数には、交流化の周波数という意味と書換えの周波数と
いう意味が重なっていた。仮にその両者が分離されてい
たとしても、書換え周波数は交流化の周波数よりも大き
いのが当然であった。ここで、本文で使用する書換えと
いう言葉について注意しておく。本文では、書換えは表
示内容の変化だけを意味するのではなく、表示内容は同
じであっても、あらたに外部から信号が注入されるこ
と、あるいはその機会があることを意味する。したがっ
て、従来のTFTLCDにおいて、あるフレームで点灯
状態であった画素が、次のフレームでも点灯状態を維持
することも、そのために選択線にパルスが印加されると
同時にデータ線に信号が送られるので、書き換えられた
と表現することとする。
【0027】さて、書換えの周波数は視覚的な問題から
10Hz以下とすることはできないことは先に述べた。
本発明では、交流化と書換えを明確に区別し、両者を独
立に制御することによって、先のような問題点を解決し
ようとするのである。これらの要素が分離された場合に
は、視覚に影響を及ぼすのは交流化周波数であって、書
換えの周波数ではないことは明らかであろう。例えば、
セグメント方式のLCDでは、実質的に書換えという動
作は交流化の動作とは全く別のものである。実際、電卓
のLCDの書換えの周波数は極めて遅い。しかしなが
ら、交流化の周波数は30Hz程度である。電池の消耗
等によってLCDの表示がちらつくのは、交流化周波数
の低下によるものであって、書換えの周期が落ちたから
ではない。
【0028】本発明においても、ちらつきを防止するた
めには交流化の周波数は10Hz以上としなければなら
ない。しかしながら、書換えの周波数は1Hzあるいは
それ以下とすることを必要とする。
【0029】例えば、書換えを1Hzとすれば、160
×100ドットのLCDのデータ線のドライバーに送ら
れる信号は、従来の30分の1の16kHzであり、a
−SiTFTでも十分に駆動可能な速度である。
【0030】さて、このような目的を達成するために
は、従来のようなTFTLCD方式は極めて不適切なも
のである。従来のTFTLCDでは、1つのTFTに、
画素の選択と、画素への電圧の供給という2つの役割を
担わせていたからである。したがって、本発明ではこの
2つの役割をそれぞれのアクティブ素子に分離して担わ
せる。ここでは、画素の選択をおこなう素子を第1素
子、第1素子の出力を受けて画素への電圧の供給をおこ
なう素子を第2素子とする。
【0031】これらの素子は、TFTや各種ダイオード
のようなアクティブ素子、あるいはそれらと抵抗、コン
デンサーのような受動素子によって構成される。これら
の作製に際しては、a−Siもしくはそれと同等な条件
で作製されるものが望まれ、600℃以上の高温プロセ
スの採用は避けられる。
【0032】もっとも単純には、図1(A)に示すよう
に2つのTFTを、それぞれ第1素子(Tr1 )、第2
素子(Tr2 )としたものである。本発明では画素の書
換えにかかわらず、交流化をおこなうという意味で従来
のTFTLCD方式にはない、電圧供給線をもうける必
要がある。各配線との接続に関しては、図に示すように
Tr1 のドレインをデータ線に、ゲイト電極を選択線に
接続し、ソースはTr2 のゲイト電極に接続する。ま
た、Tr2 のドレインは電圧供給線に、ソースは画素電
極にそれぞれ接続する。
【0033】この例についての動作を、図1(B)を参
考に以下に記す。ここでは、簡単のために、交流化が2
回おこなわれる間に、書換えが1回おこなわれるものと
する。もちろん、交流化が10回おこなわれる間に書換
えが1回おこなわれる場合や、交流化が30回おこなわ
れる間に書換えが1回おこなわれる場合も同様に拡張し
て考えられる。
【0034】この例では、最初、消灯状態であった画素
が、点灯されて、つぎの書換えの際に再び、消灯される
ものとする。選択線VG には、従来のようにパルスが規
則的に印加される。一方、データ線にも必要な信号が印
加される。データ線に印加される信号は正と負の2値、
あるいは電圧状態と非電圧状態の2値とする。ここでは
Tr1 もTr2 もNMOSであるとする。また、画素の
対向電極の電位を0とする。
【0035】最初に選択線にパルスが印加されたときに
は、データ線の信号が正であったので、Tr1 のソース
側の電位V1 は、正の値となり、従来のTFTLCDの
場合と同様に電圧が増大して、パルスの終了によって下
落し、以後、自然に放電する。この放電に要する時間
は、Tr1 のOFF抵抗と、Tr2 のゲイト電極とチャ
ネル間の容量Cによって決定される。例えば、a−Si
TFTでは、OFF抵抗として1013Ω程度であり、ま
た、Cとしては10-13 F程度であるので、減衰定数は
1秒程度である。すなわち1秒経過後に電圧は約40%
になっている。よりCを大きくすることによって、この
時間を延ばすことも可能である。
【0036】さて、一方、電圧供給線には選択線のパル
スに同期した信号が送られるが、この電圧供給線は画素
駆動の交流化という目的から、図に示すように交流パル
スが送られる。ここでは、選択パルス1回につき、電圧
供給線の信号極性は、正と負に2回変化する。もちろ
ん、選択パルス1回について、より多く極性を変化させ
ても構わない。
【0037】Tr2 のゲイト電極には既に正の電圧がか
かっているので、Tr2 はON状態であり、電圧供給線
の電圧がそのまま画素電極に印加され、画素電極の電圧
2 は、図1(B)に示すように最初、負の値をとり、
その後、電圧供給線の電圧が反転するにしたがって、正
の値をとる。本発明の特徴とも言えることであるが、こ
のような2段階の動作によって、画素には、電圧供給線
の電圧と実質的に同じ電圧が供給され、しかも、これは
従来のように自然放電によって減少することはない。し
たがって、明確に白黒が判別される。
【0038】次に、再び、選択線にパルスが印加され
る。このときにはデータ線の電圧は0であるので、Cに
蓄えられていた電荷は放電し、V1 は0となる。これに
よって、Tr2 もOFF状態となり、画素への電圧の供
給はストップする。
【0039】従来であれば、交流化の周期は書換えの周
期と同じかもしくは長かったために、選択線に点線で示
すようなパルスを印加しなければならなかった。しかし
ながら、本発明によって、そのパルスは不要となり、動
作信号は2分の1となる。
【0040】本発明の効果をさらに考えてみれば、例え
ば、図1と同様な手法によって、1秒に1回書換えをす
るとすれば、これは従来の速度の30分の1である。と
いうことは、選択線に印加されるパルスもデータ線の信
号も30倍長くできる。例えば、選択線のパルスであれ
ば、従来は200行のマトリクスでは100μsec程
度であったが、本発明ではその30倍の3msecとで
きる。このことは、TFTの動作が遅くとも、確実に応
答して必要な電圧を充電・供給できることを意味してい
る。従来では、a−SiTFTの動作が困難な短時間で
の応答であったので、各TFTの特性のばらつきによっ
て、充電の十分な画素とそうでない画素が生じ、画質の
悪化につながった。
【0041】本発明では、すでに2段のTFTの動作に
よって、半アナログ的な電圧が画素に印加されることは
ないが、さらに、このような特徴によって、TFTの不
良を減らし、歩留りの向上に寄与する。
【0042】この説明ではTFTとしては、a−SiT
FTを用いることが望ましい。そして、どちらにもNM
OSのa−SiTFTを用いてもよいが、Tr1 にはエ
ンハンスメント型のTFTを、Tr2 にはデプレッショ
ン型のTFTを用いてもよい。a−SiTFTを用いる
にあたっては、PMOSは動作速度が著しく遅いので目
的に適さない。しかしながら、アモルファスシリコンと
ポリシリコンの中間的な状態のシリコン半導体ではホー
ルの移動度もかなり大きいので、PMOSが使用でき
る。その場合には周辺回路もCMOSとすることができ
る。
【0043】本発明の装置の全体的な構成の例を図4に
示す。このLCDのドット数は、例えば320×480
(通常のラップトップ型コンピュータの画面の半分)と
する。しかしながら、画面は大きくは上下左右に4分割
され、それぞれ、LCDマトリクス(406)の横に配
置された4つの選択線および電圧供給線のドライバー
(401)によって駆動される。さらに、4つに分割さ
れた画面はそれぞれさらに半分に分割され、上下に設け
られたデータ線のドライバー(402)によって駆動さ
れる。各ドライバーは、ワイヤボンディング端子(40
3)から、ワイヤボンディング法によって接続された配
線(405)によって外部の回路と接続される。
【0044】例えば、左下の画面に注目すれば、ここに
ある画素は全体の8分の1の、9600である。もし、
1秒間に1回だけ書き換えるという動作をおこなうので
あれば、データ線のドライバー402に配線405から
送られる信号の周波数は、9.6kHzである。また、
選択線および電圧供給線に送られる信号は、電圧供給線
には最低でも1つの行について30Hzの信号が送られ
る必要があり、行数は240行の半分の120行(他の
120行は反対側のドライバーが受け持つ)なので、
3.6kHzの信号が送られる。いずれも、周波数とし
ては極めて小さいものであって、ドライバーをa−Si
TFTで構成したとしてもほとんど問題とならない。
【0045】さらに、このようにドライバー回路をマト
リクスと同時に形成した場合には、そのためによる歩留
りの低下はほとんど無視できる。本発明ではTr2 のゲ
イト電極とチャネル間の容量Cが特に問題となる。先に
述べたように、V1 の電位を維持するにあたって、Tr
1 のOFF抵抗とCがそのパラメータとなる。TFTの
OFF抵抗はチャネルの厚さや幅を変更することによっ
てある程度可変である。しかし、1013Ω以上の高抵抗
を達成することは難しい。一方、Cは、Tr2 のゲイト
電極のサイズによって決定される。例えば、10×10
0μm2 のゲイト電極で、絶縁膜の厚さが100nmで
あれば、Cは10-13 〜10-12 Fである。絶縁膜とし
て誘電率の高い窒化珪素を用いればCは大きくなる。
【0046】Tr2 のゲイト電極に10×100μmも
の面積を使用することは開口率の低下につながり望まし
くない。実際、これ以上、大きな面積をTFTのために
割くことは賢明ではない。そこで、この矛盾を解決する
には、電圧供給線に、Tr1 のソース電極・配線を重ね
るとよい。このようにすると、開口率を落とさずに大き
な容量を得ることができる。その際には、層間絶縁物に
誘電率の大きな材料を使用することも方法の1つであ
る。
【0047】このように、Tr1 に大きなCを接続する
ので、Tr1 のON/OFFの動作速度の低下を懸念す
る人がいるかもしれない。しかしながら、本発明では、
各データ線の信号も選択線のパルスの従来よりかなり長
く、例えば、30倍の長い間持続する。一方、従来のT
FTLCDでは、負荷である画素電極の容量は10-13
F程度であった。本発明の場合には、従来と同程度もし
くは1桁程度大きな負荷容量が要求されるが、応答速度
が10分の1以下に低下しているので、全く問題はない
ばかりか、従来よりも余裕をもって応答・動作すること
ができる場合もある。
【0048】本発明によって、表示の書換え(維持も含
む)をおこなう場合には、交流化のタイミングにあわせ
て適当な行数ごとにおこなう方法がある。例えば図5に
示すような方法である。例えば、100行のマトリクス
としよう。そして、第1行と第21行と第41行と第6
1行と第81行の5つの行の電圧供給線は同期して同じ
信号を印加されるものとする。同様に、第2行と第22
行と第42行と第62行と第82行の5つの行、および
他の行もそれぞれ組を作り、それぞれ同期して動作する
ものとする。
【0049】最初の交流化のとき(図5(A))には、
第1行から第20行までの画素の書換えが行われるもの
としよう。このとき、第1行の画素には選択線にパルス
と電圧供給線には正の電圧が印加される。一方、第21
行やその他の第1行に同期して動く他の画素についても
電圧供給線には電圧が印加されるが、選択線にはパルス
は印加されない。したがって、このときには5つの組と
なって動作する行のうち、第1行しか書換えはおこなわ
れない。他の組についても同様で、結局、このときには
第1行から第20行までだけが書換えられる。
【0050】次に、第21行には選択線にパルスと同時
に電圧供給線には負の電圧が印加されたとしよう。しか
し、このときには同期して動作する第1行やその他の行
には選択線にパルスは印加されない。電圧供給線には第
21行と同様に電圧が印加される。他の行の組について
も同様で、図5(B)に示すように、第21行から第4
0行までだけが書き換えられる。
【0051】以後、同様な操作を繰り返す。図5(C)
では第41行から第60行までが書き換えられるが、こ
のときには電圧供給線には正の電圧が印加される。図5
(D)では第61行から第80行までが書き換えられる
が、このときには電圧供給線には負の電圧が印加され
る。図5(E)では第81行から第100行までが書き
換えられるが、このときには電圧供給線には正の電圧が
印加される。
【0052】このようにして、図5(F)では、再び第
1行から第20行までが書き換えられることとなる。こ
のとき、電圧供給線に印加される電圧は負である。図5
(A)から(E)までの間に、各画素は1回書き換えら
れたのであるが、画素の電圧は正、負、正、負、正とい
うように5回変化している。このことこそ、まさに本発
明の特徴となるべきことである。すなわち、交流化の周
期よりも書換えの周期の方が長い。特に本発明ではこの
周期の比率を30倍やそれ以上とすることによってドラ
イバー回路の負担を著しく減少させるのである。
【0053】さて、本発明では、LCD駆動のための電
力も削減できる。従来のTFTLCDあるいはSTNL
CDでは、各データ線に出力される信号の周波数は、
(行数×30)Hzであった。しかし、本発明では、例
えば書換えを1秒間に1回だけおこなうとすると(行数
×1)Hzである。
【0054】一方、従来のLCDでは各選択線に出力さ
れる信号の周波数は30Hzであるのに対し、本発明で
は1Hzである。しかしながら、本発明では電圧供給線
に30Hzの信号が出力されるので、この点では、従来
とほとんど互角である。
【0055】結局、データ線の信号を減らすことによる
消費電力の低減が計れる。また、従来のSTNLCDで
は、ダイナミックモードでの動作であるので画面を見や
すくするためにバックライトによって画面を照らし出す
必要があったが、本発明ではスタティックッモードでの
動作であるので、バックライトがなくとも良好な視認性
を得ることができる。
【0056】本発明を実施せんとすれば、公知の薄膜半
導体作製技術を援用すればよい。その詳細についてはい
ちいち述べないが、以下に実施例を示し、説明する。
【0057】
【実施例】図6に本発明を実施する為の画素の駆動回路
例およびその作製方法を示す。これは画素の回路を上か
らみたときの様子を示している。本実施例の回路は3重
金属配線の逆スタガー型2重TFTを有している。この
ような回路を作製するには以下のようにすればよい。
【0058】まず、適当な基板上にアルミニウム等の金
属材料でできた選択線(Tr1 のゲイト電極・配線とな
る)601をパターニングする(マスク1)。このと
き、選択線の表面に陽極酸化法等の方法によって、絶縁
性のよい金属酸化物膜を形成しておくと、後のプロセス
で不良が発生する確率が小さくなる。そして、ゲイト絶
縁膜および層間絶縁物として機能する第1絶縁物層を成
膜する。次に、CVD法等によってアモルファスシリコ
ンあるいはポリシリコン膜を形成し、それをパターニン
グする(マスク2)。次に、マスク1を用いて、窒化珪
素膜等のエッチングストッパーを選択線に重なるように
形成する。あるいは、基板の裏面から光を照射して、セ
ルフアライン的にこのエッチングストッパーを、選択線
に重なるようにパターニングしてもよい。
【0059】次に、不純物ドープされた半導体膜を形成
・パターニングする(マスク3)。このようにして、第
1のTFTの半導体領域602を作製する。図6(A)
にその様子を示す。
【0060】次に、データ線603を金属材料で形成す
る。データ線は第1のTFTのソースに接続するように
形成される(マスク4)。また、同時に同じ材料で第1
のTFTのドレイン電極から延びる配線604を形成す
る。このとき、この金属配線604がこのような複雑な
計上を呈しているのは、後に電圧供給線と重なるように
するためである。その様子を図6(B)に示す。
【0061】さらに、第1のTFTを作製した場合と同
じように、第2の絶縁膜(第2のTFTのゲイト絶縁膜
となる)を形成し、第2のTFTの活性化半導体膜をパ
ターニングし(マスク5)、次に、マスク4を用いて、
エッチングストッパーを形成し、不純物ドープされた半
導体膜を形成・パターニングする(マスク6)。このよ
うにして第2のTFTの半導体領域605を形成する。
さらに、金属材料で電圧供給線606を形成し(マスク
7)、第2のTFTのドレインとコンタクトを形成す
る。このようにして、図6(C)に示されるような回路
を得る。最後に、図6(D)に示すように、透明導電膜
607をパターニングして(マスク8)回路が完成す
る。
【0062】以上の工程では、全部で8枚のマスクを必
要とし、また、マスクプロセスは10回必要である。マ
スクプロセスを積極的に減らす為にはセルフアラインプ
ロセスの導入が望ましい。また、エッチングストッパー
を用いないでTFTを形成する為には、最初にソース、
ドレイン領域となる不純物半導体をパターニングして形
成し、その後、活性化半導体膜を形成してもよい。
【0063】この回路では、電圧供給線と第2のTFT
のゲイト電極配線は意図的に重なるように設計されてい
る。これは、この両者の容量(図1(A)のCに相当)
を大きくして、第2のTFTのゲイト電極に蓄積されて
いる電荷の保持時間を長くし、書換えの回数を減らすこ
とを意図したからである。
【0064】
【発明の効果】本発明によって、見やすさに関してはT
FTLCD等のアクティブマトリクス方式と同等であ
り、かつ、価格的にはSTNLCD方式に対抗できるL
CDを提供することができる。
【0065】本発明の目的は、動画を表示する必要のな
い表示装置に用いるLCDを提供することにある。例え
ば、電気機器の付属品として、機器の操作の方法や機器
の動作状態を表示する用途に使用するもの等である。従
来、このような用途は極めて限られており、マーケット
は小さかった。従来は読出専用ディスプレーには、セグ
メント方式のLCDやSETNLCDが用いられた。
【0066】しかしながら、セグメント方式では表示容
量に限りがあった。また、STNLCDではドライバー
ICを装着する必要があった。現在、このようなICを
実装する技術としてはTAB方式が一般に用いられてい
るが、画素が小さくなることによって、TAB方式を採
用することは技術的に難しくなる。一般に、画素の一辺
が100μm以下となるとTAB方式は使用できない。
【0067】本発明ではドライバーICも一体化して形
成されるためこのような問題はない。しかしながら、従
来のa−SiTFTLCDでは、その動作方法の困難か
ら、ドライバーICをa−SiTFTで構成することは
困難であった。本発明はこの点を見事に解決した。
【0068】本発明によって、読出専用LCDの全く新
しい用途が期待される。例えば、本発明では外付けのI
Cを必要としないため、極めて小型化が可能である。し
たがって、カード型の表示装置に使用できる。例えば、
カード型のポケットベルや各種クレジットカードの表示
装置等に使用できる。このような用途は期待されること
はあっても、適切な表示装置、LCDがなかったため実
用できなかったものである。現在はこのような目的の市
場規模は小さいが、莫大な潜在需要があるものと期待さ
れ、大きなマーケットに成長することが期待される。
【0069】本発明では、TFTの材料としては600
℃以下の低温で作製される材料を用いることが望まし
い。実施例ではa−SiTFTを取り上げたが、CdS
やCdSe等の化合物半導体であっても特に問題はな
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のTFTLCDの画素の回路例とその動
作例を示す。
【図2】従来のTFTLCDの画素の回路例とその動作
例を示す。
【図3】各種LCDの画素数とコストの関係の概略を示
す。
【図4】本発明のTFTLCDのパネルの構成例を示
す。
【図5】本発明のTFTLCDの表示方法の例を示す。
【図6】本発明のTFTLCDの画素の回路例およびそ
の作製方法の例を示す。
【符号の説明】
401・・・・選択線・電圧供給線ドライバー回路 402・・・・データ線ドライバー回路 403・・・・ボンディングパット 405・・・・ボンディングワイヤー 406・・・・マトリクス領域

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アクティブマトリクス型の電気光学表示
    装置であって、アクティブマトリクスと、周辺のドライ
    バー回路がアモルファスシリコンTFTによって構成さ
    れ、マトリクスの各画素には、画素の選択をつかさどる
    第1素子と、第1素子の出力をもとに画素に電圧を供給
    する第2素子が形成されていることを特徴とする電気光
    学表示装置。
  2. 【請求項2】 アクティブマトリクス型の電気光学表示
    装置の表示方法に関して、各画素の交流化の周期が、書
    換えの周期よりも短いことを特徴とする電気光学表示装
    置の表示方法。
  3. 【請求項3】 選択線とデータ線と電圧供給線を有する
    アクティブマトリクス型の電気光学表示装置の駆動方法
    に関して、選択線に印加されるパルスの数は、同じ時間
    の間に電圧供給線に印加される信号の極性の変化する回
    数よりも少ないことを特徴とする電気光学表示装置の表
    示方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6621477B1 (en) 2000-03-30 2003-09-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2003530779A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 ミケール アー. レアマン, コンピュータ通信用集積回路
US7079101B1 (en) 1998-05-13 2006-07-18 Nec Corporation Liquid crystal display device and driving method therefor
JP2010286849A (ja) * 1999-12-03 2010-12-24 Mitsubishi Electric Corp 携帯情報機器の表示用画素駆動方法
JP2011141522A (ja) * 2009-10-16 2011-07-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111667767B (zh) * 2020-06-29 2022-04-08 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60123896A (ja) * 1983-12-09 1985-07-02 三洋電機株式会社 映像表示装置の駆動方式
JPS63218927A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Matsushita Electronics Corp 画像表示装置
JPH02272521A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH03229221A (ja) * 1990-02-02 1991-10-11 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60123896A (ja) * 1983-12-09 1985-07-02 三洋電機株式会社 映像表示装置の駆動方式
JPS63218927A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Matsushita Electronics Corp 画像表示装置
JPH02272521A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH03229221A (ja) * 1990-02-02 1991-10-11 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7079101B1 (en) 1998-05-13 2006-07-18 Nec Corporation Liquid crystal display device and driving method therefor
JP2010286849A (ja) * 1999-12-03 2010-12-24 Mitsubishi Electric Corp 携帯情報機器の表示用画素駆動方法
US6621477B1 (en) 2000-03-30 2003-09-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2003530779A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 ミケール アー. レアマン, コンピュータ通信用集積回路
JP2011136183A (ja) * 2000-04-06 2011-07-14 Mikel A Lehrman コンピュータ通信用集積回路
JP2011156367A (ja) * 2000-04-06 2011-08-18 Mikel A Lehrman コンピュータ通信用集積回路
JP2011141522A (ja) * 2009-10-16 2011-07-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US8854286B2 (en) 2009-10-16 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
US9368082B2 (en) 2009-10-16 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
US9959822B2 (en) 2009-10-16 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
US10565946B2 (en) 2009-10-16 2020-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device

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