JPH05112874A - Electroless tinning solution - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a substitution type electroless tinning soln. capable of forming a tin coating film having satisfactory adhesion on the surface of a copper-based substrate in a sufficiently large thickness while almost controlling environmental problem. CONSTITUTION:This electroless tinning soln. has a basic compsn. contg. 0.01-1mol/l org. sulfonic acid, 0.01-0.5mol/l divalent tin salt of org. sulfonic acid, 0.05-2mol/l thiourea and/or deriv. thereof and 0.01-1.0mol/l halogen ions.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、銅系基材面に密着性
の優れたすず皮膜を作業性良く十分な厚さで形成するこ
とができる無電解すずめっき液に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroless tin plating solution capable of forming a tin film having excellent adhesion on a copper base material surface with good workability and a sufficient thickness.

【０００２】[0002]

【従来技術とその課題】一般に、電子回路のパタ−ン等
を形成する銅又は銅合金基材面には、酸化や変色を防止
すると共に良好なはんだ付け性を確保するためすず(Sn)
の無電解めっき皮膜が施されることが多い。2. Description of the Related Art Generally, tin (Sn) is used on the surface of a copper or copper alloy base material forming a pattern of an electronic circuit in order to prevent oxidation and discoloration and to secure good solderability.
Often, electroless plating film is applied.

【０００３】すずの無電解めっきは、すずイオンを含む
処理液中に前記銅系基材を浸漬してその際の置換反応に
より基材面にすず皮膜を析出させる手法であるが、従
来、このような「無電解すずめっき」に適用されるめっ
き液として、塩酸，硫酸，硼ふっ化水素酸或いは有機ス
ルホン酸をベ−スとしたものが知られている（例えば特
公昭５６−２４７１３号公報，特開昭５１−９９６３２
号公報，特開昭５２−８９５３３号公報，特公昭５６−
１１３８５号公報，特開昭５６−１４６８７２号公報，
特開昭６３−２３０８８３号公報等を参照）。The electroless plating of tin is a method of immersing the copper-based substrate in a treatment liquid containing tin ions and depositing a tin film on the substrate surface by a substitution reaction at that time. As a plating solution applied to such "electroless tin plating", a solution based on hydrochloric acid, sulfuric acid, borofluoric acid or organic sulfonic acid is known (for example, Japanese Patent Publication No. 56-24713, Japanese Patent Laid-Open No. 51-99632
JP-A-52-89533, JP-B-56-
11385, JP-A-56-146872,
(See JP-A-63-230883).

【０００４】ところが、このうち、塩酸や硫酸をベ−ス
とした無電解すずめっき液には「塩酸や硫酸のミストが
発生して使用時に周りの環境悪化や設備の腐食を招く」
という問題のあることが、また、硼ふっ化水素酸をベ−
スとした無電解すずめっき液に対しては「排水中に有害
なふっ素が含まれるのを防止するのが非常に困難であ
る」との問題を有していることが指摘されていた。その
上、これらの無電解すずめっき液から得られるめっき皮
膜は何れも銅系基材との密着性が悪く、剥がれを生じ易
いという欠点もあった。However, among these, the electroless tin plating solution using hydrochloric acid or sulfuric acid as a base "mist of hydrochloric acid or sulfuric acid is generated, which causes deterioration of the surrounding environment and corrosion of equipment during use."
The problem is that borofluoric acid is also used.
It was pointed out that it is very difficult to prevent harmful fluorine from being contained in the waste water with respect to the electroless tin plating solution. In addition, all of the plating films obtained from these electroless tin plating solutions have the disadvantage that they have poor adhesion to the copper-based substrate and are susceptible to peeling.

【０００５】一方、有機スルホン酸をベ−スとした無電
解すずめっき液には上記のような問題はないものの、こ
のめっき液を使用した場合には形成される無電解すずめ
っき皮膜の厚さが精々２〜３μｍ程度にしか達せず、塩
酸浴，硫酸浴或いは硼ふっ化水素酸浴を使用した場合と
同等の十分な膜厚を確保することができなかった。On the other hand, although the electroless tin plating solution based on organic sulfonic acid does not have the above problems, the thickness of the electroless tin plating film formed when this plating solution is used. Reached at most about 2 to 3 μm, and a sufficient film thickness equivalent to that when using a hydrochloric acid bath, a sulfuric acid bath or a borofluoric acid bath could not be secured.

【０００６】このようなことから、本発明が目的とした
のは、銅系基材面に密着性の良いすず皮膜を環境上の問
題少なく十分な膜厚で形成させ得る“置換型の無電解す
ずめっき液”を提供することであった。In view of the above, the object of the present invention is to provide a "substitution type electroless film" capable of forming a tin film having good adhesion on the surface of a copper base material with a sufficient film thickness without environmental problems. It was to provide a "tin plating solution".

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成すべく、特に“有機スルホン酸浴”の「環境上の問題
が比較的少ない上に密着性の良好なすずめっき皮膜が得
られる」という利点に着目し、それらを生かしつつ析出
膜厚の増大が図れる手立てを求めて重ねられた研究の結
果等を基に完成されたものであり、「無電解すずめっき
液を、 有機スルホン酸： 0.01〜 1 mol/L(リッ
トル) ， 有機スルホン酸の２価のすず塩： 0.01〜0.5 mol/L ， チオ尿素及び／又はその誘導体： 0.05〜 2 mol/L ， ハロゲンイオン： 0.01〜1.0 mol/L を含有して成る組成とすることにより、 銅系基材面に密
着性の良いすず皮膜を十分な膜厚で形成させ得るように
した点」に大きな特徴を有している。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a tin plating film which has a relatively low environmental problem and good adhesion, especially in the "organic sulfonic acid bath". It has been completed based on the results of research conducted in order to find a way to increase the deposited film thickness while taking advantage of the advantages of "electroless tin plating solution and organic sulfonic acid. : 0.01 to 1 mol / L (liter), divalent tin salt of organic sulfonic acid: 0.01 to 0.5 mol / L, thiourea and / or its derivative: 0.05 to 2 mol / L, halogen ion: 0.01 to 1.0 mol By making the composition containing / L, it is possible to form a tin film with good adhesion on the surface of the copper-based substrate with a sufficient film thickness. "

【０００８】このように、本発明は、「有機スルホン
酸，２価のすずイオン並びにチオ尿素及び／又はその誘
導体をベ−スとする溶液にハロゲンイオンを添加して成
る液組成」を無電解すずめっき液の基本組成としたこと
を骨子としているが、上記主成分のほか、この種の置換
型無電解めっき液の助剤として一般に用いられている還
元剤や界面活性剤等も加えて良いことは言うまでもな
い。As described above, in the present invention, "a liquid composition prepared by adding halogen ions to a solution containing organic sulfonic acid, divalent tin ions and thiourea and / or its derivative as a base" is electroless. Although the basic composition of the tin plating solution is the main point, in addition to the above main components, reducing agents and surfactants that are commonly used as auxiliary agents for this type of substitutional electroless plating solution may be added. Needless to say.

【０００９】なお、本発明に係わる上記無電解すずめっ
き液のｐＨは、すずイオンの溶解度の観点から２以下と
するのが好ましい。また、この無電解すずめっき液は５
０℃以上の温度で使用するのが良いが、液成分の蒸発，
揮発等の兼ね合いからすると液の加温は９０℃までとす
るのが望ましい。更に、めっき処理に際して液の攪拌を
均一に行うことは、得られるめっき皮膜の均一性のため
に重要である。そして、めっき液の攪拌に“空気吹き込
み”といった手段を採用することは液中の錫イオンの酸
化が起きるので避けねばならず、そのため攪拌はスタ−
ラや機械揺動によるべきである。The pH of the electroless tin plating solution according to the present invention is preferably 2 or less from the viewpoint of tin ion solubility. Also, this electroless tin plating solution is 5
It is recommended to use at a temperature of 0 ° C or higher,
In consideration of volatilization and the like, it is desirable to heat the liquid up to 90 ° C. Further, it is important to uniformly stir the solution during the plating treatment for the uniformity of the obtained plating film. Further, it is necessary to avoid using a means such as "air blowing" for stirring the plating solution, because oxidation of tin ions in the solution occurs, and thus stirring is started.
It should be due to la or mechanical rocking.

【００１０】以下、本発明に係わる無電解すずめっき液
の基本組成を前記の如くに限定した理由を、各構成成分
の作用と共に詳述する。The reason why the basic composition of the electroless tin plating solution according to the present invention is limited as described above will be described in detail together with the action of each constituent component.

【作用】[Action]

a) 有機スルホン酸 有機スルホン酸は溶液中の２価のすずイオン（Sn²⁺）の
安定化のために必要な成分であるが、その含有割合が
0.01mol/L未満であると前記イオンが不安定となって酸
化物，水酸化物として沈澱するようになり、一方、１mo
l/L を超えて含有されると、めっき液の酸性度が強くな
って被めっき材等の腐食が大きくなりすぎるという不都
合を生じる。従って、有機スルホン酸の含有割合は0.01
〜１mol/Lと定めた。a) Organic sulfonic acid Organic sulfonic acid is a component necessary for stabilizing the divalent tin ion (Sn ²⁺ ) in the solution.
If it is less than 0.01 mol / L, the above-mentioned ions become unstable and precipitate as oxides and hydroxides.
If the content is more than 1 / L, the acidity of the plating solution becomes strong and the corrosion of the material to be plated becomes too large. Therefore, the content ratio of organic sulfonic acid is 0.01
It was determined to be ~ 1 mol / L.

【００１１】なお、使用できる有機スルホン酸として
は、メタンスルホン酸，エタンスルホン酸，プロパンス
ルホン酸，2-プロパンスルホン酸，2-ヒドロキシエタン
スルホン酸，2-ヒドロキシプロパンスルホン酸，p-フェ
ノ−ルスルホン酸，p-アミノベンゼンスルホン酸，p-ト
ルエンスルホン酸等のアルカンスルホン酸，アルカノ−
ルスルホン酸，芳香族スルホン酸を挙げることができ
る。The organic sulfonic acids that can be used include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 2-hydroxyethanesulfonic acid, 2-hydroxypropanesulfonic acid, p-phenol sulfone. Acids, alkane sulfonic acids such as p-aminobenzene sulfonic acid, p-toluene sulfonic acid, alkano-
Examples thereof include sulfonic acid and aromatic sulfonic acid.

【００１２】b) 有機スルホン酸の２価のすず塩 有機スルホン酸の２価のすず塩は、めっき液中に２価の
すずイオン（Sn²⁺）を供給するために必要な成分である
が、該有機スルホン酸の２価のすず塩の含有割合が 0.0
1mol/Lを下回るとめっきの析出速度が実際作業上不都合
な程に遅くなることから、その含有割合の下限を 0.01m
ol/Lと定めた。一方、溶解度の関係から含有割合の上限
を0.5mol/Lと定めた。B) Divalent tin salt of organic sulfonic acid The divalent tin salt of organic sulfonic acid is a component necessary for supplying divalent tin ions (Sn ²⁺ ) into the plating solution. , The content ratio of the divalent tin salt of the organic sulfonic acid is 0.0
If it is less than 1 mol / L, the deposition rate of plating will be slow enough to be practically inconvenient, so the lower limit of the content ratio is 0.01 m.
ol / L. On the other hand, the upper limit of the content ratio was set to 0.5 mol / L from the relationship of solubility.

【００１３】c) チオ尿素及び／又はその誘導体 チオ尿素及び／又はその誘導体は置換反応の進行に伴い
めっき液中に溶出する銅イオン（Cu⁺ ）の錯化剤として
必要な成分であるが、その含有割合が 0.05mol/L未満で
あると置換反応が殆ど起こらなくなる。一方、該成分の
含有割合が多くなっても格別な不都合はないが、溶解度
の関係から２mol/L 以下に止めるのが好ましいと言え
る。従って、チオ尿素及び／又はその誘導体の含有割合
は0.05〜２mol/L と定めた。なお、チオ尿素の誘導体と
しては、ジメチルチオ尿素，ジエチルチオ尿素，アリル
チオ尿素等が挙げられる。C) Thiourea and / or its derivative Thiourea and / or its derivative are components necessary as a complexing agent for copper ions (Cu ⁺ ) which are eluted in the plating solution as the substitution reaction proceeds. If the content ratio is less than 0.05 mol / L, the substitution reaction hardly occurs. On the other hand, even if the content ratio of the component is increased, there is no particular inconvenience, but it can be said that it is preferably limited to 2 mol / L or less in view of solubility. Therefore, the content ratio of thiourea and / or its derivative was set to 0.05 to 2 mol / L. Examples of thiourea derivatives include dimethylthiourea, diethylthiourea, allylthiourea and the like.

【００１４】d) ハロゲンイオン 本発明に係わる無電解すずめっき液において、ハロゲン
イオンは析出物（めっき皮膜）の膜厚を増加させる重要
な作用を担っている。しかし、ハロゲンイオンの含有割
合が 0.01mol/Lを下回った場合には上記作用による所望
の効果が得られず、一方、1.0mol/Lを超えて含有させる
と“塩酸をベ−スとしためっき液”の場合と同様に設備
の腐食といった問題を引き起こすことから、ハロゲンイ
オンの含有割合を0.01〜1.0mol/Lと限定した。D) Halogen ion In the electroless tin plating solution according to the present invention, the halogen ion has an important function of increasing the thickness of the deposit (plating film). However, if the halogen ion content ratio is less than 0.01 mol / L, the desired effect due to the above action cannot be obtained, while if it exceeds 1.0 mol / L, "hydrochloric acid-based plating is performed. As in the case of "liquid", it causes problems such as equipment corrosion, so the content ratio of halogen ions was limited to 0.01 to 1.0 mol / L.

【００１５】なお、ハロゲンイオンとしては塩素イオン
又は臭素イオンを用いるのが実際的であるが、設備の腐
食回避という観点から塩素イオンを使用する場合には濃
度を0.5mol/L以下に抑えるのが好ましい。使用する塩素
イオン源としては、塩酸，塩化ナトリウム，塩化カリウ
ム，塩化リチウム，塩化アルミニウム等、水可溶性の塩
素含有化合物が挙げられ、同様に臭素イオン源としては
臭化水素酸，臭化ナトリウム，臭化カリウム等を用いれ
ば良い。Although it is practical to use chlorine ion or bromine ion as the halogen ion, from the viewpoint of avoiding the corrosion of the equipment, the concentration should be kept to 0.5 mol / L or less when chlorine ion is used. preferable. Examples of chlorine ion sources used include water-soluble chlorine-containing compounds such as hydrochloric acid, sodium chloride, potassium chloride, lithium chloride, and aluminum chloride. Similarly, bromine ion sources include hydrobromic acid, sodium bromide, and odor. Potassium iodide or the like may be used.

【００１６】前述したように、本発明に係わる無電解す
ずめっき液には還元剤，界面活性剤等の成分を加えるこ
とができるが、すずイオン（Sn²⁺）の酸化防止のために
次亜リン酸ナトリウム，ヒドラジン等の還元剤の添加は
非常に効果的である。この場合、還元剤の濃度は０〜0.
5mol/Lの範囲に調整するのが良い。As described above, components such as a reducing agent and a surfactant can be added to the electroless tin plating solution according to the present invention. However, in order to prevent oxidation of tin ions (Sn ²⁺ ), The addition of reducing agents such as sodium phosphate and hydrazine is very effective. In this case, the concentration of the reducing agent is 0 to 0.
It is better to adjust to the range of 5mol / L.

【００１７】界面活性剤としては特に非イオン界面活性
剤が好ましく、濃度は大量に加えても効果が顕著に増進
する訳ではないので０〜５g/L 、望ましくは 0.1〜１g/
L の範囲に調整するのが良い。なお、非イオン界面活性
剤は基材面への液の濡れ性を向上しめっきムラを無くす
るのに有効な成分であり、例えば 「ノニポ−ル（商品
名：三洋化成工業株式会社）」,「ノイゲン（商品名：第
一工業製薬株式会社）」,「エマルゲン（商品名：花王石
鹸株式会社）」, 「ノニオン（商品名：日本油脂株式会
社）」等が使用できる。As the surface active agent, a nonionic surface active agent is particularly preferable, and the effect is not remarkably enhanced even if a large amount is added, so 0 to 5 g / L, preferably 0.1 to 1 g / L.
It is better to adjust to the L range. The nonionic surfactant is an effective component for improving the wettability of the liquid to the surface of the base material and eliminating the uneven plating, and is, for example, "Nonipol (trade name: Sanyo Kasei Co., Ltd.)", "Neugen (trade name: Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.)", "Emulgen (trade name: Kao Soap Co., Ltd.)", "Nonion (trade name: NOF Corporation)" and the like can be used.

【００１８】続いて、本発明を実施例によって更に具体
的に説明する。Next, the present invention will be described more specifically by way of examples.

【実施例】【Example】

〈実施例１〉まず、下記組成の無電解すずめっき液（水
溶液）を調合した。 p-フェノ−ルスルホン酸 0.05 mol/L， p-フェノ−ルスルホン酸すず（２価） 0.07 mol/L， チオ尿素 1.0 mol/L， 塩酸 0.4 mol/L， 非イオン界面活性剤 0.5 g/L 。<Example 1> First, an electroless tin plating solution (aqueous solution) having the following composition was prepared. p-phenolsulfonic acid 0.05 mol / L, p-phenolsulfonic acid tin (divalent) 0.07 mol / L, thiourea 1.0 mol / L, hydrochloric acid 0.4 mol / L, nonionic surfactant 0.5 g / L.

【００１９】次に、被めっき材たる銅製基板を酸性脱脂
剤「ＣＰ−１４０（商品名：日本鉱業株式会社）」を用
いて脱脂した後、エッチング剤「ＣＰ−２０３８（商品
名：日本鉱業株式会社）」でソフトエッチングを行い、
続いて１０％硫酸に浸漬してから上記無電解すずめっき
液に浸漬した。この際、めっき液の液温は８０℃に保持
し、マグネチックスタ−ラでゆるやかに攪拌した。Next, the copper substrate to be plated is degreased with an acidic degreasing agent "CP-140 (trade name: Nippon Mining Co., Ltd.)", and then an etching agent "CP-2038 (trade name: Nippon Mining Co., Ltd.) Company) "
Then, it was dipped in 10% sulfuric acid and then dipped in the above electroless tin plating solution. At this time, the temperature of the plating solution was kept at 80 ° C. and gently stirred with a magnetic stirrer.

【００２０】５分及び３０分の浸漬後、銅製基板は液よ
り引き上げられ、乾燥された。このように処理された銅
製基板上には灰白色のすず皮膜が析出しており、この膜
厚を測定したところ、５分の浸漬では 7.0μｍ，３０分
の浸漬では10.3μｍとなっていた。After dipping for 5 minutes and 30 minutes, the copper substrate was taken out of the liquid and dried. An off-white tin film was deposited on the copper substrate treated in this way, and the film thickness was measured and found to be 7.0 μm after 5 minutes of immersion and 10.3 μm after 30 minutes of immersion.

【００２１】そして、セロハンテ−プを用いて基材と皮
膜の密着性を評価したところ、従来の“有機スルホン酸
をベ−スとした無電解すずめっき液”を用いたものに劣
らない十分に優れた密着性を示した。Then, the adhesion between the substrate and the film was evaluated using cellophane tape, and it was found that it was not inferior to the one using the conventional "electroless tin plating solution based on organic sulfonic acid". It showed excellent adhesion.

【００２２】〈比較例１〉実施例１に示した液から塩酸
を除いた組成の無電解すずめっき液を調合した。そし
て、実施例１の場合と同様の銅製基板を被めっき材と
し、実施例１におけると同様の前処理の後、上記めっき
液によるめっき処理を行った。なお、めっき液の液温，
攪拌条件及び浸漬時間が実施例１と同様に設定されたこ
とは言うまでもない。Comparative Example 1 An electroless tin plating solution having a composition obtained by removing hydrochloric acid from the solution shown in Example 1 was prepared. Then, a copper substrate similar to that in the case of Example 1 was used as a material to be plated, and after the same pretreatment as in Example 1, plating treatment with the above plating solution was performed. The temperature of the plating solution,
It goes without saying that the stirring conditions and the immersion time were set as in Example 1.

【００２３】この結果、銅製基板上には灰白色のすず皮
膜が析出しており、基材と皮膜の密着性は良好であった
が、皮膜の膜厚を測定したところ５分の浸漬及び３０分
の浸漬とも 1.3μｍでしかなかった。As a result, an off-white tin film was deposited on the copper substrate, and the adhesion between the substrate and the film was good, but when the film thickness was measured, dipping for 5 minutes and 30 minutes The immersion was only 1.3 μm.

【００２４】〈実施例２〉下記組成の無電解すずめっき
液（水溶液）を調合した。 メタンスルホン酸 0.1 mol/L， メタンスルホン酸すず（２価） 0.1 mol/L， ジメチルチオ尿素 0.7 mol/L， 臭化カリウム 0.1 mol/L 。Example 2 An electroless tin plating solution (aqueous solution) having the following composition was prepared. Methanesulfonic acid 0.1 mol / L, methanesulfonic acid tin (divalent) 0.1 mol / L, dimethylthiourea 0.7 mol / L, potassium bromide 0.1 mol / L.

【００２５】そして、実施例１の場合と同様の銅製基板
を被めっき材とし、実施例１におけると同様の前処理の
後、上記めっき液によるめっき処理を行った。なお、こ
の際、めっき液の液温を７５℃としたほかは、攪拌条件
及び浸漬時間とも実施例１と同様に設定された。このよ
うに処理された銅製基板上には灰白色のすず皮膜が析出
しており、この膜厚を測定したところ、５分の浸漬では
4.5μｍ，３０分の浸漬では10.1μｍとなっていた。Then, a copper substrate similar to that in Example 1 was used as a material to be plated, and after the same pretreatment as in Example 1, plating treatment with the above plating solution was performed. At this time, the stirring conditions and the immersion time were set in the same manner as in Example 1 except that the plating solution temperature was 75 ° C. An off-white tin film is deposited on the copper substrate treated in this way, and the film thickness was measured.
It was 10.1 μm after immersion for 30 minutes at 4.5 μm.

【００２６】そして、セロハンテ−プを用いて基材と皮
膜の密着性を評価したところ、従来の“有機スルホン酸
をベ−スとした無電解すずめっき液”を用いたものに劣
らない十分に優れた密着性を示した。When the adhesion between the base material and the coating was evaluated using cellophane tape, it was confirmed that it was not inferior to the one using the conventional "electroless tin plating solution based on organic sulfonic acid". It showed excellent adhesion.

【００２７】〈比較例２〉実施例２に示した液から臭化
カリウムを除いた組成の無電解すずめっき液を調合し
た。そして、実施例２の場合と同様の銅製基板を被めっ
き材とし、実施例２におけると同様の前処理の後、上記
めっき液によるめっき処理を行った。なお、めっき液の
液温，攪拌条件及び浸漬時間が実施例２と同様に設定さ
れたことは言うまでもない。Comparative Example 2 An electroless tin plating solution having a composition obtained by removing potassium bromide from the solution shown in Example 2 was prepared. Then, a copper substrate similar to that in the case of Example 2 was used as a material to be plated, and after the same pretreatment as in Example 2, plating treatment with the above plating solution was performed. It goes without saying that the liquid temperature of the plating solution, the stirring conditions, and the immersion time were set as in Example 2.

【００２８】この結果、銅製基板上には灰白色のすず皮
膜が析出しており、基材と皮膜の密着性は良好であった
が、皮膜の膜厚を測定したところ５分の浸漬では 1.5μ
ｍ、３０分の浸漬では 1.6μｍにしか達していなかっ
た。As a result, an off-white tin film was deposited on the copper substrate, and the adhesion between the substrate and the film was good, but the film thickness of the film was measured and found to be 1.5 μm after immersion for 5 minutes.
After immersion for 30 minutes in m, it reached only 1.6 μm.

【００２９】[0029]

【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、銅系基材面に密着性の優れたすず皮膜を十分な膜厚
で形成させることができ、かつ環境悪化成分の含有量も
極力少ない置換型無電解すずめっき液が提供されるな
ど、産業上非常に有用な効果がもたらされる。[Summary of Effects] As described above, according to the present invention, a tin film having excellent adhesion can be formed on the surface of a copper-based substrate with a sufficient film thickness, and the content of environmentally deteriorating components is also increased. Industrially very useful effects are brought about, such as the provision of a substitution type electroless tin plating solution that is as few as possible.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 めっき液成分として 有機スルホン酸： 0.01〜 1 mol/L ， 有機スルホン酸の２価のすず塩： 0.01〜0.5 mol/L ， チオ尿素及び／又はその誘導体： 0.05〜 2 mol/L ， ハロゲンイオン： 0.01〜1.0 mol/L を含有して成ることを特徴とする、無電解すずめっき
液。1. An organic sulfonic acid as a plating solution component: 0.01 to 1 mol / L, a divalent tin salt of an organic sulfonic acid: 0.01 to 0.5 mol / L, thiourea and / or its derivative: 0.05 to 2 mol / L L, halogen ion: An electroless tin plating solution containing 0.01 to 1.0 mol / L. 【請求項２】 ハロゲンイオンとして0.01〜0.5mol/Lの
塩素イオンを含んで成る、請求項１に記載の無電解すず
めっき液。2. The electroless tin plating solution according to claim 1, comprising 0.01 to 0.5 mol / L of chlorine ions as halogen ions. 【請求項３】 ハロゲンイオンとして0.01〜1.0mol/Lの
臭素イオンを含んで成る、請求項１に記載の無電解すず
めっき液。3. The electroless tin plating solution according to claim 1, which contains 0.01 to 1.0 mol / L of bromine ions as halogen ions.