JPH0493778A - 半導体装置の電圧測定方法 - Google Patents
半導体装置の電圧測定方法Info
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- JPH0493778A JPH0493778A JP2212442A JP21244290A JPH0493778A JP H0493778 A JPH0493778 A JP H0493778A JP 2212442 A JP2212442 A JP 2212442A JP 21244290 A JP21244290 A JP 21244290A JP H0493778 A JPH0493778 A JP H0493778A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体装置の電圧測定方法に関し、
安価で汎用性の高い半導体テスタを使用して被測定半導
体装置の出力電圧の微小電圧変化を容易かつ高精度に測
定できる半導体装置の電圧測定方法を提供することを目
的とし、 被測定半導体装置の電源端子に供給する電圧の値を変更
可能な第１の可変電源と、同じく被測定半導体装置のグ
ランド端子に供給する電圧の値を変更可能な第２の可変
電源と、入力信号に基づく被測定半導体装置の出力電圧
を増幅する増幅器と、増幅器による増幅結果を測定する
電圧計とを備えた半導体テスタを使用して被測定半導体
装置の８カ電圧を測定するに際し、第１及び第２の可変
電源間の電圧差が所定値に保持されるように両可変電源
の電圧値を増加又は減少させ、被測定半導体装置の出力
電圧を電圧計のグランドレベル付近にした。
体装置の出力電圧の微小電圧変化を容易かつ高精度に測
定できる半導体装置の電圧測定方法を提供することを目
的とし、 被測定半導体装置の電源端子に供給する電圧の値を変更
可能な第１の可変電源と、同じく被測定半導体装置のグ
ランド端子に供給する電圧の値を変更可能な第２の可変
電源と、入力信号に基づく被測定半導体装置の出力電圧
を増幅する増幅器と、増幅器による増幅結果を測定する
電圧計とを備えた半導体テスタを使用して被測定半導体
装置の８カ電圧を測定するに際し、第１及び第２の可変
電源間の電圧差が所定値に保持されるように両可変電源
の電圧値を増加又は減少させ、被測定半導体装置の出力
電圧を電圧計のグランドレベル付近にした。
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置の電圧測定方法に関するものである
。
。
近年の半導体装置、例えばデジタル−アナログ変換器（
以下、Ｄ／Ａ変換器という）等においては精度向上が望
まれており、その電圧測定試験において微小電圧変化の
測定が必要となっている。
以下、Ｄ／Ａ変換器という）等においては精度向上が望
まれており、その電圧測定試験において微小電圧変化の
測定が必要となっている。
そして、この電圧測定試験は安価で汎用性の高い半導体
テスタにて容易かつ高精度に行えることが望まれている
。
テスタにて容易かつ高精度に行えることが望まれている
。
［従来の技術］
従来、半導体装置の出力電圧を測定するための半導体テ
スタは、被測定半導体装置に所定の動作電圧を供給する
ための第１及び第２の可変電源と、被測定半導体装置の
出力電圧を測定する電圧計とを備えて構成されている。
スタは、被測定半導体装置に所定の動作電圧を供給する
ための第１及び第２の可変電源と、被測定半導体装置の
出力電圧を測定する電圧計とを備えて構成されている。
そして、電圧測定に際してその被測定半導体装置に必要
な動作電圧か得られるように第１及び第２の可変電源の
電圧値を設定すると、それらの電圧値を固定するように
なっている。
な動作電圧か得られるように第１及び第２の可変電源の
電圧値を設定すると、それらの電圧値を固定するように
なっている。
そして、被測定半導体装置の出力電圧の微小電圧変化を
測定するには、分解能、即ち、測定精度が高く、測定範
囲も広範な電圧計を備えた半導体テスタを使用すればよ
いが、このテスタは非常に高価なカスタム化されたもの
となる。
測定するには、分解能、即ち、測定精度が高く、測定範
囲も広範な電圧計を備えた半導体テスタを使用すればよ
いが、このテスタは非常に高価なカスタム化されたもの
となる。
又、安価で汎用性の高い半導体テスタでは分解能、即ち
、測定精度に制限があるとともに、測定範囲にも制限が
ある電圧計が使用されているため、被測定半導体装置の
微小電圧変化かその分解能以下の場合には測定すること
はできない。このため、この安価で汎用性の高い半導体
テスタを使用して被測定半導体装置の微小電圧変化を測
定しようとする場合には、被測定半導体装置の出力電圧
を電圧計の分解能以上に増幅する増幅器を設け、その増
幅器による増幅電圧を電圧計で測定するようにしている
。
、測定精度に制限があるとともに、測定範囲にも制限が
ある電圧計が使用されているため、被測定半導体装置の
微小電圧変化かその分解能以下の場合には測定すること
はできない。このため、この安価で汎用性の高い半導体
テスタを使用して被測定半導体装置の微小電圧変化を測
定しようとする場合には、被測定半導体装置の出力電圧
を電圧計の分解能以上に増幅する増幅器を設け、その増
幅器による増幅電圧を電圧計で測定するようにしている
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第１及び第２の可変電源の電圧値を設定
した後はそれらの電圧値を固定するようになっているた
め、被測定半導体装置の出力電圧を増幅器により単純に
増幅すると、その増幅電圧か電圧計の測定範囲を越えて
しまい、測定できなくなるという問題点があった。
した後はそれらの電圧値を固定するようになっているた
め、被測定半導体装置の出力電圧を増幅器により単純に
増幅すると、その増幅電圧か電圧計の測定範囲を越えて
しまい、測定できなくなるという問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、安価で汎用性の高い半導体テスタを使用して被測
定半導体装置の出力電圧の微小電圧変化を容易かつ高精
度に測定できる半導体装置の電圧測定方法を提供するこ
とを目的とする。
って、安価で汎用性の高い半導体テスタを使用して被測
定半導体装置の出力電圧の微小電圧変化を容易かつ高精
度に測定できる半導体装置の電圧測定方法を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は第１図に示すように、第１の可変電源Ｅｌは被
測定半導体装置１の電源端子ＶＤＤに電圧を供給し、第
２の可変電源Ｅ２はグランド端子ＶＳＳに電圧を供給す
るものであり、それぞれ電圧値が変更可能である。そし
て、両回変電源Ｅｌ。
測定半導体装置１の電源端子ＶＤＤに電圧を供給し、第
２の可変電源Ｅ２はグランド端子ＶＳＳに電圧を供給す
るものであり、それぞれ電圧値が変更可能である。そし
て、両回変電源Ｅｌ。
Ｅ２間の電位差が所定値に保持されるように両回変電源
Ｅ１、Ｅ２の電圧値を増加又は減少させ、被測定半導体
装置１の出力電圧を電圧計３のクランドレベル付近とし
、この出力電圧を増幅器２により増幅した後、電圧計３
で測定する。
Ｅ１、Ｅ２の電圧値を増加又は減少させ、被測定半導体
装置１の出力電圧を電圧計３のクランドレベル付近とし
、この出力電圧を増幅器２により増幅した後、電圧計３
で測定する。
［作用］
第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ２の電圧値を調整する
ことより被測定半導体装置１の出力電圧を電圧計３のグ
ランドレベル付近としているため、増幅器２によるその
出力電圧の増幅電圧は電圧計３の測定範囲に収まる。そ
して、第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ２の電圧値を調
整した値に保持した状態で出力電圧に微小変化かあって
も、増幅器２による増幅電圧は電圧計３の測定範囲に収
まる。このとき、出力電圧の微小変化か電圧計３の分解
能以下であっても増幅器２によりその分解能以上に増幅
される。従って、変化後の出力電圧の増幅電圧と変化前
の出力電圧の増幅電圧の差を求め、その差を増幅器２の
増幅率で割ることにより、電圧計３の分解能以下の微小
変化が求められる。
ことより被測定半導体装置１の出力電圧を電圧計３のグ
ランドレベル付近としているため、増幅器２によるその
出力電圧の増幅電圧は電圧計３の測定範囲に収まる。そ
して、第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ２の電圧値を調
整した値に保持した状態で出力電圧に微小変化かあって
も、増幅器２による増幅電圧は電圧計３の測定範囲に収
まる。このとき、出力電圧の微小変化か電圧計３の分解
能以下であっても増幅器２によりその分解能以上に増幅
される。従って、変化後の出力電圧の増幅電圧と変化前
の出力電圧の増幅電圧の差を求め、その差を増幅器２の
増幅率で割ることにより、電圧計３の分解能以下の微小
変化が求められる。
「実施例」
以下、本発明を具体化した一実施例を第２，３図に従っ
て説明する。
て説明する。
尚、第１図と同様の構成については同一の符号を付して
説明する。
説明する。
第２図は半導体テスタの一例を示している。被測定半導
体装置としてのデジタル−アナログ変換器（以下、Ｄ／
Ａ変換器という）１０は、電源端子ＶＤＤに印加された
電圧とグランド端子ＶＳＳに印加された電圧とで決まる
出力電圧範囲ＶＦにおいて、入力されるｎビットのデジ
タル入力信号ＤＯ〜Ｄｎ−１に基づいた値の出力電圧Ｖ
Ｏを出力する。
体装置としてのデジタル−アナログ変換器（以下、Ｄ／
Ａ変換器という）１０は、電源端子ＶＤＤに印加された
電圧とグランド端子ＶＳＳに印加された電圧とで決まる
出力電圧範囲ＶＦにおいて、入力されるｎビットのデジ
タル入力信号ＤＯ〜Ｄｎ−１に基づいた値の出力電圧Ｖ
Ｏを出力する。
第１の可変電源Ｅ１はＤ／Ａ変換器１０の電源端子ＶＤ
Ｄに電圧を供給し、第２の可変電源Ｅ２はグランド端子
ＶＳＳに電圧を供給する。第１及び第２の可変電源Ｅ１
、Ｅ２はボリューム（図示路）をマニュアル操作するこ
とによって電圧値を任意に変更可能であり、第１の可変
電源Ｅ１はグランドＧＮＤのレベル、即ち、０Ｖ以上の
電圧値を設定でき、第２の可変電源Ｅ２はＯＶ以下の電
圧値を設定できるようになっている。
Ｄに電圧を供給し、第２の可変電源Ｅ２はグランド端子
ＶＳＳに電圧を供給する。第１及び第２の可変電源Ｅ１
、Ｅ２はボリューム（図示路）をマニュアル操作するこ
とによって電圧値を任意に変更可能であり、第１の可変
電源Ｅ１はグランドＧＮＤのレベル、即ち、０Ｖ以上の
電圧値を設定でき、第２の可変電源Ｅ２はＯＶ以下の電
圧値を設定できるようになっている。
増幅器１１はオペアンプ１２と、同アンプ１２の出力端
子とグランｌ” Ｇ Ｎ Ｄとの間に直列に設けられた
一対の分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２とで構成され、オペアンプ１
２の非反転入力端子は前記Ｄ／Ａ変換器１０に接続され
て同変換器１０の出力電圧ＶＯが人力され、反転入力端
子は分圧抵抗Ｒ１゜Ｒ２間に接続されてその出力電圧（
増幅電圧）ＶＡの一部が帰還されている。従って、この
増幅器１１は前記出力電圧■０をα（＝ （Ｒ１＋Ｒ２
）／Ｒ２）倍した増幅電圧ＶＡを出力する。
子とグランｌ” Ｇ Ｎ Ｄとの間に直列に設けられた
一対の分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２とで構成され、オペアンプ１
２の非反転入力端子は前記Ｄ／Ａ変換器１０に接続され
て同変換器１０の出力電圧ＶＯが人力され、反転入力端
子は分圧抵抗Ｒ１゜Ｒ２間に接続されてその出力電圧（
増幅電圧）ＶＡの一部が帰還されている。従って、この
増幅器１１は前記出力電圧■０をα（＝ （Ｒ１＋Ｒ２
）／Ｒ２）倍した増幅電圧ＶＡを出力する。
前記増幅器１１とグランドＧＮＤとの間に設けられた電
圧計３はアナログ−デジタル変換器からなり、増幅器１
１の増幅電圧ＶＡをデジタル信号として出力するように
なっている。この電圧計３はその最小分解能、即ち、測
定精度が前記Ｄ／Ａ変換器１０の最小分解能よりも大き
い安価で汎用の電圧計を使用している。
圧計３はアナログ−デジタル変換器からなり、増幅器１
１の増幅電圧ＶＡをデジタル信号として出力するように
なっている。この電圧計３はその最小分解能、即ち、測
定精度が前記Ｄ／Ａ変換器１０の最小分解能よりも大き
い安価で汎用の電圧計を使用している。
次に、上記構成の半導体テスタを使用したＤ／Ａ変換器
１０の出力電圧ＶＯの電圧測定方法を説明する。
１０の出力電圧ＶＯの電圧測定方法を説明する。
尚、説明の便宜上、本実施例における電圧計３は最小分
解能を２ｍＶ、測定範囲を±ＩＯＶとする。又、Ｄ／Ａ
変換器ＩＯはデジタル入力信号ＤＯ〜Ｄｌｌを入力する
１２ビット精度の分解能を備えるとともに、出力電圧範
囲ＶＦの幅、即ち、電源端子ＶＤＤとクランド端子■Ｓ
Ｓとの間の電位差を５■とする。従って、Ｄ／Ａ変換器
ｌＯのＩＬＳＢ（最小分解能）は１．２２ｍＶ （＝５
Ｖ／２”）となり、ＩＬＳＢの微小電圧変化は電圧計３
の最小分解能以下となる。更に、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２の
抵抗値を９．９にΩ、０．１にΩとすれば、増幅器１１
の増幅率α−（９，９＋０．１）１０．１＝１００とな
る。
解能を２ｍＶ、測定範囲を±ＩＯＶとする。又、Ｄ／Ａ
変換器ＩＯはデジタル入力信号ＤＯ〜Ｄｌｌを入力する
１２ビット精度の分解能を備えるとともに、出力電圧範
囲ＶＦの幅、即ち、電源端子ＶＤＤとクランド端子■Ｓ
Ｓとの間の電位差を５■とする。従って、Ｄ／Ａ変換器
ｌＯのＩＬＳＢ（最小分解能）は１．２２ｍＶ （＝５
Ｖ／２”）となり、ＩＬＳＢの微小電圧変化は電圧計３
の最小分解能以下となる。更に、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２の
抵抗値を９．９にΩ、０．１にΩとすれば、増幅器１１
の増幅率α−（９，９＋０．１）１０．１＝１００とな
る。
今、例えば、デジタル入力信号ＤＯ〜Ｄｌｌが＃ＦＦＥ
（１６進表示）から＃ＦＦＦ（１６進表示）に変化する
場合におけるＤ／Ａ変換器ＩＯの出力電圧ＶＯの変化を
測定するに際して、第１の可変電源Ｅ１の電圧値を５ｖ
とし、第２の可変電源Ｅ２の電圧値をＯＶとすると、デ
ジタル人力信号＃ＦＦＥ、＃ＦＦＦに対するＤ／Ａ変換
器１０の出力電圧理想値は４９９７．６ｍＶ、 ４９
９８．８ｍＶとなり、これらを増幅器１１にて増幅する
と４９９、７６ Ｖと４９９．８８ Ｖとなって電圧計
３の測定範囲±ＩＯＶを大幅に超過してしまい、測定不
可能となる。
（１６進表示）から＃ＦＦＦ（１６進表示）に変化する
場合におけるＤ／Ａ変換器ＩＯの出力電圧ＶＯの変化を
測定するに際して、第１の可変電源Ｅ１の電圧値を５ｖ
とし、第２の可変電源Ｅ２の電圧値をＯＶとすると、デ
ジタル人力信号＃ＦＦＥ、＃ＦＦＦに対するＤ／Ａ変換
器１０の出力電圧理想値は４９９７．６ｍＶ、 ４９
９８．８ｍＶとなり、これらを増幅器１１にて増幅する
と４９９、７６ Ｖと４９９．８８ Ｖとなって電圧計
３の測定範囲±ＩＯＶを大幅に超過してしまい、測定不
可能となる。
このため、第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ２の電圧値
を、両型源Ｅ１、Ｅ２間の電位差か５Ｖに保持されるよ
うにそれぞれ同じ値だけ増加又は減少させ、第３図に示
すようにＤ／Ａ変換器１０の出力電圧ＶＯがグランドＧ
ＮＤのレベル付近の値となるようにする。
を、両型源Ｅ１、Ｅ２間の電位差か５Ｖに保持されるよ
うにそれぞれ同じ値だけ増加又は減少させ、第３図に示
すようにＤ／Ａ変換器１０の出力電圧ＶＯがグランドＧ
ＮＤのレベル付近の値となるようにする。
即ち、上記の場合には第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ
２の電圧値を４．９５ Ｖ減少させて、可変電源Ｅ１を
［１，０５Ｖ、可変電源Ｅ２を−４，９５Ｖに設定し、
Ｄ／Ａ変換器１０の出力電圧ＶＯがグランドＧＮＤのレ
ベル付近の値となるようにする。
２の電圧値を４．９５ Ｖ減少させて、可変電源Ｅ１を
［１，０５Ｖ、可変電源Ｅ２を−４，９５Ｖに設定し、
Ｄ／Ａ変換器１０の出力電圧ＶＯがグランドＧＮＤのレ
ベル付近の値となるようにする。
このときのデジタル入力信号＃ＦＦＥ、＃ＦＦＦに対す
るＤ／Ａ変換器１０の出力電圧理想値は４７、６ ｍＶ
、 ４８．８ ｍＶとなり、これらを増幅器１Ｎ、：
て増ｍしても４．７６Ｖ、４．８８Ｖとなッテ電圧計３
の測定範囲±ＩＯＶ内に収まり、両出力電圧を測定する
ことができる。
るＤ／Ａ変換器１０の出力電圧理想値は４７、６ ｍＶ
、 ４８．８ ｍＶとなり、これらを増幅器１Ｎ、：
て増ｍしても４．７６Ｖ、４．８８Ｖとなッテ電圧計３
の測定範囲±ＩＯＶ内に収まり、両出力電圧を測定する
ことができる。
そして、上記のように測定した両増幅電圧の差を求め、
その差を増幅器１１の増幅率αで割ることにより、デジ
タル入力信号＃ＦＦＥから＃ＦＦＦへのＩＬＳＨの変化
電圧を求めることができる。
その差を増幅器１１の増幅率αで割ることにより、デジ
タル入力信号＃ＦＦＥから＃ＦＦＦへのＩＬＳＨの変化
電圧を求めることができる。
即ち、両増幅電圧は４．８８ Ｖと４．７６ Ｖであり
、両者の差は１．２２ Ｖとなり、これを増幅率α−１
００で割ると、１．２２ｍＶとなる。
、両者の差は１．２２ Ｖとなり、これを増幅率α−１
００で割ると、１．２２ｍＶとなる。
このように、本実施例では第１及び第２の可変電源Ｅ１
、Ｅ２の電圧値を、両型源Ｅ１、Ｅ２間の電位差が所定
値となるように調整してＤ／Ａ変換器１０の出力電圧■
ＯがグランドＧＮＤのレベル付近の値となるようにした
ので、分解能及び測定範囲に制限がある安価で汎用性の
高い電圧計３を備えた半導体テスタにおいても、電圧計
３の分解能以下の微小電圧変化を容易かつ高精度に測定
することができる。
、Ｅ２の電圧値を、両型源Ｅ１、Ｅ２間の電位差が所定
値となるように調整してＤ／Ａ変換器１０の出力電圧■
ＯがグランドＧＮＤのレベル付近の値となるようにした
ので、分解能及び測定範囲に制限がある安価で汎用性の
高い電圧計３を備えた半導体テスタにおいても、電圧計
３の分解能以下の微小電圧変化を容易かつ高精度に測定
することができる。
尚、本実施例では増幅器１１における分圧抵抗Ｒ１，Ｒ
２を固定抵抗としたが、分圧抵抗Ｒ１゜Ｒ２のいずれか
一方を可変抵抗とし、その増幅率αを変更可能に構成し
てもよい。
２を固定抵抗としたが、分圧抵抗Ｒ１゜Ｒ２のいずれか
一方を可変抵抗とし、その増幅率αを変更可能に構成し
てもよい。
又、本実施例ではボリューム（図示路）をマニュアル操
作することによって第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ２
の電圧値を変更するようにしたか、デジタル入力信号Ｄ
Ｏ〜Ｄ ｎ−１に基づいて各可変電源Ｅ１、Ｅ２の電圧
値を切り換え制御する切換えコントローラを設けてもよ
い。
作することによって第１及び第２の可変電源Ｅ１、Ｅ２
の電圧値を変更するようにしたか、デジタル入力信号Ｄ
Ｏ〜Ｄ ｎ−１に基づいて各可変電源Ｅ１、Ｅ２の電圧
値を切り換え制御する切換えコントローラを設けてもよ
い。
更に、本実施例では被測定半導体装置としてＤ／Ａ変換
器ＩＯに実施したが、電源端子及びグランド端子に供給
されている電圧範囲で出力電圧を出力するとともに、電
源端子及びグランド端子の電圧の変化に同期して出力電
圧が変化するような全ての半導体装置に実施可能である
。
器ＩＯに実施したが、電源端子及びグランド端子に供給
されている電圧範囲で出力電圧を出力するとともに、電
源端子及びグランド端子の電圧の変化に同期して出力電
圧が変化するような全ての半導体装置に実施可能である
。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によれば安価で汎用性の高
い半導体テスタを使用して被測定半導体装置の出力電圧
の微小電圧変化を容易かつ高精度に測定できる優れた効
果がある。
い半導体テスタを使用して被測定半導体装置の出力電圧
の微小電圧変化を容易かつ高精度に測定できる優れた効
果がある。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は一実施例における半導体テスタを示すブロック
回路図、 第３図は一実施例の作用説明図である。 図において、 １は被測定半導体装置、 ２は増幅器、 ３は電圧計、 Ｅｌは第１の可変電源、 Ｒ２は第２の可変電源、 ＶＤＤは電源端子、 ＶＳＳはグランド端子である。 図 本発明の原理説明図 図 一実施例における半導体テスタを示すブロック回路図Ｎ
Ｄ 第３図 一実施例の作用説明図
回路図、 第３図は一実施例の作用説明図である。 図において、 １は被測定半導体装置、 ２は増幅器、 ３は電圧計、 Ｅｌは第１の可変電源、 Ｒ２は第２の可変電源、 ＶＤＤは電源端子、 ＶＳＳはグランド端子である。 図 本発明の原理説明図 図 一実施例における半導体テスタを示すブロック回路図Ｎ
Ｄ 第３図 一実施例の作用説明図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被測定半導体装置（１）の電源端子（ＶＤＤ）に供給
する電圧の値を変更可能な第１の可変電源（Ｅ１）と、
同じく被測定半導体装置（１）のグランド端子（ＶＳＳ
）に供給する電圧の値を変更可能な第２の可変電源（Ｅ
２）と、入力信号に基づく被測定半導体装置（１）の出
力電圧を増幅する増幅器（２）と、増幅器（２）による
増幅電圧を測定する電圧計（３）とを備えた半導体テス
タを使用して被測定半導体装置（１）の出力電圧を測定
するに際し、 第１及び第２の可変電源（Ｅ１、Ｅ２）間の電圧差が所
定値に保持されるように両可変電源（Ｅ１、Ｅ２）の電
圧値を増加又は減少させ、被測定半導体装置（１）の出
力電圧を電圧計（３）のグランドレベル付近にしたこと
を特徴とする半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212442A JP2948633B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置の電圧測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212442A JP2948633B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置の電圧測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493778A true JPH0493778A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2948633B2 JP2948633B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=16622682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2212442A Expired - Lifetime JP2948633B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置の電圧測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2948633B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2212442A patent/JP2948633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2948633B2 (ja) | 1999-09-13 |
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