JPH0493078A - ショットキーダイオード - Google Patents
ショットキーダイオードInfo
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- JPH0493078A JPH0493078A JP2209105A JP20910590A JPH0493078A JP H0493078 A JPH0493078 A JP H0493078A JP 2209105 A JP2209105 A JP 2209105A JP 20910590 A JP20910590 A JP 20910590A JP H0493078 A JPH0493078 A JP H0493078A
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- schottky diode
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- hydrogen atom
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、安定性に優れ、電解重合法により容易に形
成可能な導電性重合体からなるＰ型半導体の表面に特定
の金属層が形成されてなるショクＩ・キーダイオードに
関する。
成可能な導電性重合体からなるＰ型半導体の表面に特定
の金属層が形成されてなるショクＩ・キーダイオードに
関する。
（従来の技術）
従来のＰ現有機半導体を用いたショットキーダイオード
としては、例えば特開昭５６−１４６２８４号公報、特
開昭５６−１４７４８７号公報に開示されているような
導電性ポリアセチレンにアルミニウム等の金属を被着し
てなるショットキーダイオードが知られている。
としては、例えば特開昭５６−１４６２８４号公報、特
開昭５６−１４７４８７号公報に開示されているような
導電性ポリアセチレンにアルミニウム等の金属を被着し
てなるショットキーダイオードが知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来の導電性ポリアセチレン
を用いたショットキーダイオードにあっては、空気中の
酸素や水分によって極めて酸化劣化し易いためそのショ
ットキーダイオードは整流性等の電気的特性が安定して
得られないという問題点があった。
を用いたショットキーダイオードにあっては、空気中の
酸素や水分によって極めて酸化劣化し易いためそのショ
ットキーダイオードは整流性等の電気的特性が安定して
得られないという問題点があった。
（課題を解決するための手段）
かかる現況に鑑み本発明者らは従来のショットキーダイ
オードの問題点を解決すべく鋭意研究を行った結果、次
の構造式 （式中のＧは水素原子、アルキル基、またはアルコキシ
ル基を示し、ｎは０または１を示す）で表わされる、電
解酸化法により得られた酸化重合体を用いることにより
解決し得ることを知見し、この発明を達成するに至った
。
オードの問題点を解決すべく鋭意研究を行った結果、次
の構造式 （式中のＧは水素原子、アルキル基、またはアルコキシ
ル基を示し、ｎは０または１を示す）で表わされる、電
解酸化法により得られた酸化重合体を用いることにより
解決し得ることを知見し、この発明を達成するに至った
。
従って、この発明のショットキーダイオードは、式（１
）で表わされる繰返し単位を有する、電解酸化法により
得られた重合体から成るＰ現有機半導体膜の表面にアル
ミニウム（ＡＩ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム
（Ｇａ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属
層が形成されてなるものである。
）で表わされる繰返し単位を有する、電解酸化法により
得られた重合体から成るＰ現有機半導体膜の表面にアル
ミニウム（ＡＩ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム
（Ｇａ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属
層が形成されてなるものである。
この発明において、上記Ｐ現有機半導体膜を形成する重
合体としては、式（１）のｎが０または１のいずれかの
繰返し単位を有する重合体またはｎが０または１の式（
１）の繰返し単位を有する重合体が任意の割合で混合さ
れてなる重合体が用いられる。
合体としては、式（１）のｎが０または１のいずれかの
繰返し単位を有する重合体またはｎが０または１の式（
１）の繰返し単位を有する重合体が任意の割合で混合さ
れてなる重合体が用いられる。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する
。
。
裏旌拠上
式（１）において、Ｇが水素原子、ｎがＯのモノマブチ
ルアンモニウムへキサフルオロフォスフェートを含むベ
ンゾニトリル溶液中でガラス基板上に設けた酸化インジ
ウム錫 （ＩＴＯ）を作用電極として、電解酸化を行い
電解重合膜から成るＰ型半導体の膜（３０００人）を得
た。これを約１０％アニオンドーピングしたのち、アセ
トム１−リルで洗浄し、乾燥した後、上部電極として八
１を蒸着しく５００人）、第１図に示すようなショット
キーダイオード（へ１／Ｐ型有機半導体／ＩＴＯ）を作
製した。第１図において１はガラス基板、２はＩＴＯ，
３はＰ型半導体、４はアルミニウム、５はリード線を示
す。
ルアンモニウムへキサフルオロフォスフェートを含むベ
ンゾニトリル溶液中でガラス基板上に設けた酸化インジ
ウム錫 （ＩＴＯ）を作用電極として、電解酸化を行い
電解重合膜から成るＰ型半導体の膜（３０００人）を得
た。これを約１０％アニオンドーピングしたのち、アセ
トム１−リルで洗浄し、乾燥した後、上部電極として八
１を蒸着しく５００人）、第１図に示すようなショット
キーダイオード（へ１／Ｐ型有機半導体／ＩＴＯ）を作
製した。第１図において１はガラス基板、２はＩＴＯ，
３はＰ型半導体、４はアルミニウム、５はリード線を示
す。
このようにして得たダイオードの電流−電圧特性を第２
図に示す。±３．５ｖにおける整流比は１１倍であった
。第２図から明らかなように得られたショットキーダイ
オードは良好な整流性を有し、またこの特性は経時的に
変化することなく、安定したものであった。
図に示す。±３．５ｖにおける整流比は１１倍であった
。第２図から明らかなように得られたショットキーダイ
オードは良好な整流性を有し、またこの特性は経時的に
変化することなく、安定したものであった。
実施撚１
式（１）において、Ｇが水素原子、ｎが０のモノマを１
；４の割合で調整した混合溶液から電解重合膜を電解酸
化により形成した以外は、実施例１と同様にしてショッ
トキーダイオード（ＡＩ／Ｐ型有機半導体／ＩＴＯ）を
作製した。
；４の割合で調整した混合溶液から電解重合膜を電解酸
化により形成した以外は、実施例１と同様にしてショッ
トキーダイオード（ＡＩ／Ｐ型有機半導体／ＩＴＯ）を
作製した。
第３図かられかるように逆方向は電流はほとんど流さず
、±３，５ｖでの整流比は１０２以上であった。
、±３，５ｖでの整流比は１０２以上であった。
このように得られたショットキーダイオードは良好な整
流性を有し、またこの特性は経時的に変化することなく
安定したものであった。
流性を有し、またこの特性は経時的に変化することなく
安定したものであった。
（発明の効果）
以上説明してきたように、この発明によれば、その構成
をトリフェニルアミンにチオフェン部位が直接結合した
モノマーの電解酸化重合膜からなるＰ型有機半導体表面
に特定の金属層を被着したショットキーダイオードとし
たため、酸素および水分等によって劣化することがなく
安定に使用できる。また電解重合法によって重合体を形
成することができる点できわめて容易に、ショットキー
ダイオードを作製できるという効果が得られる。
をトリフェニルアミンにチオフェン部位が直接結合した
モノマーの電解酸化重合膜からなるＰ型有機半導体表面
に特定の金属層を被着したショットキーダイオードとし
たため、酸素および水分等によって劣化することがなく
安定に使用できる。また電解重合法によって重合体を形
成することができる点できわめて容易に、ショットキー
ダイオードを作製できるという効果が得られる。
更にドーピングレベルの調節により、重合体膜の抵抗お
よび光の吸光度を調節することも容易であり、かかるシ
ョットキーダイオードは電子阻止回路におけるダイオー
ドや太陽電池等の用途に役立つ。
よび光の吸光度を調節することも容易であり、かかるシ
ョットキーダイオードは電子阻止回路におけるダイオー
ドや太陽電池等の用途に役立つ。
第１図は、本発明の一例のショットキーダイオードの断
面図、 第２図および第３図はそれぞれ実施例１および実施例２
のショットキーダイオード（ＡＩ／Ｐ型有機半導体＃Ｔ
Ｏ）の電流−電圧特性図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・ＩＴＯ３・・・Ｐ
型半導体 ４・・・アルミニウム５・・・リード
線
面図、 第２図および第３図はそれぞれ実施例１および実施例２
のショットキーダイオード（ＡＩ／Ｐ型有機半導体＃Ｔ
Ｏ）の電流−電圧特性図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・ＩＴＯ３・・・Ｐ
型半導体 ４・・・アルミニウム５・・・リード
線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） （式中のＧは水素原子、アルキル基、またはアルコキシ
ル基を示し、ｎは０または１を示す）で表わされる繰返
し単位を有する、電解酸化法により得られた重合体から
成るＰ型有機半導体膜の表面にアルミニウム、インジウ
ムおよびガリウムよりなる群から選ばれた少なくとも１
種の金属層が形成されてなることを特徴とするショット
キーダイオード。 ２、ｎが０または１の式（１）の繰返し単位を有する
重合体が任意の割合で混合されてなる重合体を用いたこ
とを特徴とする請求項１記載のショットキーダイオード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209105A JPH0493078A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | ショットキーダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209105A JPH0493078A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | ショットキーダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493078A true JPH0493078A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16567375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2209105A Pending JPH0493078A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | ショットキーダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493078A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508731A (ja) * | 2000-09-11 | 2004-03-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機整流器、回路、ｒｆｉｄタグ、および有機整流器の使用 |
| JP2006520478A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-09-07 | ダイオード・ソリューションズ・インコーポレーテッド | 有機材料を用いたディスプレイ |
| US8193594B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-05 | Cbrite Inc. | Two-terminal switching devices and their methods of fabrication |
| US8222077B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-07-17 | Cbrite Inc. | Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication |
| US9741901B2 (en) | 2006-11-07 | 2017-08-22 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2209105A patent/JPH0493078A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508731A (ja) * | 2000-09-11 | 2004-03-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機整流器、回路、ｒｆｉｄタグ、および有機整流器の使用 |
| JP2006520478A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-09-07 | ダイオード・ソリューションズ・インコーポレーテッド | 有機材料を用いたディスプレイ |
| US8253910B2 (en) | 2003-01-17 | 2012-08-28 | Cbrite Inc. | Display employing organic material |
| US8193594B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-05 | Cbrite Inc. | Two-terminal switching devices and their methods of fabrication |
| US8222077B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-07-17 | Cbrite Inc. | Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication |
| US9741901B2 (en) | 2006-11-07 | 2017-08-22 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
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