JPH0492864A - 窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法 - Google Patents
窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法Info
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- JPH0492864A JPH0492864A JP2206768A JP20676890A JPH0492864A JP H0492864 A JPH0492864 A JP H0492864A JP 2206768 A JP2206768 A JP 2206768A JP 20676890 A JP20676890 A JP 20676890A JP H0492864 A JPH0492864 A JP H0492864A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は着色した窒化アルミニウム焼結体に係り、より
詳しくは、緻密質で高熱伝導率をもち、かつ黒色、茶色
、緑色等の色調をもった窒化アルミニウム焼結体および
該焼結体の製造に用いる粉末ならびに該焼結体を用いた
回路基板および半導体パッケージに関する。
詳しくは、緻密質で高熱伝導率をもち、かつ黒色、茶色
、緑色等の色調をもった窒化アルミニウム焼結体および
該焼結体の製造に用いる粉末ならびに該焼結体を用いた
回路基板および半導体パッケージに関する。
［従来の技術］
最近のＬＳＩの進歩はめざましく、集積度の向上が著し
い。これには、ＩＣチップサイズの向上も寄与しており
、ＩＣチップサイズの向上に伴ってパッケージ当りの発
熱量が増大している。このため基板材料の放熱性が重要
視されるようになってきた。また、従来ＩＣ基板として
用いられていたアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱性が
不十分であり、ＩＣチップの発熱量の増大に対応できな
くなりつつある。このためアルミナ基板に代わるものと
して、高熱伝導性のベリリア基板が検討されているが、
ベリリアは毒性が強く取扱いが難しいという欠点がある
。
い。これには、ＩＣチップサイズの向上も寄与しており
、ＩＣチップサイズの向上に伴ってパッケージ当りの発
熱量が増大している。このため基板材料の放熱性が重要
視されるようになってきた。また、従来ＩＣ基板として
用いられていたアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱性が
不十分であり、ＩＣチップの発熱量の増大に対応できな
くなりつつある。このためアルミナ基板に代わるものと
して、高熱伝導性のベリリア基板が検討されているが、
ベリリアは毒性が強く取扱いが難しいという欠点がある
。
一方、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）焼結体は、本来、材
質的に高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないため、
半導体工業において回路基板材料あるいはパッケージ材
料として注目を集めている。
質的に高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないため、
半導体工業において回路基板材料あるいはパッケージ材
料として注目を集めている。
［発明が解決しようとする課題］
上述のように窒化アルミニウムは理論的には単結晶とし
ては高熱伝導性、高絶縁性を有する材料である。しかし
ながら、窒化アルミニウム粉末から焼結体を製造する場
合、窒化アルミニウム粉末自体の焼結性が良くないため
、粉末成形後、焼結して得られる窒化アルミニウム焼結
体の相対密度（窒化アルミニウムの理論密度３．２６ｇ
／ｅ１３を基準とする）は、焼結条件にもよるが、高々
７０〜８０％しか示さず、多量の気孔を包含する。
ては高熱伝導性、高絶縁性を有する材料である。しかし
ながら、窒化アルミニウム粉末から焼結体を製造する場
合、窒化アルミニウム粉末自体の焼結性が良くないため
、粉末成形後、焼結して得られる窒化アルミニウム焼結
体の相対密度（窒化アルミニウムの理論密度３．２６ｇ
／ｅ１３を基準とする）は、焼結条件にもよるが、高々
７０〜８０％しか示さず、多量の気孔を包含する。
一方、窒化アルミニウム焼結体の如き絶縁性セラミック
スの熱伝導機構は、フォノン伝導を主体とするため気孔
、不純物等の欠陥はフォノン散乱を起こし、熱伝導性は
低レベルのものしか得られない。これらの状況に対し、
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得るために種々の
提案がなされている。
スの熱伝導機構は、フォノン伝導を主体とするため気孔
、不純物等の欠陥はフォノン散乱を起こし、熱伝導性は
低レベルのものしか得られない。これらの状況に対し、
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得るために種々の
提案がなされている。
しかしながら、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を
製造するためには、高純度の原料を使用し、また工程中
の不純物の混合も極力防ぐことが必要とされており、こ
のようにして得られた窒化アルミニウムは白色透明もし
くは薄く着色したものに限られ、光の透過を問題とする
用途等には使用できなかった。そこで、光の透過を問題
とする用途等に着色窒化アルミニウムの開発が望まれて
いた。
製造するためには、高純度の原料を使用し、また工程中
の不純物の混合も極力防ぐことが必要とされており、こ
のようにして得られた窒化アルミニウムは白色透明もし
くは薄く着色したものに限られ、光の透過を問題とする
用途等には使用できなかった。そこで、光の透過を問題
とする用途等に着色窒化アルミニウムの開発が望まれて
いた。
本発明は、こうした実情に鑑み、高熱伝導性を有し、か
つ着色した窒化アルミニウム焼結体、およびかかる焼結
体を製造するための原料粉末ならびに該焼結体を利用し
た回路基板および半導体パッケージを提供することを目
的とするものである。
つ着色した窒化アルミニウム焼結体、およびかかる焼結
体を製造するための原料粉末ならびに該焼結体を利用し
た回路基板および半導体パッケージを提供することを目
的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者は、上記課題を解決するため従来より研究を重
ねてきたが、窒化アルミニウムに対しある種の元素又は
その化合物を添加することが有効であることを知見し、
本発明に至った。
ねてきたが、窒化アルミニウムに対しある種の元素又は
その化合物を添加することが有効であることを知見し、
本発明に至った。
すなわち、本発明はまず、ＡＩＮを主成分とし、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ５Ｖ％ Ｎｂ、Ｔａ。
Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ５Ｖ％ Ｎｂ、Ｔａ。
Ｃｒｓ ＭｏＳＷＳＭｎ、、Ｆ ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ。
Ｎｄ及びＨｏからなる群から選択ばれた１種以上の金属
元素及び／又はその化合物を０．１〜３．０重量％含有
する窒化アルミニウム粉末である。
元素及び／又はその化合物を０．１〜３．０重量％含有
する窒化アルミニウム粉末である。
又、かかる原料粉末はＡｌ２Ｏ３粉末と炭素粉末とを重
量比で１ ： ０．２〜１：２の割合で混合し、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ５ＶＳＮｂ、、Ｔａ。
量比で１ ： ０．２〜１：２の割合で混合し、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ５ＶＳＮｂ、、Ｔａ。
Ｃｒ、ＭｏＳＷＳＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ。
ＮｂおよびＨｏからなる群から選ばれた１種以上の金属
元素を共存させながら、窒素含有非酸化性雰囲気中にお
いて１４００〜１９００℃で焼成することを特徴とする
方法により製造できる。
元素を共存させながら、窒素含有非酸化性雰囲気中にお
いて１４００〜１９００℃で焼成することを特徴とする
方法により製造できる。
上記の添加金属元素を共存させるには、粉末（酸化物そ
の他の化合物でも良い。）としてＡｌ２Ｏ３粉末と炭素
粉末に添加する方法が簡単であるが、ガスとして反応装
置内に導入することも可能であり、更にはこれらの金属
元素を所定量含有するＡｌ２Ｏ３粉末及び／又は炭素粉
末を用いてもよい。
の他の化合物でも良い。）としてＡｌ２Ｏ３粉末と炭素
粉末に添加する方法が簡単であるが、ガスとして反応装
置内に導入することも可能であり、更にはこれらの金属
元素を所定量含有するＡｌ２Ｏ３粉末及び／又は炭素粉
末を用いてもよい。
つぎに本発明は、ＡＩＮを主成分とし、Ｔｉ１Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂｓ Ｔａ、ＣｒＳＭｏ、Ｗ。
ｆ、Ｖ、Ｎｂｓ Ｔａ、ＣｒＳＭｏ、Ｗ。
Ｍｎｓ Ｆｅｓ Ｃｏ５Ｎｉ、ＮｄおよびＨｏからなる
群から選ばれた１種以上の金属元素及び／又はその化合
物を０．０１〜５．０重量％含有し、着色を呈し、かつ
熱伝導率が１３０Ｗ／−に以上であることを特徴とする
窒化アルミニウム焼結体である。
群から選ばれた１種以上の金属元素及び／又はその化合
物を０．０１〜５．０重量％含有し、着色を呈し、かつ
熱伝導率が１３０Ｗ／−に以上であることを特徴とする
窒化アルミニウム焼結体である。
又、かかる本発明の焼結体の製造には、周期律表ＩＩ
ａ ｓ ＩＩＩ ａ族の元素又はその化合物を０．０１
〜５．０重量％で焼結助剤として使用する場合があるが
、これらは具体的にはＣａｂ、Ｙ２０３、ＣａＣＯ３、
ＣｅＯ３、ＣａＣ２などが例示できる。更に炭素量で０
．０１〜１．０重量％となる様に炭素又は炭素含有化合
物を添加することで１３０ｗ／ｓｋ以上の高い熱伝導率
をもち、かつ着色された焼結体を得る。
ａ ｓ ＩＩＩ ａ族の元素又はその化合物を０．０１
〜５．０重量％で焼結助剤として使用する場合があるが
、これらは具体的にはＣａｂ、Ｙ２０３、ＣａＣＯ３、
ＣｅＯ３、ＣａＣ２などが例示できる。更に炭素量で０
．０１〜１．０重量％となる様に炭素又は炭素含有化合
物を添加することで１３０ｗ／ｓｋ以上の高い熱伝導率
をもち、かつ着色された焼結体を得る。
さらに、本発明は窒化アルミニウムを主成分とし、熱伝
導率が１３０Ｗ／ｍｋ以上で着色を呈した窒化アルミニ
ウム焼結体上に導電性ペーストにより回路を形成したこ
とを特徴とする窒化アルミニウム回路基板及び前記窒化
アルミニウム焼結体基板と半導体素子とリードフレーム
からなる高熱伝導性セラミックパッケージである。
導率が１３０Ｗ／ｍｋ以上で着色を呈した窒化アルミニ
ウム焼結体上に導電性ペーストにより回路を形成したこ
とを特徴とする窒化アルミニウム回路基板及び前記窒化
アルミニウム焼結体基板と半導体素子とリードフレーム
からなる高熱伝導性セラミックパッケージである。
［作 用コ
本発明においては、発色剤としてＴｉ、Ｚｒ。
Ｃａ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ５ＴａＳＣｒ、Ｍｏ、Ｗ。
Ｍｎ、Ｆ ｅ、Ｃｏ、Ｎ ｉ％Ｎｄ及びＨｏからなる群
から選ばれた少なくとも１種の金属元素を０．１〜３．
０重量％含有させた窒化アルミニウム粉末を原料粉末と
して用い焼結することによって、着色しかつ高熱伝導率
の窒化アルミニウム焼結体が得られる。
から選ばれた少なくとも１種の金属元素を０．１〜３．
０重量％含有させた窒化アルミニウム粉末を原料粉末と
して用い焼結することによって、着色しかつ高熱伝導率
の窒化アルミニウム焼結体が得られる。
この場合窒化アルミニウム粉末は、高純度のものを用い
る必要がある。酸素量としては２，５重量％以下、炭素
を０．５重量％以下、遷移金属又はその化合物以外の不
純物を０．１重量％以下、そして金属元素又はその化合
物は合計で０．１〜３．０重量％の粉末であれば、必要
な熱伝導率と色調を同時に満足しうる。
る必要がある。酸素量としては２，５重量％以下、炭素
を０．５重量％以下、遷移金属又はその化合物以外の不
純物を０．１重量％以下、そして金属元素又はその化合
物は合計で０．１〜３．０重量％の粉末であれば、必要
な熱伝導率と色調を同時に満足しうる。
窒化アルミニウム粉末の比表面積は、２．０ｒｒｒ ／
ｇ以上のものが好ましい。比表面積がこれより小さい
と緻密質の焼結体が得られない。
ｇ以上のものが好ましい。比表面積がこれより小さい
と緻密質の焼結体が得られない。
発色剤としては特にＴ ｉＳＭｏＳＷが好ましい作用を
示す。したがってこれらの元素を用いることが好ましい
焼結体を得ることとなる。
示す。したがってこれらの元素を用いることが好ましい
焼結体を得ることとなる。
原料粉末であるＡＩＮ粉末中におけるこれらの金属元素
の含有量が０．０１重量％未満では着色ＡＩＮ焼結体の
色調が薄く、光の透過を防止する用途に用いるためには
不充分であり、３．０重量％を超えると金属元素のＡＩ
Ｎ中への固溶および粒界への析出によって焼結体の熱伝
導率が通常１００ｗ／ｓ・ｋ以下に低下し、ＩＣ基板等
としてメリットが小さくなる。又、ＡＩＮ粉末の他の特
性として、高熱伝導率と着色を同時に得るために酸素含
有量は０．５〜２．５重量％の範囲が好ましく、発色剤
として添加する金属元素以外のＳｉ等ＡＩＮへの固溶元
素の含有量も ０．１重量％以下であることが好ましい
。更に、ＡＩＮ粉末の比表面積は、緻密な焼結体を得る
ため２．０〜５．０■２／ｇが好ましい。
の含有量が０．０１重量％未満では着色ＡＩＮ焼結体の
色調が薄く、光の透過を防止する用途に用いるためには
不充分であり、３．０重量％を超えると金属元素のＡＩ
Ｎ中への固溶および粒界への析出によって焼結体の熱伝
導率が通常１００ｗ／ｓ・ｋ以下に低下し、ＩＣ基板等
としてメリットが小さくなる。又、ＡＩＮ粉末の他の特
性として、高熱伝導率と着色を同時に得るために酸素含
有量は０．５〜２．５重量％の範囲が好ましく、発色剤
として添加する金属元素以外のＳｉ等ＡＩＮへの固溶元
素の含有量も ０．１重量％以下であることが好ましい
。更に、ＡＩＮ粉末の比表面積は、緻密な焼結体を得る
ため２．０〜５．０■２／ｇが好ましい。
発色剤としての金属元素を含有したＡＩＮ粉末の製造に
おいて、Ａｌ２Ｏ３粉末と炭素粉末とを重量比で１ ：
０．２〜１：２の割合とするのは、１ ： ０．２未
満では炭素が不足してＡｌ２Ｏ３の残留やＡＩＮの凝集
が起こり、１：２を超えると逆に炭素が過剰となるから
である。
おいて、Ａｌ２Ｏ３粉末と炭素粉末とを重量比で１ ：
０．２〜１：２の割合とするのは、１ ： ０．２未
満では炭素が不足してＡｌ２Ｏ３の残留やＡＩＮの凝集
が起こり、１：２を超えると逆に炭素が過剰となるから
である。
本発明では又Ｉ［ａ、Ｈｏ族元素を所定量添加すると着
色効果とともに高い熱伝導率を得ることができる。これ
らの添加量が０．０１重量％未満あるいは５．０重量％
を越えると、所期の効果が得られない。
色効果とともに高い熱伝導率を得ることができる。これ
らの添加量が０．０１重量％未満あるいは５．０重量％
を越えると、所期の効果が得られない。
本発明においては、同色の着色剤を複数組合せて用いる
ことも、また異った色の着色剤を複数組合せて用いるこ
とが可能である。
ことも、また異った色の着色剤を複数組合せて用いるこ
とが可能である。
上記のようにして得られた本発明の着色した窒化アルミ
ニウム焼結体は、いずれも１３０Ｖ／ｍｋ以上の高い熱
伝導性を有しており、緻密質な焼結体表面にＡｇ５Ａｕ
等の厚膜ペースト、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属ペーストを
印刷し、焼成することによって、窒化アルミニウム回路
基板として有用である。
ニウム焼結体は、いずれも１３０Ｖ／ｍｋ以上の高い熱
伝導性を有しており、緻密質な焼結体表面にＡｇ５Ａｕ
等の厚膜ペースト、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属ペーストを
印刷し、焼成することによって、窒化アルミニウム回路
基板として有用である。
さらにこのような基板に半導体素子、リードフレームを
組合わせてＩＣパッケージとして用いる。
組合わせてＩＣパッケージとして用いる。
［実施例〕
平均粒径０．５μ■のα−Ａ１２０３粉末と、平均粒径
０．１μ■のアセチレンブラックを重量比で１ ： ０
．５に混合し、この混合粉末中に下表３に列挙した発色
剤金属元素の酸化物を表示の割合で加え、窒素気流中に
おいて１５５０℃で加熱焼成した。得られた粉末を大気
中で７００℃に加熱して、余剰炭素を燃焼除去し、残留
したＡＩＮ粉末の元素分析を行った。分析結果として、
ＡＩＮ粉末中の発色剤元素の濃度を下表に併記した。尚
、ＡＩＮ粉末中の発色剤元素以外の含有遷移金属は全て
１０９ｐ■以下であった。
０．１μ■のアセチレンブラックを重量比で１ ： ０
．５に混合し、この混合粉末中に下表３に列挙した発色
剤金属元素の酸化物を表示の割合で加え、窒素気流中に
おいて１５５０℃で加熱焼成した。得られた粉末を大気
中で７００℃に加熱して、余剰炭素を燃焼除去し、残留
したＡＩＮ粉末の元素分析を行った。分析結果として、
ＡＩＮ粉末中の発色剤元素の濃度を下表に併記した。尚
、ＡＩＮ粉末中の発色剤元素以外の含有遷移金属は全て
１０９ｐ■以下であった。
得られた各ＡＩＮ粉末に、フェノール１．０重量％を炭
素源として、また焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末を夫々
０．８重量％添加して充分混合した後、−軸ブレスで直
径１２１１で厚さ ５■１の円板に成形し、窒素気流中
において１９５０℃にて３時間焼結した。
素源として、また焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末を夫々
０．８重量％添加して充分混合した後、−軸ブレスで直
径１２１１で厚さ ５■１の円板に成形し、窒素気流中
において１９５０℃にて３時間焼結した。
得られたＡＩＮ焼結体の熱伝導率、及び色調、透過率を
下表１に併せて示した。
下表１に併せて示した。
透過率は０．３１基板で０，４μ■の波長の光の透過率
を測定した。
を測定した。
表１
東比較例
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、白色半透明では
なく黒色、茶色、緑色等に着色された光熱伝導の窒化ア
ルミニウム焼結体が得られ、ＩＣ基板、パッケージ等高
放熱基板材料あるいは高放熱部品として用いられ、光の
透過をきらう用途、光学式センサーにかけられ、自動化
ラインへの適用が必要な用途等にも適用可能なセラミッ
クスである。
なく黒色、茶色、緑色等に着色された光熱伝導の窒化ア
ルミニウム焼結体が得られ、ＩＣ基板、パッケージ等高
放熱基板材料あるいは高放熱部品として用いられ、光の
透過をきらう用途、光学式センサーにかけられ、自動化
ラインへの適用が必要な用途等にも適用可能なセラミッ
クスである。
特許出願人 住友電気工業株式会社
代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (8)
- （１）ＡｌＮを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｎｄ及びＨｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の
金属元素を０．１〜３．０重量％含有する窒化アルミニ
ウム焼結体製造用窒化アルミニウム粉末。 - （２）酸素含有量が０．５〜２．５重量％、比表面積が
２．０〜５．０ｍ＾２／ｇである請求項（１）記載の窒
化アルミニウム焼結体製造用窒化アルミニウム粉末。 - （３）Ａｌ＿２Ｏ＿３粉末と炭素粉末とを重量比で１０
．２〜１：２の割合で混合し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
、Ｎｄ及びＨｏからなる群から選ばれた１種以上の金属
元素を酸化物換算で０．１〜６．０重量％共存させなが
ら、窒素含有非酸化性雰囲気中において１４００〜１９
００℃で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム粉
末の製造方法。 - （４）ＡｌＮを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｎｄ及びＨｏからなる群から選ばれた１種以上の金属元
素及び／又はその化合物を０．０１〜５．０重量％含有
し、着色を呈し、かつ熱伝導率が１３０ｗ／ｍｋ以上で
あることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 - （５）窒化アルミニウムを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｎｄ及びＨｏから選ばれた１種以上の金属元
素を０．０１〜５．０重量％、IIａ、IIIａ族元素を０
．０１〜５．０重量％含有し、黒色を呈し、かつ熱伝導
率が１３０ｗ／ｍｋ以上、曲げ強度が３０ｋｇ／ｍｍ＾
２以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体
。 - （６）窒化アルミニウムを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｈｏから選ばれた１種以上の金属元素
を０．１〜３．０重量％含む窒化アルミニウム粉末に、
IIａ、IIIａ族元素を元素換算で０．０１〜５．０重量
％となる化合物を添加し、さらに炭素又は加熱により炭
素を残留する化合物を炭素量で０．０１〜１．０重量％
になるように添加した粉末を成形したのち、非酸化性の
窒素含有雰囲気で焼成することを特徴とする窒化アルミ
ニウム焼結体の製造法。 - （７）窒化アルミニウムを主成分とし、熱伝導率が１３
０ｗ／ｍｋ以上で着色を呈した窒化アルミニウム焼結体
上に、導電性ペーストにより回路を形成したことを特徴
とする窒化アルミニウム回路基板。 - （８）窒化アルミニウムを主成分とし、熱伝導率が１３
０ｗ／ｍｋ以上で着色を呈した窒化アルミニウム焼結体
基板と半導体素子とリードフレームからなる高熱伝導性
セラミック・パッケージ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206768A JPH0492864A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法 |
| CA002028244A CA2028244C (en) | 1990-08-06 | 1990-10-22 | Aluminum nitride powder, sintered body and production thereof |
| DE69020559T DE69020559T2 (de) | 1990-08-06 | 1990-10-24 | Aluminiumnitridpulver, Sinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| EP90120371A EP0472776B1 (en) | 1990-08-06 | 1990-10-24 | Aluminum nitride powder, sintered body and production thereof |
| KR1019910004873A KR940000730B1 (ko) | 1990-08-06 | 1991-03-28 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조법 |
| KR1019930027728A KR940001710B1 (ko) | 1990-08-06 | 1993-12-15 | 질화알루미늄 분말 및 그 제조법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206768A JPH0492864A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492864A true JPH0492864A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16528769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206768A Pending JPH0492864A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0472776B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0492864A (ja) |
| KR (2) | KR940000730B1 (ja) |
| CA (1) | CA2028244C (ja) |
| DE (1) | DE69020559T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08104507A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Toyo Alum Kk | 遮光性窒化アルミニウム質粉末、その製造方法およびその焼結体 |
| WO2022039200A1 (ja) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 球状ＡｌＮ粒子およびその製造方法、並びにこれを含有する複合材料 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273700A (en) * | 1990-10-29 | 1993-12-28 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Aluminum nitride sintered body and process for producing the same |
| CA2058075C (en) * | 1990-12-26 | 1996-07-02 | Akira Yamakawa | Composite ceramic powder and production process thereof |
| TW280836B (ja) * | 1992-09-21 | 1996-07-11 | Sumitomo Electric Industries | |
| WO1996020127A1 (en) * | 1994-12-23 | 1996-07-04 | The Dow Chemical Company | Aluminum nitride powders having high green density, and process for making same |
| DE60005234T2 (de) | 1999-03-17 | 2004-07-01 | Asahi Techno Glass Corp., Funabashi | Aluminiumnitridsinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP5645559B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-12-24 | 株式会社トクヤマ | 球状窒化アルミニウム粉末 |
| CN107574350B (zh) * | 2017-08-25 | 2019-06-25 | 福州盛世凌云环保科技有限公司 | 一种高温烟气通道余热回收用陶瓷及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3247985C2 (de) * | 1982-12-24 | 1992-04-16 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Keramischer Träger |
| US4877760A (en) * | 1985-05-22 | 1989-10-31 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
| BR8603285A (pt) * | 1986-07-04 | 1988-03-15 | Ngk Brasil Ceram Velas Ignicao | Nitreto de aluminio sinterizado de alta condutividade termica |
| JPS6360167A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-16 | イビデン株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 |
| JPS63156007A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS63162576A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | 株式会社住友金属セラミックス | 黒色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JP2577378B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS63277565A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 耐熱高熱伝導性複合材料及びその製造方法 |
| DE3743663A1 (de) * | 1987-12-22 | 1989-07-06 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Polykristalline sinterkoerper auf basis von aluminiumnitrid und verfahren zu ihrer herstellung |
| KR920003226B1 (ko) * | 1988-05-16 | 1992-04-24 | 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 | 질화알루미늄소결체와 그것을 사용한 회로기판 및 반도체패키지 |
| DE3840577A1 (de) * | 1988-12-01 | 1990-06-07 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungsgefaess fuer eine hochdruckentladungslampe und verfahren zu dessen herstellung |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP2206768A patent/JPH0492864A/ja active Pending
- 1990-10-22 CA CA002028244A patent/CA2028244C/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-24 DE DE69020559T patent/DE69020559T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-24 EP EP90120371A patent/EP0472776B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-28 KR KR1019910004873A patent/KR940000730B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-15 KR KR1019930027728A patent/KR940001710B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JPH08104507A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Toyo Alum Kk | 遮光性窒化アルミニウム質粉末、その製造方法およびその焼結体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940001710B1 (ko) | 1994-03-05 |
| DE69020559D1 (de) | 1995-08-03 |
| DE69020559T2 (de) | 1996-04-04 |
| EP0472776A3 (en) | 1992-03-11 |
| CA2028244A1 (en) | 1992-02-07 |
| EP0472776B1 (en) | 1995-06-28 |
| EP0472776A2 (en) | 1992-03-04 |
| KR920004310A (ko) | 1992-03-27 |
| CA2028244C (en) | 1996-04-16 |
| KR940000730B1 (ko) | 1994-01-28 |
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