JPH0483328A - ウエハチャック - Google Patents
ウエハチャックInfo
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Landscapes
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
、ウェハを保持し平面矯正するチャックの表面構造及び
その母材に関するものである。
チャックの材質は、アルミ系の金属にアルマイト(商品
名)メツキしたものであった。それ以外には、ステンレ
スやアルマイト系セラミクスが用いられていた。
キしたものでは、母材が半導体素子の主な材料となるシ
リコンよりも軟らかいために、キズや打痕が付き、耐久
性に問題があった。ステンレスを材料にしたチャックも
アルミと同様の欠点があった。そこで最近では、耐久性
向上させるために、硬い材料であるセラミクスが用いら
れる様になフてきた。しかしながら、セラミクスは製造
工程において、均一な粒子(数μm程度大きさ)を焼き
固めて作るために、多孔質構造となる。そして、研削や
ラップで仕上げた表面は凹形状になる。この凹形状の中
にウェハ裏面の感光材等の異物が入り込みやすく、異物
によフてウェハの平面矯正ができない欠点がある。また
、凹形状の内部は、凸凹になっており、−度入った異物
が容易に取れないという欠点があった。
て、耐久性を向上させるとともに異物付着を防止し安定
したウェハの平面矯正が可能なウェハチャックの提供を
目的とする。
するため、本発明によれば、母材に、硬度が大きく耐久
性かあるセラミクスを用い、その表面をウェハより硬度
が大きくかつ、母材以上の硬度かあり、セラミクスの様
な多孔質構造でない材質でご一トした。コート方法は、
母材からコートした面が剥離しない様にCVD法で行な
う。コート材にはTiCやTaCなどを用いる。このコ
ートにより母材を保護するとともに異物付着を防止する
。
1図はウェハを保持及び平面矯正するためのチャックの
外観を示し、第2図はその断面を示す。
にウェハ(図示しない)か置かれる。ウニへの保持は、
負圧溝2によって行なわれる。負圧の供給は穴4によっ
てチャック裏面6から行なわれる。また、ウェハの平面
矯正は溝2を介して真空吸着することによりチャック表
面1によって行われる。
に配置される。コート3の材質は、ウェハより硬いTi
CまたはTaCなどてあり、CVD (Chemica
l Vapor Deposition)法により形成
する。コート層の厚さは10μm〜60μmであり、こ
れはコート形成後、チャック表面1の平面度を得るため
の研削及びラップ量を含めた厚さである。研削及びラッ
プ後のコート層は5μm〜30μmでありこのチャック
表面はウェハ表面あらさと同等に仕上げられ、その時に
母材との熱膨張率、差による破壊を避けるために、でき
るだけ薄いことが望ましい。負圧溝2の加工は、チャッ
クの研削及びラップ後に行なう。
IL203系のセラミクスである。母材5はその硬度が
ウェハと同等か、それ以上であり、コートとの熱膨張率
の差が10ppm以下のものが望ましい。AJ1203
系のセラミクス以外に、Z r 02.S I C,S
i 3N4系でも良い。母材のウェハ保持面側はコー
ト3のラップ量を減らすために、1μm以下の平面に仕
上げる。
では、コート7はウェハに接する面だけでなくチャック
表面全面を覆う。このコート7はチャックの溝2を加工
後に形成しコート後、研削、ラップする。第3図の構造
は、第2図の構造に比べて、ウェハと接する面積が1
mm2以下になった時、または巾が0.5mm以下にな
る時に、母材から、コート層が剥れにくい特長を持つ。
クスを用いて、耐久性を向上させ、その表面に、ウェハ
より硬度がり、多孔質構造でなく、かつ母材との熱膨張
率差か小さいTiCやTaCをCVD法でコートするこ
とによってチャック上への異物付着か低下する。これに
よって耐久性があり、異物付着のない安定したウニへの
平面矯正ができる。
供給穴、5:チャック母材、 6:裏面、7:コート。
Claims (6)
- (1)ウェハ搭載面側にウェハ吸着用の負圧溝を有し、
母材をセラミクスで構成し、前記ウェハ搭載面をウェハ
より硬度が大きい多孔質以外の材料でコーティングした
ことを特徴とするウェハチャック。 - (2)前記ウェハ搭載面の表面にのみ前記コーティング
を施したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
ウェハチャック。 - (3)前記負圧溝の内面を含めチャック外周面の全面に
前記コーティングを施したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のウェハチャック。 - (4)前記コーティング材料はTiC、TaC、Al_
2O_3またはSiCからなり、前記母材はAl_2O
_3系、ZrO_2系、SiC系またはSi_3N_4
系のセラミクスからなり、表面仕上げ後のコート厚を5
〜30μmとしたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のウェハチャック。 - (5)前記母材上にCVD法により10〜60μmのコ
ーティングを施した後前記表面仕上げを行ったことを特
徴とする特許請求の範囲第4項記載のウェハチャック。 - (6)前記の表面仕上げは搭載されるウェハの表面あら
さと同等か、それ以下であることを特徴とするウェハチ
ャック。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0818272A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-14 | Applied Materials, Inc. | Holding a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system |
WO1999028957A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant |
US6379221B1 (en) | 1996-12-31 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
KR100375984B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치 |
US7732010B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method for supporting a glass substrate to improve uniform deposition thickness |
US8372205B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
JP2014187213A (ja) * | 2013-03-23 | 2014-10-02 | Kyocera Corp | 吸着部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに吸着部材の製造方法 |
CN104096662A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-10-15 | 济南晶博电子有限公司 | 吸附式硅片涂布旋转台 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4700819B2 (ja) | 2000-03-10 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267745A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Inc | ウエハ保持方法 |
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1990
- 1990-07-26 JP JP19635890A patent/JP2748181B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267745A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Inc | ウエハ保持方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0818272A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-14 | Applied Materials, Inc. | Holding a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system |
US6379221B1 (en) | 1996-12-31 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
WO1999028957A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant |
KR100375984B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치 |
US7732010B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method for supporting a glass substrate to improve uniform deposition thickness |
US8372205B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
JP2014187213A (ja) * | 2013-03-23 | 2014-10-02 | Kyocera Corp | 吸着部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに吸着部材の製造方法 |
CN104096662A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-10-15 | 济南晶博电子有限公司 | 吸附式硅片涂布旋转台 |
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