JP2779968B2 - 真空チャック - Google Patents
真空チャックInfo
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- JP2779968B2 JP2779968B2 JP1342276A JP34227689A JP2779968B2 JP 2779968 B2 JP2779968 B2 JP 2779968B2 JP 1342276 A JP1342276 A JP 1342276A JP 34227689 A JP34227689 A JP 34227689A JP 2779968 B2 JP2779968 B2 JP 2779968B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chuck
- chuck
- thin film
- ceramic
- chuck body
- Prior art date
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はシリコンウエハーなどの被加工物を吸引固定
する真空チャックに関する。
する真空チャックに関する。
（従来の技術） シリコンウエハー表面にレジストを塗布したり、シリ
コンウエハー表面に形成した感光性樹脂膜にICパターン
を焼き付ける場合に、従来からシリコンウエハーの下面
を真空チャックによって吸引保持している。
コンウエハー表面に形成した感光性樹脂膜にICパターン
を焼き付ける場合に、従来からシリコンウエハーの下面
を真空チャックによって吸引保持している。
斯かる真空チャックは被加工物を載置する面に真空源
につながる溝を形成し、この溝を介して被加工物を吸引
固定するようにしており、真空チャックの材料としては
ステンレス、アルミ合金等の金属或いはセラミックを用
いている。
につながる溝を形成し、この溝を介して被加工物を吸引
固定するようにしており、真空チャックの材料としては
ステンレス、アルミ合金等の金属或いはセラミックを用
いている。
（発明が解決しようとする課題） シリコンウエハーは極めて薄く曲りやすい。したがっ
てこのようなシリコンウエハーを吸引固定する真空チャ
ック吸着面は平坦度が高いことが要求される。しかしな
がら、金属製の真空チャックは平坦度を高精度に出すこ
とが困難で、且つ熱によって変形しやすい。
てこのようなシリコンウエハーを吸引固定する真空チャ
ック吸着面は平坦度が高いことが要求される。しかしな
がら、金属製の真空チャックは平坦度を高精度に出すこ
とが困難で、且つ熱によって変形しやすい。
一方、セラミックの場合には高平坦度で変形しにくい
ものとすることができるが、被加工物の載置面に微小な
ポアが露出し、このポアに汚れが付着するためたびたび
洗浄しなければならない。
ものとすることができるが、被加工物の載置面に微小な
ポアが露出し、このポアに汚れが付着するためたびたび
洗浄しなければならない。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決すべく本発明は、真空チャックをチャ
ック本体とこのチャック本体の被加工物を載置する表面
に形成したセラミック薄膜とで構成し、チャック本体に
ついては成形後に焼成して得られる通常のセラミック焼
成対とし、セラミック薄膜についてはCVD等で形成する
実質的にポアの無いものとした。
ック本体とこのチャック本体の被加工物を載置する表面
に形成したセラミック薄膜とで構成し、チャック本体に
ついては成形後に焼成して得られる通常のセラミック焼
成対とし、セラミック薄膜についてはCVD等で形成する
実質的にポアの無いものとした。
（作用） セラミック原料を成形した後焼成してチャック本体と
し、このチャック本体の表面に研削加工又は研摩加工を
施した後に化学気相析出法（CVD）等によってセラミッ
ク薄膜をコーティングする。
し、このチャック本体の表面に研削加工又は研摩加工を
施した後に化学気相析出法（CVD）等によってセラミッ
ク薄膜をコーティングする。
（実施例） 以下に本発明の実施例を貼付図面に基いて説明する。
第１図は本発明に係る真空チャックの断面図、第２図
は同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及
び第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程
を示す拡大断面図である。
は同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及
び第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程
を示す拡大断面図である。
真空チャック１は略円盤状をなし、中央部には真空ポ
ンプなどにつながる穴２を穿設し、またシリコンウエハ
ーなどの被加工物Ｗを載置する表面には前記穴２につな
がる溝３・・・を形成している。この溝３・・・として
は格子状或いは同心円状のものに限らず不規則な凹部で
あってもよい。
ンプなどにつながる穴２を穿設し、またシリコンウエハ
ーなどの被加工物Ｗを載置する表面には前記穴２につな
がる溝３・・・を形成している。この溝３・・・として
は格子状或いは同心円状のものに限らず不規則な凹部で
あってもよい。
また、真空チャック１はチャック本体４と前記被加工
物Ｗを載置する表面に形成されたセラミック薄膜５とか
らなり、チャック本体４内には微小なポア６・・・が粒
界などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが実
質的に存在しない緻密な組織となている。ここで、チャ
ック本体４及びセラミック薄膜５の構成材料としてはTi
C、TiN、Al2Ｏ3、Si3Ｎ4、SiC等とする。
物Ｗを載置する表面に形成されたセラミック薄膜５とか
らなり、チャック本体４内には微小なポア６・・・が粒
界などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが実
質的に存在しない緻密な組織となている。ここで、チャ
ック本体４及びセラミック薄膜５の構成材料としてはTi
C、TiN、Al2Ｏ3、Si3Ｎ4、SiC等とする。
以上の如き構成の真空チャックの製造方法を第３図に
基いて説明する。
基いて説明する。
先ずセラミック原料を有機バインダ等とともに混練し
て成形体とし、この成形体を焼成してチャック本体４を
得るが、このチャック本体４にはその製造方法に起因し
て第３図（Ａ）に示すような内部（粒界）にポア６・・
・が存在する。尚、分りやすくするため図面ではポア６
を大きくしているが、実際には微小なものである。
て成形体とし、この成形体を焼成してチャック本体４を
得るが、このチャック本体４にはその製造方法に起因し
て第３図（Ａ）に示すような内部（粒界）にポア６・・
・が存在する。尚、分りやすくするため図面ではポア６
を大きくしているが、実際には微小なものである。
次いでこのチャック本体４の表面を研削してラップ加
工と同程度まで平滑にする。そしてこの研削加工により
内部に存在していたポアの一部が表面に露出する。
工と同程度まで平滑にする。そしてこの研削加工により
内部に存在していたポアの一部が表面に露出する。
この後、研削した表面にポアのないセラミック薄膜５
を形成する。形成の方法としては、スパッタリング、イ
オンプレーティング、熱CVD或いはプラズマCVDなどによ
る。
を形成する。形成の方法としては、スパッタリング、イ
オンプレーティング、熱CVD或いはプラズマCVDなどによ
る。
以上の如くして、チャック本体４の少なくても一面側
（ウエハーを載置する側）にセラミック薄膜５を形成し
た後、ラップ加工によってセラミック薄膜５の表面を平
滑化する。
（ウエハーを載置する側）にセラミック薄膜５を形成し
た後、ラップ加工によってセラミック薄膜５の表面を平
滑化する。
次いで、セラミック薄膜５の表面を所定の部分に窓7a
を形成したマスク７にて覆い、サンドブラスト或いはシ
ョットピーニング等により窓7aに相当する部分に溝３を
形成する。この溝３・・・は前記した如くランダムな形
状の凹部でもよい。
を形成したマスク７にて覆い、サンドブラスト或いはシ
ョットピーニング等により窓7aに相当する部分に溝３を
形成する。この溝３・・・は前記した如くランダムな形
状の凹部でもよい。
第４図は他の製造方法を示すものであり、この製造方
法にあっては、第４図（Ａ）に示すようにチャック本体
４を得、このチャック本体４の研削した表面に第４図
（Ｂ）に示すようにマスク７を被せてサンドブラスト或
いはショットピーニングを行ない、第４図（Ｃ）に示す
ように溝３を形成する。そして溝３を形成した上から第
４図（Ｄ）に示すように前記と同様の方法によりセラミ
ック薄膜５を形成する。即ち、この実施例にあっては、
溝３の内部までセラミック薄膜５が一体的に形成され
る。
法にあっては、第４図（Ａ）に示すようにチャック本体
４を得、このチャック本体４の研削した表面に第４図
（Ｂ）に示すようにマスク７を被せてサンドブラスト或
いはショットピーニングを行ない、第４図（Ｃ）に示す
ように溝３を形成する。そして溝３を形成した上から第
４図（Ｄ）に示すように前記と同様の方法によりセラミ
ック薄膜５を形成する。即ち、この実施例にあっては、
溝３の内部までセラミック薄膜５が一体的に形成され
る。
尚、実施例においては各種セラミック材料と各種製法
によってチャック本体４及びセラミック薄膜５を形成し
たが、セラミック薄膜としてTiC、TiN、SiCのように導
電性或いは半導電性の材料を使用すれば、静電気を容易
に逃すことができる。また、材料及び製法の組合せで最
も良い結果となったのは、チャック本体４をAl2Ｏ3と
し、セラミック薄膜５をプラズマCVD法によるTiCとした
場合であった。これは、Al2Ｏ3とTiCとの密着性が高
く、比較的低温（500℃〜950℃）で膜形成できるので熱
による変形が殆どなく、更に膜の形成速度が速く厚くコ
ーティングできることによる。
によってチャック本体４及びセラミック薄膜５を形成し
たが、セラミック薄膜としてTiC、TiN、SiCのように導
電性或いは半導電性の材料を使用すれば、静電気を容易
に逃すことができる。また、材料及び製法の組合せで最
も良い結果となったのは、チャック本体４をAl2Ｏ3と
し、セラミック薄膜５をプラズマCVD法によるTiCとした
場合であった。これは、Al2Ｏ3とTiCとの密着性が高
く、比較的低温（500℃〜950℃）で膜形成できるので熱
による変形が殆どなく、更に膜の形成速度が速く厚くコ
ーティングできることによる。
（効果） 以上に説明したように本発明によれば、真空チャック
をチャック本体とこのチャック本体の被加工物を載置す
る表面に形成したポアのないセラミック薄膜とで構成し
たので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、
またチャック全体がセラミックからなるため、被加工物
を載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱
による変形を抑えられる。
をチャック本体とこのチャック本体の被加工物を載置す
る表面に形成したポアのないセラミック薄膜とで構成し
たので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、
またチャック全体がセラミックからなるため、被加工物
を載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱
による変形を抑えられる。
第１図は本発明に係る真空チャックの断面図、第２図は
同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及び
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を
示す拡大断面図である。 尚、図面中１は真空チャック、３は溝、４はチャック本
体、５はセラミック薄膜、６はポアである。
同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及び
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を
示す拡大断面図である。 尚、図面中１は真空チャック、３は溝、４はチャック本
体、５はセラミック薄膜、６はポアである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出畑 幸男 神奈川県茅ケ崎市本村２丁目８番１号 東陶機器株式会社茅ヶ崎工場内 (56)参考文献 特開 平２−30159（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−260350（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23Q 3/08 H01L 21/68
Claims (3)
- 【請求項１】被加工物を載置する表面に真空源につなが
る吸引溝を形成した真空チャックにおいて、この真空チ
ャックは、セラミック原料を成形して焼成したチャック
本体と、このチャック本体の被加工物を載置する表面に
スパッタリング、イオンプレーティングまたは化学気相
析出法（CVD）で形成される実質的にポアのないセラミ
ック薄膜との２層構造をなすことを特徴とする真空チャ
ック。 - 【請求項２】セラミック原料を成形した後、焼成してチ
ャック本体とし、このチャック本体の表面にスパッタリ
ング、イオンプレーティングまたは化学気相析出法（CV
D）で実質的にポアのないセラミック薄膜を形成し、こ
の後、前記セラミック薄膜の表面をマスクで覆うととも
にマスクの窓に合せて溝を穿設した後、マスクを除去す
ることを特徴とする真空チャックの製造方法。 - 【請求項３】セラミック原料を成形した後、焼成してチ
ャック本体とし、このチャック本体の表面をマスクで覆
うとともにマスクの窓に合せて溝を穿設した後、溝を穿
設した表面にスパッタリング、イオンプレーティングま
たは化学気相析出法（CVD）で実質的にポアのないセラ
ミック薄膜を形成することを特徴とする真空チャックの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342276A JP2779968B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 真空チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342276A JP2779968B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 真空チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03202246A JPH03202246A (ja) | 1991-09-04 |
| JP2779968B2 true JP2779968B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=18352471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342276A Expired - Lifetime JP2779968B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 真空チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2779968B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017147407A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 位置決めステージ用のテーブルおよびこれを用いた位置決め方法 |
| KR20180065175A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0755423B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1995-06-14 | 日本碍子株式会社 | ウエハー保持具の製造方法 |
| JP4544706B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 基板ホルダー |
| JP4761334B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2011-08-31 | 株式会社ソディック | 着色セラミック真空チャックおよびその製造方法 |
| US8901010B2 (en) * | 2013-03-15 | 2014-12-02 | Sunpower Corporation | Methods for improving solar cell lifetime and efficiency |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2800188B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1998-09-21 | 株式会社ニコン | 基板吸着装置 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1342276A patent/JP2779968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017147407A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 位置決めステージ用のテーブルおよびこれを用いた位置決め方法 |
| KR20180065175A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
| KR102012784B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2019-08-21 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03202246A (ja) | 1991-09-04 |
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Legal Events
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