JPH0479162B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0479162B2 JPH0479162B2 JP59081317A JP8131784A JPH0479162B2 JP H0479162 B2 JPH0479162 B2 JP H0479162B2 JP 59081317 A JP59081317 A JP 59081317A JP 8131784 A JP8131784 A JP 8131784A JP H0479162 B2 JPH0479162 B2 JP H0479162B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- capacitor
- collector
- resistor
- diode
- Prior art date
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジヨン受像機のアツプダウン
方式のチユーナ、コンバータ、SHF受信機のイ
ンドアユニツト等に使用される局部発振器に関す
るものである。
方式のチユーナ、コンバータ、SHF受信機のイ
ンドアユニツト等に使用される局部発振器に関す
るものである。
従来の技術
第１図に局部発振器を使用するチユーナブロツ
クの一例を示す。１はアンテナから入力するテレ
ビ信号のチヤンネルを選択する入力段同調回路、
２は選択した信号を増幅するRF増幅器、３は混
合器で、RF増幅器２からの増幅された信号と局
部発振器４からの発振出力とを混合して中間周波
数に変換する。そして、中間周波増幅器５を通じ
て、中間周波出力を得るものである。
クの一例を示す。１はアンテナから入力するテレ
ビ信号のチヤンネルを選択する入力段同調回路、
２は選択した信号を増幅するRF増幅器、３は混
合器で、RF増幅器２からの増幅された信号と局
部発振器４からの発振出力とを混合して中間周波
数に変換する。そして、中間周波増幅器５を通じ
て、中間周波出力を得るものである。
第２図に、従来の局部発振器の一例の構成例を
示す。本回路は負性抵抗発振器で、発振トランジ
スタ１１のコレクタをコンデンサ１２により接地
することにより、ベースからみたインピーダンス
が負性抵抗になることを利用したものである。図
中、Ｂ点からは選局用電圧を供給し、バリキヤツ
プダイオード１４に抵抗１３，１５，１６を介し
て加えることにより、同調容量を変化させる。１
７はストリツプラインで構成されたインダクタン
ス、１８及び１９は直流カツトコンデンサ、２０
はスイツチダイオードで、Ｃ点から供給されるバ
ンド切換用電圧により抵抗２１を介してオン・オ
フする。
示す。本回路は負性抵抗発振器で、発振トランジ
スタ１１のコレクタをコンデンサ１２により接地
することにより、ベースからみたインピーダンス
が負性抵抗になることを利用したものである。図
中、Ｂ点からは選局用電圧を供給し、バリキヤツ
プダイオード１４に抵抗１３，１５，１６を介し
て加えることにより、同調容量を変化させる。１
７はストリツプラインで構成されたインダクタン
ス、１８及び１９は直流カツトコンデンサ、２０
はスイツチダイオードで、Ｃ点から供給されるバ
ンド切換用電圧により抵抗２１を介してオン・オ
フする。
一方、トランジスタ１１のエミツタにはチヨー
クコイル２４と抵抗２５が接続され、エミツタか
らはコンデンサ２３を介してＡ点に発振信号が出
力され、発振器出力としてミキサー段に供給され
る。トランジスタ１１のコレクタには抵抗２２を
介して電源が供給され、抵抗２６によりベースバ
イアス電圧が与えられている。
クコイル２４と抵抗２５が接続され、エミツタか
らはコンデンサ２３を介してＡ点に発振信号が出
力され、発振器出力としてミキサー段に供給され
る。トランジスタ１１のコレクタには抵抗２２を
介して電源が供給され、抵抗２６によりベースバ
イアス電圧が与えられている。
上記従来の局部発振器により、ミキサーにおい
て約1GHzの中間周波数に変換する場合には、テ
レビのVHF，UHF帯の信号を受信する為には
1GHzから2GHzまでの発振周波数を可変できるよ
うにすることが必要である。本回路において、Ｃ
点からのスイツチ電圧により、VHF受信時には
ダイオード２０をオンさせ、UHF受信時にはダ
イオード２０をオフさせ、逆バイアス時のダイオ
ード２０がもつ小容量を同調回路に直列に接続す
ることにより、発振周波数をUHFの高域まで可
変できるようにしている。
て約1GHzの中間周波数に変換する場合には、テ
レビのVHF，UHF帯の信号を受信する為には
1GHzから2GHzまでの発振周波数を可変できるよ
うにすることが必要である。本回路において、Ｃ
点からのスイツチ電圧により、VHF受信時には
ダイオード２０をオンさせ、UHF受信時にはダ
イオード２０をオフさせ、逆バイアス時のダイオ
ード２０がもつ小容量を同調回路に直列に接続す
ることにより、発振周波数をUHFの高域まで可
変できるようにしている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記従来の構成では、ダイオード
２０がオンした時のシリーズ抵抗や配線基板容量
等により共振回路のＱが低下し、発振が不安定に
なつたり、ある周波数でスプリアスを発生すると
いつた問題を生じていた。
２０がオンした時のシリーズ抵抗や配線基板容量
等により共振回路のＱが低下し、発振が不安定に
なつたり、ある周波数でスプリアスを発生すると
いつた問題を生じていた。
本発明は、このような局部発振器においてバン
ド切換時における問題を解消し、すべての帯域に
おいて安定な発振を行なえる局部発振器を提供す
ることを目的とするものである。
ド切換時における問題を解消し、すべての帯域に
おいて安定な発振を行なえる局部発振器を提供す
ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の局部発振器
は、トランジスタのベースにコイル又は共振線路
と可変容量ダイオードよりなる共振回路を接続
し、該トランジスタのコレクタを交流的に接地
し、該トランジスタのエミツタをチヨークコイル
と抵抗を直列に接続した一端に接続し、他端を接
地し、該トランジスタのコレクタとエミツタ間、
もしくはコレクタと、チヨークコイルと抵抗の接
続点との間に小容量のコンデンサを交流的に接続
し、該コンデンサを外部コントロール機能によ
り、周波数に応じて接続又は開放するようにした
ものである。
は、トランジスタのベースにコイル又は共振線路
と可変容量ダイオードよりなる共振回路を接続
し、該トランジスタのコレクタを交流的に接地
し、該トランジスタのエミツタをチヨークコイル
と抵抗を直列に接続した一端に接続し、他端を接
地し、該トランジスタのコレクタとエミツタ間、
もしくはコレクタと、チヨークコイルと抵抗の接
続点との間に小容量のコンデンサを交流的に接続
し、該コンデンサを外部コントロール機能によ
り、周波数に応じて接続又は開放するようにした
ものである。
作 用
上記構成によつて、トランジスタのコレクタと
エミツタ間、もしくはコレクタと、チヨークコイ
ルと抵抗の接続点との間に、外部制御にもとづい
て小容量のコンデンサを接続した場合、トランジ
スタのベースからみたインピーダンスが従来の構
成に対してより負性となり、帰還利得が向上し、
発振が安定する。また外部制御にもとづいてコレ
クタとエミツタ間、もしくはコレクタと、チヨー
クコイルと抵抗の接続点との間を開放状態とした
場合、高域周波数においても発振出力レベルは低
下しないものである。
エミツタ間、もしくはコレクタと、チヨークコイ
ルと抵抗の接続点との間に、外部制御にもとづい
て小容量のコンデンサを接続した場合、トランジ
スタのベースからみたインピーダンスが従来の構
成に対してより負性となり、帰還利得が向上し、
発振が安定する。また外部制御にもとづいてコレ
クタとエミツタ間、もしくはコレクタと、チヨー
クコイルと抵抗の接続点との間を開放状態とした
場合、高域周波数においても発振出力レベルは低
下しないものである。
実施例
以下、本発明の一実施例の局部発振器を第３図
を参照しながら説明する。第３図において、１１
〜２６の部分は第２図中におけるそれらの構成と
同一であり、動作も同じであるのでその詳細な説
明を省略する。２７は小容量のコンデンサ、２８
はスイツチダイオード、２９はバイアス抵抗で、
端子Ｄは端子Ｃに接続されている。なおトランジ
スタ１１のベースに接続される共振回路は一般的
なコイルおよびコンデンサからなるLC共振回路
でも良い。
を参照しながら説明する。第３図において、１１
〜２６の部分は第２図中におけるそれらの構成と
同一であり、動作も同じであるのでその詳細な説
明を省略する。２７は小容量のコンデンサ、２８
はスイツチダイオード、２９はバイアス抵抗で、
端子Ｄは端子Ｃに接続されている。なおトランジ
スタ１１のベースに接続される共振回路は一般的
なコイルおよびコンデンサからなるLC共振回路
でも良い。
第３図において、端子ＤにはVHF時には正、
UHF時には負の電圧を印加し、ダイオード２８
をVHF時にオン、UHF時にオフさせる。する
と、VHF時には約1PFのコンデンサ２７がコレ
クタ・エミツタ間に接続される。このコンデンサ
２７によりベース側からみたインピーダンスはよ
り負性になり、VHF時における帰還利得を向上
させることができ、安定に発振させることができ
る。
UHF時には負の電圧を印加し、ダイオード２８
をVHF時にオン、UHF時にオフさせる。する
と、VHF時には約1PFのコンデンサ２７がコレ
クタ・エミツタ間に接続される。このコンデンサ
２７によりベース側からみたインピーダンスはよ
り負性になり、VHF時における帰還利得を向上
させることができ、安定に発振させることができ
る。
一方、UHF時にはダイオード２８をオフさせ
ることにより、逆バイアス容量とコンデンサ２７
との直列接続とし、コレクタ・エミツタ間を殆ん
ど開放状態とする。もし、UHF時にコンデンサ
が接続されたままであると、エミツタは交流的に
1PFで接地される為、2GHz近辺での発振出力レ
ベルを著しく低下させることになる。
ることにより、逆バイアス容量とコンデンサ２７
との直列接続とし、コレクタ・エミツタ間を殆ん
ど開放状態とする。もし、UHF時にコンデンサ
が接続されたままであると、エミツタは交流的に
1PFで接地される為、2GHz近辺での発振出力レ
ベルを著しく低下させることになる。
なお、ダイオード２８のカソード側をインダク
タンス２４と抵抗２５の間に接続しても同様の効
果が得られる。又、端子Ｄの電圧は端子Ｃのスイ
ツチ電圧を共用することもできる。
タンス２４と抵抗２５の間に接続しても同様の効
果が得られる。又、端子Ｄの電圧は端子Ｃのスイ
ツチ電圧を共用することもできる。
発明の効果
上記の如く、本発明によれば、スイツチダイオ
ードを使つてバンド毎における回路を切換えるこ
とにより、低バンド時における発振の不安定さの
解消及び高バンド時における周波数の高域の拡大
の両条件をともに満足することができる。また、
バンド切換用電圧を利用する場合は、容易に回路
を構成することができる。
ードを使つてバンド毎における回路を切換えるこ
とにより、低バンド時における発振の不安定さの
解消及び高バンド時における周波数の高域の拡大
の両条件をともに満足することができる。また、
バンド切換用電圧を利用する場合は、容易に回路
を構成することができる。
第１図は局部発振器を用いるチユーナブロツク
図、第２図は従来例の局部発振回路の回路図、第
３図は本発明の一実施例における局部発振回路の
回路図である。 １１…トランジスタ、１２…コンデンサ、１
３，１５，１６…抵抗、１４…バリキヤツプダイ
オード、１７…インダクタンス、１８，１９…コ
ンデンサ、２０…スイツチダイオード、２１，２
２，２５，２６…抵抗、２３…コンデンサ、２４
…チヨークコイル、２７…コンデンサ、２８…ス
イツチダイオード、２９…バイアス抵抗。
図、第２図は従来例の局部発振回路の回路図、第
３図は本発明の一実施例における局部発振回路の
回路図である。 １１…トランジスタ、１２…コンデンサ、１
３，１５，１６…抵抗、１４…バリキヤツプダイ
オード、１７…インダクタンス、１８，１９…コ
ンデンサ、２０…スイツチダイオード、２１，２
２，２５，２６…抵抗、２３…コンデンサ、２４
…チヨークコイル、２７…コンデンサ、２８…ス
イツチダイオード、２９…バイアス抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ トランジスタのベースにコイル又は共振線路
と可変容量ダイオードよりなる共振回路を接続
し、上記トランジスタのコレクタを交流的に接地
し、上記トランジスタのエミツタをチヨークコイ
ルと抵抗を直列に接続した回路の一端に接続し、
その他端を接地し、上記トランジスタのコレクタ
とエミツタとの間、もしくはコレクタと、チヨー
クコイルと抵抗の接続点との間に小容量のコンデ
ンサを交流的に接続し、上記コンデンサを外部制
御により周波数に応じて接続または開放すること
を特徴とする局部発振器。 ２ 小容量コンデンサを切換える手段として、ス
イツチダイオードを使用することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の局部発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081317A JPS60224308A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 局部発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081317A JPS60224308A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 局部発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224308A JPS60224308A (ja) | 1985-11-08 |
| JPH0479162B2 true JPH0479162B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=13743018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081317A Granted JPS60224308A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 局部発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224308A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270937A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| JP2001144535A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Tdk Corp | マルチバンド型電圧制御発振器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846251A (ja) * | 1971-10-14 | 1973-07-02 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59081317A patent/JPS60224308A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846251A (ja) * | 1971-10-14 | 1973-07-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60224308A (ja) | 1985-11-08 |
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