JPH0472787A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0472787A JPH0472787A JP18633590A JP18633590A JPH0472787A JP H0472787 A JPH0472787 A JP H0472787A JP 18633590 A JP18633590 A JP 18633590A JP 18633590 A JP18633590 A JP 18633590A JP H0472787 A JPH0472787 A JP H0472787A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系の
半導体レーザに関する。
半導体レーザに関する。
最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す）によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザとして、第３図に示すよ
うな構造が報告されている（エレクトロニクス・レター
ズ（ＥＬＥＣＴＩ（，０ＮＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８６ｔｈ
Ｊｕｌｙ １９８９ Ｍｏ１．１４ｐｐ９０５−
９０７））。
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザとして、第３図に示すよ
うな構造が報告されている（エレクトロニクス・レター
ズ（ＥＬＥＣＴＩ（，０ＮＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８６ｔｈ
Ｊｕｌｙ １９８９ Ｍｏ１．１４ｐｐ９０５−
９０７））。
この構造は第１回目の成長で（５１１）入面のｎ型Ｇａ
Ａｓ基板ｌ上に、ｎ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ６，４ ）ｏ
、５Ｉｎ６，５Ｐクラッド層２．ＧａＩｎＰ活性層３．
ｐ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ６，４ ）ｏ、ｓ Ｉ ｒ
ｌｏ、５ Ｐクラッド層４．ｐ型層ａＩｎＰ層５．を順
次形成する。次にフォトリングラフイーにより５ｉ０１
をマスクとして、メサストライプを形成する。そして５
ｉ０２マスクをつけたまま、第２回目の成長を行ない工
、チングしたところをｎ型ＧａＡｓ層６で埋め込む。次
に８ｉ０１マスクを除去し、ｐ側全面に電極が形成でき
るように第３回目の成長でｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層７を成
長する。
Ａｓ基板ｌ上に、ｎ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ６，４ ）ｏ
、５Ｉｎ６，５Ｐクラッド層２．ＧａＩｎＰ活性層３．
ｐ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ６，４ ）ｏ、ｓ Ｉ ｒ
ｌｏ、５ Ｐクラッド層４．ｐ型層ａＩｎＰ層５．を順
次形成する。次にフォトリングラフイーにより５ｉ０１
をマスクとして、メサストライプを形成する。そして５
ｉ０２マスクをつけたまま、第２回目の成長を行ない工
、チングしたところをｎ型ＧａＡｓ層６で埋め込む。次
に８ｉ０１マスクを除去し、ｐ側全面に電極が形成でき
るように第３回目の成長でｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層７を成
長する。
この構造により電流はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層６によりブ
ロックされ、メサストライプ部にのみ注入される。
ロックされ、メサストライプ部にのみ注入される。
また、メサストライプ形成のエツチングのときに、メサ
ストライプ部以外のｐ型クラッド層４の厚みを光の閉じ
込めには不十分な厚みまでエツチングするのでｎｍＧａ
Ａｓ層６のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層６に光が
吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波される。こ
のように、この構造では、電流狭窄機槓と光導波機構が
同時に作り付けられる。
ストライプ部以外のｐ型クラッド層４の厚みを光の閉じ
込めには不十分な厚みまでエツチングするのでｎｍＧａ
Ａｓ層６のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層６に光が
吸収され、メサストライプ部にのみ光は導波される。こ
のように、この構造では、電流狭窄機槓と光導波機構が
同時に作り付けられる。
さらにＭＯＶＰＥＫ！Ｄ （１００）ＧａＡｓ基板上に
成長したＡｌＧａＩｎＰ系結晶ではその成長条件により
■族副格子上に自然格子が形成され、完全な混晶に比べ
てバンドギヤ、プエネルギーが小さくなり発振波長が長
くなるという現象が知られている。そして一般にレーザ
用の結晶を成長する条件はドーピング特性などのかねあ
いから■族副格子上に自然格子が形成され完全な混晶に
比べてバンドギヤ、プエネルギーが小さくなり発振波長
が長くなる条件になってしまう。これに対しく１００）
面より〔０１１）方向へ傾いたＧ ａ Ａ ｓ基板上に
成長したＡｌＧａＩｎＰ系結晶ではその傾きが大きくな
るにつれ自然超格子の形成が阻害され、±１０’以上で
は完全な混晶のバンドギャップエネルギーとほぼ等しい
値をしめす。このため光情報処理などへの応用に有利な
波長の短いレーザが得やすくなる。
成長したＡｌＧａＩｎＰ系結晶ではその成長条件により
■族副格子上に自然格子が形成され、完全な混晶に比べ
てバンドギヤ、プエネルギーが小さくなり発振波長が長
くなるという現象が知られている。そして一般にレーザ
用の結晶を成長する条件はドーピング特性などのかねあ
いから■族副格子上に自然格子が形成され完全な混晶に
比べてバンドギヤ、プエネルギーが小さくなり発振波長
が長くなる条件になってしまう。これに対しく１００）
面より〔０１１）方向へ傾いたＧ ａ Ａ ｓ基板上に
成長したＡｌＧａＩｎＰ系結晶ではその傾きが大きくな
るにつれ自然超格子の形成が阻害され、±１０’以上で
は完全な混晶のバンドギャップエネルギーとほぼ等しい
値をしめす。このため光情報処理などへの応用に有利な
波長の短いレーザが得やすくなる。
上述の第３図の構造では、（１００）面より〔０１１）
方向へ傾いた結晶を用いているのでへきかい面による平
行ずラーを形成するためには〔Ｏ１ｌ〕方向へストライ
プをきる必要がある。このときメサストライプの左右側
面の基板に対する角度が、第３図に示すように、異なっ
てしまう。このためメサストライプの左右で屈折率分布
に非対称性が生じ、光の分布がゆがみ、レーザビームの
質が低下してしまう。
方向へ傾いた結晶を用いているのでへきかい面による平
行ずラーを形成するためには〔Ｏ１ｌ〕方向へストライ
プをきる必要がある。このときメサストライプの左右側
面の基板に対する角度が、第３図に示すように、異なっ
てしまう。このためメサストライプの左右で屈折率分布
に非対称性が生じ、光の分布がゆがみ、レーザビームの
質が低下してしまう。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、発振波長を短
く保ったままレーザビームの質の低下を防いだ横モード
制御構造のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを提供するこ
とにある。
く保ったままレーザビームの質の低下を防いだ横モード
制御構造のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを提供するこ
とにある。
本発明の半導体レーザは、基板面が（１００）面より〔
０１１）方向へ±１０°以上、±３０″以下傾いた第１
導電型Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡ
ｌＧａＩｎＰもしくはそれらの量子井戸層からなる活性
層と、この活性層をはさみ活性層よりも屈折率の小さな
ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層とからなるダブルヘ
テロ構造が形成されており、前記活性層の上側の第２導
電型の第１のクラッド層は層厚が部分的に厚くなること
により形成される〔Ｏ１ｌ〕方向のストライプ状の逆メ
サ構造を有し、少くともメサ構造両脇に半導体層を設け
てメサ構造を埋め込んだ構造を有することを特徴として
いる。
０１１）方向へ±１０°以上、±３０″以下傾いた第１
導電型Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡ
ｌＧａＩｎＰもしくはそれらの量子井戸層からなる活性
層と、この活性層をはさみ活性層よりも屈折率の小さな
ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層とからなるダブルヘ
テロ構造が形成されており、前記活性層の上側の第２導
電型の第１のクラッド層は層厚が部分的に厚くなること
により形成される〔Ｏ１ｌ〕方向のストライプ状の逆メ
サ構造を有し、少くともメサ構造両脇に半導体層を設け
てメサ構造を埋め込んだ構造を有することを特徴として
いる。
本発明の半導体レーザでは、（１００）面より〔Ｏ１ｌ
〕方向へ傾いた面方位のＧ ａ Ａ ｓ基板上にレーザ
構造を形成する。（ｌＯＯ）ＷＪよシ［０１１〕方向へ
傾いた面方位のＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ系結晶
を成長した場合、その傾きの小さな範囲（０°〜６６）
では自然超格子の形成が促進され、バンドギャップエネ
ルギーは小さくなる。しかし傾きが±１０’をこえると
急激に自然超格子の形成が阻害されるようになり発振波
長は（１００）面より〔０１１）方向へ傾い九結晶を用
いた従来例と同様に短くすることができる。そして（ｌ
ＯＯ）面より〔０１１）方向へ傾いたＧａＡｓ基板上に
レーザ構造を形成する場合は、へきかい面による平行ミ
ラーを形成するため罠は〔Ｏ１ｌ〕方向へストライプを
きる必要がある。このときメサストライプの形状は逆メ
サとなる。そして逆メサ形状の場合メサストライプの左
右側面の基板に対する角度が異なっても左右とも屈折率
分布は急激に変化するためメサストライプの左右で屈折
・重分布に非対称性は生じず、光の分布はゆが桝まない
のでレーザビームの質は低下しない。
〕方向へ傾いた面方位のＧ ａ Ａ ｓ基板上にレーザ
構造を形成する。（ｌＯＯ）ＷＪよシ［０１１〕方向へ
傾いた面方位のＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ系結晶
を成長した場合、その傾きの小さな範囲（０°〜６６）
では自然超格子の形成が促進され、バンドギャップエネ
ルギーは小さくなる。しかし傾きが±１０’をこえると
急激に自然超格子の形成が阻害されるようになり発振波
長は（１００）面より〔０１１）方向へ傾い九結晶を用
いた従来例と同様に短くすることができる。そして（ｌ
ＯＯ）面より〔０１１）方向へ傾いたＧａＡｓ基板上に
レーザ構造を形成する場合は、へきかい面による平行ミ
ラーを形成するため罠は〔Ｏ１ｌ〕方向へストライプを
きる必要がある。このときメサストライプの形状は逆メ
サとなる。そして逆メサ形状の場合メサストライプの左
右側面の基板に対する角度が異なっても左右とも屈折率
分布は急激に変化するためメサストライプの左右で屈折
・重分布に非対称性は生じず、光の分布はゆが桝まない
のでレーザビームの質は低下しない。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体レーザの第１の実施例の断面図
である。
である。
まず１回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、（５１１）
Ｂ面のｎ型ＧａＡｓ基板１（８ｉドープ；ｎ＝ ２ Ｘ
１０” ｃｍ−３）上に、ｎ型（Ａｌｏ、ｓ ｏａＯ
，、）ｏ、５Ｉｎ（１，５Ｆクラッド層２（ｎ＝５Ｘ１
０ ｃｍ ：厚み１μｍ）、ｏａ（Ｌ５ Ｉｎｇ、
５ Ｐ活性層３（アンドープ；厚みｏ、１μｍ）、ｐ型
（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ ａ、ａ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ
、ｓＰクラッド層４ （ｐ＝５ Ｘ １ ｏ”ｃｍ−３
；厚み１．０ μｍ ）、ｐ型層ａＩｎＰ層５（ｐ＝ｌ
ｘｔｏ Ｃｍ ：厚み０３μｍ）を順次形成した。
Ｂ面のｎ型ＧａＡｓ基板１（８ｉドープ；ｎ＝ ２ Ｘ
１０” ｃｍ−３）上に、ｎ型（Ａｌｏ、ｓ ｏａＯ
，、）ｏ、５Ｉｎ（１，５Ｆクラッド層２（ｎ＝５Ｘ１
０ ｃｍ ：厚み１μｍ）、ｏａ（Ｌ５ Ｉｎｇ、
５ Ｐ活性層３（アンドープ；厚みｏ、１μｍ）、ｐ型
（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ ａ、ａ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ
、ｓＰクラッド層４ （ｐ＝５ Ｘ １ ｏ”ｃｍ−３
；厚み１．０ μｍ ）、ｐ型層ａＩｎＰ層５（ｐ＝ｌ
ｘｔｏ Ｃｍ ：厚み０３μｍ）を順次形成した。
成長条件は、温度７００℃、圧カフ ０ Ｔｏｒｒ 、
Ｖ／１Ｉ＝２００、キャリヤガス（Ｈ２）の全流量
１５１７ｍ１ｎとした。原料としては、トリメチルイン
ジウＡ （ＴＭ Ｉ ： （ＣＨｓ ）ｓ Ｉ ｎ ）
、トリエチルガリウＡ（ＴＥＧ： （Ｃ２Ｈ，）３Ｇａ
）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ ： （ＣＨｓ
）ｓ ｋｌ ）、アｋ シン（ＡｓＨ３）、ホスフィン
（ＰＨ３）、ｎ型ドーパント：セレン化水素（Ｈ，８ｅ
）、ｐ型ドーノ（ント：シクロペンタヂエニルマグネシ
ウム（ＣｐｚＭｇ）を用いた。こうして成長したウェノ
１にフォトリングラフィに−より幅９μｍのストライプ
状の５ｉ０２マスクを＜０１１＞方向に形成した。次に
塩酸系のエツチング液により、ｐ型（ＡＡ！ｏ、ｓＧａ
α４）０．５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４の途中ま
で（ここでは０．８μｍとした）をメサ状に工、チング
した。つぎに８１０２マスクをつけたまま減圧ＭＯＶＰ
Ｅにより２回目の成長を行ないｎ型ＧａＡｓ層６を形成
した。
Ｖ／１Ｉ＝２００、キャリヤガス（Ｈ２）の全流量
１５１７ｍ１ｎとした。原料としては、トリメチルイン
ジウＡ （ＴＭ Ｉ ： （ＣＨｓ ）ｓ Ｉ ｎ ）
、トリエチルガリウＡ（ＴＥＧ： （Ｃ２Ｈ，）３Ｇａ
）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ ： （ＣＨｓ
）ｓ ｋｌ ）、アｋ シン（ＡｓＨ３）、ホスフィン
（ＰＨ３）、ｎ型ドーパント：セレン化水素（Ｈ，８ｅ
）、ｐ型ドーノ（ント：シクロペンタヂエニルマグネシ
ウム（ＣｐｚＭｇ）を用いた。こうして成長したウェノ
１にフォトリングラフィに−より幅９μｍのストライプ
状の５ｉ０２マスクを＜０１１＞方向に形成した。次に
塩酸系のエツチング液により、ｐ型（ＡＡ！ｏ、ｓＧａ
α４）０．５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４の途中ま
で（ここでは０．８μｍとした）をメサ状に工、チング
した。つぎに８１０２マスクをつけたまま減圧ＭＯＶＰ
Ｅにより２回目の成長を行ないｎ型ＧａＡｓ層６を形成
した。
そして８ｉ０ｚマスクを除去した後に、減圧ＭＯＶＰＥ
により３回目の成長を行ないｐ型ＧａＡｓ層７を形成し
た。最後に、ｐ、ｎ両電極（図示省略）を形成してキャ
ビティ長３００μｍにへき関し、個々のチップに分離し
た。
により３回目の成長を行ないｐ型ＧａＡｓ層７を形成し
た。最後に、ｐ、ｎ両電極（図示省略）を形成してキャ
ビティ長３００μｍにへき関し、個々のチップに分離し
た。
こうして製作した半導体レーザの発振波長は（５１１）
Ａ面のＧａＡｓ基板上に形成した従来の半導体レーザと
同じ６６０ｎｍ程度で発振した。本実施例と同一条件で
（１００）ＧａＡｓ基板上に成長した半導体レーザの発
振波長は６８８ ｎｍであり本実施例では２８ ｎｍ短
波長化している。また本実施例の半導体レーザの接合面
に平行方向の近視野像は左右対象であった。これに対し
従来の半導体レーザではメサ左右で屈折率分布に非対称
性が生じ近視野像が左右非対称となってしまった。
Ａ面のＧａＡｓ基板上に形成した従来の半導体レーザと
同じ６６０ｎｍ程度で発振した。本実施例と同一条件で
（１００）ＧａＡｓ基板上に成長した半導体レーザの発
振波長は６８８ ｎｍであり本実施例では２８ ｎｍ短
波長化している。また本実施例の半導体レーザの接合面
に平行方向の近視野像は左右対象であった。これに対し
従来の半導体レーザではメサ左右で屈折率分布に非対称
性が生じ近視野像が左右非対称となってしまった。
第２図は本発明の半導体レーザの第２の実施例を示す断
面図であり、ストライプ状のメサ構造を形成するまでは
第１の実施例と同一製造プロセスである。そしてこのス
トライプ状のメサ構造の形成ののち、５ｉ０２マスクを
除去した後に、減圧ＭＯＶＰＥにより２回目の成長を行
ないｐ型ＧａＡｓ層７を形成した。最後に、ｐ、ｎ両電
極（図示省略）を形成してキャビティ長３００μｍにへ
き開し、個々のチップに分離した。
面図であり、ストライプ状のメサ構造を形成するまでは
第１の実施例と同一製造プロセスである。そしてこのス
トライプ状のメサ構造の形成ののち、５ｉ０２マスクを
除去した後に、減圧ＭＯＶＰＥにより２回目の成長を行
ないｐ型ＧａＡｓ層７を形成した。最後に、ｐ、ｎ両電
極（図示省略）を形成してキャビティ長３００μｍにへ
き開し、個々のチップに分離した。
この第２の実施例は電流ブロック機構をｐ−ｎ−ｐ−ｎ
接合を利用したものから、メサ部以外の部分でｐ型Ｇａ
Ａｓ層とｐ型（ｋｌｏ、ｓ Ｇａ（１４）ｏ、ｓＩ ｎ
ＣＬｓＰ層が直接接合し、この２層間の大きなバンド不
連続により価電子帯に発生するエネルギースパイクによ
りホールが流れなくなる現象を利用したものに変わった
以外は第１の実施例と同じであり、その発振特性も第１
の実施例と同等であった。
接合を利用したものから、メサ部以外の部分でｐ型Ｇａ
Ａｓ層とｐ型（ｋｌｏ、ｓ Ｇａ（１４）ｏ、ｓＩ ｎ
ＣＬｓＰ層が直接接合し、この２層間の大きなバンド不
連続により価電子帯に発生するエネルギースパイクによ
りホールが流れなくなる現象を利用したものに変わった
以外は第１の実施例と同じであり、その発振特性も第１
の実施例と同等であった。
以上述べた実施例では、活性層をＧａ００５ Ｉ ｎｏ
、５ Ｐ ｓクラッド層を（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ（１，４
）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐとしたが１活性層組成は製
作する半導体レーザに要求される発振波長要件を満たす
組成、材料、もしくは量子井戸にすればよく、クラッド
層組成は用いる活性層組成に対して光とキャリヤの閉じ
込めが十分にできる組成、材料を選べばよい。また半導
体レーザに要求される特性によりＳＣＨ構造にするなど
を向上させる層を導入することも可能である。また以上
述べた実施例では（１００）面より〔０１１〕方向へ１
５．８°傾いた（５１１ ）Ｂ面のＧ ａ Ａ ｓ基板
を用いたがこの角度も本発明の指定範囲内であれば良い
。
、５ Ｐ ｓクラッド層を（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ（１，４
）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐとしたが１活性層組成は製
作する半導体レーザに要求される発振波長要件を満たす
組成、材料、もしくは量子井戸にすればよく、クラッド
層組成は用いる活性層組成に対して光とキャリヤの閉じ
込めが十分にできる組成、材料を選べばよい。また半導
体レーザに要求される特性によりＳＣＨ構造にするなど
を向上させる層を導入することも可能である。また以上
述べた実施例では（１００）面より〔０１１〕方向へ１
５．８°傾いた（５１１ ）Ｂ面のＧ ａ Ａ ｓ基板
を用いたがこの角度も本発明の指定範囲内であれば良い
。
このように本発明により、発振波長を短く保ったままレ
ーザビームの質の低下を防いだ横モード制御構造のＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザを提供することができる。
ーザビームの質の低下を防いだ横モード制御構造のＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザを提供することができる。
第１図は本発明の第一の実施例を示す断面図、第２図は
第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の半導体レー
ザの例を示す断面図である。 図において、 １− （ｓｌｌ）ｓ ｆｉｎ型ＧａＡａ基板、２−・・
・・・ｎ型（ｋｌ ６．＠ Ｇａ ６，４ ） ６．５
Ｉ ｎ（Ｌ５ Ｆクラッド層、３−− ＧａＩｎＰ活
性層、４ ”” ”’ Ｉ）型（にｌｏ、ａ Ｇａ（１
，４） ｃＬｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰクラッド層、５・・・
・・・ｐ型層ａＩｎＰ層、６・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ
層、？ ・−−−−−ｐ型ＧａＡｓ、 ８・”−（５１
１）＾面ｎ型ＧａＡｓ基板である。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＶＰ型（ＥａＡｓ層 刀 図
第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の半導体レー
ザの例を示す断面図である。 図において、 １− （ｓｌｌ）ｓ ｆｉｎ型ＧａＡａ基板、２−・・
・・・ｎ型（ｋｌ ６．＠ Ｇａ ６，４ ） ６．５
Ｉ ｎ（Ｌ５ Ｆクラッド層、３−− ＧａＩｎＰ活
性層、４ ”” ”’ Ｉ）型（にｌｏ、ａ Ｇａ（１
，４） ｃＬｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰクラッド層、５・・・
・・・ｐ型層ａＩｎＰ層、６・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ
層、？ ・−−−−−ｐ型ＧａＡｓ、 ８・”−（５１
１）＾面ｎ型ＧａＡｓ基板である。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＶＰ型（ＥａＡｓ層 刀 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 面方位が（１００）面より〔０１＠１＠〕方向へ±１
０°以上±３０°以下傾いている第１導電型ＧａＡｓ基
板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＩｎＰもしくはそ
れらの量子井戸層からなる活性層と、この活性層をはさ
み活性層よりも屈折率の小さなＡｌＧａＩｎＰからなる
クラッド層とからなるダブルヘテロ構造が形成されてお
り、前記活性層の上側の第２導電型の第一のクラッド層
は層厚が部分的に厚くなることにより形成される〔０１
１〕方向のストライプ状の逆メサ構造を有し、少くとも
メサ構造両脇に半導体層を設けてメサ構造を埋め込んだ
構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18633590A JP2611509B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18633590A JP2611509B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472787A true JPH0472787A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2611509B2 JP2611509B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=16186550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18633590A Expired - Fee Related JP2611509B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611509B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193313A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JP2009277999A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18633590A patent/JP2611509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193313A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JP2009277999A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611509B2 (ja) | 1997-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |