JPS63234562A - 半導体装置の電極 - Google Patents
半導体装置の電極Info
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- JPS63234562A JPS63234562A JP6942387A JP6942387A JPS63234562A JP S63234562 A JPS63234562 A JP S63234562A JP 6942387 A JP6942387 A JP 6942387A JP 6942387 A JP6942387 A JP 6942387A JP S63234562 A JPS63234562 A JP S63234562A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体で形成された
半導体装置の電極に関するものである。
半導体装置の電極に関するものである。
（従来の技術〕
第２図は従来のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体で形成され
た半導体装置、例えばＧａＡｓ、ＡＪＺＧａＡｓ等で形
成された半導体レーザ装置の電極の構成を示す断面図で
あり、図において、１はＮ型またはＰ型のＧａＡｓ基板
、２はこのＧａＡｓ基板１にオーミック接触するオーミ
ック層で、例えば金ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金層
２ ａ ％ニッケル（Ｎｉ）層２ｂ、金（Ａｕ）層２ｃ
などを積層して形成されている。
た半導体装置、例えばＧａＡｓ、ＡＪＺＧａＡｓ等で形
成された半導体レーザ装置の電極の構成を示す断面図で
あり、図において、１はＮ型またはＰ型のＧａＡｓ基板
、２はこのＧａＡｓ基板１にオーミック接触するオーミ
ック層で、例えば金ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金層
２ ａ ％ニッケル（Ｎｉ）層２ｂ、金（Ａｕ）層２ｃ
などを積層して形成されている。
なお、このオーミック層２の各金属層は、いずれも真空
蒸着法等により形成され、その後ＧａＡｓ基板１とオー
ミック層２との接触界面における良好なオーミック特性
を得るために熱処理される。
蒸着法等により形成され、その後ＧａＡｓ基板１とオー
ミック層２との接触界面における良好なオーミック特性
を得るために熱処理される。
また、オーミック層２の最上層であるＡｕ層２Ｃの表面
には、アセンブリ時にＡｕ線等がワイヤボンディングさ
れる。
には、アセンブリ時にＡｕ線等がワイヤボンディングさ
れる。
（発明が解決しようとする問題点〕
従来の電極は以上のように構成されているが、前述のオ
ーミック特性を得るための熱処理の際に、ＧａＡｓ基板
１中のＧａが熱拡散によりオーミック層２中を浸透して
、Ａｕ層２Ｃの表面に集積・酸化して、ワイヤボンディ
ング時の接着強度を低下させるなどの問題点があった。
ーミック特性を得るための熱処理の際に、ＧａＡｓ基板
１中のＧａが熱拡散によりオーミック層２中を浸透して
、Ａｕ層２Ｃの表面に集積・酸化して、ワイヤボンディ
ング時の接着強度を低下させるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、熱処理により電極表面を汚染するのを防止
して、ワイヤボンディング時の接着強度の高い半導体装
置の電極を得ることを目的とする。
れたもので、熱処理により電極表面を汚染するのを防止
して、ワイヤボンディング時の接着強度の高い半導体装
置の電極を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の電極は、ＩＨ−Ｖ族化合物
半導体基板上にオーミック層を形成し、とのオーミック
層の上に、バリヤ層と金層を順次形成したものである。
半導体基板上にオーミック層を形成し、とのオーミック
層の上に、バリヤ層と金層を順次形成したものである。
〔作用］
この発明においては、バリヤ層が熱処理によるＧａの拡
散・浸透を阻止するので、ＩＩＩ族原子による電極表面
の汚染を防止する。
散・浸透を阻止するので、ＩＩＩ族原子による電極表面
の汚染を防止する。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、１．
２は第２図のものと全く同一のものである。３は前記オ
ーミック層２上に真空蒸着法等によって形成されたバリ
ヤ層、４はこのバリヤ層３上に真空蒸着法等によって形
成される金層である。そして、バリヤ層３は順にＴｉ層
３ａ、Ｍ。
２は第２図のものと全く同一のものである。３は前記オ
ーミック層２上に真空蒸着法等によって形成されたバリ
ヤ層、４はこのバリヤ層３上に真空蒸着法等によって形
成される金層である。そして、バリヤ層３は順にＴｉ層
３ａ、Ｍ。
層３ｂ、Ｔｉ層３ｃで構成される。
上記のように構成された半導体装置の電極においては、
高融点金属であり、Ｇａに対する拡散係数の充分小さな
ＭＯ層３ｂが熱処理時にＧａＡｓ基板１中から拡散して
くるＧａを阻止し、Ｇａがさらに上の層へ拡散するのを
防ぐ。しかしＭｏはＡｕとの密着性が悪いため、ＭＯと
Ａｕのどちらも密着性が極めて良好なＴｉ層３ａ、３ｃ
をＭ。
高融点金属であり、Ｇａに対する拡散係数の充分小さな
ＭＯ層３ｂが熱処理時にＧａＡｓ基板１中から拡散して
くるＧａを阻止し、Ｇａがさらに上の層へ拡散するのを
防ぐ。しかしＭｏはＡｕとの密着性が悪いため、ＭＯと
Ａｕのどちらも密着性が極めて良好なＴｉ層３ａ、３ｃ
をＭ。
層３ｂの上下に形成し、オーミック層２の最上層である
Ａｕ層２ｃと電極最表面のＡｕ層４のそれぞれとＭｏ層
３ｂの密着性を向上させている。
Ａｕ層２ｃと電極最表面のＡｕ層４のそれぞれとＭｏ層
３ｂの密着性を向上させている。
なお、上記実施例はＧａＡｓ基板の場合であるが、その
他のＩＩＩ −Ｖ族半導体基板にもこの発明は適用でき
る。
他のＩＩＩ −Ｖ族半導体基板にもこの発明は適用でき
る。
この発明は以上説明したとおり、オーミック層上にバリ
ヤ層を形成することにより、熱処理時にＩＩＩ族原子が
拡散して電極表面を汚染するのを防止し、ワイヤボンデ
ィング強度を高くできる効果がある。
ヤ層を形成することにより、熱処理時にＩＩＩ族原子が
拡散して電極表面を汚染するのを防止し、ワイヤボンデ
ィング強度を高くできる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の電極の
断面図、第２図は従来の半導体装置の電極を示す断面図
である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はオーミック層、２
ａはＡｕ−Ｇｅ合金層、２ｂはＮｉ層、２ｃはＡｕ層、
３はバリヤ層、３ａはＴｉ層、３ｂはＭＯ層、３ｃはＴ
ｉ層、４はＡｕ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
断面図、第２図は従来の半導体装置の電極を示す断面図
である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はオーミック層、２
ａはＡｕ−Ｇｅ合金層、２ｂはＮｉ層、２ｃはＡｕ層、
３はバリヤ層、３ａはＴｉ層、３ｂはＭＯ層、３ｃはＴ
ｉ層、４はＡｕ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (2)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体基板上に、オーミック層
、バリヤ層、および金層を順次形成したことを特徴とす
る半導体装置の電極。 - （２）バリヤ層は、チタン層、モリブデン層、チタン層
を順次形成した積層構造からなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6942387A JPS63234562A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体装置の電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6942387A JPS63234562A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体装置の電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234562A true JPS63234562A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=13402194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6942387A Pending JPS63234562A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体装置の電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63234562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060050A (en) * | 1987-07-21 | 1991-10-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US5294486A (en) * | 1990-10-22 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Barrier improvement in thin films |
| US5412249A (en) * | 1993-03-31 | 1995-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having layered electrode |
-
1987
- 1987-03-23 JP JP6942387A patent/JPS63234562A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060050A (en) * | 1987-07-21 | 1991-10-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US5294486A (en) * | 1990-10-22 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Barrier improvement in thin films |
| US5412249A (en) * | 1993-03-31 | 1995-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having layered electrode |
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