JPH0467698A - セラミック配線基板 - Google Patents
セラミック配線基板Info
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- JPH0467698A JPH0467698A JP2180840A JP18084090A JPH0467698A JP H0467698 A JPH0467698 A JP H0467698A JP 2180840 A JP2180840 A JP 2180840A JP 18084090 A JP18084090 A JP 18084090A JP H0467698 A JPH0467698 A JP H0467698A
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- Japan
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- hole
- capacitor
- conductor
- board
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣ，ＬＳ１．チップ部品などを搭載し、か
つそれらを相互配線した回路の高密度実装基板として用
いることのできるセラミック配線基板に関するものであ
る。
つそれらを相互配線した回路の高密度実装基板として用
いることのできるセラミック配線基板に関するものであ
る。
従来の技術
近年、セラミック配線基板は、熱伝導性や耐熱性、化学
的耐久性で有機材料基板より優れた特性を有しており、
電子機器の小型化、多様化に伴い、高密度配線、高密度
実装基板として使用されるようになった。
的耐久性で有機材料基板より優れた特性を有しており、
電子機器の小型化、多様化に伴い、高密度配線、高密度
実装基板として使用されるようになった。
以下図面を参照しながら、従来のコンデンサを内蔵する
セラミック配線基板の一例について説明する。
セラミック配線基板の一例について説明する。
第３図ａおよびｂは従来のコンデンサ内蔵セラミック配
線基板の断面図である。
線基板の断面図である。
第３図において、７は絶縁層、８は導体層、９はコンデ
ンサ層、１０はセラミック基板である。
ンサ層、１０はセラミック基板である。
従来よりセラミック配線基板のコンデンサ内蔵化にはグ
リーンシート積層法によるコンデンサ層の内層化（第３
図ａ）もしくは厚膜印刷法によるコンデンサ素子の形成
（第３図ｂ）がある、グリーンシート積層法は多層化す
る上で効果的であり、導体ペーストで配線層を施した絶
縁層グリーンシートとコンデンサグリーンシートを積層
する方法である。一方、厚膜印刷法は焼成済みセラミッ
ク基板に導体ペーストや抵抗ペーストコンデンサペース
トでそれぞれ配線層や抵抗やコンデンサを形成した後に
焼成する方法で、グリーンシート積層法と比較すると寸
法安定性があり、手軽に基板が作製できる。
リーンシート積層法によるコンデンサ層の内層化（第３
図ａ）もしくは厚膜印刷法によるコンデンサ素子の形成
（第３図ｂ）がある、グリーンシート積層法は多層化す
る上で効果的であり、導体ペーストで配線層を施した絶
縁層グリーンシートとコンデンサグリーンシートを積層
する方法である。一方、厚膜印刷法は焼成済みセラミッ
ク基板に導体ペーストや抵抗ペーストコンデンサペース
トでそれぞれ配線層や抵抗やコンデンサを形成した後に
焼成する方法で、グリーンシート積層法と比較すると寸
法安定性があり、手軽に基板が作製できる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、前述した従来の厚膜印刷法によるコンデ
ンサ内蔵セラミック配線基板は、コンデンサ素子を基板
の平面上に形成するため、電極コンデンサー電極のトー
タルの膜厚が約６０ミクロンになり、ガラス保護膜の形
成が困難になる。またスルーホール孔内部にコンデンサ
材料を充填し基板の両面に電極を形成する方法も提案さ
れるが、スルーホール本来の目的である基板両面の電気
的接続がそこなわれる。
ンサ内蔵セラミック配線基板は、コンデンサ素子を基板
の平面上に形成するため、電極コンデンサー電極のトー
タルの膜厚が約６０ミクロンになり、ガラス保護膜の形
成が困難になる。またスルーホール孔内部にコンデンサ
材料を充填し基板の両面に電極を形成する方法も提案さ
れるが、スルーホール本来の目的である基板両面の電気
的接続がそこなわれる。
そこで本発明はスルーホール孔内部でコンデンサ素子を
形成し、かつ基板の両面をスルーホール接続するセラミ
ック配線基板を提供するものである。
形成し、かつ基板の両面をスルーホール接続するセラミ
ック配線基板を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明は、スルーホール孔内
部において基板の厚み方向に対して直角方向で対向する
ように導体層を形成するとともに、コンデンサ材料をス
ルーホール孔内部に充填しコンデンサ層を配設したもの
である。
部において基板の厚み方向に対して直角方向で対向する
ように導体層を形成するとともに、コンデンサ材料をス
ルーホール孔内部に充填しコンデンサ層を配設したもの
である。
作用
スル−ホ孔内部全体に導体層を形成せずに、スルーホー
ル孔内部において基板の厚み方向に対して垂直に対向す
るように導体を形成した後に、コンデンサ材料をスルー
ホール孔内部に充填しコンデンサ素子を形成するので、
スルーホール孔内部でコンデンサ素子を形成し、基板の
両面をスルーホール接続し、しかもガラス保護膜が容易
に形成できる。
ル孔内部において基板の厚み方向に対して垂直に対向す
るように導体を形成した後に、コンデンサ材料をスルー
ホール孔内部に充填しコンデンサ素子を形成するので、
スルーホール孔内部でコンデンサ素子を形成し、基板の
両面をスルーホール接続し、しかもガラス保護膜が容易
に形成できる。
実施例
本発明の第１の実施例によるコンデンサ内蔵セラミック
配線基板の断面図を第１図に示す。
配線基板の断面図を第１図に示す。
第１図において１は９６％のアルミナ基板、２はスルー
ホール孔、３は銀・パラジウムからなる導体層、４はコ
ンデンサ層で、スルーホール孔２上部にはガラス保Ｉ膜
５が形成されている。コンデンサ内蔵セラミック配線基
板を得るにはスルーホール２を有する９６％のアルミナ
基板１上の所望の領域に銀・パラジウムを主成分とする
導体ペーストでスクリーン印刷により導体層３を形成し
た後、大気中８００〜９００°Ｃで焼成する。このとき
基板の両面の電気的導通のみを目的とするスルーホール
、孔２にはスルーホール孔２の内壁全体に導体層３を施
すが、コンデンサ素子を内蔵するスルーホール孔２には
導体層３がスルーホール孔２内部で対向するようにスル
ーホール孔２の内壁に形成する。
ホール孔、３は銀・パラジウムからなる導体層、４はコ
ンデンサ層で、スルーホール孔２上部にはガラス保Ｉ膜
５が形成されている。コンデンサ内蔵セラミック配線基
板を得るにはスルーホール２を有する９６％のアルミナ
基板１上の所望の領域に銀・パラジウムを主成分とする
導体ペーストでスクリーン印刷により導体層３を形成し
た後、大気中８００〜９００°Ｃで焼成する。このとき
基板の両面の電気的導通のみを目的とするスルーホール
、孔２にはスルーホール孔２の内壁全体に導体層３を施
すが、コンデンサ素子を内蔵するスルーホール孔２には
導体層３がスルーホール孔２内部で対向するようにスル
ーホール孔２の内壁に形成する。
したがってスルーホールの形状としては四角形が好まし
い０次いで鉛系化合物を主成分とするコンデンサペース
トを前記導体層３を施した９６％アルミナ基板１の所望
のスルーホール孔２内部に充填した後、大気中８００〜
９００℃で焼成し、コンデンサＮ４を得る。最後に低軟
化点ガラスを主成分とするオーバーガラスペーストで前
記導体層３とコンデンサ層４を施した９６％アルミナ基
板１上の所望の領域にガラス保護膜５を形成した後、大
気中５００〜６００°Ｃで焼成する。
い０次いで鉛系化合物を主成分とするコンデンサペース
トを前記導体層３を施した９６％アルミナ基板１の所望
のスルーホール孔２内部に充填した後、大気中８００〜
９００℃で焼成し、コンデンサＮ４を得る。最後に低軟
化点ガラスを主成分とするオーバーガラスペーストで前
記導体層３とコンデンサ層４を施した９６％アルミナ基
板１上の所望の領域にガラス保護膜５を形成した後、大
気中５００〜６００°Ｃで焼成する。
実施例２
本発明の第２の実施例によるコンデンサ内蔵セラミック
配線基板の断面図を第２図に示す。
配線基板の断面図を第２図に示す。
第２図において１は９６％アルミナ基板、２はスルーホ
ール孔、６は銅からなる導体層、４はコンデンサ層で、
スルーホール孔２上部にはガラス保護膜５が形成されて
いる。コンデンサ内蔵セラミック配線基板を得るにはス
ルーホール孔２を有する９６％アルミナ基板１上の所望
の領域に銅を主成分とする導体ペーストでスクリーン印
刷により導体層６を形成した後、窒素雰囲気中８００〜
９００°Ｃで焼成する。このとき基板の両面の電気的導
通のみを目的とするスルーホール孔２にはスルーホール
孔２の内壁全体に導体層６を施すが、コンデンサ素子を
内蔵するスルーホール孔２には導体層６がスルーホール
孔２内部で対向するようにスルーホール孔２内壁に形成
する。したがってスルーホール孔の形状としては四角形
が望ましい。次いで鉛系化合物を主成分とするコンデン
サペーストを前記導体層６を施した９６％アルミナ基板
１の所望のスルーホール孔２内部に充填した後、窒素雰
囲気中８００〜９００ ’Ｃで焼成し、コンデンサＪｉ
４を得る。最後に低軟化点ガラスを主成分とするオーハ
−コートガラスペーストで前記導体層６とコンデンサ層
４を施した９６％アルミナ基板上の所望の領域にガラス
保１１膜５を形成した後、窒素雰囲気中５００〜６００
°Ｃで焼成する。
ール孔、６は銅からなる導体層、４はコンデンサ層で、
スルーホール孔２上部にはガラス保護膜５が形成されて
いる。コンデンサ内蔵セラミック配線基板を得るにはス
ルーホール孔２を有する９６％アルミナ基板１上の所望
の領域に銅を主成分とする導体ペーストでスクリーン印
刷により導体層６を形成した後、窒素雰囲気中８００〜
９００°Ｃで焼成する。このとき基板の両面の電気的導
通のみを目的とするスルーホール孔２にはスルーホール
孔２の内壁全体に導体層６を施すが、コンデンサ素子を
内蔵するスルーホール孔２には導体層６がスルーホール
孔２内部で対向するようにスルーホール孔２内壁に形成
する。したがってスルーホール孔の形状としては四角形
が望ましい。次いで鉛系化合物を主成分とするコンデン
サペーストを前記導体層６を施した９６％アルミナ基板
１の所望のスルーホール孔２内部に充填した後、窒素雰
囲気中８００〜９００ ’Ｃで焼成し、コンデンサＪｉ
４を得る。最後に低軟化点ガラスを主成分とするオーハ
−コートガラスペーストで前記導体層６とコンデンサ層
４を施した９６％アルミナ基板上の所望の領域にガラス
保１１膜５を形成した後、窒素雰囲気中５００〜６００
°Ｃで焼成する。
表に本発明の実施例におけるコンデンサ素子の特性及び
信転性を示す。この表からコンデンサ素子を平面上に形
成した従来例と比較して、本発明の実施例の方がプレン
ジャークツカ−テストにおいて絶縁抵抗の劣化が起こら
ない。
信転性を示す。この表からコンデンサ素子を平面上に形
成した従来例と比較して、本発明の実施例の方がプレン
ジャークツカ−テストにおいて絶縁抵抗の劣化が起こら
ない。
表
発明の効果
このように本発明によれば、スルーホール孔内部全体に
導体層を形成せずに、スルーホール孔内部において基板
の厚み方向に対して直角方向で対向するように導体を形
成し、そしてコンデンサ材料をスルーボール孔内部に充
填しコンデンサ素子を形成するので、 （１） スルーホール部分でコンデンサ素子の形成と
基板の両面をスルーホール接続を可能とし、高密度実装
が可能になる、 （２）基板平面上に形成したコンデンサ素子と比較して
ガラス保護膜が容易に形成できるので、信転性の高いコ
ンデンサ素子が得られる、 という効果が得られる。
導体層を形成せずに、スルーホール孔内部において基板
の厚み方向に対して直角方向で対向するように導体を形
成し、そしてコンデンサ材料をスルーボール孔内部に充
填しコンデンサ素子を形成するので、 （１） スルーホール部分でコンデンサ素子の形成と
基板の両面をスルーホール接続を可能とし、高密度実装
が可能になる、 （２）基板平面上に形成したコンデンサ素子と比較して
ガラス保護膜が容易に形成できるので、信転性の高いコ
ンデンサ素子が得られる、 という効果が得られる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例による
コンデンサ内蔵のセラミック配線基板の断面図、第３図
ａ、ｂは従来法におけるコンデンサ内蔵のセラミック配
線基板の断面図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・スルーホール孔、３６
・・・導体層、４・・・コンデンサ層、５・・・ガラス
保護膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名９６１フル
ミナ差１反 スルーホール孔し 仙ノザラシウＡ導イ本層 ６− ｏ町 ｆ嘩、イネ眉 第３図 ＣＩ−） ［乙 （ｂン ？
コンデンサ内蔵のセラミック配線基板の断面図、第３図
ａ、ｂは従来法におけるコンデンサ内蔵のセラミック配
線基板の断面図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・スルーホール孔、３６
・・・導体層、４・・・コンデンサ層、５・・・ガラス
保護膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名９６１フル
ミナ差１反 スルーホール孔し 仙ノザラシウＡ導イ本層 ６− ｏ町 ｆ嘩、イネ眉 第３図 ＣＩ−） ［乙 （ｂン ？
Claims (1)
- 基板にスルーホール孔を設け、そのスルーホール孔内
壁に基板の厚み方向に対して直角方向で対向する対向電
極を設けるとともに、スルーホール孔内にコンデンサ層
を配設したセラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180840A JPH0467698A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | セラミック配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180840A JPH0467698A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | セラミック配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467698A true JPH0467698A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16090277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2180840A Pending JPH0467698A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | セラミック配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467698A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139037A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Nec Corp | 光ディスク再生装置のトラックジャンプ防止回路 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2180840A patent/JPH0467698A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139037A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Nec Corp | 光ディスク再生装置のトラックジャンプ防止回路 |
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