JP2001077290A - 三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法 - Google Patents
三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法Info
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体部品の冷却効率を損なうことのない高
密度の三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モ
ジュールおよびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 両面に、金属配線５がパターニングさ
れ、金属配線５を貫通する複数のバイアホールおよび／
またはスルーホール３が形成された複数の基板４、４
ａ、４ｂが積層されて、直方体をなし、側面に、金属配
線と接続された外部電極８が形成され、側面に形成され
た外部電極に半導体部品２２、２３、２５が接続された
三次元電子部品モジュール２０。
密度の三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モ
ジュールおよびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 両面に、金属配線５がパターニングさ
れ、金属配線５を貫通する複数のバイアホールおよび／
またはスルーホール３が形成された複数の基板４、４
ａ、４ｂが積層されて、直方体をなし、側面に、金属配
線と接続された外部電極８が形成され、側面に形成され
た外部電極に半導体部品２２、２３、２５が接続された
三次元電子部品モジュール２０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、三次元電子部品用
モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの
製造方法に関するものであり、半導体部品の冷却効率を
損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
に関するものである。
モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの
製造方法に関するものであり、半導体部品の冷却効率を
損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、プリント積層板やセラミック積層
板などの基板上に、抵抗、キャパシタなどの受動部品の
他に、半導体部品として、小型半導体パッケージや半導
体ベアチップ、ＦＢＧＡ（ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ ｂａ
ｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）などの小型能動部品を実
装して、基板における部品の実装密度を向上させ、電子
装置の小型化、軽量化、薄型化を図った表面実装法が実
用化されている。
板などの基板上に、抵抗、キャパシタなどの受動部品の
他に、半導体部品として、小型半導体パッケージや半導
体ベアチップ、ＦＢＧＡ（ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ ｂａ
ｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）などの小型能動部品を実
装して、基板における部品の実装密度を向上させ、電子
装置の小型化、軽量化、薄型化を図った表面実装法が実
用化されている。
【０００３】また、部品の実装密度をさらに向上させる
ために、半導体部品を三次元的に積み上げる三次元実装
法を用いた三次元電子部品モジュールも開発されてい
る。
ために、半導体部品を三次元的に積み上げる三次元実装
法を用いた三次元電子部品モジュールも開発されてい
る。
【０００４】前者は、各部品の大きさを小型化しようと
いうものであり、後者は、表面実装法によっても配置し
きれない部品、とりわけ、部品サイズの大きい半導体部
品を立体的に配置し、あるいは、基板内部に入れ込ん
で、実装密度を高めようとするものである。
いうものであり、後者は、表面実装法によっても配置し
きれない部品、とりわけ、部品サイズの大きい半導体部
品を立体的に配置し、あるいは、基板内部に入れ込ん
で、実装密度を高めようとするものである。
【０００５】たとえば、特開平９−２３２５０３号公報
は、半導体チップと薄い配線フイルムの対を層構成ユニ
ットとして、複数の層構成ユニットと配線基板が、薄い
接着フイルムを間に挟んで、三次元的に構成され、配線
フイルムに形成されたバイアホールと接着フイルムに形
成されたバイアホールを接続することによって、層構成
ユニットの間および層構成ユニットと配線基板の間が接
続された三次元積層モジュールを開示している。
は、半導体チップと薄い配線フイルムの対を層構成ユニ
ットとして、複数の層構成ユニットと配線基板が、薄い
接着フイルムを間に挟んで、三次元的に構成され、配線
フイルムに形成されたバイアホールと接着フイルムに形
成されたバイアホールを接続することによって、層構成
ユニットの間および層構成ユニットと配線基板の間が接
続された三次元積層モジュールを開示している。
【０００６】また、特開平６−１２０６７１号公報は、
基板内部に、ＩＣチップやチップ部品を埋め込み、コー
ト樹脂でＩＣチップやチップ部品を保護するようにした
多層配線基板を開示している。
基板内部に、ＩＣチップやチップ部品を埋め込み、コー
ト樹脂でＩＣチップやチップ部品を保護するようにした
多層配線基板を開示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、三次元的
な電子部品モジュールの実装密度が高くなるにつれて、
半導体部品からの発熱量が増大するため、良好な放熱機
構を備えないと、半導体部品自らが発する熱によって、
半導体部品を壊してしまうという問題が生じて来てい
る。
な電子部品モジュールの実装密度が高くなるにつれて、
半導体部品からの発熱量が増大するため、良好な放熱機
構を備えないと、半導体部品自らが発する熱によって、
半導体部品を壊してしまうという問題が生じて来てい
る。
【０００８】半導体部品を冷却するためには、半導体部
品の冷却面積を大きくして、熱を効率的に外部に逃がす
ことが必要とされるが、特開平９−２３２５０３号公報
に開示された三次元積層モジュールにあっては、上下に
積層された半導体チップが近接しているため、熱が外部
に放出されにくく、また、特開平６−１２０６７１号公
報に開示されているＩＣチップやチップ部品を埋め込ん
だ多層配線基板にあっては、熱伝導率が低い樹脂によっ
て、半導体部品が覆われているため、熱が基板内部に閉
じ込められ、放熱されにくいという問題があった。
品の冷却面積を大きくして、熱を効率的に外部に逃がす
ことが必要とされるが、特開平９−２３２５０３号公報
に開示された三次元積層モジュールにあっては、上下に
積層された半導体チップが近接しているため、熱が外部
に放出されにくく、また、特開平６−１２０６７１号公
報に開示されているＩＣチップやチップ部品を埋め込ん
だ多層配線基板にあっては、熱伝導率が低い樹脂によっ
て、半導体部品が覆われているため、熱が基板内部に閉
じ込められ、放熱されにくいという問題があった。
【０００９】放熱板やヒートパイプなどの特別な放熱機
構を設ければ、半導体部品モジュールを効率的に冷却す
ることは可能となるが、電子部品モジュールに大型の放
熱機構を取りつけることは、電子部品モジュールの高密
度化を妨げることになり、かかる方法によって、半導体
部品の発熱の問題を解決することはできなかった。
構を設ければ、半導体部品モジュールを効率的に冷却す
ることは可能となるが、電子部品モジュールに大型の放
熱機構を取りつけることは、電子部品モジュールの高密
度化を妨げることになり、かかる方法によって、半導体
部品の発熱の問題を解決することはできなかった。
【００１０】したがって、本発明は、半導体部品の冷却
効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジ
ュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造
方法を提供することを目的とするものである。
効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジ
ュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造
方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
両面に、金属配線がパターニングされ、前記金属配線を
貫通する複数のバイアホールおよび／またはスルーホー
ルが形成された複数の基板が積層されて、３以上の平坦
な外表面が形成された立体構造体をなし、前記外表面
に、前記金属配線と接続された外部電極が形成された三
次元電子部品用モジュールによって達成される。
両面に、金属配線がパターニングされ、前記金属配線を
貫通する複数のバイアホールおよび／またはスルーホー
ルが形成された複数の基板が積層されて、３以上の平坦
な外表面が形成された立体構造体をなし、前記外表面
に、前記金属配線と接続された外部電極が形成された三
次元電子部品用モジュールによって達成される。
【００１２】本発明によれば、三次元電子部品用モジュ
ールは、３以上の平坦な外表面が形成された立体構造体
をなし、基板にパターニングされた金属配線と接続され
た外部電極が３以上の平坦な外表面に形成されているか
ら、半導体部品を各外表面に接続して、三次元電子部品
モジュールを構成することができ、したがって、半導体
部品を高密度に実装することができるとともに、半導体
部品は表面に露出し、したがって、半導体部品から生じ
た熱を効率的に放熱させることが可能になり、半導体部
品の冷却効率を損なうことのない高密度の三次元電子部
品用モジュールを提供することが可能となる。
ールは、３以上の平坦な外表面が形成された立体構造体
をなし、基板にパターニングされた金属配線と接続され
た外部電極が３以上の平坦な外表面に形成されているか
ら、半導体部品を各外表面に接続して、三次元電子部品
モジュールを構成することができ、したがって、半導体
部品を高密度に実装することができるとともに、半導体
部品は表面に露出し、したがって、半導体部品から生じ
た熱を効率的に放熱させることが可能になり、半導体部
品の冷却効率を損なうことのない高密度の三次元電子部
品用モジュールを提供することが可能となる。
【００１３】本発明の好ましい実施態様においては、前
記立体構造体が角柱構造をなしている。本発明の好まし
い実施態様によれば、断面をハニカム構造などとするこ
とによって、半導体部品の冷却効率を損なうことがな
く、実装密度が大幅に向上した三次元電子部品用モジュ
ールを提供することが可能となる。
記立体構造体が角柱構造をなしている。本発明の好まし
い実施態様によれば、断面をハニカム構造などとするこ
とによって、半導体部品の冷却効率を損なうことがな
く、実装密度が大幅に向上した三次元電子部品用モジュ
ールを提供することが可能となる。
【００１４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記立体構造体が六面体をなしている。
は、前記立体構造体が六面体をなしている。
【００１５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記立体構造体が直方体をなしている。本発明のさ
らに好ましい実施態様によれば、半導体部品は、直方体
の６面に接続され得るから、電子部品の実装密度を大幅
に向上させることが可能になり、また、熱を発する半導
体部品は、互いに９０度を隔てて配置されることになる
ため、発熱による相互の熱干渉を抑制することができ、
さらには、半導体部品は、三次元電子部品用モジュール
の各外面に実装されるから、半導体部品から発せられた
熱を、効率よく、放熱することが可能になる。
は、前記立体構造体が直方体をなしている。本発明のさ
らに好ましい実施態様によれば、半導体部品は、直方体
の６面に接続され得るから、電子部品の実装密度を大幅
に向上させることが可能になり、また、熱を発する半導
体部品は、互いに９０度を隔てて配置されることになる
ため、発熱による相互の熱干渉を抑制することができ、
さらには、半導体部品は、三次元電子部品用モジュール
の各外面に実装されるから、半導体部品から発せられた
熱を、効率よく、放熱することが可能になる。
【００１６】本発明の前記目的はまた、両面に、金属配
線がパターニングされ、前記金属配線を貫通する複数の
バイアホールおよび／またはスルーホールが形成された
複数の基板が積層されて、３以上の平坦な外表面が形成
された立体構造体をなし、前記外表面に、前記金属配線
と接続された外部電極が形成された三次元電子部品用モ
ジュールの前記外部電極に、半導体部品が接続された三
次元電子部品モジュールによって達成される。
線がパターニングされ、前記金属配線を貫通する複数の
バイアホールおよび／またはスルーホールが形成された
複数の基板が積層されて、３以上の平坦な外表面が形成
された立体構造体をなし、前記外表面に、前記金属配線
と接続された外部電極が形成された三次元電子部品用モ
ジュールの前記外部電極に、半導体部品が接続された三
次元電子部品モジュールによって達成される。
【００１７】本発明によれば、三次元電子部品モジュー
ルは、３以上の平坦な外表面に形成された外部電極に接
続された半導体部品を備えているから、半導体部品を高
密度に実装することができるとともに、半導体部品は表
面に露出し、したがって、半導体部品から生じた熱を効
率的に放熱させることが可能になり、半導体部品の冷却
効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品モジュ
ールを提供することが可能となる。
ルは、３以上の平坦な外表面に形成された外部電極に接
続された半導体部品を備えているから、半導体部品を高
密度に実装することができるとともに、半導体部品は表
面に露出し、したがって、半導体部品から生じた熱を効
率的に放熱させることが可能になり、半導体部品の冷却
効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品モジュ
ールを提供することが可能となる。
【００１８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記基板がガラス・セラミック基板によって構成さ
れている。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、
ガラス・セラミック基板は、平坦性に優れ、熱膨張係数
の低いから、半導体部品を実装しても、応力を緩和する
ことが可能になる。
は、前記基板がガラス・セラミック基板によって構成さ
れている。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、
ガラス・セラミック基板は、平坦性に優れ、熱膨張係数
の低いから、半導体部品を実装しても、応力を緩和する
ことが可能になる。
【００１９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線が、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属によって形成されている。本発明の
さらに好ましい実施態様においては、前記金属配線が、
銀によって形成されている。
は、前記金属配線が、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属によって形成されている。本発明の
さらに好ましい実施態様においては、前記金属配線が、
銀によって形成されている。
【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属端子が、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属によって形成されている。本発明の
さらに好ましい実施態様においては、前記金属端子が、
銀‐パラジウムによって形成されている。
は、前記金属端子が、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属によって形成されている。本発明の
さらに好ましい実施態様においては、前記金属端子が、
銀‐パラジウムによって形成されている。
【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記バイアホールおよび／またはスルーホール内
に、銀ペースト、銀‐パラジウムペーストおよび金ペー
ストよりなる群から選ばれたペーストが充填されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記
バイアホールおよび／またはスルーホール内に、銀ペー
ストが充填されている。
は、前記バイアホールおよび／またはスルーホール内
に、銀ペースト、銀‐パラジウムペーストおよび金ペー
ストよりなる群から選ばれたペーストが充填されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記
バイアホールおよび／またはスルーホール内に、銀ペー
ストが充填されている。
【００２２】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記基板が有機基板により構成されている。本
発明のさらに好ましい実施態様によれば、基板が有機基
板により構成されているから、低コストで、半導体部品
の冷却効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品
用モジュールおよび三次元電子部品モジュールを提供す
ることが可能となる。
いては、前記基板が有機基板により構成されている。本
発明のさらに好ましい実施態様によれば、基板が有機基
板により構成されているから、低コストで、半導体部品
の冷却効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品
用モジュールおよび三次元電子部品モジュールを提供す
ることが可能となる。
【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記有機基板が、ガラス基材エポキシ基板、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板およ
びガラス基材フッ素基板よりなる群から選ばれた基板に
よって構成されている。
は、前記有機基板が、ガラス基材エポキシ基板、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板およ
びガラス基材フッ素基板よりなる群から選ばれた基板に
よって構成されている。
【００２４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記バイアホールおよび／またはスルーホールの内
面に金属めっきが施され、前記バイアホールおよび／ま
たはスルーホールの一部が縦に切断されて、前記外表面
に露出し、前記複数の金属端子を形成している。
は、前記バイアホールおよび／またはスルーホールの内
面に金属めっきが施され、前記バイアホールおよび／ま
たはスルーホールの一部が縦に切断されて、前記外表面
に露出し、前記複数の金属端子を形成している。
【００２５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属めっきが、銅めっきによって構成されてい
る。
は、前記金属めっきが、銅めっきによって構成されてい
る。
【００２６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記銅めっき上に、金めっき、銀めっきな
らびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群から
選ばれた金属のめっきが施されている。本発明のさらに
好ましい実施態様によれば、電極の酸化を防止すること
が可能となる。
は、さらに、前記銅めっき上に、金めっき、銀めっきな
らびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群から
選ばれた金属のめっきが施されている。本発明のさらに
好ましい実施態様によれば、電極の酸化を防止すること
が可能となる。
【００２７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線が、銅、アルミニウム、銀、金、白金
およびパラジウムから選ばれる金属により形成されてい
る。
は、前記金属配線が、銅、アルミニウム、銀、金、白金
およびパラジウムから選ばれる金属により形成されてい
る。
【００２８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、はんだによって、前記複数の金
属端子に接続されている。
は、前記半導体部品が、はんだによって、前記複数の金
属端子に接続されている。
【００２９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、共晶クリームはんだによって、
前記複数の金属端子に接続されている。
は、前記半導体部品が、共晶クリームはんだによって、
前記複数の金属端子に接続されている。
【００３０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡお
よび電子部品が実装された半導体基板よりなる群から選
ばれた半導体部品によって構成されている。
は、前記半導体部品が、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡお
よび電子部品が実装された半導体基板よりなる群から選
ばれた半導体部品によって構成されている。
【００３１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記３以上の平坦な外表面の少なくとも一つの外表
面に形成された前記外部電極に、プリント配線基板が接
続されている。
は、前記３以上の平坦な外表面の少なくとも一つの外表
面に形成された前記外部電極に、プリント配線基板が接
続されている。
【００３２】本発明の前記目的はまた、複数のシートの
各々に少なくとも１つのスルーホールを形成し、前記複
数のシートの両面に金属のパターンを形成し、さらに、
２つのシートの各々に少なくとも１つのスルーホールを
形成し、前記２つのシートの一方の面に両面に金属のパ
ターンを形成し、前記複数のシートおよび前記２つのシ
ートを、前記２つのシートの一方が最上に位置し、前記
金属のパターンが形成された面が下側を向き、前記２つ
のシートの他方が最下に位置し、前記金属のパターンが
形成された面が上側を向くように、積層して、積層シー
トを形成し、前記２つのシートの一方の上面および他方
の下面に、前記金属のパターンと接続されるように、外
部電極を形成し、前記積層シートの少なくとも１つの側
面を研磨して、平坦化させるとともに、前記金属のパタ
ーンと接続された複数の金属端子を露出させ、さらに、
前記金属のパターンと接続されるように、外部電極を形
成することを特徴とする三次元電子部品用モジュールの
製造方法によって達成される。
各々に少なくとも１つのスルーホールを形成し、前記複
数のシートの両面に金属のパターンを形成し、さらに、
２つのシートの各々に少なくとも１つのスルーホールを
形成し、前記２つのシートの一方の面に両面に金属のパ
ターンを形成し、前記複数のシートおよび前記２つのシ
ートを、前記２つのシートの一方が最上に位置し、前記
金属のパターンが形成された面が下側を向き、前記２つ
のシートの他方が最下に位置し、前記金属のパターンが
形成された面が上側を向くように、積層して、積層シー
トを形成し、前記２つのシートの一方の上面および他方
の下面に、前記金属のパターンと接続されるように、外
部電極を形成し、前記積層シートの少なくとも１つの側
面を研磨して、平坦化させるとともに、前記金属のパタ
ーンと接続された複数の金属端子を露出させ、さらに、
前記金属のパターンと接続されるように、外部電極を形
成することを特徴とする三次元電子部品用モジュールの
製造方法によって達成される。
【００３３】本発明によれば、得られる三次元電子部品
用モジュールは、最上に位置したシートの上面、最下に
位置したシートの下面および少なくとも１つの側面のシ
ートに形成された金属のパターンと接続された外部電極
に、半導体部品を接続して、三次元電子部品モジュール
を構成することができ、半導体部品を高密度に実装する
ことができるとともに、半導体部品は外表面に露出し、
したがって、半導体部品から生じた熱を効率的に放熱さ
せることが可能になり、半導体部品の冷却効率を損なう
ことのない高密度の三次元電子部品用モジュールを提供
することが可能となる。
用モジュールは、最上に位置したシートの上面、最下に
位置したシートの下面および少なくとも１つの側面のシ
ートに形成された金属のパターンと接続された外部電極
に、半導体部品を接続して、三次元電子部品モジュール
を構成することができ、半導体部品を高密度に実装する
ことができるとともに、半導体部品は外表面に露出し、
したがって、半導体部品から生じた熱を効率的に放熱さ
せることが可能になり、半導体部品の冷却効率を損なう
ことのない高密度の三次元電子部品用モジュールを提供
することが可能となる。
【００３４】本発明の好ましい実施態様においては、前
記積層シートの側面を研磨して、平坦化させるととも
に、複数の金属端子を露出させ、角柱構造の積層シート
を形成するように構成されている。
記積層シートの側面を研磨して、平坦化させるととも
に、複数の金属端子を露出させ、角柱構造の積層シート
を形成するように構成されている。
【００３５】本発明の好ましい実施態様によれば、断面
をハニカム構造などとすることによって、半導体部品の
冷却効率を損なうことがなく、実装密度が大幅に向上し
た三次元電子部品用モジュールを提供することが可能と
なる。
をハニカム構造などとすることによって、半導体部品の
冷却効率を損なうことがなく、実装密度が大幅に向上し
た三次元電子部品用モジュールを提供することが可能と
なる。
【００３６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記積層シートの側面を研磨して、平坦化させると
ともに、複数の金属端子を露出させ、六面体構造の積層
シートを形成するように構成されている。
は、前記積層シートの側面を研磨して、平坦化させると
ともに、複数の金属端子を露出させ、六面体構造の積層
シートを形成するように構成されている。
【００３７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記積層シートの側面を研磨して、平坦化させると
ともに、複数の金属端子を露出させ、直方体構造の積層
シートを形成するように構成されている。
は、前記積層シートの側面を研磨して、平坦化させると
ともに、複数の金属端子を露出させ、直方体構造の積層
シートを形成するように構成されている。
【００３８】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、半導体部品は、直方体の６面に接続され得るから、
電子部品の実装密度を大幅に向上させることが可能にな
り、また、熱を発する半導体部品は、互いに９０度を隔
てて配置されることになるため、発熱による相互の熱干
渉を抑制することができ、さらには、半導体部品は、三
次元電子部品用モジュールの各外面に実装されるから、
半導体部品から発せられた熱を、効率よく、放熱するこ
とが可能になる。
ば、半導体部品は、直方体の６面に接続され得るから、
電子部品の実装密度を大幅に向上させることが可能にな
り、また、熱を発する半導体部品は、互いに９０度を隔
てて配置されることになるため、発熱による相互の熱干
渉を抑制することができ、さらには、半導体部品は、三
次元電子部品用モジュールの各外面に実装されるから、
半導体部品から発せられた熱を、効率よく、放熱するこ
とが可能になる。
【００３９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記シートが、アルミナ粉、ガラス粉および有機バ
インダを含んだグリーンシートにより構成されている。
は、前記シートが、アルミナ粉、ガラス粉および有機バ
インダを含んだグリーンシートにより構成されている。
【００４０】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、平坦性に優れ、熱膨張係数の低いガラス・セラミッ
ク基板を備えた三次元電子部品用モジュールを得ること
ができるから、半導体部品を実装しても、応力を緩和す
ることが可能になる。
ば、平坦性に優れ、熱膨張係数の低いガラス・セラミッ
ク基板を備えた三次元電子部品用モジュールを得ること
ができるから、半導体部品を実装しても、応力を緩和す
ることが可能になる。
【００４１】本発明の好ましい実施態様においては、前
記グリーンシートを積層して、加圧し、さらに、焼成し
て、ガラス・セラミック化し、前記積層シートを形成す
るように構成されている。
記グリーンシートを積層して、加圧し、さらに、焼成し
て、ガラス・セラミック化し、前記積層シートを形成す
るように構成されている。
【００４２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀‐パラジウムおよび銀よ
りなる群から選ばれた金属を、前記グリーンシート上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
は、前記金属のパターンを、銀‐パラジウムおよび銀よ
りなる群から選ばれた金属を、前記グリーンシート上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
【００４３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀‐パラジウムおよび銀よ
りなる群から選ばれた金属を前記グリーンシート上に印
刷することによって形成するように構成されている。本
発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コストで、
三次元電子部品用モジュールを製造することが可能にな
る。
は、前記金属のパターンを、銀‐パラジウムおよび銀よ
りなる群から選ばれた金属を前記グリーンシート上に印
刷することによって形成するように構成されている。本
発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コストで、
三次元電子部品用モジュールを製造することが可能にな
る。
【００４４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀を前記グリーンシート上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
は、前記金属のパターンを、銀を前記グリーンシート上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
【００４５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀を前記グリーンシート上
に印刷することによって形成するように構成されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コス
トで、三次元電子部品用モジュールを製造することが可
能になる。
は、前記金属のパターンを、銀を前記グリーンシート上
に印刷することによって形成するように構成されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コス
トで、三次元電子部品用モジュールを製造することが可
能になる。
【００４６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属を、前記２つのグリーンシートの一
方の上面および他方の下面ならびに前記積層シートの前
記少なくとも１つの研磨された側面上に、印刷、スパッ
タリング、めっきおよびエッチングよりなる群から選ば
れた手段によって形成するように構成されている。
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属を、前記２つのグリーンシートの一
方の上面および他方の下面ならびに前記積層シートの前
記少なくとも１つの研磨された側面上に、印刷、スパッ
タリング、めっきおよびエッチングよりなる群から選ば
れた手段によって形成するように構成されている。
【００４７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属を、前記２つのグリーンシートの一
方の上面および他方の下面ならびに前記積層シートの前
記少なくとも１つの研磨された側面上に印刷することに
よって形成するように構成されている。本発明のさらに
好ましい実施態様によれば、低コストで、三次元電子部
品用モジュールを製造することが可能になる。
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属を、前記２つのグリーンシートの一
方の上面および他方の下面ならびに前記積層シートの前
記少なくとも１つの研磨された側面上に印刷することに
よって形成するように構成されている。本発明のさらに
好ましい実施態様によれば、低コストで、三次元電子部
品用モジュールを製造することが可能になる。
【００４８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムを、前記２つのグ
リーンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前
記積層シートの前記少なくとも１つの研磨された側面上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムを、前記２つのグ
リーンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前
記積層シートの前記少なくとも１つの研磨された側面上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
【００４９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムを、前記２つのグ
リーンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前
記積層シートの前記少なくとも１つの研磨された側面上
に印刷することによって形成するように構成されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コス
トで、三次元電子部品用モジュールを製造することが可
能になる。
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムを、前記２つのグ
リーンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前
記積層シートの前記少なくとも１つの研磨された側面上
に印刷することによって形成するように構成されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コス
トで、三次元電子部品用モジュールを製造することが可
能になる。
【００５０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホール内に、銀ペースト、銀‐パラジウ
ムおよび金ペーストよりなる群から選ばれたペーストを
充填するように構成されている。
は、前記スルーホール内に、銀ペースト、銀‐パラジウ
ムおよび金ペーストよりなる群から選ばれたペーストを
充填するように構成されている。
【００５１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホール内に、銀ペーストを充填するよう
に構成されている。
は、前記スルーホール内に、銀ペーストを充填するよう
に構成されている。
【００５２】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記シートが有機基板によって構成されてい
る。本発明のさらに別の好ましい実施態様によれば、低
コストで、三次元電子部品用モジュールを製造すること
が可能になる。
いては、前記シートが有機基板によって構成されてい
る。本発明のさらに別の好ましい実施態様によれば、低
コストで、三次元電子部品用モジュールを製造すること
が可能になる。
【００５３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記有機基板が、ガラス基材エポキシ基板、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板およ
びガラス基材フッ素基板よりなる群から選ばれた基板に
よって構成されている。
は、前記有機基板が、ガラス基材エポキシ基板、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板およ
びガラス基材フッ素基板よりなる群から選ばれた基板に
よって構成されている。
【００５４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記有機基板が、プリプレグ樹脂によって、接着さ
れて、前記積層シートを形成するように構成されてい
る。
は、前記有機基板が、プリプレグ樹脂によって、接着さ
れて、前記積層シートを形成するように構成されてい
る。
【００５５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホールの内面に金属めっきを施し、前記
積層シートの少なくとも１つの側面を研磨して、前記ス
ルーホールを縦に切断し、前記スルーホールの内面を前
記少なくとも１つの側面上に露出させて、前記外部電極
を形成するように構成されている。
は、前記スルーホールの内面に金属めっきを施し、前記
積層シートの少なくとも１つの側面を研磨して、前記ス
ルーホールを縦に切断し、前記スルーホールの内面を前
記少なくとも１つの側面上に露出させて、前記外部電極
を形成するように構成されている。
【００５６】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、低融点のため、銀‐パラジウムや銀などを印刷し
て、外部電極を形成できない有機基板の場合にも、少な
くとも１ちの側面に、所望のように、外部電極を形成す
ることが可能になる。
ば、低融点のため、銀‐パラジウムや銀などを印刷し
て、外部電極を形成できない有機基板の場合にも、少な
くとも１ちの側面に、所望のように、外部電極を形成す
ることが可能になる。
【００５７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記少なくとも１つの側面上に露出させた前記スル
ーホール内を共晶はんだによって充填するように構成さ
れている。
は、前記少なくとも１つの側面上に露出させた前記スル
ーホール内を共晶はんだによって充填するように構成さ
れている。
【００５８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属めっきが、銅めっきによって形成されてい
る。
は、前記金属めっきが、銅めっきによって形成されてい
る。
【００５９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記銅めっき上に、金めっき、銀めっきな
らびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群から
選ばれた金属のめっきが施される。本発明のさらに好ま
しい実施態様によれば、電極の酸化を防止することが可
能となる。
は、さらに、前記銅めっき上に、金めっき、銀めっきな
らびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群から
選ばれた金属のめっきが施される。本発明のさらに好ま
しい実施態様によれば、電極の酸化を防止することが可
能となる。
【００６０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線を、銅、アルミニウム、銀、金、白金
およびパラジウムから選ばれる金属により形成するよう
に構成されている。
は、前記金属配線を、銅、アルミニウム、銀、金、白金
およびパラジウムから選ばれる金属により形成するよう
に構成されている。
【００６１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線を、銅をめっきすることによって形成
するように構成されている。
は、前記金属配線を、銅をめっきすることによって形成
するように構成されている。
【００６２】本発明の前記目的はまた、前記製造方法に
よって製造された前記三次元電子部品用モジュールの前
記外部電極に、半導体部品を接続することを特徴とする
三次元電子部品モジュールの製造方法によって達成され
る。
よって製造された前記三次元電子部品用モジュールの前
記外部電極に、半導体部品を接続することを特徴とする
三次元電子部品モジュールの製造方法によって達成され
る。
【００６３】本発明によれば、得られる三次元電子部品
モジュールは、最上に位置したシートの上面、最下に位
置したシートの下面および少なくとも１つの側面のシー
トに形成された金属のパターンと接続された外部電極に
半導体部品を接続されているから、半導体部品を高密度
に実装することができるとともに、半導体部品は外表面
に露出し、したがって、半導体部品から生じた熱を効率
的に放熱させることが可能になり、半導体部品の冷却効
率を損なうことのない高密度の三次元電子部品モジュー
ルを提供することが可能となる。
モジュールは、最上に位置したシートの上面、最下に位
置したシートの下面および少なくとも１つの側面のシー
トに形成された金属のパターンと接続された外部電極に
半導体部品を接続されているから、半導体部品を高密度
に実装することができるとともに、半導体部品は外表面
に露出し、したがって、半導体部品から生じた熱を効率
的に放熱させることが可能になり、半導体部品の冷却効
率を損なうことのない高密度の三次元電子部品モジュー
ルを提供することが可能となる。
【００６４】本発明の好ましい実施態様においては、前
記三次元電子部品用モジュールの研磨され、平坦化さて
た前記積層シートの少なくとも１つの側面に、共晶クリ
ームはんだをスクリーン印刷し、半導体部品をマウント
して、リフロー炉内で、前記共晶クリームはんだを溶融
し、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成
された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼成すること
によって、三次元電子部品モジュールが製造される。
記三次元電子部品用モジュールの研磨され、平坦化さて
た前記積層シートの少なくとも１つの側面に、共晶クリ
ームはんだをスクリーン印刷し、半導体部品をマウント
して、リフロー炉内で、前記共晶クリームはんだを溶融
し、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成
された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼成すること
によって、三次元電子部品モジュールが製造される。
【００６５】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、平坦
化さてた前記積層シートの少なくとも１つの側面の前記
外部電極に対応する位置に、フラックスを、スクリーン
印刷し、前記外部電極に対応する位置に、はんだボール
を転写し、前記半導体部品を転写した前記はんだボール
上にマウントして、リフロー炉内で、加熱して、前記は
んだボールを溶融し、前記半導体部品と前記少なくとも
１つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉内
で、焼成することによって、三次元電子部品モジュール
が製造される。
は、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、平坦
化さてた前記積層シートの少なくとも１つの側面の前記
外部電極に対応する位置に、フラックスを、スクリーン
印刷し、前記外部電極に対応する位置に、はんだボール
を転写し、前記半導体部品を転写した前記はんだボール
上にマウントして、リフロー炉内で、加熱して、前記は
んだボールを溶融し、前記半導体部品と前記少なくとも
１つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉内
で、焼成することによって、三次元電子部品モジュール
が製造される。
【００６６】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、
平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つの側面の
前記外部電極に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷し、前記半導体部品の前記フラックスに対応する
位置に、はんだボールを転写し、前記半導体部品を、前
記少なくとも１つの側面に形成された前記外部電極の位
置に合致するように、前記外部電極上にマウントし、リ
フロー炉内で、加熱して、前記半導体部品と前記少なく
とも１つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成
炉内で、焼成することによって、三次元電子部品モジュ
ールが製造される。
いては、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、
平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つの側面の
前記外部電極に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷し、前記半導体部品の前記フラックスに対応する
位置に、はんだボールを転写し、前記半導体部品を、前
記少なくとも１つの側面に形成された前記外部電極の位
置に合致するように、前記外部電極上にマウントし、リ
フロー炉内で、加熱して、前記半導体部品と前記少なく
とも１つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成
炉内で、焼成することによって、三次元電子部品モジュ
ールが製造される。
【００６７】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、
平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つの側面の
前記外部電極に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷し、前記半導体部品が備えているはんだボールを
利用して、前記半導体部品を、前記少なくとも１つの側
面に形成された前記外部電極の位置に合致するように、
前記外部電極上にマウントし、リフロー炉内で、加熱し
て、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成
された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼成すること
によって、三次元電子部品モジュールが製造される。
いては、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、
平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つの側面の
前記外部電極に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷し、前記半導体部品が備えているはんだボールを
利用して、前記半導体部品を、前記少なくとも１つの側
面に形成された前記外部電極の位置に合致するように、
前記外部電極上にマウントし、リフロー炉内で、加熱し
て、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成
された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼成すること
によって、三次元電子部品モジュールが製造される。
【００６８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記リフロー炉中において、リフローピーク温度２
００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間にわたって、加
熱されるように構成されている。
は、前記リフロー炉中において、リフローピーク温度２
００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間にわたって、加
熱されるように構成されている。
【００６９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成
された外部電極とを接続した後、さらに、エポキシ封止
樹脂を、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に
形成された外部電極との間に充填し、硬化炉中で、加熱
して、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ、前記半導体部
品と前記少なくとも１つの側面に形成された前記外部電
極とを固定することによって、三次元電子部品モジュー
ルが製造される。
は、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成
された外部電極とを接続した後、さらに、エポキシ封止
樹脂を、前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に
形成された外部電極との間に充填し、硬化炉中で、加熱
して、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ、前記半導体部
品と前記少なくとも１つの側面に形成された前記外部電
極とを固定することによって、三次元電子部品モジュー
ルが製造される。
【００７０】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、半導体部品の固定と接続の信頼性を向上させること
が可能になる。
ば、半導体部品の固定と接続の信頼性を向上させること
が可能になる。
【００７１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記エポキシ封止樹脂がフィラーを含んでいる。
は、前記エポキシ封止樹脂がフィラーを含んでいる。
【００７２】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、エポキシ封止樹脂の耐湿性を向上させることが可能
となるとともに、エポキシ封止樹脂の硬度を所望のよう
に調整することができる。
ば、エポキシ封止樹脂の耐湿性を向上させることが可能
となるとともに、エポキシ封止樹脂の硬度を所望のよう
に調整することができる。
【００７３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記フィラーがシリカフィラーによって構成されて
いる。
は、前記フィラーがシリカフィラーによって構成されて
いる。
【００７４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記硬化炉中で、１３０ないし１８０℃で、１ない
し４時間にわたって、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ
るように構成されている。
は、前記硬化炉中で、１３０ないし１８０℃で、１ない
し４時間にわたって、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ
るように構成されている。
【００７５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記焼成炉内で、５５０ないし６５０℃で、１．５
時間ないし３時間にわたり、加熱し、さらに、８００な
いし８８０℃で、５ないし１５分にわたって、焼成する
ように構成されている。
は、前記焼成炉内で、５５０ないし６５０℃で、１．５
時間ないし３時間にわたり、加熱し、さらに、８００な
いし８８０℃で、５ないし１５分にわたって、焼成する
ように構成されている。
【００７６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡお
よび電子部品が実装された半導体基板よりなる群から選
ばれた半導体部品によって構成されている。
は、前記半導体部品が、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡお
よび電子部品が実装された半導体基板よりなる群から選
ばれた半導体部品によって構成されている。
【００７７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極に、プリント配線基板を接続するよう
に構成されている。
は、前記外部電極に、プリント配線基板を接続するよう
に構成されている。
【００７８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００７９】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図であり、
図２は、その略斜視図である。
る三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図であり、
図２は、その略斜視図である。
【００８０】図１に示されるように、三次元電子部品用
モジュール１は、両面に、銀配線２がパターニングさ
れ、銀配線２を貫通する複数のスルーホール３が形成さ
れた６枚のガラス・セラミック基板４が積層され、さら
に、その両側に、内面に銀配線２がパターニングされ、
銀配線２を貫通する複数のスルーホール３が形成された
最上ガラス・セラミック基板４ａと最下ガラス・セラミ
ック基板４ｂが積層されて構成されており、全体とし
て、直方体構造をなしている。スルーホール３内には、
銀ペースト２ａが充填されている。最上ガラス・セラミ
ック基板４ａの上面には、スクリーン印刷によって、銀
‐パラジウム配線５よりなる外部電極６がパターニング
され、最下ガラス・セラミック基板４ｂの下面には、ス
クリーン印刷により、銀‐パラジウム配線５よりなる外
部電極７がパターニングされている。三次元電子部品用
モジュール１の頂面に形成された外部電極６は、バイア
ホール３を介して、内部のガラス・セラミック基板４に
形成された銀配線２と接続され、三次元電子部品用モジ
ュール１の底面に形成された外部電極７は、バイアホー
ル３を介して、内部のガラス・セラミック基板４に形成
された銀配線２と接続されている。
モジュール１は、両面に、銀配線２がパターニングさ
れ、銀配線２を貫通する複数のスルーホール３が形成さ
れた６枚のガラス・セラミック基板４が積層され、さら
に、その両側に、内面に銀配線２がパターニングされ、
銀配線２を貫通する複数のスルーホール３が形成された
最上ガラス・セラミック基板４ａと最下ガラス・セラミ
ック基板４ｂが積層されて構成されており、全体とし
て、直方体構造をなしている。スルーホール３内には、
銀ペースト２ａが充填されている。最上ガラス・セラミ
ック基板４ａの上面には、スクリーン印刷によって、銀
‐パラジウム配線５よりなる外部電極６がパターニング
され、最下ガラス・セラミック基板４ｂの下面には、ス
クリーン印刷により、銀‐パラジウム配線５よりなる外
部電極７がパターニングされている。三次元電子部品用
モジュール１の頂面に形成された外部電極６は、バイア
ホール３を介して、内部のガラス・セラミック基板４に
形成された銀配線２と接続され、三次元電子部品用モジ
ュール１の底面に形成された外部電極７は、バイアホー
ル３を介して、内部のガラス・セラミック基板４に形成
された銀配線２と接続されている。
【００８１】三次元電子部品用モジュール１の４つの側
面は研磨され、図１および図２に示されるように、スク
リーン印刷によって、銀‐パラジウム配線５よりなる外
部電極８、８、８がパターニングされて、各ガラス・セ
ラミック基板４の両面にパターニングされた銀配線２、
最上ガラス・セラミック基板４ａの下面にパターニング
された銀配線２および最下ガラス・セラミック基板４ｂ
の上面にパターニングされた銀配線２の端部と接続され
ている。
面は研磨され、図１および図２に示されるように、スク
リーン印刷によって、銀‐パラジウム配線５よりなる外
部電極８、８、８がパターニングされて、各ガラス・セ
ラミック基板４の両面にパターニングされた銀配線２、
最上ガラス・セラミック基板４ａの下面にパターニング
された銀配線２および最下ガラス・セラミック基板４ｂ
の上面にパターニングされた銀配線２の端部と接続され
ている。
【００８２】外部電極６、７、８は、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡなどパッケージやプリント配線基板などを
接続する複数の端子を提供している。
プ、ＦＢＧＡなどパッケージやプリント配線基板などを
接続する複数の端子を提供している。
【００８３】本実施態様によれば、各ガラス・セラミッ
ク基板４、４ａ、４ｂ内が銀配線２によって配線され、
各ガラス・セラミック基板４、４ａ、４ｂに形成された
スルーホール３によって、複数のガラス・セラミック基
板４、４ａ、４ｂに形成された銀配線２が接続され、さ
らに、直方体の６面に形成された外部電極６、７、８
に、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージやプリ
ント配線基板などを接続することができるから、電子部
品の実装密度を大幅に向上させることが可能になる。ま
た、熱を発する半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケ
ージや半導体部品が実装されたプリント配線基板など
は、互いに９０度を隔てて配置されることになるため、
発熱による相互の熱干渉を抑制することができ、さらに
は、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導
体部品が実装されたプリント配線基板などは、三次元電
子部品用モジュール１の各外面に実装されるから、半導
体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が
実装されたプリント配線基板などから発せられた熱を、
効率よく、放熱することが可能になる。また、基板に、
ガラス・セラミック基板４、４ａ、４ｂを用いているか
ら、平坦性に優れ、熱膨張係数の低く、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装された
プリント配線基板などを実装しても、応力を緩和するこ
とが可能になる。したがって、本実施態様によれば、実
装密度を大幅に向上させつつ、放熱効率に優れた三次元
電子部品用モジュール１を提供することが可能になる。
ク基板４、４ａ、４ｂ内が銀配線２によって配線され、
各ガラス・セラミック基板４、４ａ、４ｂに形成された
スルーホール３によって、複数のガラス・セラミック基
板４、４ａ、４ｂに形成された銀配線２が接続され、さ
らに、直方体の６面に形成された外部電極６、７、８
に、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージやプリ
ント配線基板などを接続することができるから、電子部
品の実装密度を大幅に向上させることが可能になる。ま
た、熱を発する半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケ
ージや半導体部品が実装されたプリント配線基板など
は、互いに９０度を隔てて配置されることになるため、
発熱による相互の熱干渉を抑制することができ、さらに
は、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導
体部品が実装されたプリント配線基板などは、三次元電
子部品用モジュール１の各外面に実装されるから、半導
体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が
実装されたプリント配線基板などから発せられた熱を、
効率よく、放熱することが可能になる。また、基板に、
ガラス・セラミック基板４、４ａ、４ｂを用いているか
ら、平坦性に優れ、熱膨張係数の低く、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装された
プリント配線基板などを実装しても、応力を緩和するこ
とが可能になる。したがって、本実施態様によれば、実
装密度を大幅に向上させつつ、放熱効率に優れた三次元
電子部品用モジュール１を提供することが可能になる。
【００８４】図３は、本発明の他の好ましい実施態様に
かかる三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図であ
る。
かかる三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図であ
る。
【００８５】図３に示されるように、三次元電子部品用
モジュール１０は、両面に、銅配線１１がパターニング
され、銅配線１１を貫通する複数のスルーホール１２が
形成された６枚のガラス基材エポキシ基板１３が積層さ
れ、さらに、その両側に、内面に、銅配線１１がパター
ニングされ、銅配線１１を貫通する複数のスルーホール
３が形成された最上ガラス基材エポキシ基板１３ａと最
下ガラス基材エポキシ基板１３ｂが積層され、プリプレ
グ樹脂１４によって接着されて、構成されており、全体
として、直方体構造をなしている。最上ガラス基材エポ
キシ基板１３ａの上面には、銅配線１１によって、外部
電極１５がパターニングされ、最下ガラス基材エポキシ
基板１３ｂの下面には、銅配線１１によって、外部電極
１６がパターニングされている。三次元電子部品用モジ
ュール１０の頂面に形成された外部電極１５は、バイア
ホール１２を介して、内部のガラス基材エポキシ基板１
３、１３ａ、１３ｂに形成された銅配線１１と接続さ
れ、三次元電子部品用モジュール１の底面に形成された
外部電極１６は、バイアホール１２を介して、内部のガ
ラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂに形成され
た銅配線１１と接続されている。
モジュール１０は、両面に、銅配線１１がパターニング
され、銅配線１１を貫通する複数のスルーホール１２が
形成された６枚のガラス基材エポキシ基板１３が積層さ
れ、さらに、その両側に、内面に、銅配線１１がパター
ニングされ、銅配線１１を貫通する複数のスルーホール
３が形成された最上ガラス基材エポキシ基板１３ａと最
下ガラス基材エポキシ基板１３ｂが積層され、プリプレ
グ樹脂１４によって接着されて、構成されており、全体
として、直方体構造をなしている。最上ガラス基材エポ
キシ基板１３ａの上面には、銅配線１１によって、外部
電極１５がパターニングされ、最下ガラス基材エポキシ
基板１３ｂの下面には、銅配線１１によって、外部電極
１６がパターニングされている。三次元電子部品用モジ
ュール１０の頂面に形成された外部電極１５は、バイア
ホール１２を介して、内部のガラス基材エポキシ基板１
３、１３ａ、１３ｂに形成された銅配線１１と接続さ
れ、三次元電子部品用モジュール１の底面に形成された
外部電極１６は、バイアホール１２を介して、内部のガ
ラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂに形成され
た銅配線１１と接続されている。
【００８６】三次元電子部品用モジュール１０の４つの
側面は、円柱状のバイアホール１２を半分に切り取った
ような形状のバイアホール１２が露出されるまで研磨さ
れ、図３に示されるように、銅めっきされたバイアホー
ル１２内には共晶はんだ１８が充填されて、外部電極１
７、１７、１７が形成されている。
側面は、円柱状のバイアホール１２を半分に切り取った
ような形状のバイアホール１２が露出されるまで研磨さ
れ、図３に示されるように、銅めっきされたバイアホー
ル１２内には共晶はんだ１８が充填されて、外部電極１
７、１７、１７が形成されている。
【００８７】ガラス基材エポキシ基板１３には、外部電
極１７、１７、１７を形成するバイアホール１２を有す
るものと、バイアホール１２を有していないものがあ
り、接続される電子部品の電極の間隔に、外部電極１
７、１７、１７の間隔が合致するように、外部電極１
７、１７、１７を形成するためのバイアホール１２を有
していないガラス基材エポキシ基板１３の厚み、銅配線
１１の厚みおよびプリプレグ樹脂１４の厚みが選択され
ている。
極１７、１７、１７を形成するバイアホール１２を有す
るものと、バイアホール１２を有していないものがあ
り、接続される電子部品の電極の間隔に、外部電極１
７、１７、１７の間隔が合致するように、外部電極１
７、１７、１７を形成するためのバイアホール１２を有
していないガラス基材エポキシ基板１３の厚み、銅配線
１１の厚みおよびプリプレグ樹脂１４の厚みが選択され
ている。
【００８８】外部電極１５、１６、１７は、半導体ベア
チップ、ＦＢＧＡなどパッケージやプリント配線基板な
どを接続する複数の端子を提供している。
チップ、ＦＢＧＡなどパッケージやプリント配線基板な
どを接続する複数の端子を提供している。
【００８９】本実施態様によれば、各ガラス基材エポキ
シ基板１３、１３ａ、１３ｂ内が銅配線１１によって配
線され、各ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３
ｂに形成されたスルーホール１２によって、複数のガラ
ス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂに形成された
銅配線１１の間が接続され、さらに、六面体の６面に形
成された外部電極１５、１６、１７に、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装された
プリント配線基板などを接続することができるから、電
子部品の実装密度を大幅に向上させることが可能にな
る。また、熱を発する半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなど
パッケージや半導体部品が実装されたプリント配線基板
などは、互いに９０度を隔てて配置されることになるた
め、発熱による相互の熱干渉を抑制することができると
ともに、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージや
プリント配線基板などは、三次元電子部品用モジュール
１０の各外面に実装されるから、半導体ベアチップ、Ｆ
ＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装されたプリン
ト配線基板などから発せられた熱を、効率よく、放熱す
ることが可能になる。また、基板として、ガラス基材エ
ポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂを用いているため、低
コストで、三次元電子部品用モジュール１０を得ること
ができる。したがって、本実施態様によれば、実装密度
を大幅に向上させつつ、放熱効率に優れた三次元電子部
品用モジュール１０を提供することが可能になる。ま
た、コネクタを介することなく、プリント配線基板と接
続させることが可能となる。
シ基板１３、１３ａ、１３ｂ内が銅配線１１によって配
線され、各ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３
ｂに形成されたスルーホール１２によって、複数のガラ
ス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂに形成された
銅配線１１の間が接続され、さらに、六面体の６面に形
成された外部電極１５、１６、１７に、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装された
プリント配線基板などを接続することができるから、電
子部品の実装密度を大幅に向上させることが可能にな
る。また、熱を発する半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなど
パッケージや半導体部品が実装されたプリント配線基板
などは、互いに９０度を隔てて配置されることになるた
め、発熱による相互の熱干渉を抑制することができると
ともに、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡなどパッケージや
プリント配線基板などは、三次元電子部品用モジュール
１０の各外面に実装されるから、半導体ベアチップ、Ｆ
ＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装されたプリン
ト配線基板などから発せられた熱を、効率よく、放熱す
ることが可能になる。また、基板として、ガラス基材エ
ポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂを用いているため、低
コストで、三次元電子部品用モジュール１０を得ること
ができる。したがって、本実施態様によれば、実装密度
を大幅に向上させつつ、放熱効率に優れた三次元電子部
品用モジュール１０を提供することが可能になる。ま
た、コネクタを介することなく、プリント配線基板と接
続させることが可能となる。
【００９０】図４は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの略斜視図である。
る三次元電子部品モジュールの略斜視図である。
【００９１】図４に示されるように、本発明の好ましい
実施態様にかかる三次元電子部品モジュール２０は、直
方体をなした三次元電子部品用モジュール１の底面に形
成された外部電極７にプリント配線基板２１が接続さ
れ、１つの側面に形成された外部電極８には、ＦＢＧＡ
２２が、他の１つの側面に形成された外部電極８には、
半導体ベアチップ２３が、頂面に形成された外部電極６
には、半導体部品２４を実装した小型基板２５が、それ
ぞれ、共晶はんだによって、接続されて、構成されてお
り、他の２つの側面に形成された外部電極８には、電子
部品は接続されていない。
実施態様にかかる三次元電子部品モジュール２０は、直
方体をなした三次元電子部品用モジュール１の底面に形
成された外部電極７にプリント配線基板２１が接続さ
れ、１つの側面に形成された外部電極８には、ＦＢＧＡ
２２が、他の１つの側面に形成された外部電極８には、
半導体ベアチップ２３が、頂面に形成された外部電極６
には、半導体部品２４を実装した小型基板２５が、それ
ぞれ、共晶はんだによって、接続されて、構成されてお
り、他の２つの側面に形成された外部電極８には、電子
部品は接続されていない。
【００９２】本実施態様にかかる三次元電子部品モジュ
ール２０は直方体をなし、三次元電子部品用モジュール
１を構成する各基板４内が、銀‐パラジウム配線２によ
って配線され、各基板４に形成され、銀ペースト２ａが
充填されたスルーホール３によって、複数の基板４の銀
‐パラジウム配線２が接続されており、さらに、六面体
の２つの側面に形成された外部電極８にＦＢＧＡ２２お
よび半導体ベアチップ２３が接続され、頂面に形成され
た外部電極６に半導体部品２４を実装した小型基板２５
が接続され、底面に形成された外部電極７にはプリント
配線基板２１が接続されているから、実装密度を大幅に
向上させることが可能になり、他方、熱を発するＦＢＧ
Ａ２２、半導体ベアチップ２３、小型基板２５および半
導体部品が実装されたプリント配線基板２１は、互いに
９０度を隔てて配置されているから、発熱による相互の
熱干渉を抑制することができるとともに、ＦＢＧＡ２
２、半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装した
小型基板２５は、三次元電子部品用モジュール１、１０
の各外面に実装されているから、ＦＢＧＡ２２、半導体
ベアチップ２３、小型基板２５および半導体部品が実装
されたプリント配線基板２１から発せられた熱を、効率
よく、放熱することが可能になる。また、基板に、ガラ
ス・セラミック基板４、４ａ、４ｂを用いているから、
平坦性に優れ、熱膨張係数の低く、半導体ベアチップ、
ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装されたプリ
ント配線基板などを実装しても、応力を緩和することが
可能になる。さらに、本実施態様によれば、コネクタを
介することなく、プリント配線基板２１と接続させるこ
とが可能となる。
ール２０は直方体をなし、三次元電子部品用モジュール
１を構成する各基板４内が、銀‐パラジウム配線２によ
って配線され、各基板４に形成され、銀ペースト２ａが
充填されたスルーホール３によって、複数の基板４の銀
‐パラジウム配線２が接続されており、さらに、六面体
の２つの側面に形成された外部電極８にＦＢＧＡ２２お
よび半導体ベアチップ２３が接続され、頂面に形成され
た外部電極６に半導体部品２４を実装した小型基板２５
が接続され、底面に形成された外部電極７にはプリント
配線基板２１が接続されているから、実装密度を大幅に
向上させることが可能になり、他方、熱を発するＦＢＧ
Ａ２２、半導体ベアチップ２３、小型基板２５および半
導体部品が実装されたプリント配線基板２１は、互いに
９０度を隔てて配置されているから、発熱による相互の
熱干渉を抑制することができるとともに、ＦＢＧＡ２
２、半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装した
小型基板２５は、三次元電子部品用モジュール１、１０
の各外面に実装されているから、ＦＢＧＡ２２、半導体
ベアチップ２３、小型基板２５および半導体部品が実装
されたプリント配線基板２１から発せられた熱を、効率
よく、放熱することが可能になる。また、基板に、ガラ
ス・セラミック基板４、４ａ、４ｂを用いているから、
平坦性に優れ、熱膨張係数の低く、半導体ベアチップ、
ＦＢＧＡなどパッケージや半導体部品が実装されたプリ
ント配線基板などを実装しても、応力を緩和することが
可能になる。さらに、本実施態様によれば、コネクタを
介することなく、プリント配線基板２１と接続させるこ
とが可能となる。
【００９３】図５は、本発明の別の好ましい実施態様に
かかる三次元電子部品モジュールの略斜視図である。図
５に示されるように、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュール３０は、直方体をなした三
次元電子部品用モジュール１０の底面に形成された外部
電極１６にプリント配線基板３１が接続され、頂面に形
成された外部電極１５および側面に形成された外部電極
１７に、それぞれ、ＦＢＧＡ３２が接続されて、構成さ
れている。
かかる三次元電子部品モジュールの略斜視図である。図
５に示されるように、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュール３０は、直方体をなした三
次元電子部品用モジュール１０の底面に形成された外部
電極１６にプリント配線基板３１が接続され、頂面に形
成された外部電極１５および側面に形成された外部電極
１７に、それぞれ、ＦＢＧＡ３２が接続されて、構成さ
れている。
【００９４】本実施態様にかかる三次元電子部品モジュ
ール３０は直方体をなし、三次元電子部品用モジュール
１０を構成する各基板１３内が、銅配線１１によって配
線され、各基板１３に形成され、銅めっきが施されたス
ルーホール１２によって、複数の基板１３の銅配線１１
が接続されており、さらに、六面体の頂面に形成された
外部電極１５および側面に形成された外部電極１７には
ＦＢＧＡ３２が接続され、底面に形成された外部電極１
６にはプリント配線基板３１が接続されているから、実
装密度を大幅に向上させることが可能になり、他方、熱
を発する５つのＦＢＧＡ３２および半導体部品が実装さ
れたプリント配線基板３１は互いに９０度を隔てて配置
されているから、発熱による相互の熱干渉を抑制するこ
とができるとともに、ＦＢＧＡ３２およびプリント配線
基板３１は、三次元電子部品用モジュール１、１０の各
外面に実装されているから、ＦＢＧＡ３２および半導体
部品が実装されたプリント配線基板３１から発せられた
熱を、効率よく、放熱することが可能になる。また、基
板として、ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３
ｂを用いているため、低コストで、三次元電子部品用モ
ジュール１０を得ることができる。さらに、本実施態様
によれば、コネクタを介することなく、プリント配線基
板２１と接続させることが可能となる。
ール３０は直方体をなし、三次元電子部品用モジュール
１０を構成する各基板１３内が、銅配線１１によって配
線され、各基板１３に形成され、銅めっきが施されたス
ルーホール１２によって、複数の基板１３の銅配線１１
が接続されており、さらに、六面体の頂面に形成された
外部電極１５および側面に形成された外部電極１７には
ＦＢＧＡ３２が接続され、底面に形成された外部電極１
６にはプリント配線基板３１が接続されているから、実
装密度を大幅に向上させることが可能になり、他方、熱
を発する５つのＦＢＧＡ３２および半導体部品が実装さ
れたプリント配線基板３１は互いに９０度を隔てて配置
されているから、発熱による相互の熱干渉を抑制するこ
とができるとともに、ＦＢＧＡ３２およびプリント配線
基板３１は、三次元電子部品用モジュール１、１０の各
外面に実装されているから、ＦＢＧＡ３２および半導体
部品が実装されたプリント配線基板３１から発せられた
熱を、効率よく、放熱することが可能になる。また、基
板として、ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３
ｂを用いているため、低コストで、三次元電子部品用モ
ジュール１０を得ることができる。さらに、本実施態様
によれば、コネクタを介することなく、プリント配線基
板２１と接続させることが可能となる。
【００９５】図６は、本発明の実施態様にかかる三次元
電子部品モジュールを用いた電子部品の一例を示す略斜
視図である。
電子部品モジュールを用いた電子部品の一例を示す略斜
視図である。
【００９６】図６に示されるように、電子部品は、４つ
の三次元電子部品モジュール４０、４１、４２（１つは
図示せず）を備え、４つの三次元電子部品モジュール４
０、４１、４２の頂面に形成された外部電極（図示せ
ず）および低部に形成された外部電極（図示せず）に
は、それぞれ、プリント配線基板４３、４４が接続され
ている。三次元電子部品モジュール４０は４つの側面に
ＦＢＧＡ４５を備え、三次元電子部品モジュール４１、
４２には、それぞれ、１つの側面にのみ、ＦＢＧＡ４５
を備えている。
の三次元電子部品モジュール４０、４１、４２（１つは
図示せず）を備え、４つの三次元電子部品モジュール４
０、４１、４２の頂面に形成された外部電極（図示せ
ず）および低部に形成された外部電極（図示せず）に
は、それぞれ、プリント配線基板４３、４４が接続され
ている。三次元電子部品モジュール４０は４つの側面に
ＦＢＧＡ４５を備え、三次元電子部品モジュール４１、
４２には、それぞれ、１つの側面にのみ、ＦＢＧＡ４５
を備えている。
【００９７】図６に示された電子部品のように、本発明
によれば、三次元電子部品モジュール４０、４１、４２
に実装された半導体部品からの発熱量が多くて、自然冷
却によっては、十分に放熱させることができない場合に
おいても、プリント配線基板４３、４４の間に、４つの
三次元電子部品モジュール４０、４１、４２が、間隔を
おいて、存在するため、ファン（図示せず）を用いて、
冷却エアを、プリント配線基板４３、４４の間に強制的
に供給して、三次元電子部品モジュール４０、４１、４
２に実装された半導体部品および半導体部品が実装され
たプリント配線基板４３、４４を所望のように冷却する
ことが可能となる。
によれば、三次元電子部品モジュール４０、４１、４２
に実装された半導体部品からの発熱量が多くて、自然冷
却によっては、十分に放熱させることができない場合に
おいても、プリント配線基板４３、４４の間に、４つの
三次元電子部品モジュール４０、４１、４２が、間隔を
おいて、存在するため、ファン（図示せず）を用いて、
冷却エアを、プリント配線基板４３、４４の間に強制的
に供給して、三次元電子部品モジュール４０、４１、４
２に実装された半導体部品および半導体部品が実装され
たプリント配線基板４３、４４を所望のように冷却する
ことが可能となる。
【００９８】図７は、本発明の実施態様にかかる三次元
電子部品モジュールを用いた電子部品の他の例を示す略
斜視図である。
電子部品モジュールを用いた電子部品の他の例を示す略
斜視図である。
【００９９】図７に示されるように、電子部品は、それ
ぞれの側面に形成された外部電極８、１７によって互い
に接続された２つの三次元電子部品モジュール５０、５
１を備え、２つの三次元電子部品モジュール５０、５１
の底面に形成された外部電極（図示せず）はプリント配
線基板５２に接続されている。また、三次元電子部品モ
ジュール５０の３つの側面および三次元電子部品モジュ
ール５１の２つの側面に形成された外部電極（図示せ
ず）にはＦＢＧＡ５３が接続され、三次元電子部品モジ
ュール５０、５１の頂面に形成された外部電極（図示せ
ず）には、それぞれ、半導体部品５４を実装した小型基
板５５が接続されている。
ぞれの側面に形成された外部電極８、１７によって互い
に接続された２つの三次元電子部品モジュール５０、５
１を備え、２つの三次元電子部品モジュール５０、５１
の底面に形成された外部電極（図示せず）はプリント配
線基板５２に接続されている。また、三次元電子部品モ
ジュール５０の３つの側面および三次元電子部品モジュ
ール５１の２つの側面に形成された外部電極（図示せ
ず）にはＦＢＧＡ５３が接続され、三次元電子部品モジ
ュール５０、５１の頂面に形成された外部電極（図示せ
ず）には、それぞれ、半導体部品５４を実装した小型基
板５５が接続されている。
【０１００】図７に示された電子部品においては、２つ
の三次元電子部品モジュール５０、５１は側面に形成さ
れた外部電極（図示せず）によって互いに接続されてい
るので、高密度化を図ることができ、その一方で、熱を
発する５つのＦＢＧＡ５３、２つの小型基板５５および
半導体部品（図示せず）が実装されたプリント配線基板
５２は互いに９０度を隔てて配置されているから、発熱
による相互の熱干渉を抑制することができるとともに、
ＦＢＧＡ５３、小型基板５５およびプリント配線基板５
２は、三次元電子部品用モジュール１、１０の各外面に
実装されているから、ＦＢＧＡ３２、小型基板５５およ
び半導体部品が実装されたプリント配線基板３１から発
せられた熱を、効率よく、放熱することが可能になる。
したがって、本発明によれば、冷却効率を損なうことな
く、電子部品の実装密度を向上させることができる。
の三次元電子部品モジュール５０、５１は側面に形成さ
れた外部電極（図示せず）によって互いに接続されてい
るので、高密度化を図ることができ、その一方で、熱を
発する５つのＦＢＧＡ５３、２つの小型基板５５および
半導体部品（図示せず）が実装されたプリント配線基板
５２は互いに９０度を隔てて配置されているから、発熱
による相互の熱干渉を抑制することができるとともに、
ＦＢＧＡ５３、小型基板５５およびプリント配線基板５
２は、三次元電子部品用モジュール１、１０の各外面に
実装されているから、ＦＢＧＡ３２、小型基板５５およ
び半導体部品が実装されたプリント配線基板３１から発
せられた熱を、効率よく、放熱することが可能になる。
したがって、本発明によれば、冷却効率を損なうことな
く、電子部品の実装密度を向上させることができる。
【０１０１】図８は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの使用例を示す略斜視図で
ある。
る三次元電子部品モジュールの使用例を示す略斜視図で
ある。
【０１０２】図８に示されるように、本発明の好ましい
実施態様にかかる三次元電子部品モジュール６０は、そ
の側面に形成された外部電極８、１７の１つにフレキシ
ブル配線板６１が接続されている。このように、本発明
の好ましい実施態様にかかる三次元電子部品モジュール
６０においては、各面に２つ、合計１２の方向に、フレ
キシブル配線板６１を延ばして、外部端子を引き出すこ
とができ、２つの方向にしか、フレキシブル配線板６１
を延ばして、外部端子を引き出すことができない従来の
積層配線基板に比し、配線の自由度を大幅に向上させる
ことも可能になる。
実施態様にかかる三次元電子部品モジュール６０は、そ
の側面に形成された外部電極８、１７の１つにフレキシ
ブル配線板６１が接続されている。このように、本発明
の好ましい実施態様にかかる三次元電子部品モジュール
６０においては、各面に２つ、合計１２の方向に、フレ
キシブル配線板６１を延ばして、外部端子を引き出すこ
とができ、２つの方向にしか、フレキシブル配線板６１
を延ばして、外部端子を引き出すことができない従来の
積層配線基板に比し、配線の自由度を大幅に向上させる
ことも可能になる。
【０１０３】図９は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの検査方法を示す略斜視図
である。図９に示されるように、三次元電子部品モジュ
ール６５においては、底面に形成された外部電極（図示
せず）がプリント配線基板６６に接続され、側面に形成
された外部電極（図示せず）の１つがＦＢＧＡ６７に、
２つが半導体ベアチップ６８に、それぞれ、接続されて
いるが、頂面に形成された外部電極６、１５には電子部
品は接続されていない。
る三次元電子部品モジュールの検査方法を示す略斜視図
である。図９に示されるように、三次元電子部品モジュ
ール６５においては、底面に形成された外部電極（図示
せず）がプリント配線基板６６に接続され、側面に形成
された外部電極（図示せず）の１つがＦＢＧＡ６７に、
２つが半導体ベアチップ６８に、それぞれ、接続されて
いるが、頂面に形成された外部電極６、１５には電子部
品は接続されていない。
【０１０４】電子部品の実装密度が高くなるほど、電気
検査用のプローブを電子部品に接続させるスペースを確
保することが困難となるが、本発明にかかる三次元電子
部品モジュールにおいては、図９に示されるように、三
次元電子部品モジュール６５をプリント配線基板６６に
実装した状態で、頂面に形成された外部電極６、１５
に、テストプローブ６９を接触させることによって、三
次元電子部品モジュール６５だけでなく、プリント配線
基板６６内の周辺回路の動作状態を、バウンダリースキ
ャンなどの方法を用いて、検査することが可能となる。
したがって、本発明にかかる三次元電子部品モジュール
によれば、電子部品の高密度な実装を可能としつつ、電
気検査用の端子を提供することができる。
検査用のプローブを電子部品に接続させるスペースを確
保することが困難となるが、本発明にかかる三次元電子
部品モジュールにおいては、図９に示されるように、三
次元電子部品モジュール６５をプリント配線基板６６に
実装した状態で、頂面に形成された外部電極６、１５
に、テストプローブ６９を接触させることによって、三
次元電子部品モジュール６５だけでなく、プリント配線
基板６６内の周辺回路の動作状態を、バウンダリースキ
ャンなどの方法を用いて、検査することが可能となる。
したがって、本発明にかかる三次元電子部品モジュール
によれば、電子部品の高密度な実装を可能としつつ、電
気検査用の端子を提供することができる。
【０１０５】本発明の好ましい実施態様にかかる三次元
電子部品用モジュール１は、従来のガラス・セラミック
積層基板と同様に、以下のようにして、製造することが
できる。
電子部品用モジュール１は、従来のガラス・セラミック
積層基板と同様に、以下のようにして、製造することが
できる。
【０１０６】まず、アルミナ粉、ガラス粉および有機バ
インダを含んだグリ−ンシートに、パンチングによっ
て、スルーホール３が形成される。次いで、グリ−ンシ
ート上に、銀ペーストを印刷して、銀配線２を形成する
とともに、スルーホール３内に、銀ペースト２ａを充填
する。
インダを含んだグリ−ンシートに、パンチングによっ
て、スルーホール３が形成される。次いで、グリ−ンシ
ート上に、銀ペーストを印刷して、銀配線２を形成する
とともに、スルーホール３内に、銀ペースト２ａを充填
する。
【０１０７】さらに、こうして得られたグリ−ンシート
を重ねて、６０ないし９０℃で、３ないし１５分間、好
ましくは、約７０℃で約１０分間にわたり、５ないし１
０Kg／平方センチメートルの圧力で加圧する。
を重ねて、６０ないし９０℃で、３ないし１５分間、好
ましくは、約７０℃で約１０分間にわたり、５ないし１
０Kg／平方センチメートルの圧力で加圧する。
【０１０８】次いで、焼成炉内に入れて、５５０ないし
６５０℃で、１．５ないし３時間、好ましくは、６００
℃で、約１２０分間にわたり、積層されたグリーンシー
トを焼成して、グリ−ンシートおよび銀ペースト２、２
ａに含まれたバインダを分解させ、その後、８００ない
し８８０℃で、５ないし１５分間、好ましくは、約８５
０℃で約１０分間にわたり、焼成して、グリーンシート
を燒結し、ほぼ直方体のセラミック構造体とする。
６５０℃で、１．５ないし３時間、好ましくは、６００
℃で、約１２０分間にわたり、積層されたグリーンシー
トを焼成して、グリ−ンシートおよび銀ペースト２、２
ａに含まれたバインダを分解させ、その後、８００ない
し８８０℃で、５ないし１５分間、好ましくは、約８５
０℃で約１０分間にわたり、焼成して、グリーンシート
を燒結し、ほぼ直方体のセラミック構造体とする。
【０１０９】さらに、得られたセラミック構造体の側面
を、銀配線２が露出するまで、平坦になるように研磨す
る。次いで、セラミック構造体の一側面上の露出してい
る銀配線２の位置に、銀‐パラジウムペーストをスクリ
ーン印刷して、外部電極８を形成する。
を、銀配線２が露出するまで、平坦になるように研磨す
る。次いで、セラミック構造体の一側面上の露出してい
る銀配線２の位置に、銀‐パラジウムペーストをスクリ
ーン印刷して、外部電極８を形成する。
【０１１０】さらに、８０ないし１５０℃で、１ないし
１５分間、好ましくは、約１２０℃で、約５分間にわた
り、乾燥する。次いで、セラミック構造体の別の面に、
銀‐パラジウムペーストをスクリーン印刷して、外部電
極６、７、８を形成して、上述の条件で、乾燥する。
１５分間、好ましくは、約１２０℃で、約５分間にわた
り、乾燥する。次いで、セラミック構造体の別の面に、
銀‐パラジウムペーストをスクリーン印刷して、外部電
極６、７、８を形成して、上述の条件で、乾燥する。
【０１１１】セラミック構造体の所望の面に、外部電極
６、７、８を形成するまで、銀‐パラジウムペーストの
スクリーン印刷および乾燥工程を繰り返し、最後に、焼
成炉中で、５５０ないし６５０℃で、１．５ないし３時
間、好ましくは、約６００℃で、約２時間にわたり、セ
ラミック構造体を加熱して、バインダを分解させ、８０
０ないし８８０℃で、５なし１５分、好ましくは、８７
５℃で１０分間にわたって、焼成して、図１および図２
に示された三次元電子部品用モジュール１を得る。
６、７、８を形成するまで、銀‐パラジウムペーストの
スクリーン印刷および乾燥工程を繰り返し、最後に、焼
成炉中で、５５０ないし６５０℃で、１．５ないし３時
間、好ましくは、約６００℃で、約２時間にわたり、セ
ラミック構造体を加熱して、バインダを分解させ、８０
０ないし８８０℃で、５なし１５分、好ましくは、８７
５℃で１０分間にわたって、焼成して、図１および図２
に示された三次元電子部品用モジュール１を得る。
【０１１２】こうして得られた三次元電子部品用モジュ
ール１を用いることによって、以下のようにして、図４
に示された三次元電子部品モジュール２０を製造するこ
とができる。
ール１を用いることによって、以下のようにして、図４
に示された三次元電子部品モジュール２０を製造するこ
とができる。
【０１１３】まず、半導体部品であるＦＢＧＡ２２が実
装される三次元電子部品用モジュール１の面に、共晶ク
リームはんだをスクリーン印刷する。
装される三次元電子部品用モジュール１の面に、共晶ク
リームはんだをスクリーン印刷する。
【０１１４】次いで、ＦＢＧＡ２２をマウントして、リ
フロー炉内に入れ、リフローピーク温度２００〜２５０
℃で、３０ないし９０秒間、好ましくは、リフローピー
ク温度２１０〜２３０℃で、３０ないし６０秒間にわた
って、加熱して、共晶クリームはんだ７０を溶融し、Ｆ
ＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール１の外部電極
８とを共晶クリームはんだによって接続する。
フロー炉内に入れ、リフローピーク温度２００〜２５０
℃で、３０ないし９０秒間、好ましくは、リフローピー
ク温度２１０〜２３０℃で、３０ないし６０秒間にわた
って、加熱して、共晶クリームはんだ７０を溶融し、Ｆ
ＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール１の外部電極
８とを共晶クリームはんだによって接続する。
【０１１５】その後、ＦＢＧＡ２２の固定とはんだ接続
の信頼性を保証するため、シリカフィラーを含むエポキ
シ封止樹脂を、ＦＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュ
ール１の外部電極８との間に充填して、硬化炉中で、１
３０ないし１８０℃で、１ないし４時間、好ましくは、
約１５０℃で約２時間にわたり、加熱して、エポキシ封
止樹脂を硬化させ、ＦＢＧＡ２２を三次元電子部品用モ
ジュール１の外部電極８に固定する。
の信頼性を保証するため、シリカフィラーを含むエポキ
シ封止樹脂を、ＦＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュ
ール１の外部電極８との間に充填して、硬化炉中で、１
３０ないし１８０℃で、１ないし４時間、好ましくは、
約１５０℃で約２時間にわたり、加熱して、エポキシ封
止樹脂を硬化させ、ＦＢＧＡ２２を三次元電子部品用モ
ジュール１の外部電極８に固定する。
【０１１６】ここに、シリカフィラーを含むエポキシ封
止樹脂が用いられているのは、エポキシ封止樹脂にシリ
カフィラーを充填させることによって、エポキシ封止樹
脂の耐湿性を向上させるとともに、エポキシ封止樹脂の
硬度を所望のように調整するためである。
止樹脂が用いられているのは、エポキシ封止樹脂にシリ
カフィラーを充填させることによって、エポキシ封止樹
脂の耐湿性を向上させるとともに、エポキシ封止樹脂の
硬度を所望のように調整するためである。
【０１１７】次いで、全く同様にして、半導体部品であ
る半導体ベアチップ２３が実装される三次元電子部品用
モジュール１の面に、共晶クリームはんだ７０をスクリ
ーン印刷し、共晶クリームはんだを加熱溶融して、半導
体ベアチップ２３と三次元電子部品用モジュール１の外
部電極８とを共晶クリームはんだによって接続し、シリ
カフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、半導体ベアチッ
プ２３と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８と
の間に充填して、加熱によって、エポキシ封止樹脂を硬
化させ、半導体ベアチップ２３を三次元電子部品用モジ
ュール１の外部電極８に固定する。
る半導体ベアチップ２３が実装される三次元電子部品用
モジュール１の面に、共晶クリームはんだ７０をスクリ
ーン印刷し、共晶クリームはんだを加熱溶融して、半導
体ベアチップ２３と三次元電子部品用モジュール１の外
部電極８とを共晶クリームはんだによって接続し、シリ
カフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、半導体ベアチッ
プ２３と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８と
の間に充填して、加熱によって、エポキシ封止樹脂を硬
化させ、半導体ベアチップ２３を三次元電子部品用モジ
ュール１の外部電極８に固定する。
【０１１８】さらに、全く同様にして、半導体部品２４
を実装した小型基板２５が実装される三次元電子部品用
モジュール１の面に、共晶クリームはんだをスクリーン
印刷し、共晶クリームはんだを加熱溶融して、小型基板
２５と三次元電子部品用モジュール１の外部電極６とを
共晶クリームはんだによって接続し、シリカフィラーを
含むエポキシ封止樹脂を、小型基板２５と三次元電子部
品用モジュール１の外部電極６との間に充填して、加熱
によって、エポキシ封止樹脂を硬化させ、小型基板２５
を三次元電子部品用モジュール１の外部電極８に固定す
る。
を実装した小型基板２５が実装される三次元電子部品用
モジュール１の面に、共晶クリームはんだをスクリーン
印刷し、共晶クリームはんだを加熱溶融して、小型基板
２５と三次元電子部品用モジュール１の外部電極６とを
共晶クリームはんだによって接続し、シリカフィラーを
含むエポキシ封止樹脂を、小型基板２５と三次元電子部
品用モジュール１の外部電極６との間に充填して、加熱
によって、エポキシ封止樹脂を硬化させ、小型基板２５
を三次元電子部品用モジュール１の外部電極８に固定す
る。
【０１１９】その後、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチップ
２３および小型基板２５が固定された三次元電子部品用
モジュール１を焼成炉に入れて、５５０ないし６５０℃
で、１．５時間ないし３時間、好ましくは、約６００℃
で２時間にわたり、加熱し、バインダを分解させた後、
８００ないし８８０℃で、５ないし１５分、好ましく
は、８７５℃で１０分間にわたり、焼成する。
２３および小型基板２５が固定された三次元電子部品用
モジュール１を焼成炉に入れて、５５０ないし６５０℃
で、１．５時間ないし３時間、好ましくは、約６００℃
で２時間にわたり、加熱し、バインダを分解させた後、
８００ないし８８０℃で、５ないし１５分、好ましく
は、８７５℃で１０分間にわたり、焼成する。
【０１２０】こうして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチッ
プ２３および半導体部品２４を実装した小型基板２５が
実装された三次元電子部品モジュール２０が製造され
る。
プ２３および半導体部品２４を実装した小型基板２５が
実装された三次元電子部品モジュール２０が製造され
る。
【０１２１】また、図１および図２に示された三次元電
子部品用モジュール１を用いて、以下のようにして、図
４に示された三次元電子部品モジュール２０を製造する
こともできる。
子部品用モジュール１を用いて、以下のようにして、図
４に示された三次元電子部品モジュール２０を製造する
こともできる。
【０１２２】まず、三次元電子部品用モジュール１の外
部電極８に対応する位置に、フラックスを、スクリーン
印刷法によって、印刷する。
部電極８に対応する位置に、フラックスを、スクリーン
印刷法によって、印刷する。
【０１２３】次いで、ホール転写機を用いて、外部電極
８に対応する位置に、共晶組成の錫‐鉛はんだボールを
転写する。その結果、外部電極８に対応する位置に、あ
らかじめ印刷されたフラックスに、はんだボールが接着
して、はんだボールが転写される。はんだボールとして
は、外部電極８のピッチにしたがって、適正なボール径
のものが選ばれる。たとえば、外部電極８のピッチが
０．５ｍｍの場合には、ボール径が０．０５ないし０．
３５ｍｍφのはんだボールを転写することが望ましい。
０．０５ｍｍ以下のはんだボールは製造が難しく、０．
３５ｍｍ以上のはんだボールを転写した場合は転写した
はんだボール同士にブリッジが発生しやすく、好ましく
ない。
８に対応する位置に、共晶組成の錫‐鉛はんだボールを
転写する。その結果、外部電極８に対応する位置に、あ
らかじめ印刷されたフラックスに、はんだボールが接着
して、はんだボールが転写される。はんだボールとして
は、外部電極８のピッチにしたがって、適正なボール径
のものが選ばれる。たとえば、外部電極８のピッチが
０．５ｍｍの場合には、ボール径が０．０５ないし０．
３５ｍｍφのはんだボールを転写することが望ましい。
０．０５ｍｍ以下のはんだボールは製造が難しく、０．
３５ｍｍ以上のはんだボールを転写した場合は転写した
はんだボール同士にブリッジが発生しやすく、好ましく
ない。
【０１２４】次いで、ＦＢＧＡ２２を転写したはんだボ
ール上にマウントして、リフロー炉に入れて、リフロー
ピーク温度２００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間、
好ましくは、リフローピーク温度２１０〜２３０℃で、
３０ないし６０秒間にわたって、加熱して、はんだボー
ルを溶融し、ＦＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュー
ル１の外部電極８とをはんだボールによって接続する。
ール上にマウントして、リフロー炉に入れて、リフロー
ピーク温度２００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間、
好ましくは、リフローピーク温度２１０〜２３０℃で、
３０ないし６０秒間にわたって、加熱して、はんだボー
ルを溶融し、ＦＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュー
ル１の外部電極８とをはんだボールによって接続する。
【０１２５】その後、最初に示された実施態様と同様に
して、シリカフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、ＦＢ
ＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
との間に充填して、硬化炉中で、１３０ないし１８０℃
で、１ないし４時間、好ましくは、約１５０℃で約２時
間にわたり、加熱して、エポキシ封止樹脂を硬化させ、
ＦＢＧＡ２２を三次元電子部品用モジュール１の外部電
極８に固定する。
して、シリカフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、ＦＢ
ＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
との間に充填して、硬化炉中で、１３０ないし１８０℃
で、１ないし４時間、好ましくは、約１５０℃で約２時
間にわたり、加熱して、エポキシ封止樹脂を硬化させ、
ＦＢＧＡ２２を三次元電子部品用モジュール１の外部電
極８に固定する。
【０１２６】さらに、同様にして、半導体部品である半
導体ベアチップ２３が実装される三次元電子部品用モジ
ュール１の外部電極８に対応する位置に、フラックスを
印刷し、フラックスに、はんだボールを接着させ、はん
だボールを転写させた後、半導体ベアチップ２３を転写
したはんだボールの面にマウントして、リフロー炉に入
れて、加熱して、はんだボールを溶融し、半導体ベアチ
ップ２３と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
とをはんだボールによって接続する。さらに、最初に示
された実施態様と同様にして、シリカフィラーを含むエ
ポキシ封止樹脂を、半導体ベアチップ２３と三次元電子
部品用モジュール１の外部電極８との間に充填して、硬
化炉中で、１３０ないし１８０℃で、１ないし４時間、
好ましくは、約１５０℃で約２時間にわたって、加熱し
て、エポキシ封止樹脂を硬化させ、半導体ベアチップ２
３を三次元電子部品用モジュール１の外部電極８に固定
する。
導体ベアチップ２３が実装される三次元電子部品用モジ
ュール１の外部電極８に対応する位置に、フラックスを
印刷し、フラックスに、はんだボールを接着させ、はん
だボールを転写させた後、半導体ベアチップ２３を転写
したはんだボールの面にマウントして、リフロー炉に入
れて、加熱して、はんだボールを溶融し、半導体ベアチ
ップ２３と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
とをはんだボールによって接続する。さらに、最初に示
された実施態様と同様にして、シリカフィラーを含むエ
ポキシ封止樹脂を、半導体ベアチップ２３と三次元電子
部品用モジュール１の外部電極８との間に充填して、硬
化炉中で、１３０ないし１８０℃で、１ないし４時間、
好ましくは、約１５０℃で約２時間にわたって、加熱し
て、エポキシ封止樹脂を硬化させ、半導体ベアチップ２
３を三次元電子部品用モジュール１の外部電極８に固定
する。
【０１２７】さらに、ＦＢＧＡ２２および半導体ベアチ
ップ２３を三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
に固定したのと全く同様にして、半導体部品２４を実装
した小型基板２５を、三次元電子部品用モジュール１の
他の面に形成された外部電極８に固定する。
ップ２３を三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
に固定したのと全く同様にして、半導体部品２４を実装
した小型基板２５を、三次元電子部品用モジュール１の
他の面に形成された外部電極８に固定する。
【０１２８】その後、最初に示された実施態様と全く同
様にして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチップ２３および
小型基板２５が固定された三次元電子部品用モジュール
１を焼成炉に入れて、５５０ないし６５０℃で、１．５
時間ないし３時間、好ましくは、約６００℃で２時間に
わたり、加熱し、バインダを分解させた後、８００ない
し８８０℃で、５ないし１５分、好ましくは、８７５℃
で１０分間にわたり、焼成する。
様にして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチップ２３および
小型基板２５が固定された三次元電子部品用モジュール
１を焼成炉に入れて、５５０ないし６５０℃で、１．５
時間ないし３時間、好ましくは、約６００℃で２時間に
わたり、加熱し、バインダを分解させた後、８００ない
し８８０℃で、５ないし１５分、好ましくは、８７５℃
で１０分間にわたり、焼成する。
【０１２９】こうして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチッ
プ２３および半導体部品２４を実装した小型基板２５が
実装された三次元電子部品モジュール２０が製造され
る。
プ２３および半導体部品２４を実装した小型基板２５が
実装された三次元電子部品モジュール２０が製造され
る。
【０１３０】さらに、図１および図２に示された三次元
電子部品用モジュール１を用いて、以下のようにして、
図４に示された三次元電子部品モジュール２０を製造す
ることもできる。
電子部品用モジュール１を用いて、以下のようにして、
図４に示された三次元電子部品モジュール２０を製造す
ることもできる。
【０１３１】まず、ＦＢＧＡ２２の三次元電子部品用モ
ジュール１の外部電極８に対応する位置に、フラックス
をスクリーン印刷法によって印刷する。次いで、ＦＢＧ
Ａ２２を外部電極の位置に合致するように、三次元電子
部品用モジュール１の外部電極８上にマウントし、ＦＢ
ＧＡ２２に形成されたはんだボールをフラックスに接着
させる。
ジュール１の外部電極８に対応する位置に、フラックス
をスクリーン印刷法によって印刷する。次いで、ＦＢＧ
Ａ２２を外部電極の位置に合致するように、三次元電子
部品用モジュール１の外部電極８上にマウントし、ＦＢ
ＧＡ２２に形成されたはんだボールをフラックスに接着
させる。
【０１３２】その後、最初に示された実施態様と全く同
様にして、ＦＢＧＡ２２がマウントされた三次元電子部
品用モジュール１を、リフロー炉内に入れ、リフローピ
ーク温度２００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間、好
ましくは、リフローピーク温度２１０〜２３０℃で、３
０ないし６０秒間にわたって、加熱して、はんだボール
を溶融し、ＦＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール
１の外部電極８とをはんだボールによって接続する。
様にして、ＦＢＧＡ２２がマウントされた三次元電子部
品用モジュール１を、リフロー炉内に入れ、リフローピ
ーク温度２００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間、好
ましくは、リフローピーク温度２１０〜２３０℃で、３
０ないし６０秒間にわたって、加熱して、はんだボール
を溶融し、ＦＢＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール
１の外部電極８とをはんだボールによって接続する。
【０１３３】次いで、最初に示された実施態様と同様に
して、シリカフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、ＦＢ
ＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
との間に充填して、硬化炉中で、１３０ないし１８０℃
で、１ないし４時間、好ましくは、約１５０℃で約２時
間にわたり、加熱して、エポキシ封止樹脂を硬化させ、
ＦＢＧＡ２２を三次元電子部品用モジュール１の外部電
極８に固定する。
して、シリカフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、ＦＢ
ＧＡ２２と三次元電子部品用モジュール１の外部電極８
との間に充填して、硬化炉中で、１３０ないし１８０℃
で、１ないし４時間、好ましくは、約１５０℃で約２時
間にわたり、加熱して、エポキシ封止樹脂を硬化させ、
ＦＢＧＡ２２を三次元電子部品用モジュール１の外部電
極８に固定する。
【０１３４】半導体ベアチップ２３を取り付ける場合に
は、はんだボールを備えていないので、半導体ベアチッ
プ２３を取り付けるべき三次元電子部品用モジュール１
の外部電極８に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷法によって印刷し、さらに、半導体ベアチップ２
３のフラックスに対応する位置に、はんだボールを転写
する。その後、半導体ベアチップ２３を三次元電子部品
用モジュール１の外部電極８に対応する位置にマウント
して、リフロー炉に入れて、加熱して、はんだボールを
溶融し、半導体ベアチップ２３と三次元電子部品用モジ
ュール１の外部電極８とをはんだボールによって接続す
る。
は、はんだボールを備えていないので、半導体ベアチッ
プ２３を取り付けるべき三次元電子部品用モジュール１
の外部電極８に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷法によって印刷し、さらに、半導体ベアチップ２
３のフラックスに対応する位置に、はんだボールを転写
する。その後、半導体ベアチップ２３を三次元電子部品
用モジュール１の外部電極８に対応する位置にマウント
して、リフロー炉に入れて、加熱して、はんだボールを
溶融し、半導体ベアチップ２３と三次元電子部品用モジ
ュール１の外部電極８とをはんだボールによって接続す
る。
【０１３５】半導体ベアチップ２３の場合と同様にし
て、半導体部品２４を実装した小型基板２５を、三次元
電子部品用モジュール１の他の面に形成された外部電極
８に固定する。
て、半導体部品２４を実装した小型基板２５を、三次元
電子部品用モジュール１の他の面に形成された外部電極
８に固定する。
【０１３６】その後、最初に示された実施態様と全く同
様にして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチップ２３および
小型基板２５が固定された三次元電子部品用モジュール
１を焼成炉に入れて、５５０ないし６５０℃で、１．５
時間ないし３時間、好ましくは、約６００℃で２時間に
わたり、加熱し、バインダを分解させた後、８００ない
し８８０℃で、５ないし１５分、好ましくは、８７５℃
で１０分間にわたり、焼成する。
様にして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチップ２３および
小型基板２５が固定された三次元電子部品用モジュール
１を焼成炉に入れて、５５０ないし６５０℃で、１．５
時間ないし３時間、好ましくは、約６００℃で２時間に
わたり、加熱し、バインダを分解させた後、８００ない
し８８０℃で、５ないし１５分、好ましくは、８７５℃
で１０分間にわたり、焼成する。
【０１３７】こうして、ＦＢＧＡ２２、半導体ベアチッ
プ２３および半導体部品２４を実装した小型基板２５が
実装された三次元電子部品モジュール２０が製造され
る。
プ２３および半導体部品２４を実装した小型基板２５が
実装された三次元電子部品モジュール２０が製造され
る。
【０１３８】本発明の別の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品用モジュール１０は、従来の有機積層基板
と同様に、以下のようにして、製造することができる。
次元電子部品用モジュール１０は、従来の有機積層基板
と同様に、以下のようにして、製造することができる。
【０１３９】まず、ガラス基材エポキシ基板１３、１３
ａ、１３ｂに、スルーホール１２を形成し、スルーホー
ル１２の内面に、銅めっき１２ａを施す。さらに、ガラ
ス基材エポキシ基板１３の両面に、銅配線１１をめっき
によって形成する。
ａ、１３ｂに、スルーホール１２を形成し、スルーホー
ル１２の内面に、銅めっき１２ａを施す。さらに、ガラ
ス基材エポキシ基板１３の両面に、銅配線１１をめっき
によって形成する。
【０１４０】次いで、ガラス基材エポキシ基板１３ａ、
１３ｂの一方の面に、銅配線１１をめっきによって形成
し、他方の面に、銅をめっきして、外部電極１５、１６
を形成する。
１３ｂの一方の面に、銅配線１１をめっきによって形成
し、他方の面に、銅をめっきして、外部電極１５、１６
を形成する。
【０１４１】さらに、複数のガラス基材エポキシ基板１
３と、ガラス基材エポキシ基板１３ａ、１３ｂとを、ガ
ラス基材エポキシ基板１３ａが最も上に、ガラス基材エ
ポキシ基板１３ｂが最も下に、複数のガラス基材エポキ
シ基板１３がその間に位置し、ガラス基材エポキシ基板
１３ｂに形成された外部電極１６が下向きに、かつ、ガ
ラス基材エポキシ基板１３ａに形成された外部電極１５
が上向きになるように、プリプレグ樹脂１４を挟んで、
積層し、加熱状態で、加圧して、ほぼ直方体状の積層基
板を形成する。
３と、ガラス基材エポキシ基板１３ａ、１３ｂとを、ガ
ラス基材エポキシ基板１３ａが最も上に、ガラス基材エ
ポキシ基板１３ｂが最も下に、複数のガラス基材エポキ
シ基板１３がその間に位置し、ガラス基材エポキシ基板
１３ｂに形成された外部電極１６が下向きに、かつ、ガ
ラス基材エポキシ基板１３ａに形成された外部電極１５
が上向きになるように、プリプレグ樹脂１４を挟んで、
積層し、加熱状態で、加圧して、ほぼ直方体状の積層基
板を形成する。
【０１４２】次いで、積層基板の側面を、バイアホール
１２が露出し、バイアホール１２が半円柱状になるま
で、研磨する。複数のガラス基材エポキシ基板１３は、
半円柱状に露出したバイアホール１２を有するガラス基
材エポキシ基板１３と、半円柱状に露出したバイアホー
ル１２を有していないガラス基材エポキシ基板１３とが
１枚おきに積層されている。
１２が露出し、バイアホール１２が半円柱状になるま
で、研磨する。複数のガラス基材エポキシ基板１３は、
半円柱状に露出したバイアホール１２を有するガラス基
材エポキシ基板１３と、半円柱状に露出したバイアホー
ル１２を有していないガラス基材エポキシ基板１３とが
１枚おきに積層されている。
【０１４３】最後に、図３に示されるように、半円柱状
のバイアホール１２内に、共晶はんだ１８を充填して、
外部電極１７を形成し、三次元電子部品用モジュール１
０を得る。
のバイアホール１２内に、共晶はんだ１８を充填して、
外部電極１７を形成し、三次元電子部品用モジュール１
０を得る。
【０１４４】ここに、外部電極１７に接続される電子部
品の電極の間隔と、外部電極１７の電極の間隔が合致す
るように、半円柱状に露出したバイアホール１２を有し
ていないガラス基材エポキシ基板１３の厚み、銅配線１
１の厚みおよびプリプレグ樹脂１４の厚みが選択されて
いる。
品の電極の間隔と、外部電極１７の電極の間隔が合致す
るように、半円柱状に露出したバイアホール１２を有し
ていないガラス基材エポキシ基板１３の厚み、銅配線１
１の厚みおよびプリプレグ樹脂１４の厚みが選択されて
いる。
【０１４５】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることがいうまでもない。
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることがいうまでもない。
【０１４６】たとえば、実施態様においては、三次元電
子部品用モジュール１、１０は直方体をなし、したがっ
て、三次元電子部品モジュール２０、３０、４０、４
１、４２、５０、５１、６０、６５も直方体をなしてい
るが、これらが直方体形状をなしていることは必ずしも
必要がなく、ハニカム構造など、少なくとも、３以上の
平坦な外表面が形成された立体構造体であれば、その形
状は、とくに限定されるものではない。
子部品用モジュール１、１０は直方体をなし、したがっ
て、三次元電子部品モジュール２０、３０、４０、４
１、４２、５０、５１、６０、６５も直方体をなしてい
るが、これらが直方体形状をなしていることは必ずしも
必要がなく、ハニカム構造など、少なくとも、３以上の
平坦な外表面が形成された立体構造体であれば、その形
状は、とくに限定されるものではない。
【０１４７】さらに、図４に示された実施態様において
は、三次元電子部品用モジュール１が用いられている
が、三次元電子部品用モジュール１に代えて、三次元電
子部品用モジュール１０を用いてもよい。
は、三次元電子部品用モジュール１が用いられている
が、三次元電子部品用モジュール１に代えて、三次元電
子部品用モジュール１０を用いてもよい。
【０１４８】また、図５に示された実施態様において
は、三次元電子部品用モジュール１０が用いられている
が、三次元電子部品用モジュール１０に代えて、三次元
電子部品用モジュール１を用いてもよい。
は、三次元電子部品用モジュール１０が用いられている
が、三次元電子部品用モジュール１０に代えて、三次元
電子部品用モジュール１を用いてもよい。
【０１４９】さらに、図１および図２に示された実施態
様においては、各ガラス・セラミック基板４の両面およ
び最上ガラス・セラミック基板４ａと最下ガラス・セラ
ミック基板４ｂの内面に、銀配線２がパターニングさ
れ、最上ガラス・セラミック基板４ａの上面、最下ガラ
ス・セラミック基板４ｂの下面および三次元電子部品用
モジュール１の研磨された４つの側面に、銀‐パラジウ
ム配線２によって、外部電極６、７、８、８、８がパタ
ーニングされているが、各ガラス・セラミック基板４の
両面および最上ガラス・セラミック基板４ａと最下ガラ
ス・セラミック基板４ｂの内面に、銀‐パラジウム配線
２をパターニングしてもよく、さらに、銀配線２によっ
て、外部電極６、７、８、８、８をパターニングするこ
とも可能である。
様においては、各ガラス・セラミック基板４の両面およ
び最上ガラス・セラミック基板４ａと最下ガラス・セラ
ミック基板４ｂの内面に、銀配線２がパターニングさ
れ、最上ガラス・セラミック基板４ａの上面、最下ガラ
ス・セラミック基板４ｂの下面および三次元電子部品用
モジュール１の研磨された４つの側面に、銀‐パラジウ
ム配線２によって、外部電極６、７、８、８、８がパタ
ーニングされているが、各ガラス・セラミック基板４の
両面および最上ガラス・セラミック基板４ａと最下ガラ
ス・セラミック基板４ｂの内面に、銀‐パラジウム配線
２をパターニングしてもよく、さらに、銀配線２によっ
て、外部電極６、７、８、８、８をパターニングするこ
とも可能である。
【０１５０】また、図１および図２に示された実施態様
においては、銀配線２および銀‐パラジウム配線２を印
刷によって、パターニングしているが、印刷に代えて、
スパッタリング、めっき、エッチングなどによって、銀
配線２および銀‐パラジウム配線２をパターニングする
こともできる。
においては、銀配線２および銀‐パラジウム配線２を印
刷によって、パターニングしているが、印刷に代えて、
スパッタリング、めっき、エッチングなどによって、銀
配線２および銀‐パラジウム配線２をパターニングする
こともできる。
【０１５１】さらに、図１および図２に示された実施態
様においては、スルーホール３内に、銀ペースト２ａを
充填しているが、銀ペースト２ａに代えて、銀‐パラジ
ウムペーストや金ペーストと充填するようにしてもよ
い。
様においては、スルーホール３内に、銀ペースト２ａを
充填しているが、銀ペースト２ａに代えて、銀‐パラジ
ウムペーストや金ペーストと充填するようにしてもよ
い。
【０１５２】また、前記実施態様においては、三次元電
子部品モジュール２０を製造するにあたって、ＦＢＧＡ
２２，半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装し
た小型基板２５などの半導体部品を、共晶クリームはん
だ、はんだボールを用いて、三次元電子部品用モジュー
ル１の外部電極６、７、８に接続しているが、異方性導
電フィルムを用いて、半導体部品を、三次元電子部品用
モジュール１の外部電極６、７、８に接続することもで
きる。
子部品モジュール２０を製造するにあたって、ＦＢＧＡ
２２，半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装し
た小型基板２５などの半導体部品を、共晶クリームはん
だ、はんだボールを用いて、三次元電子部品用モジュー
ル１の外部電極６、７、８に接続しているが、異方性導
電フィルムを用いて、半導体部品を、三次元電子部品用
モジュール１の外部電極６、７、８に接続することもで
きる。
【０１５３】さらに、図３に示された実施態様において
は、ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂを用
いているが、ガラス基材エポキシ基板に代えて、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板、ガ
ラス基材フッ素基板などの有機基板を用いることもでき
る。
は、ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂを用
いているが、ガラス基材エポキシ基板に代えて、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板、ガ
ラス基材フッ素基板などの有機基板を用いることもでき
る。
【０１５４】また、図３に示された実施態様において
は、スルーホール１２の内面に、銅めっき１２ａを施し
ているが、銅めっき１２ａに加えて、銅めっき１２ａ上
に、金めっきまたは銀めっきを施してもよく、さらに
は、銅めっき１２ａ上に、ニッケルめっきを施し、引き
続いて、金めっきを施すこともできる。
は、スルーホール１２の内面に、銅めっき１２ａを施し
ているが、銅めっき１２ａに加えて、銅めっき１２ａ上
に、金めっきまたは銀めっきを施してもよく、さらに
は、銅めっき１２ａ上に、ニッケルめっきを施し、引き
続いて、金めっきを施すこともできる。
【０１５５】さらに、図３に示された実施態様において
は、ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂ上
に、銅配線１１をめっきによって形成しているが、ガラ
ス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂ上に、銅配線
１１を接着して、形成することもできる。
は、ガラス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂ上
に、銅配線１１をめっきによって形成しているが、ガラ
ス基材エポキシ基板１３、１３ａ、１３ｂ上に、銅配線
１１を接着して、形成することもできる。
【０１５６】また、前記実施態様においては、ＦＢＧＡ
２２，半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装し
た小型基板２５などの半導体部品と三次元電子部品用モ
ジュール１の側面に形成された外部電極８との間に、半
導体部品の固定と接続の信頼性を向上させるために、シ
リカフィラーを含んだエポキシ封止樹脂が充填され、硬
化炉中で、１３０ないし１８０℃で、１ないし４時間、
好ましくは、約１５０℃で約２時間にわたり、加熱し
て、エポキシ封止樹脂を硬化させて、ＦＢＧＡ２２を三
次元電子部品用モジュール１の外部電極８に固定するよ
うに構成されているが、エポキシ封止樹脂を、半導体部
品と三次元電子部品用モジュール１の側面に形成された
外部電極８との間に充填して、硬化させることは必ずし
も必要でない。
２２，半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装し
た小型基板２５などの半導体部品と三次元電子部品用モ
ジュール１の側面に形成された外部電極８との間に、半
導体部品の固定と接続の信頼性を向上させるために、シ
リカフィラーを含んだエポキシ封止樹脂が充填され、硬
化炉中で、１３０ないし１８０℃で、１ないし４時間、
好ましくは、約１５０℃で約２時間にわたり、加熱し
て、エポキシ封止樹脂を硬化させて、ＦＢＧＡ２２を三
次元電子部品用モジュール１の外部電極８に固定するよ
うに構成されているが、エポキシ封止樹脂を、半導体部
品と三次元電子部品用モジュール１の側面に形成された
外部電極８との間に充填して、硬化させることは必ずし
も必要でない。
【０１５７】さらに、前記実施態様においては、ＦＢＧ
Ａ２２，半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装
した小型基板２５などの半導体部品と三次元電子部品用
モジュール１の側面に形成された外部電極８との間に、
シリカフィラーを含んだエポキシ封止樹脂を充填してい
るが、エポキシ封止樹脂が、シリカフィラーを含んでい
ることは必ずしも必要がなく、シリカに代えて、熱伝導
性にすぐれた窒化アルミニウムを充填材として含んでい
てもよく、さらには、エポキシ封止樹脂の耐湿性を向上
させ、硬度を調整する必要がないときは、エポキシ封止
樹脂がフィラーを含んでいることも必ずしも必要でな
い。
Ａ２２，半導体ベアチップ２３、半導体部品２４を実装
した小型基板２５などの半導体部品と三次元電子部品用
モジュール１の側面に形成された外部電極８との間に、
シリカフィラーを含んだエポキシ封止樹脂を充填してい
るが、エポキシ封止樹脂が、シリカフィラーを含んでい
ることは必ずしも必要がなく、シリカに代えて、熱伝導
性にすぐれた窒化アルミニウムを充填材として含んでい
てもよく、さらには、エポキシ封止樹脂の耐湿性を向上
させ、硬度を調整する必要がないときは、エポキシ封止
樹脂がフィラーを含んでいることも必ずしも必要でな
い。
【０１５８】また、三次元電子部品用モジュール１を製
造する第三の実施態様においては、ＦＢＧＡに形成され
ているはんだボールを利用して、ＦＢＧＡを三次元電子
部品用モジュール１の側面に形成された外部電極８に接
続しているが、三次元電子部品用モジュール１の側面の
フラックスに対応する位置に、はんだボールを転写し
て、ＦＢＧＡを三次元電子部品用モジュール１の側面に
形成された外部電極８に接続するようにしてもよい。
造する第三の実施態様においては、ＦＢＧＡに形成され
ているはんだボールを利用して、ＦＢＧＡを三次元電子
部品用モジュール１の側面に形成された外部電極８に接
続しているが、三次元電子部品用モジュール１の側面の
フラックスに対応する位置に、はんだボールを転写し
て、ＦＢＧＡを三次元電子部品用モジュール１の側面に
形成された外部電極８に接続するようにしてもよい。
【０１５９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体部品の冷却効率
を損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
を提供することが可能になる。
を損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
を提供することが可能になる。
【０１６０】また、本発明によれば、配線の自由度を大
幅に向上させることのできる三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
を提供することが可能になる。
幅に向上させることのできる三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
を提供することが可能になる。
【０１６１】さらに、本発明によれば、電子部品の実装
密度が高くなるほど、電気検査用のプローブを電子部品
に接続させるスペースを確保することが困難となるにも
かかわらず、電子部品の高密度な実装を可能としつつ、
電気検査用の端子を提供することのできる三次元電子部
品モジュールおよびその製造方法を提供することが可能
になる。
密度が高くなるほど、電気検査用のプローブを電子部品
に接続させるスペースを確保することが困難となるにも
かかわらず、電子部品の高密度な実装を可能としつつ、
電気検査用の端子を提供することのできる三次元電子部
品モジュールおよびその製造方法を提供することが可能
になる。
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品用モジュールの略分解斜視図である。
次元電子部品用モジュールの略分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品用モジュールの略斜視図である。
次元電子部品用モジュールの略斜視図である。
【図３】図３は、本発明の他の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図である。
る三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図である。
【図４】図４は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品モジュールの略斜視図である。
次元電子部品モジュールの略斜視図である。
【図５】図５は、本発明の別の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの略斜視図である。
る三次元電子部品モジュールの略斜視図である。
【図６】図６は、本発明の実施態様にかかる三次元電子
部品モジュールを用いた電子部品の一例を示す略斜視図
である。
部品モジュールを用いた電子部品の一例を示す略斜視図
である。
【図７】図７は、本発明の実施態様にかかる三次元電子
部品モジュールを用いた電子部品の他の例を示す略斜視
図である。
部品モジュールを用いた電子部品の他の例を示す略斜視
図である。
【図８】図８は、本発明の実施態様にかかる三次元電子
部品モジュールの使用例を示す略斜視図である。
部品モジュールの使用例を示す略斜視図である。
【図９】図９は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品モジュールの検査方法を示す略斜視図であ
る。
次元電子部品モジュールの検査方法を示す略斜視図であ
る。
１ 三次元電子部品用モジュール ２ 銀配線 ３ スルーホール ４ ガラス・セラミック基板 ４ａ 最上ガラス・セラミック基板 ４ｂ 最下ガラス・セラミック基板 ５ 銀‐パラジウム配線 ６、７、８ 外部電極 １０ 三次元電子部品用モジュール １１ 銅配線 １２ スルーホール １３ ガラス基材エポキシ基板 １３ａ 最上ガラス基材エポキシ基板 １３ｂ 最下ガラス基材エポキシ基板 １４ プリプレグ樹脂 １５、１６、１７ 外部電極 １８ 共晶はんだ ２０ 三次元電子部品モジュール ２１ プリント配線基板 ２２ ＦＢＧＡ ２３ 半導体ベアチップ ２４ 半導体部品 ２５ 小型基板 ３０ 三次元電子部品モジュール ３１ プリント配線基板 ３２ ＦＢＧＡ ４０、４１、４２ 三次元電子部品モジュール ４３、４４ プリント配線基板 ４５ ＦＢＧＡ ５０、５１ 三次元電子部品モジュール ５２ プリント配線基板 ５３ ＦＢＧＡ ５４ 半導体部品 ５５ 小型基板 ６０ 三次元電子部品モジュール ６１ フレキシブル配線板 ６５ 三次元電子部品モジュール ６６ プリント配線基板 ６７ ＦＢＧＡ ６８ 半導体ベアチップ ６９ テストプローブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｔ ５Ｅ３４６ 3/34 ５０７ 3/34 ５０７Ｃ 3/46 3/46 Ｌ Ｎ // Ｈ０５Ｋ 3/40 3/40 Ｋ Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 AA07 AA13 BB01 BB21 BB31 BB33 BB35 BB47 BB49 CC01 CC05 CC12 CC22 DD04 DD05 DD06 DD10 DD20 EE01 GG04 GG07 GG11 5E317 AA04 AA22 AA24 BB02 BB03 BB04 BB12 BB13 BB14 BB18 CC22 CC25 CC31 CC52 CD21 CD27 CD32 CD34 GG11 GG14 5E319 AA03 AC01 BB05 CC33 GG01 5E336 AA04 AA09 AA14 BB01 BB16 BB18 BC15 BC31 BC34 BC36 CC31 CC43 CC58 DD01 EE01 GG03 GG30 5E344 AA01 AA08 BB04 CD21 DD01 EE02 EE13 5E346 AA42 AA43 CC04 CC08 CC09 CC16 CC32 CC34 CC37 CC38 CC39 CC40 DD23 EE09 EE29 FF07 FF09 FF18 FF19 GG09 GG17 GG22 GG28 HH07 HH31
Claims (61)
- 【請求項１】 両面に、金属配線がパターニングされ、
前記金属配線を貫通する複数のバイアホールおよび／ま
たはスルーホールが形成された複数の基板が積層され
て、３以上の平坦な外表面が形成された立体構造体をな
し、前記外表面に、前記金属配線と接続された外部電極
が形成されたことを特徴とする三次元電子部品用モジュ
ール。 - 【請求項２】 前記立体構造体が角柱構造をなしている
ことを特徴とする請求項１に記載の三次元電子部品用モ
ジュール。 - 【請求項３】 前記立体構造体が六面体をなしているこ
とを特徴とする請求項２に記載の三次元電子部品用モジ
ュール。 - 【請求項４】 前記立体構造体が直方体をなしているこ
とを特徴とする請求項３に記載の三次元電子部品用モジ
ュール。 - 【請求項５】 前記基板がガラス・セラミック基板によ
り構成されたことを特徴とする請求項１ないし４のいず
れか１項に記載の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項６】 前記金属配線が、銀‐パラジウムおよび
銀よりなる群から選ばれた金属によって形成されたこと
を特徴とする請求項５に記載の三次元電子部品用モジュ
ール。 - 【請求項７】 前記金属配線が、銀によって形成された
ことを特徴とする請求項６に記載の三次元電子部品用モ
ジュール。 - 【請求項８】 前記金属端子が、銀‐パラジウムおよび
銀よりなる群から選ばれた金属によって形成されたこと
を特徴とする請求項５に記載の三次元電子部品用モジュ
ール。 - 【請求項９】 前記金属端子が、銀‐パラジウムによっ
て形成されたことを特徴とする請求項８に記載の三次元
電子部品用モジュール。 - 【請求項１０】 前記バイアホールおよび／またはスル
ーホール内に、銀ペースト、銀‐パラジウムペーストお
よび金ペーストよりなる群から選ばれたペーストが充填
されたことを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１
項に記載の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項１１】 前記バイアホールおよび／またはスル
ーホール内に、銀ペーストが充填されたことを特徴とす
る請求項１０に記載の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項１２】 前記基板が有機基板により構成された
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記
載の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項１３】 前記有機基板が、ガラス基材エポキシ
基板、ガラス基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラ
ス基材ポリイミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエー
テル基板およびガラス基材フッ素基板よりなる群から選
ばれた基板によって構成されたことを特徴とする請求項
１２に記載の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項１４】 前記バイアホールおよび／またはスル
ーホールの内面に金属めっきが施され、前記バイアホー
ルおよび／またはスルーホールの一部が縦に切断され
て、前記外表面に露出し、前記外部電極を形成している
ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の三次元
電子部品用モジュール。 - 【請求項１５】 前記金属めっきが、銅めっきであるこ
とを特徴とする請求項１４に記載の三次元電子部品用モ
ジュール。 - 【請求項１６】 さらに、前記銅めっき上に、金めっ
き、銀めっきならびにニッケルめっきおよび金めっきと
よりなる群から選ばれた金属のめっきが施されたことを
特徴とする請求項１５に記載の三次元電子部品用モジュ
ール。 - 【請求項１７】 前記金属配線が、銅、アルミニウム、
銀、金、白金およびパラジウムから選ばれる金属によっ
て形成されたことを特徴とする請求項１２ないし１６の
いずれか１項に記載の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項１８】 前記金属配線が、銅をめっきすること
によって形成されたことを特徴とする請求項１７に記載
の三次元電子部品用モジュール。 - 【請求項１９】 請求項１ないし１８に記載の三次元電
子部品用モジュールの前記外部電極に、半導体部品が接
続されたことを特徴とする三次元電子部品モジュール。 - 【請求項２０】 前記半導体部品が、はんだによって、
前記外部電極に接続されたことを特徴とする請求項１９
に記載の三次元電子部品モジュール。 - 【請求項２１】 前記半導体部品が、共晶クリームはん
だによって、前記外部電極に接続されたことを特徴とす
る請求項２０に記載の三次元電子部品モジュール。 - 【請求項２２】 前記半導体部品が、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡおよび電子部品が実装された半導体基板よ
りなる群から選ばれた半導体部品によって構成されたこ
とを特徴とする請求項１９または２１に記載の三次元電
子部品モジュール。 - 【請求項２３】 前記３以上の平坦な外表面の少なくと
も一つの外表面に形成された外部電極にプリント配線基
板が接続されたことを特徴とする請求項１９ないし２２
のいずれか１項に記載の三次元電子部品モジュール。 - 【請求項２４】 複数のシートの各々に少なくとも１つ
のスルーホールを形成し、前記複数のシートの両面に金
属のパターンを形成し、さらに、２つのシートの各々に
少なくとも１つのスルーホールを形成し、前記２つのシ
ートの一方の面に両面に金属のパターンを形成し、前記
複数のシートおよび前記２つのシートを、前記２つのシ
ートの一方が最上に位置し、前記金属のパターンが形成
された面が下側を向き、前記２つのシートの他方が最下
に位置し、前記金属のパターンが形成された面が上側を
向くように、積層して、積層シートを形成し、前記２つ
のシートの一方の上面および他方の下面に、前記金属の
パターンと接続されるように、外部電極を形成し、前記
積層シートの少なくとも１つの側面を研磨して、平坦化
させるとともに、前記金属のパターンと接続された複数
の金属端子を露出させ、さらに、前記金属のパターンと
接続されるように、外部電極を形成することを特徴とす
る三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項２５】 前記積層シートの側面を研磨して、平
坦化させるとともに、複数の金属端子を露出させ、角柱
構造の積層シートを形成することを特徴とする請求項２
４に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項２６】 前記積層シートの側面を研磨して、平
坦化させるとともに、複数の金属端子を露出させ、六面
体構造の積層シートを形成することを特徴とする請求項
２５に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項２７】 前記積層シートの側面を研磨して、平
坦化させるとともに、複数の金属端子を露出させ、直方
体構造の積層シートを形成することを特徴とする請求項
２６に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項２８】 前記シートが、アルミナ粉、ガラス粉
および有機バインダを含んだグリーンシートによって構
成されたことを特徴とする請求項２４ないし２７のいず
れか１項に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方
法。 - 【請求項２９】 前記グリーンシートを積層して、加圧
し、さらに、焼成して、ガラス・セラミック化し、前記
積層シートを形成することを特徴とする請求項２８に記
載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項３０】 前記金属のパターンを、銀‐パラジウ
ムおよび銀よりなる群から選ばれた金属を、前記グリー
ンシート上に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエ
ッチングよりなる群から選ばれた手段によって形成する
ことを特徴とする請求項２８または２９に記載の三次元
電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項３１】 前記金属のパターンを、銀‐パラジウ
ムおよび銀よりなる群から選ばれた金属を前記グリーン
シート上に印刷することによって形成することを特徴と
する請求項３０に記載の三次元電子部品用モジュールの
製造方法。 - 【請求項３２】 前記金属のパターンを、銀を前記グリ
ーンシート上に、印刷、スパッタリング、めっきおよび
エッチングよりなる群から選ばれた手段によって形成す
ることを特徴とする請求項３０に記載の三次元電子部品
用モジュールの製造方法。 - 【請求項３３】 前記金属のパターンを、銀を前記グリ
ーンシート上に印刷することによって形成することを特
徴とする請求項３２に記載の三次元電子部品用モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項３４】 前記外部電極を、銀‐パラジウムおよ
び銀よりなる群から選ばれた金属を、前記２つのグリー
ンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前記積
層シートの前記少なくとも１つの研磨された側面上に、
印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよりな
る群から選ばれた手段によって形成することを特徴とす
る請求項２８ないし３３のいずれか１項に記載の三次元
電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項３５】 前記外部電極を、銀‐パラジウムおよ
び銀よりなる群から選ばれた金属を、前記２つのグリー
ンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前記積
層シートの前記少なくとも１つの研磨された側面上に印
刷することによって形成することを特徴とする請求項３
４に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項３６】 前記外部電極を、銀‐パラジウムを、
前記２つのグリーンシートの一方の上面および他方の下
面ならびに前記積層シートの前記少なくとも１つの研磨
された側面上に、印刷、スパッタリング、めっきおよび
エッチングよりなる群から選ばれた手段によって形成す
る請求項３３に記載の三次元電子部品用モジュールの製
造方法。 - 【請求項３７】 前記外部電極を、銀‐パラジウムを、
前記２つのグリーンシートの一方の上面および他方の下
面ならびに前記積層シートの前記少なくとも１つの研磨
された側面上に印刷することによって形成することを特
徴とする請求項３３に記載の三次元電子部品用モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項３８】 前記スルーホール内に、銀ペースト、
銀‐パラジウムおよび金ペーストよりなる群から選ばれ
たペーストを充填することを特徴とする請求項２８ない
し３７のいずれか１項に記載の三次元電子部品用モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項３９】 前記スルーホール内に、銀ペーストを
充填することを特徴とする請求項３８に記載の三次元電
子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項４０】 前記シートが有機基板によって構成さ
れたことを特徴とする請求項２４ないし２７のいずれか
１項に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項４１】 前記有機基板が、ガラス基材エポキシ
基板、ガラス基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラ
ス基材ポリイミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエー
テル基板およびガラス基材フッ素基板よりなる群から選
ばれた基板によって構成されたことを特徴とする請求項
４０に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項４２】 前記有機基板が、プリプレグ樹脂によ
って、接着されて、前記積層シートを形成することを特
徴とする請求項４０または４１に記載の三次元電子部品
用モジュールの製造方法。 - 【請求項４３】 前記スルーホールの内面に金属めっき
を施し、前記積層シートの少なくとも１つの側面を研磨
して、前記スルーホールを縦に切断し、前記スルーホー
ルの内面を前記少なくとも１つの側面上に露出させて、
前記外部電極を形成することを特徴とする請求項４０な
いし４２のいずれか１項に記載の三次元電子部品用モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項４４】 前記少なくとも１つの側面上に露出さ
せた前記スルーホール内を共晶はんだによって充填する
ことを特徴とする請求項４３に記載の三次元電子部品用
モジュールの製造方法。 - 【請求項４５】 前記金属めっきを、銅めっきによって
形成することを特徴とする請求項４３または４４に記載
の三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項４６】 前記銅めっき上に、金めっき、銀めっ
きならびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群
から選ばれた金属のめっきが施すことを特徴とする請求
項４５に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方
法。 - 【請求項４７】 前記金属配線を、銅、アルミニウム、
銀、金、白金およびパラジウムから選ばれる金属により
形成することを特徴とする請求項４０ないし４６のいず
れか１項に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方
法。 - 【請求項４８】 前記金属配線を、銅をめっきすること
によって形成することを特徴とする請求項４７に記載の
三次元電子部品用モジュールの製造方法。 - 【請求項４９】 請求項２４ないし４８に記載された方
法によって製造された前記三次元電子部品用モジュール
の前記外部電極に、半導体部品を接続することを特徴と
する三次元電子部品モジュールの製造方法。 - 【請求項５０】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化された前記積層シートの少なくとも１つ
の側面に、共晶クリームはんだをスクリーン印刷し、半
導体部品をマウントして、リフロー炉内で、前記共晶ク
リームはんだを溶融し、前記半導体部品と前記少なくと
も１つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉
内で、焼成することを特徴とする請求項４９に記載の三
次元電子部品モジュールの製造方法。 - 【請求項５１】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つ
の側面の前記外部電極に対応する位置に、フラックス
を、スクリーン印刷し、前記外部電極に対応する位置
に、はんだボールを転写し、前記半導体部品を転写した
前記はんだボール上にマウントして、リフロー炉内で、
加熱して、前記はんだボールを溶融し、前記半導体部品
と前記少なくとも１つの側面に形成された外部電極とを
接続し、焼成炉内で、焼成することを特徴とする請求項
４９に記載の三次元電子部品モジュールの製造方法。 - 【請求項５２】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つ
の側面の前記外部電極に対応する位置に、フラックスを
スクリーン印刷し、前記半導体部品の前記フラックスに
対応する位置に、はんだボールを転写し、前記半導体部
品を、前記少なくとも１つの側面に形成された前記外部
電極の位置に合致するように、前記外部電極上にマウン
トし、リフロー炉内で、加熱して、前記半導体部品と前
記少なくとも１つの側面に形成された外部電極とを接続
し、焼成炉内で、焼成することを特徴とする請求項４９
に記載の三次元電子部品モジュールの製造方法。 - 【請求項５３】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化さてた前記積層シートの少なくとも１つ
の側面の前記外部電極に対応する位置に、フラックスを
スクリーン印刷し、前記半導体部品が備えているはんだ
ボールを利用して、前記半導体部品を、前記少なくとも
１つの側面に形成された前記外部電極の位置に合致する
ように、前記外部電極上にマウントし、リフロー炉内
で、加熱して、前記半導体部品と前記少なくとも１つの
側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼
成することを特徴とする請求項４９に記載の三次元電子
部品モジュールの製造方法。 - 【請求項５４】 前記リフロー炉中で、リフローピーク
温度２００〜２５０℃で、３０ないし９０秒間にわたっ
て、加熱することを特徴とする請求項５０ないし５３の
いずれか１項に記載の三次元電子部品モジュールの製造
方法。 - 【請求項５５】 前記半導体部品と前記少なくとも１つ
の側面に形成された外部電極とを接続した後、さらに、
エポキシ封止樹脂を、前記半導体部品と前記少なくとも
１つの側面に形成された外部電極との間に充填し、硬化
炉中で、加熱して、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ、
前記半導体部品と前記少なくとも１つの側面に形成され
た前記外部電極とを固定することを特徴とする請求項５
０ないし５４のいずれか１項に記載の三次元電子部品モ
ジュールの製造方法。 - 【請求項５６】 前記エポキシ封止樹脂がフィラーを含
んだことを特徴とする請求項５５に記載の三次元電子部
品モジュールの製造方法。 - 【請求項５７】 前記フィラーがシリカフィラーである
ことを特徴とする請求項５６に記載の三次元電子部品モ
ジュールの製造方法。 - 【請求項５８】 前記硬化炉中で、１３０ないし１８０
℃で、１ないし４時間にわたって、前記エポキシ封止樹
脂を硬化させることを特徴とする請求項５５ないし５７
のいずれか１項に記載の三次元電子部品モジュールの製
造方法。 - 【請求項５９】 前記焼成炉内で、５５０ないし６５０
℃で、１．５時間ないし３時間にわたり、加熱し、さら
に、８００ないし８８０℃で、５ないし１５分にわたっ
て、焼成することを特徴とする請求項５０ないし５８の
いずれか１項に記載の三次元電子部品モジュールの製造
方法。 - 【請求項６０】 前記半導体部品が、半導体ベアチッ
プ、ＦＢＧＡおよび電子部品が実装された半導体基板よ
りなる群から選ばれた半導体部品によって構成されたこ
とを特徴とする請求項４９ないし５９のいずれか１項に
記載の三次元電子部品モジュールの製造方法。 - 【請求項６１】 前記外部電極に、プリント配線基板を
接続することを特徴とする請求項４９ないし６０のいず
れか１項に記載の三次元電子部品モジュールの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25433099A JP2001077290A (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25433099A JP2001077290A (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077290A true JP2001077290A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17263516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25433099A Pending JP2001077290A (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 三次元電子部品用モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077290A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-09-08 JP JP25433099A patent/JP2001077290A/ja active Pending
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