JPH0466096B2 - - Google Patents
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- JPH0466096B2 JPH0466096B2 JP2209885A JP2209885A JPH0466096B2 JP H0466096 B2 JPH0466096 B2 JP H0466096B2 JP 2209885 A JP2209885 A JP 2209885A JP 2209885 A JP2209885 A JP 2209885A JP H0466096 B2 JPH0466096 B2 JP H0466096B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
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Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＸ線マスクを作る方法及びそれから作
られる物品に関する。
られる物品に関する。
従来の技術
Ｘ線マスクを作る一般的な方法は、２つの磨か
れたシリコンウエーハ上に無機層の蒸着をするこ
とを必要とする。このウエーハはエポキシ又は他
の接着剤を用いてパイレツクス受けリングに接着
される。そのシリコンウエーハは次にパイレツク
ス板内の穴を通してエツチングされ、フリースタ
ンデイング（free standing）Ｘ線マスクを残す。
れたシリコンウエーハ上に無機層の蒸着をするこ
とを必要とする。このウエーハはエポキシ又は他
の接着剤を用いてパイレツクス受けリングに接着
される。そのシリコンウエーハは次にパイレツク
ス板内の穴を通してエツチングされ、フリースタ
ンデイング（free standing）Ｘ線マスクを残す。
従来技術の問題点
上記の方法の欠点の１つは、マスクとシリコン
ウエーハとの間隙の制御不可能な変化に起因する
均一な厚さの接着剤層を得ることの難しさであ
る。
ウエーハとの間隙の制御不可能な変化に起因する
均一な厚さの接着剤層を得ることの難しさであ
る。
発明の概要
図示された好適実施例に従つて、本発明はＸ線
マスク構造物の製造において陽極接着を利用す
る。従来技術（接着剤を用いる）のマスク構造物
と異なるのは、このマスクの製造に用いられる方
法は接着剤を不要にし、従つて、マスクの厚さの
好ましくない不均一の変化に起因する変化の１つ
を除去する。この方法により、マスクの平坦性に
おける効果的な改良が得られる。陽極接着それ自
体は新しいものではないが、今までＸ線マスクの
製造に応用されたことはないと信じられる。
マスク構造物の製造において陽極接着を利用す
る。従来技術（接着剤を用いる）のマスク構造物
と異なるのは、このマスクの製造に用いられる方
法は接着剤を不要にし、従つて、マスクの厚さの
好ましくない不均一の変化に起因する変化の１つ
を除去する。この方法により、マスクの平坦性に
おける効果的な改良が得られる。陽極接着それ自
体は新しいものではないが、今までＸ線マスクの
製造に応用されたことはないと信じられる。
好適実施例
第１Ａ図は、本発明の好適実施例の断面図であ
る。本発明の見地に従つて、化学蒸気蒸着
（CDV）によりシリコン基板１００上に窒化ホウ
素の層１１０が蒸着される。シリコン基板の厚さ
は典型的には２から６ミクロンの範囲である。基
板は蒸着の間上方にカール（curl）して基板の下
側を露出するので、蒸着された窒化ホウ素層に引
張応力がかかる状態が選ばれる。典型的には、蒸
着温度範囲は300乃至600℃、圧力範囲は0.1乃至
1.0トル、蒸着時間範囲は30乃至240分である。こ
のカーリングのために、結果として裏面は窒化ホ
ウ素の薄い層１１０′で同時に覆われる。シリコ
ン基板上１００の窒化ホウ素層１１０′の蒸着は、
典型的には薄さの範囲が0.01から0.1ミクロンで
ある。クロム層１２０が例えばスパツタリング又
は蒸着技術によつて窒化ホウ素層１１０上に蒸着
され、次に、アルミニウム層１２１がやはりスパ
ツタリング又は蒸着技術によつてクロム層１２０
上に蒸着される。層１２０に用いることができる
もう１つの物質はチタン合金である。層１２０及
び１２１の厚さの総計は0.1から0.5ミクロンの範
囲である。アルミニウム層１２１は、改良された
陽極接着技術を用いて領域１０５の外へ受け板１
３０に接着されている。受け板１３０は強く、耐
久性があり、大きさの安定した物質で作られる。
ホウ珪酸塩ガラスの１つの例はパイレツクスガラ
ス（パイレツクスはCorning Glass Works社の
登録商標である）であり、その熱膨率はシリコン
の熱膨張率にほぼ等しい。加えて、パイレツクス
は比較的安く様々な形状に形成し安い。
る。本発明の見地に従つて、化学蒸気蒸着
（CDV）によりシリコン基板１００上に窒化ホウ
素の層１１０が蒸着される。シリコン基板の厚さ
は典型的には２から６ミクロンの範囲である。基
板は蒸着の間上方にカール（curl）して基板の下
側を露出するので、蒸着された窒化ホウ素層に引
張応力がかかる状態が選ばれる。典型的には、蒸
着温度範囲は300乃至600℃、圧力範囲は0.1乃至
1.0トル、蒸着時間範囲は30乃至240分である。こ
のカーリングのために、結果として裏面は窒化ホ
ウ素の薄い層１１０′で同時に覆われる。シリコ
ン基板上１００の窒化ホウ素層１１０′の蒸着は、
典型的には薄さの範囲が0.01から0.1ミクロンで
ある。クロム層１２０が例えばスパツタリング又
は蒸着技術によつて窒化ホウ素層１１０上に蒸着
され、次に、アルミニウム層１２１がやはりスパ
ツタリング又は蒸着技術によつてクロム層１２０
上に蒸着される。層１２０に用いることができる
もう１つの物質はチタン合金である。層１２０及
び１２１の厚さの総計は0.1から0.5ミクロンの範
囲である。アルミニウム層１２１は、改良された
陽極接着技術を用いて領域１０５の外へ受け板１
３０に接着されている。受け板１３０は強く、耐
久性があり、大きさの安定した物質で作られる。
ホウ珪酸塩ガラスの１つの例はパイレツクスガラ
ス（パイレツクスはCorning Glass Works社の
登録商標である）であり、その熱膨率はシリコン
の熱膨張率にほぼ等しい。加えて、パイレツクス
は比較的安く様々な形状に形成し安い。
典型的従来技術の陽極接着技術は、米国特許第
3397278号及び第3417459号に開示され、1968年
D.I.Pomerantzに発行されている。陽極接着技術
は更に1983年５月に出版されたJournal of
Applied Physics の第５巻第54号に、Thomas
R.Anthony によつて“Anodic Bonding of
Imperfect Surfaces”の表題のついた論文で説
明されている。ここで用いられる陽極接着は、金
属層１２１のパイレツクス板１３０との直接の接
触があり、つづいて、その２つの間に正しい極性
と大きさの電圧を加え、永久接着を形成するため
にその構造物が加熱される。典型的な接着電圧で
ある750から3000ボルトの範囲の電圧と、200から
500℃の温度が１時間の総処理時間の間供給され
る。この方法は普通の接着技術よりもすぐれてい
る。なぜならばそれはエポキシの厚さの変化を除
くからである。
3397278号及び第3417459号に開示され、1968年
D.I.Pomerantzに発行されている。陽極接着技術
は更に1983年５月に出版されたJournal of
Applied Physics の第５巻第54号に、Thomas
R.Anthony によつて“Anodic Bonding of
Imperfect Surfaces”の表題のついた論文で説
明されている。ここで用いられる陽極接着は、金
属層１２１のパイレツクス板１３０との直接の接
触があり、つづいて、その２つの間に正しい極性
と大きさの電圧を加え、永久接着を形成するため
にその構造物が加熱される。典型的な接着電圧で
ある750から3000ボルトの範囲の電圧と、200から
500℃の温度が１時間の総処理時間の間供給され
る。この方法は普通の接着技術よりもすぐれてい
る。なぜならばそれはエポキシの厚さの変化を除
くからである。
第１Ｂ図に図示されているように、窒化ホウ素
１１０′の層は典型的にはドライエツチング技術
によつてシリコン基板１００から除去され、次に
全てのシリコン基板１００が一般のシリコンエツ
チング技術（例えばHF、HNO3、酢酸）によつ
て除去される。シリコン基板１００上に窒化ホウ
素層が蒸着され、その後、シリコン基板１００が
除去されたときに露出される表面１０７は、シリ
コン基板１００の表面の滑らかさを保ち、きわめ
て滑らかである。クロム層１２０とアルミニウム
層１２１は領域１０５に亘つてメタルエツチさ
れ、パイレツクス板１３０上に窒化ホウ素層が残
されるだけとなる。クロム層１２０とアルミニウ
ム層１２１が領域１０８に亘つて一様に蒸着され
ているので、薄皮の表面の平坦性はただ１つのパ
ラメータによつて完全に調節され、それはパイレ
ツクス板１３０の環状の平坦性である。0.3ミク
ロンの薄膜の平坦さが直径４インチの薄皮に亘つ
て得られる。それ故、本発明に従つた陽極接着
は、Ｘ線マスク受け１０９のためのすばらしい方
法をそのパイレツクス受け板に提供する。
１１０′の層は典型的にはドライエツチング技術
によつてシリコン基板１００から除去され、次に
全てのシリコン基板１００が一般のシリコンエツ
チング技術（例えばHF、HNO3、酢酸）によつ
て除去される。シリコン基板１００上に窒化ホウ
素層が蒸着され、その後、シリコン基板１００が
除去されたときに露出される表面１０７は、シリ
コン基板１００の表面の滑らかさを保ち、きわめ
て滑らかである。クロム層１２０とアルミニウム
層１２１は領域１０５に亘つてメタルエツチさ
れ、パイレツクス板１３０上に窒化ホウ素層が残
されるだけとなる。クロム層１２０とアルミニウ
ム層１２１が領域１０８に亘つて一様に蒸着され
ているので、薄皮の表面の平坦性はただ１つのパ
ラメータによつて完全に調節され、それはパイレ
ツクス板１３０の環状の平坦性である。0.3ミク
ロンの薄膜の平坦さが直径４インチの薄皮に亘つ
て得られる。それ故、本発明に従つた陽極接着
は、Ｘ線マスク受け１０９のためのすばらしい方
法をそのパイレツクス受け板に提供する。
第２Ａ図は、本発明の第２の実施例の断面図で
ある。無機層１１０は窒化ホウ素のCVD層であ
る。層１２０は典型的にはクロムであつて、例え
ばスパツタリング又は蒸着技術によつて窒化ホウ
素の層１１０′の上に蒸着される。金属層１２０
は、次に、一様な伝導性の層を作るためにアルミ
ニウムの層１２１が蒸着される。層１２０と１２
１の代りに単一のアルミニウムの層を用いること
もできるが、金属層１２０とアルミニウム層１２
１の組合せを用いることによつて、より滑らかな
接着表面１２２が得られる。接着面１２２は次に
パイレツクス板１３０に接触され、陽極接触処理
条件が設けられる。典型的には、接着電圧は1000
から3000ボルトの範囲であり、接着温度は200か
ら400℃の範囲であり、処理時間は10分又はそれ
以上である。ニツケル、チタン、シリコン又はそ
れらの化合物といつた他の金属も金属層１２０及
び１２１に用いることができる。
ある。無機層１１０は窒化ホウ素のCVD層であ
る。層１２０は典型的にはクロムであつて、例え
ばスパツタリング又は蒸着技術によつて窒化ホウ
素の層１１０′の上に蒸着される。金属層１２０
は、次に、一様な伝導性の層を作るためにアルミ
ニウムの層１２１が蒸着される。層１２０と１２
１の代りに単一のアルミニウムの層を用いること
もできるが、金属層１２０とアルミニウム層１２
１の組合せを用いることによつて、より滑らかな
接着表面１２２が得られる。接着面１２２は次に
パイレツクス板１３０に接触され、陽極接触処理
条件が設けられる。典型的には、接着電圧は1000
から3000ボルトの範囲であり、接着温度は200か
ら400℃の範囲であり、処理時間は10分又はそれ
以上である。ニツケル、チタン、シリコン又はそ
れらの化合物といつた他の金属も金属層１２０及
び１２１に用いることができる。
第２Ｂ図は金属エツチング（典型的にはHF又
はHNO3）で領域１０５′に亘りクロム層１２０
とアルミニウム層１２１が除去され、露出された
窒化ホウ素１１０′の層は次に、典型的にはリア
クテイブ・イオン・エツチング（reactive ion
etching）技術によつて除去される。領域１０
５′に亘つて露出されたシリコン基板１００は次
に、第１Ｂ図におけるエツチング溶液と同様のも
のを用いてシリコンエツチングにより除去され
る。溥膜の平坦性はここではシリコン基板１００
とパイレツクス１３０の両方によつて決定され
る。
はHNO3）で領域１０５′に亘りクロム層１２０
とアルミニウム層１２１が除去され、露出された
窒化ホウ素１１０′の層は次に、典型的にはリア
クテイブ・イオン・エツチング（reactive ion
etching）技術によつて除去される。領域１０
５′に亘つて露出されたシリコン基板１００は次
に、第１Ｂ図におけるエツチング溶液と同様のも
のを用いてシリコンエツチングにより除去され
る。溥膜の平坦性はここではシリコン基板１００
とパイレツクス１３０の両方によつて決定され
る。
第３Ａ図は、本発明の層を成した構造物の３番
目の断面図である。無機層１１０は低圧力化学蒸
気蒸着技術を用いて、シリコン基板１００上に形
成される。無機層１１０は、典型的には厚さが１
から４ミクロンの範囲の窒化ホウ素である。無機
層１１０に用いることができる他の物質は、炭化
ホウ素、炭化シリコン及び窒化シリコンである。
層１１０′は次に、第１Ａ図の実施例で用いられ
たものと同様の条件で陽極接着技術によつて領域
１０５の外で受け部材１３０に接着される。
目の断面図である。無機層１１０は低圧力化学蒸
気蒸着技術を用いて、シリコン基板１００上に形
成される。無機層１１０は、典型的には厚さが１
から４ミクロンの範囲の窒化ホウ素である。無機
層１１０に用いることができる他の物質は、炭化
ホウ素、炭化シリコン及び窒化シリコンである。
層１１０′は次に、第１Ａ図の実施例で用いられ
たものと同様の条件で陽極接着技術によつて領域
１０５の外で受け部材１３０に接着される。
第３Ｂ図は、無機層１１０を露出するために領
域１０５′に亘つて層１１０′とシリコン構造物１
００が除去されたものを示す。層１１０′はリア
クテイブ・イオンエツチング技術によつて除去さ
れ、次にシリコン基板が酢酸、硝酸及びフツ化水
素酸の混合物によつてエツチングされる。パイレ
ツクスリングの穴（第３Ａ図において領域１０５
として示されている）は、エツチング工程の間、
マスクとして働き、また、形成された薄皮リムが
得られる。もしもエポキシが従来技術におけるよ
うに用いられたなら、リム１０６上を流れるエポ
キシのビードはリム１０６に沿つて突起を作らな
いというよりも、むしろ、より多く突起を作るか
もしれない。陽極接着は、シリコン基板を除去す
るに用いるエツチング液中での破壊作用に対して
は損傷しない。
域１０５′に亘つて層１１０′とシリコン構造物１
００が除去されたものを示す。層１１０′はリア
クテイブ・イオンエツチング技術によつて除去さ
れ、次にシリコン基板が酢酸、硝酸及びフツ化水
素酸の混合物によつてエツチングされる。パイレ
ツクスリングの穴（第３Ａ図において領域１０５
として示されている）は、エツチング工程の間、
マスクとして働き、また、形成された薄皮リムが
得られる。もしもエポキシが従来技術におけるよ
うに用いられたなら、リム１０６上を流れるエポ
キシのビードはリム１０６に沿つて突起を作らな
いというよりも、むしろ、より多く突起を作るか
もしれない。陽極接着は、シリコン基板を除去す
るに用いるエツチング液中での破壊作用に対して
は損傷しない。
本発明の他の実施例が第４Ａ図に示されてい
る。シリコン基板１００の露出された表面１１５
及び１１７上に絶縁層１４０及び１４０′が熱酸
化技術によつて形成される。絶縁層１４０及び１
４０′は典型的には二酸化珪素で作られる。在来
の化学蒸気蒸着技術によつて、窒化ホウ素層１１
０及び１１０′が各々次に二酸化珪素層１４０及
び１４０′上に蒸着される。
る。シリコン基板１００の露出された表面１１５
及び１１７上に絶縁層１４０及び１４０′が熱酸
化技術によつて形成される。絶縁層１４０及び１
４０′は典型的には二酸化珪素で作られる。在来
の化学蒸気蒸着技術によつて、窒化ホウ素層１１
０及び１１０′が各々次に二酸化珪素層１４０及
び１４０′上に蒸着される。
更に第４Ｂ図に図示されるように、窒化ホウ素
層１１０′及び二酸化珪素層１４０′が在来のエツ
チング技術によつてシリコン基板上から除去され
る。そのエツチングは例えばCF4：O2であり、二
酸化珪素層１４０′のウエツトエツチング（wet
etching）が続いてほどこされる。シリコン基板
１００は次にパイレツクス板１３０に陽極接着さ
れ、そのとき、総処理時間60分の間、200から400
℃の範囲の接着温度と1000から3000ボルトの範囲
の接着圧力が用いられる。次に、シリコン基板１
００は、窒化ホウ素層１４０を露出するように、
在来のシリコンエツチング技術によつて領域１０
５に亘りエツチングされる。
層１１０′及び二酸化珪素層１４０′が在来のエツ
チング技術によつてシリコン基板上から除去され
る。そのエツチングは例えばCF4：O2であり、二
酸化珪素層１４０′のウエツトエツチング（wet
etching）が続いてほどこされる。シリコン基板
１００は次にパイレツクス板１３０に陽極接着さ
れ、そのとき、総処理時間60分の間、200から400
℃の範囲の接着温度と1000から3000ボルトの範囲
の接着圧力が用いられる。次に、シリコン基板１
００は、窒化ホウ素層１４０を露出するように、
在来のシリコンエツチング技術によつて領域１０
５に亘りエツチングされる。
第１Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するための
層をなした構造物の好適実施例の構造を示す。第
１Ｂ図は、第１Ａ図に図示された構造物の次の処
理段階の後の図である。第２Ａ図は、Ｘ線マスク
薄皮に使用するための層をなした構造物の第２の
実施例の構造を示す。第２Ｂ図は、第２Ａ図に図
示された構造物の次の処理段階の後の図である。
第３Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するための層
をなした構造物の第３の実施例の構造を示す。第
３Ｂ図は、第３Ａ図に図示された構造物の次の処
理段階の後の図である。第４Ａ図は、Ｘ線マスク
薄皮に使用するための層をなした構造物の他の実
施例の構造を示す。第４Ｂ図は、第４Ａ図に図示
された構造物の次の処理段階の後の図である。 主要符号の説明、１００……シリコン基板、１
１０，１１０′……窒化ホウ素層、１２０……ク
ロム層、１２１……アルミニウム層、１３０……
受け板。
層をなした構造物の好適実施例の構造を示す。第
１Ｂ図は、第１Ａ図に図示された構造物の次の処
理段階の後の図である。第２Ａ図は、Ｘ線マスク
薄皮に使用するための層をなした構造物の第２の
実施例の構造を示す。第２Ｂ図は、第２Ａ図に図
示された構造物の次の処理段階の後の図である。
第３Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するための層
をなした構造物の第３の実施例の構造を示す。第
３Ｂ図は、第３Ａ図に図示された構造物の次の処
理段階の後の図である。第４Ａ図は、Ｘ線マスク
薄皮に使用するための層をなした構造物の他の実
施例の構造を示す。第４Ｂ図は、第４Ａ図に図示
された構造物の次の処理段階の後の図である。 主要符号の説明、１００……シリコン基板、１
１０，１１０′……窒化ホウ素層、１２０……ク
ロム層、１２１……アルミニウム層、１３０……
受け板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｘ線マスク構造物であつて、 ａ 第１及び第２表面を有する構造物と、 ｂ 前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層
と、 ｃ 前記第２表面上で前記無機層に陽極接着し、
マスクサポートを提供する板手段と、 から成るところのＸ線構造物。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載された構造物で
あつて、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところのＸ線
構造物。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載された構造物で
あつて、 前記無機層が炭化シリコンから成るところの構
造物。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載された構造物で
あつて、 更に、前記第２表面上の前記無機層と前記板手
段との間に置かれた第１金属層を有し、前記無機
層と前記板手段との間に実質的に平坦な接触面を
提供しているところの構造物。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載された構造物で
あつて、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造
物。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載された構造物で
あつて、 前記第１金属層がアルミニウムから成るところ
の構造物。 ７ 特許請求の範囲第４項に記載された構造物で
あつて、 更に、前記第１金属層と前記板手段との間に置
かれた第２金属層を有し、前記無機層と前記板手
段との間に実質的に平坦な接触面を提供している
ところの構造物。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載された構造物で
あつて、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造
物。 ９ 特許請求の範囲第８項に記載された構造物で
あつて、 前記第１金属層がクロムから成るところの構造
物。 １０ 特許請求の範囲第９項に記載された構造物
であつて、 前記第２金属層がアルミニウムから成るところ
の構造物。 １１ Ｘ線マスク構造物であつて、 ａ 第１及び第２表面を有する基板と、 ｂ 前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層
と、 ｃ 前記第２表面上の前記無機層を覆う金属層で
あつて、実質的に平坦な表面を提供する金属層
と、 ｄ 前記金属層に接着され、マスクサポートを提
供する板手段と、 から成る構造物。 １２ 特許請求の範囲第１１項に記載された構造
物であつて、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造
物。 １３ 特許請求の範囲第１２項に記載された構造
物であつて、 前記金属層がアルミニウムから成るところの構
造物。 １４ 特許請求の範囲第１３項に記載された構造
物であつて、 前記板手段が前記無機層に陽極接着されている
ところの構造物。 １５ 特許請求の範囲第１４項に記載された構造
物であつて、 前記板手段が前記無機層に陽極接着されている
ところの構造物。 １６ 特許請求の範囲第１１項に記載された構造
物であつて、 前記金属層が前記無機層に陽極接着されている
ところの構造物。 １７ Ｘ線マスク構造物であつて、 ａ 第１及び第２表面を有する基板と、 ｂ 該基板の前記第１表面を覆う絶縁層と、 ｃ 該絶縁層を覆う無機層と、 ｄ 前記第２表面に接着され、マスクサポートを
提供する板手段と、 から成るところの構造物。 １８ 特許請求の範囲第１７項に記載された構造
物であつて、 前記絶縁層が二酸化珪素から成るところの構造
物。 １９ 特許請求の範囲第１８項に記載された構造
物であつて、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造
物。 ２０ 特許請求の範囲第１９項に記載された構造
物であつて、 前記板手段が前記第２表面に陽極接着されてい
るところの構造物。 ２１ 特許請求の範囲第１７項に記載された構造
物であつて、 前記板手段が前記第２表面に陽極接着されてい
るところの構造物。 ２２ 第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ
線マスクを作るための方法であつて、 ａ 前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層を
形成する工程と、 ｂ 板を前記基板の前記第２表面に陽極接着する
工程と、 から成る方法。 ２３ 特許請求の範囲第２２項に記載された方法
であつて、 更に、第１パターンを形成するために前記基板
にマスクをする工程から成る方法。 ２４ 特許請求の範囲第２３項に記載された方法
であつて、 更に、前記基板をエツチングする工程から成る
方法。 ２５ 特許請求の範囲第２４項に記載された方法
であつて、 更に、第２パターンを形成するために前記無機
層にマスクをする工程から成る方法。 ２６ 特許請求の範囲第２５項に記載された方法
であつて、 更に、前記無機層をエツチングする工程から成
る方法。 ２７ 第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ
線マスクを作るための方法であつて、 ａ 前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層を
形成する工程と、 ｂ 前記第２表面に実質的に平坦な表面を提供す
るために、前記第２表面を覆う金属層を形成す
る工程と、 ｃ 前記金属層を板の選ばれた部分に陽極接着す
る工程と、 から成る方法。 ２８ 特許請求の範囲第２７項に記載された方法
であつて、更に、 ａ 前記板によつて覆われていない領域内の前記
金属層を除去し、前記無機層の第１表面領域を
露出する工程と、 ｂ 前記無機層の前記の露出された第１表面を領
域を除去し、前記基板の前記第２表面を露出す
る工程と、 ｃ 前記基板の前記の露出された第２表面を通し
て前記基板を除去し、前記無機層の第２領域を
露出する工程と、 から成る方法。 ２９ 第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ
線マスクを作るための方法であつて、 ａ 前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層を
形成する工程と、 ｂ 前記第１表面に実質的に平坦な表面を提供す
るために、前記第１表面を覆う金属層を形成す
る工程と、 ｃ 前記金属表面を板の選ばれた部分に陽極接着
し、マスクサポートを提供する工程と、 ｄ 前記第２表面を覆う前記無機層を除去する工
程と、 ｅ 前記基板を除去する工程と、 ｆ 前記無機層の表面部分を露出するために、前
記板によつて覆われていない露出された領域に
亘つて、前記金属層を除去する工程と、 から成るＸ線マスクを作るための方法。 ３０ 第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ
線マスクを作る方法であつて、 ａ 前記第１及び第２表面の各々を覆う絶縁層を
形成する工程と、 ｂ 前記第１及び第２表面を覆う前記絶縁層を覆
うところの無機層を形成する工程と、 ｃ 前記第１表面を作る工程と、 ｄ 前記第２表面を覆う前記無機層を除去する工
程と、 ｅ 前記基板の前記第２表面を覆う前記絶縁層を
除去する工程と、 ｆ 前記マスクを除去する工程と、 ｇ 前記基板の前記第２表面を板に陽極接着する
工程と、 から成るＸ線マスクを作る方法。 ３１ 特許請求の範囲第３０項に記載された方法
であつて、 前記絶縁層が二酸化珪素から成る方法。 ３２ 特許請求の範囲第３１項に記載された方法
であつて、 前記無機層が窒化ホウ素から成る方法。 ３３ 特許請求の範囲第３２項に記載された方法
であつて、 前記金属層がアルミニウムから成る方法。 ３４ 板と基板を備えるマスクであつて、 前記基板は第１及び第２表面を有し、前記マス
クは前記基板の前記第１及び第２表面の各々を覆
う無機層を形成することによつて製造され、前記
無機層を前記板の選択された部分に接着し、前記
マスクの表面の平坦さが１ミクロン以下であると
ころのマスク。 ３５ 特許請求の範囲第３４項に記載されたマス
クであつて、 前記表面の平坦さが実質的に0.3ミクロンであ
るところのマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/580,600 US4632871A (en) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Anodic bonding method and apparatus for X-ray masks |
| US580600 | 1984-02-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186840A JPS60186840A (ja) | 1985-09-24 |
| JPH0466096B2 true JPH0466096B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=24321742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022098A Granted JPS60186840A (ja) | 1984-02-16 | 1985-02-08 | Ｘ線マスクのための陽極接着方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4632871A (ja) |
| EP (1) | EP0153096B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60186840A (ja) |
| DE (1) | DE3576003D1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| US5160560A (en) * | 1988-06-02 | 1992-11-03 | Hughes Aircraft Company | Method of producing optically flat surfaces on processed silicon wafers |
| JP2797190B2 (ja) * | 1989-01-18 | 1998-09-17 | 富士通株式会社 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| JP2838529B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1998-12-16 | 和光純薬工業株式会社 | 新規な光学活性化合物 |
| JP3083037B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2000-09-04 | キヤノン株式会社 | マスク製造方法及び製造装置、ならびにこれを用いて作製されたマスクと、該マスクを用いたデバイス製造方法 |
| JP3319912B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2002-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体センサ用台座およびその加工方法 |
| JPH0992602A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Canon Inc | マスク構造体及びその製造方法 |
| US6159643A (en) * | 1999-03-01 | 2000-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet lithography reflective mask |
| KR100446624B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 양극접합 구조체 및 그 제조방법 |
| JP4115859B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-07-09 | 株式会社日立製作所 | 陽極接合方法および電子装置 |
| JP4969851B2 (ja) * | 2003-09-16 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線管 |
| US7691723B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-04-06 | Honeywell International Inc. | Bonding system having stress control |
| US20060269847A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | International Business Machines Corporaton | Binding of hard pellicle structure to mask blank and method |
| CN108292647B (zh) * | 2015-09-30 | 2022-09-30 | 天工方案公司 | 与屏蔽的模块的制造相关的装置和方法 |
| SG10201509996UA (en) * | 2015-12-04 | 2017-07-28 | Rokko Systems Pte Ltd | Improved substrate processing and apparatus |
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| GB201610886D0 (en) * | 2016-06-22 | 2016-08-03 | Element Six Tech Ltd | Bonding of diamond wafers to carrier substrates |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3417459A (en) * | 1965-05-06 | 1968-12-24 | Mallory & Co Inc P R | Bonding electrically conductive metals to insulators |
| GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
| JPS5340281A (en) * | 1976-09-27 | 1978-04-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photo mask material and manufacturtof it |
| US4171489A (en) * | 1978-09-13 | 1979-10-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Radiation mask structure |
| US4253029A (en) * | 1979-05-23 | 1981-02-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structure for x-ray lithography |
| US4293624A (en) * | 1979-06-26 | 1981-10-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Method for making a mask useful in X-ray lithography |
| JPS57211732A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | X ray exposing mask and manufacture thereof |
| US4411972A (en) * | 1981-12-30 | 1983-10-25 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit photomask |
| GB2115949B (en) * | 1982-02-23 | 1985-10-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Silicon x-ray mask |
-
1984
- 1984-02-16 US US06/580,600 patent/US4632871A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-02-07 DE DE8585300817T patent/DE3576003D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-07 EP EP85300817A patent/EP0153096B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-08 JP JP60022098A patent/JPS60186840A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0153096B1 (en) | 1990-02-07 |
| US4632871A (en) | 1986-12-30 |
| EP0153096A2 (en) | 1985-08-28 |
| DE3576003D1 (de) | 1990-03-15 |
| EP0153096A3 (en) | 1985-12-04 |
| JPS60186840A (ja) | 1985-09-24 |
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