JPH0465427A - ポリシラン―ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造法 - Google Patents
ポリシラン―ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造法Info
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- WMAOTPCQHADLHO-UHFFFAOYSA-N triethyl(triethylsilyloxysilyloxy)silane Chemical compound C(C)[Si](O[SiH2]O[Si](CC)(CC)CC)(CC)CC WMAOTPCQHADLHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はポリシランーポリシロキサンブロツり共重合体
およびその製造法に関し、さらに詳しくは、ポリシラン
の電気的、光学的な性質と、ポリシロキサンの機械的、
物理的な性質を合せ持ち導電憧材料、フォトレジストな
どの電子材料および光機能材料などとして有用なポリシ
ラン−ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造
法に関する。
およびその製造法に関し、さらに詳しくは、ポリシラン
の電気的、光学的な性質と、ポリシロキサンの機械的、
物理的な性質を合せ持ち導電憧材料、フォトレジストな
どの電子材料および光機能材料などとして有用なポリシ
ラン−ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造
法に関する。
従来の技術
従来、高分子量のポリシランを製造する方法としては、
以下のような方法が提案されている。
以下のような方法が提案されている。
(イ)ジメチルジクロロシランをベンゼン溶媒中で、1
15℃にて金属ナトリウムによりウルツ型縮合してポリ
ジメチルシランを製造する方法〔ジャーナル オブ ア
メリカン ケミカル ソサイアティ−(J、八m、 C
hem、 Soc、 )、第71巻、1949年、96
3〜964頁〕。
15℃にて金属ナトリウムによりウルツ型縮合してポリ
ジメチルシランを製造する方法〔ジャーナル オブ ア
メリカン ケミカル ソサイアティ−(J、八m、 C
hem、 Soc、 )、第71巻、1949年、96
3〜964頁〕。
Me Mea
CI−3i−CI−〉−+Si±+NaC]Me
Me(Ω)ビフェニルで
マスクされたジシレン付加体をモノマーとして、そして
メチルリチウムを重合開始剤として用いてアニオン重合
によりポリシランを製造する方法(特開平1−2306
38号公報)などである。
Me(Ω)ビフェニルで
マスクされたジシレン付加体をモノマーとして、そして
メチルリチウムを重合開始剤として用いてアニオン重合
によりポリシランを製造する方法(特開平1−2306
38号公報)などである。
n−Bu Me
(ハ)また、本発明者らも、ビフェニルでマスクされた
ジシレン付加体をモノマーとして用いてアニオン重合に
よりポリシランを製造するに際して、硅素アニオン種、
酸素アニオン種、フッ素アニオン種から選ばれる少くと
も1種のアニオン種を重合開始剤として用いるポリシラ
ンの製造方法を提案している(特願平1228633号
明細書)。
ジシレン付加体をモノマーとして用いてアニオン重合に
よりポリシランを製造するに際して、硅素アニオン種、
酸素アニオン種、フッ素アニオン種から選ばれる少くと
も1種のアニオン種を重合開始剤として用いるポリシラ
ンの製造方法を提案している(特願平1228633号
明細書)。
方、ポリシラン−ポリシロキサン共重合体およびその製
造方法としては以下のようなものが提案されている。
造方法としては以下のようなものが提案されている。
(ニ)ジクロルシランとハロゲン化ジシロキサンとを用
いて、リチウム存在下での縮合反応によりハロゲン末端
ポリシラン−シロキサンオリゴマーを製造した後、該ハ
ロゲン末端オリゴマーを用いてナトリウム存在下での縮
合反応により製造されるポリシラン−シロキサン共重合
体およびその製造方法(特開昭6264830号公報)
などである。
いて、リチウム存在下での縮合反応によりハロゲン末端
ポリシラン−シロキサンオリゴマーを製造した後、該ハ
ロゲン末端オリゴマーを用いてナトリウム存在下での縮
合反応により製造されるポリシラン−シロキサン共重合
体およびその製造方法(特開昭6264830号公報)
などである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の製造方法では、以下のような問題点
があった。すなわち、クロロシラン類のアルカリ金属存
在下でのウルツ縮合法によるポリシランの製造方法では
、得られるポリシランの分子量の制御が困難であるとと
もに、ポリマー末端の構造が不明確なたと、所望の鎖長
のポリシランを製造してその末端に別のポリマー鎖をブ
ロック共重合体させることは著しく困難であるという問
題点を有していた。
があった。すなわち、クロロシラン類のアルカリ金属存
在下でのウルツ縮合法によるポリシランの製造方法では
、得られるポリシランの分子量の制御が困難であるとと
もに、ポリマー末端の構造が不明確なたと、所望の鎖長
のポリシランを製造してその末端に別のポリマー鎖をブ
ロック共重合体させることは著しく困難であるという問
題点を有していた。
また、ジクロルシランとハロゲン化ジシロキサンとを用
いて、リチウム存在下での縮合反応によりハロゲン末端
ポリシラン−シロキサンオリゴマーを製造した後、該ハ
ロゲン末端オリゴマーを用いてす) IJウム存在下で
の縮合反応によりポリシラン−シロキサン共重合体を製
造する方法では、短いポリシラン釦および短いポリシロ
キサン鎖がつながった構造の共重合体しか得られず、従
って長いポリシラン釦および長いポリシロキサン鎖がつ
ながった、開離なブロック構造を有するポリシラン−ポ
リシロキサンブロック共重合体の製造は困難であるとい
う問題点を有していた。
いて、リチウム存在下での縮合反応によりハロゲン末端
ポリシラン−シロキサンオリゴマーを製造した後、該ハ
ロゲン末端オリゴマーを用いてす) IJウム存在下で
の縮合反応によりポリシラン−シロキサン共重合体を製
造する方法では、短いポリシラン釦および短いポリシロ
キサン鎖がつながった構造の共重合体しか得られず、従
って長いポリシラン釦および長いポリシロキサン鎖がつ
ながった、開離なブロック構造を有するポリシラン−ポ
リシロキサンブロック共重合体の製造は困難であるとい
う問題点を有していた。
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであり、所望の長さのポリシラン鎮およ
び所望の長さのポリシロキサン鎖が交互に結合した真の
ポリシラン−ポリシロキサンブロック共重合体およびそ
の製造法を提供することを目的としている。
ようとするものであり、所望の長さのポリシラン鎮およ
び所望の長さのポリシロキサン鎖が交互に結合した真の
ポリシラン−ポリシロキサンブロック共重合体およびそ
の製造法を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
発明の要旨
一般に、ポリシランの導電特性、紫外線吸収特性などの
有用な電気的、光化学的諸性質は、主鎖の硅素−硅素の
結合の非局在化に由来し、従って連続する硅素鎖の長さ
はポリシランの性質に大きな影響を及ぼすことおよびポ
リシラン鎮とポリシロキサン鎖の長さの比は、得られる
共重合体の性状、溶解性、撥水性、撥油性などの機械的
、物理的性質に影響を及ぼすことが知られている。
有用な電気的、光化学的諸性質は、主鎖の硅素−硅素の
結合の非局在化に由来し、従って連続する硅素鎖の長さ
はポリシランの性質に大きな影響を及ぼすことおよびポ
リシラン鎮とポリシロキサン鎖の長さの比は、得られる
共重合体の性状、溶解性、撥水性、撥油性などの機械的
、物理的性質に影響を及ぼすことが知られている。
本発明者らは、所望の長さのポリシラン鎮と所望の長さ
のポリシロキサン鎖を有するようなポリシラン−ポリシ
ロキサンブロック共重合体およびその製造法を種々検討
する中で、ビフェニルでマスクされたジシーレン付加体
をアニオン重合してポリシランを製造した後、環状シロ
キサン化合物を添加して開環重合させることにより所望
の長さを有するポリシラン鎮および所望の長さを有する
ポリシロキサン鎖が結合したポリシラン−ポリシロキサ
ンブロック共重合体を製造しうろことを見出し、本発明
を完成するに至った。すなわち、本発明は、 (1)下記一般式〔■〕で表わされるポリシラン−ポリ
シロキサンブロック共重合体。
のポリシロキサン鎖を有するようなポリシラン−ポリシ
ロキサンブロック共重合体およびその製造法を種々検討
する中で、ビフェニルでマスクされたジシーレン付加体
をアニオン重合してポリシランを製造した後、環状シロ
キサン化合物を添加して開環重合させることにより所望
の長さを有するポリシラン鎮および所望の長さを有する
ポリシロキサン鎖が結合したポリシラン−ポリシロキサ
ンブロック共重合体を製造しうろことを見出し、本発明
を完成するに至った。すなわち、本発明は、 (1)下記一般式〔■〕で表わされるポリシラン−ポリ
シロキサンブロック共重合体。
(式中、R1、R2、R3およびR4はアルキル基また
はアリール基であり、それぞれ異っていても同一でもよ
く、R5およびR6は水素原子、アルキル基またはアリ
ール基であり、それぞれ異っていてもよく同一でもよい
。また、mは15を超える整数であり、nは3を超える
整数である。) および、 (2)下記一般式[11)で表わされるビフェニルでマ
スクされたジシレン付加体 RI R3 0ツク共重合体は下記一般式[13で表わされる。
はアリール基であり、それぞれ異っていても同一でもよ
く、R5およびR6は水素原子、アルキル基またはアリ
ール基であり、それぞれ異っていてもよく同一でもよい
。また、mは15を超える整数であり、nは3を超える
整数である。) および、 (2)下記一般式[11)で表わされるビフェニルでマ
スクされたジシレン付加体 RI R3 0ツク共重合体は下記一般式[13で表わされる。
(式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同意義。
)を千ツマ−として用いて、アニオン重合によりポリシ
ランを製造した後、下記一般式[III、]で表わされ
る環状シロキサン化合物 ビ (式中、R5およびR6は前記と同意義であり、Xは3
〜5の整数である。) を添加して開環重合させることを特徴とする一般式〔I
〕で表わされるポリシラン−ポリシロキサンブロック共
重合体の製造法に関するものである。
ランを製造した後、下記一般式[III、]で表わされ
る環状シロキサン化合物 ビ (式中、R5およびR6は前記と同意義であり、Xは3
〜5の整数である。) を添加して開環重合させることを特徴とする一般式〔I
〕で表わされるポリシラン−ポリシロキサンブロック共
重合体の製造法に関するものである。
ポリシラン−ポリシロキサン共重合体
本発明に係るポリシランーポリシロキサンブ(式中、R
1、R2、R3およびR4はアルキル基またはアリール
基であり、それぞれ異っていても同一でもよく、R5お
よびR6は水素原子、アルキル基またはアリール基であ
り、それぞれ異っていてもよく同一でもよい。また、m
は15を超える整数であり、nは3を超える整数である
。) 上記式〔I〕において、mは15を超える整数であるが
、好ましくは25を超える整数であることが望ましい。
1、R2、R3およびR4はアルキル基またはアリール
基であり、それぞれ異っていても同一でもよく、R5お
よびR6は水素原子、アルキル基またはアリール基であ
り、それぞれ異っていてもよく同一でもよい。また、m
は15を超える整数であり、nは3を超える整数である
。) 上記式〔I〕において、mは15を超える整数であるが
、好ましくは25を超える整数であることが望ましい。
これは硅素鎮の長さがおよそ50以上になると硅素−硅
素の結合が十分に共役し、ポリシランとしての電気的、
光学的性質を発+1するためである。またmの明確な上
限はないが、分子量が高すぎると溶媒への溶解性が減少
し、取り扱いが困難となるのでmはioo、ooo未滴
の整数であることが好ましい。
素の結合が十分に共役し、ポリシランとしての電気的、
光学的性質を発+1するためである。またmの明確な上
限はないが、分子量が高すぎると溶媒への溶解性が減少
し、取り扱いが困難となるのでmはioo、ooo未滴
の整数であることが好ましい。
nは3を超え、かつ10.000未満の整数であること
が好ましい。またm/nは0.1〜10であることが好
ましく、さらに0.2〜5であることが望ましい。これ
は極端にどらちかのコモノマー量が多いと、少ないコモ
ノマーの性質が発現しなくなるためである。ポリシラン
−ポリシロキサンブロック共重合体の分子量としては1
.000以上1,000.000以下であることが好ま
しい。
が好ましい。またm/nは0.1〜10であることが好
ましく、さらに0.2〜5であることが望ましい。これ
は極端にどらちかのコモノマー量が多いと、少ないコモ
ノマーの性質が発現しなくなるためである。ポリシラン
−ポリシロキサンブロック共重合体の分子量としては1
.000以上1,000.000以下であることが好ま
しい。
上記のポリシラン−ポリシロキサンブロック共重合体は
フォトレジスト、光導電材料、非線形光学材料などポリ
シランで期待される用途に用いることができる。このう
ち、フォトレジストとして用いると、露光時にはポリシ
ランの光反応性が、エッチラグ時にはポリシロキサンの
撥油性、低膨潤性が発揮されるので特に好ましい。
フォトレジスト、光導電材料、非線形光学材料などポリ
シランで期待される用途に用いることができる。このう
ち、フォトレジストとして用いると、露光時にはポリシ
ランの光反応性が、エッチラグ時にはポリシロキサンの
撥油性、低膨潤性が発揮されるので特に好ましい。
ジシレン付加体
本発明では、−段目の反応にてポリシランを製造するた
めの原料として、一般式〔■〕で表わされるビフェニル
でマスクされたジシレン付加体が用いられる。
めの原料として、一般式〔■〕で表わされるビフェニル
でマスクされたジシレン付加体が用いられる。
(式中、R1,R2、R1およびR4はアルキル基また
はアリール基であり、それぞれ異っていても同一でもよ
い。) 一般に、硅素−硅素二重結合を有するジシレンは不安定
な化合物であるた約、一般式[n〕で表わされるビフェ
ニルなどにてマスクされたジシレン付加体をアニオン重
合のモノマーとして用いるが、一般式[IIEで表わさ
れる化合物置等の化学的性質を有している。上記一般式
〔■〕で表わされる化合物は、たとえば、ジャーナル
オブ アメリカン ケミカル ソサイアティ−(J、A
m、Chem、Soc、) 、第94巻、1972年、
5837〜5841頁に記載された方法にて容易に合成
することができる。すなわち、たとえばビフェニルとリ
チウム金属との混合物溶液に、−78,tにて1,1.
2.2−テトラメチル−1,2−ジクロロシラン溶液を
加えて反応させた後、精製することにより1−フェニル
−7,7,8,8−テトラメチル−7,8−ジシラビシ
クロ[2,2,2Eオクタ−2,5−ジエンを合成する
ことができる。
はアリール基であり、それぞれ異っていても同一でもよ
い。) 一般に、硅素−硅素二重結合を有するジシレンは不安定
な化合物であるた約、一般式[n〕で表わされるビフェ
ニルなどにてマスクされたジシレン付加体をアニオン重
合のモノマーとして用いるが、一般式[IIEで表わさ
れる化合物置等の化学的性質を有している。上記一般式
〔■〕で表わされる化合物は、たとえば、ジャーナル
オブ アメリカン ケミカル ソサイアティ−(J、A
m、Chem、Soc、) 、第94巻、1972年、
5837〜5841頁に記載された方法にて容易に合成
することができる。すなわち、たとえばビフェニルとリ
チウム金属との混合物溶液に、−78,tにて1,1.
2.2−テトラメチル−1,2−ジクロロシラン溶液を
加えて反応させた後、精製することにより1−フェニル
−7,7,8,8−テトラメチル−7,8−ジシラビシ
クロ[2,2,2Eオクタ−2,5−ジエンを合成する
ことができる。
上記一般式[II)で表わされるシジレン付加体として
は、具体的には、1−フェニル−7゜8−ジメチル−7
,8−ジ−n−プロピル−7゜8−ジシラビシクロ[2
,2,2]オクタ−2゜5−ジエン、1−フェニル−7
,7,8,8テトラメチル−7,8−ジシラビシクロ〔
2゜2.2〕オクタ−2,5−ジエン、1−フェニル−
7,8−ジメチル−7,8−ジーn−へキジルーフ、8
−ジシラビシクロC2,2,2]オクタ−2,5−ジエ
ン、1−フェニル−7゜7.8−)ジメチル−3−n−
ブチル−7,8−ジシラビシクロ[:2.2.2Eオク
タ−2゜5−ジエン、1.8−ジフェニル−7,7,8
=トリメチル−7,8−ジシラビシクロ〔2゜2.2〕
オクタ−2,5−ジエン、1−フェニル−7,7,8−
)ジメチル−8−”(p−メトキシフェニル)−7,8
−ジシラビシクロ〔2゜2.2〕オクタ−2,5−ジエ
ンなどが挙げられる。
は、具体的には、1−フェニル−7゜8−ジメチル−7
,8−ジ−n−プロピル−7゜8−ジシラビシクロ[2
,2,2]オクタ−2゜5−ジエン、1−フェニル−7
,7,8,8テトラメチル−7,8−ジシラビシクロ〔
2゜2.2〕オクタ−2,5−ジエン、1−フェニル−
7,8−ジメチル−7,8−ジーn−へキジルーフ、8
−ジシラビシクロC2,2,2]オクタ−2,5−ジエ
ン、1−フェニル−7゜7.8−)ジメチル−3−n−
ブチル−7,8−ジシラビシクロ[:2.2.2Eオク
タ−2゜5−ジエン、1.8−ジフェニル−7,7,8
=トリメチル−7,8−ジシラビシクロ〔2゜2.2〕
オクタ−2,5−ジエン、1−フェニル−7,7,8−
)ジメチル−8−”(p−メトキシフェニル)−7,8
−ジシラビシクロ〔2゜2.2〕オクタ−2,5−ジエ
ンなどが挙げられる。
重合開始剤
本発明では、上記のようなジシレン付加体をアニオン重
合する際に、炭素アニオン種、硅素アニオン種、酸素ア
ニオン種、フッ素アニオン種から選ばれる少くとも1種
のアニオン種が重合開始剤として用いられる。
合する際に、炭素アニオン種、硅素アニオン種、酸素ア
ニオン種、フッ素アニオン種から選ばれる少くとも1種
のアニオン種が重合開始剤として用いられる。
炭素アニオン種
本発明で用いられる炭素アニオン種とは、下記一般式[
rV]で表わされるアニオン種である。
rV]で表わされるアニオン種である。
R19・・・ 〔■〕
(式中、R7はアルキル基またはアリール基である。)
また炭素アニオン種は、1価のカチオン、たとえばアル
カリ金属イオン、アルカリ土類金属モノハロゲン化物イ
オンなどを対イオンとするものである。
カリ金属イオン、アルカリ土類金属モノハロゲン化物イ
オンなどを対イオンとするものである。
上記の炭素アニオン種を反応系で生成する化合物として
は、具体的には、メチルリチウム、エチルリチウム、n
−プロピルリチウム、iプロピルリチウム、n−ブチル
リチウム、1−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、
フェニルリチウム、メチルマグネシウムブロマイド、エ
チルマグネシウムブロマイド、n−プロピルマグネシウ
ムプロ・マイト、i−プロピルマグネシウムブロマイド
、n−ブチルマグネシウムブロマイド、1−ブチルマグ
ネシウムブロマイド、t−ブチルマグネシウムブロマイ
ド、フェニルマグネシウムブロマイドなどが挙げられる
。
は、具体的には、メチルリチウム、エチルリチウム、n
−プロピルリチウム、iプロピルリチウム、n−ブチル
リチウム、1−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、
フェニルリチウム、メチルマグネシウムブロマイド、エ
チルマグネシウムブロマイド、n−プロピルマグネシウ
ムプロ・マイト、i−プロピルマグネシウムブロマイド
、n−ブチルマグネシウムブロマイド、1−ブチルマグ
ネシウムブロマイド、t−ブチルマグネシウムブロマイ
ド、フェニルマグネシウムブロマイドなどが挙げられる
。
硅素アニオン種
本発明で用いられる硅素アニオン種とは、下記一般式C
V’lで表わされるアニオン種である。
V’lで表わされるアニオン種である。
R’−5ie [VE
IG (式中、R’、 R’およびRIGは、水素原子、アル
キル基またはアリール基であり、それぞれ異っていても
同一でもよい。) また硅素アニオン種は、1価のカチオン、たとえばアル
カリ金属イオン、アンモニウムイオンなどを対イオンと
するものである。
IG (式中、R’、 R’およびRIGは、水素原子、アル
キル基またはアリール基であり、それぞれ異っていても
同一でもよい。) また硅素アニオン種は、1価のカチオン、たとえばアル
カリ金属イオン、アンモニウムイオンなどを対イオンと
するものである。
上記の硅素アニオン種を反応系で生成する化合物として
は、具体的には、トリフェニルシリルカリウム、トリフ
ェニルシリルナトリウム、トリフェニルシリルリチウム
、ジフェニルメチルシリルカリウム、ジフェニルメチル
シリルナトリウム、ジフェニルメチルシリルリチウム、
フエニルジメチルシリルカリウム、フエニルジメチルシ
リルナトリウム、フエニルジメチルシリルリチウム、ト
リメチルシリルカリウム、トリメチルシリルナトリウム
、トリメチルシリルリチウム、ジフェニルヒドロシリル
リチウム、トリヒドロシリルカリウムなどが挙げられる
。
は、具体的には、トリフェニルシリルカリウム、トリフ
ェニルシリルナトリウム、トリフェニルシリルリチウム
、ジフェニルメチルシリルカリウム、ジフェニルメチル
シリルナトリウム、ジフェニルメチルシリルリチウム、
フエニルジメチルシリルカリウム、フエニルジメチルシ
リルナトリウム、フエニルジメチルシリルリチウム、ト
リメチルシリルカリウム、トリメチルシリルナトリウム
、トリメチルシリルリチウム、ジフェニルヒドロシリル
リチウム、トリヒドロシリルカリウムなどが挙げられる
。
酸素アニオン種
本発明で用いられる酸素アニオン種とは、下記一般式[
VI]で表わされるアニオン種である。
VI]で表わされるアニオン種である。
R”Oe[VI’l
(式中、R1+は、水素原子、アルキル基、了リール基
またはシリル基である。) また、酸素アニオン種は1価のカチオン、たとえばアル
カリ金属イオン、アンモニウムイオンなどを対イオンと
するものである。
またはシリル基である。) また、酸素アニオン種は1価のカチオン、たとえばアル
カリ金属イオン、アンモニウムイオンなどを対イオンと
するものである。
上記の酸素アニオン種を反応系で生成する化−合物とし
ては、具体的には、カリウム−t−ブトキシド、ナトリ
ウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメト
キシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド
、リチウムトリフェニルシラル−ト、リチウムトリメチ
ルシラル−トなどが挙げられる。
ては、具体的には、カリウム−t−ブトキシド、ナトリ
ウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメト
キシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド
、リチウムトリフェニルシラル−ト、リチウムトリメチ
ルシラル−トなどが挙げられる。
フッ素アニオン種
本発明で用いられるフッ素アニオン種は、1価のカチオ
ン、たとえばアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン
などを対イオンとするものである。
ン、たとえばアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン
などを対イオンとするものである。
上記のフッ素アニオン種を反応系で生成する化合物とし
ては、具体的には、テトラ−n−ブチルアンモニウムフ
ルオライド、リチウムフルオライド、カリウムフルオラ
イド、セシウムフルオライドなどが挙げられる。
ては、具体的には、テトラ−n−ブチルアンモニウムフ
ルオライド、リチウムフルオライド、カリウムフルオラ
イド、セシウムフルオライドなどが挙げられる。
溝状シロキサン化合物
本発明では、上記のビフェニルでマスクされたジシレン
付加体をモノマーとして用いて、上記の重合開始剤にて
アニオン重合を行って、ポリシランを製造後、反応系に
一般式[III]で表わされる環状シロイサン化合物を
添加し、さらにアニオン重合を継続してポリシラン−ポ
リシロキサンブロック共重合体を製造する。
付加体をモノマーとして用いて、上記の重合開始剤にて
アニオン重合を行って、ポリシランを製造後、反応系に
一般式[III]で表わされる環状シロイサン化合物を
添加し、さらにアニオン重合を継続してポリシラン−ポ
リシロキサンブロック共重合体を製造する。
(式中、R3およびR6は水素原子、アルキル基または
アリール基であり、Xは3〜5の整数である。) 上記一般式[III]で表わされる環状シロキサン化合
物としては、具体的には、ヘキサメチルシクロトリシロ
キサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサ
エチルシクロトリシロキサン、オクタエチルシクロテト
ラシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、
オクタフェニルシクロテトラシロキサン、トリメチルシ
クロトリシロキサン、トリノチルトリフェニルシクロト
リシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサンな
どが挙げられるが、このうちXが3であるヘキサメチル
トリシロキサン、ヘキサエチルトリシロキサン、ヘキサ
フェニルシクロトリシロキサン、トリメチルシクロトリ
シロキサン、トリノチルトリフェニルシクロトリシロキ
サンなどはより分子量分布の狭いポリシラン−ポリシロ
キサンブロック共重合体を与えるので好ましい。
アリール基であり、Xは3〜5の整数である。) 上記一般式[III]で表わされる環状シロキサン化合
物としては、具体的には、ヘキサメチルシクロトリシロ
キサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサ
エチルシクロトリシロキサン、オクタエチルシクロテト
ラシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、
オクタフェニルシクロテトラシロキサン、トリメチルシ
クロトリシロキサン、トリノチルトリフェニルシクロト
リシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサンな
どが挙げられるが、このうちXが3であるヘキサメチル
トリシロキサン、ヘキサエチルトリシロキサン、ヘキサ
フェニルシクロトリシロキサン、トリメチルシクロトリ
シロキサン、トリノチルトリフェニルシクロトリシロキ
サンなどはより分子量分布の狭いポリシラン−ポリシロ
キサンブロック共重合体を与えるので好ましい。
アニオン重合反応
本発明のアニオン重合反応は、たとえばトリアルキルシ
リルリチウムを重合開始剤およびトリメチルシリルクロ
ライドを重合停止剤として用いた場合には、下式で示さ
れるように進行し、ポリシラン−ポリシロキサンブロッ
ク共重合体を生成するものと考えられる。
リルリチウムを重合開始剤およびトリメチルシリルクロ
ライドを重合停止剤として用いた場合には、下式で示さ
れるように進行し、ポリシラン−ポリシロキサンブロッ
ク共重合体を生成するものと考えられる。
本発明のアニオン重合反応は、窒素、ヘリウム、アルゴ
ンなどの不活性ガス雰囲気下で行い、反応系に酸素およ
び/または水が存在しない状魅で行うことが好ましい。
ンなどの不活性ガス雰囲気下で行い、反応系に酸素およ
び/または水が存在しない状魅で行うことが好ましい。
反応系に酸素および/または水が存在するとジシレン付
加体の硅素−硅素結合が酸化されて開裂し易い。また、
酸素および/または水との反応によりポリシランおよび
/またはポリシロキサンの成長末端が停止反応を受け、
結果として目的とする分子量のポリシラン−ポリシロキ
サンブロック共重合体が得られない。
加体の硅素−硅素結合が酸化されて開裂し易い。また、
酸素および/または水との反応によりポリシランおよび
/またはポリシロキサンの成長末端が停止反応を受け、
結果として目的とする分子量のポリシラン−ポリシロキ
サンブロック共重合体が得られない。
重合反応は、常圧下で行ってもよく、また減圧下で行っ
てもよい。また、反応温度および反応時間は、ポリシラ
ンのアニオン重合反応時でよ−196〜50℃好ましく
は一78℃〜20℃であることが望ましく、通常30分
〜2時間で充分である。
てもよい。また、反応温度および反応時間は、ポリシラ
ンのアニオン重合反応時でよ−196〜50℃好ましく
は一78℃〜20℃であることが望ましく、通常30分
〜2時間で充分である。
また、ポリシロキサンの共重合反応時の反応温度および
反応時間は、−30〜30℃好ましくは一10〜20℃
であることが望ましく、通常10〜20時間で充分であ
る。
反応時間は、−30〜30℃好ましくは一10〜20℃
であることが望ましく、通常10〜20時間で充分であ
る。
重合開始剤である炭素アニオン種、硅素アニオン種、酸
素アニオン種またはフッ素アニオン種のジシレン付加体
への添加量は、通常ジシレン付加体1モルに対し0.0
001〜10モル好ましくは0.001〜1モルの量で
用いることが望ましい。
素アニオン種またはフッ素アニオン種のジシレン付加体
への添加量は、通常ジシレン付加体1モルに対し0.0
001〜10モル好ましくは0.001〜1モルの量で
用いることが望ましい。
本発明のポリシランおよび/またはポリシロキサンの分
子量、すなわちポリマー鎖長は、用いる重合開始剤とジ
シレン付加体および/または添加する環状シロキサン化
合物のモル比を調節することにより任意に制御すること
ができる。
子量、すなわちポリマー鎖長は、用いる重合開始剤とジ
シレン付加体および/または添加する環状シロキサン化
合物のモル比を調節することにより任意に制御すること
ができる。
すなわち重合開始剤とジシレン付加体および/または環
状シロキサン化合物のモル比を大きくすると、得られる
ポリシランおよび/またはポリシロキサンの分子量が小
さくなり、前記のモル比を小さくすると得られるポリシ
ランおよび/またはポリシロキサンの分子量が増大する
。
状シロキサン化合物のモル比を大きくすると、得られる
ポリシランおよび/またはポリシロキサンの分子量が小
さくなり、前記のモル比を小さくすると得られるポリシ
ランおよび/またはポリシロキサンの分子量が増大する
。
反応溶媒は、ジシレン付加体および環状シロキサン化合
物の両方の千ツマ−を溶解するものであれば、極性、無
極性溶媒のいずれでも使用できるが、エーテル、テトラ
ヒドロフランなどの非プロトン性極性溶媒を用いること
が好ましい。
物の両方の千ツマ−を溶解するものであれば、極性、無
極性溶媒のいずれでも使用できるが、エーテル、テトラ
ヒドロフランなどの非プロトン性極性溶媒を用いること
が好ましい。
また、本発明のブロック共重合体の製造法では、ポリシ
ランの活性末端により、直接ポリシロキサンの重合を開
始するだけでなく、ポリシランの重合後、たとえばエポ
キサイド化合物などを加えてから環状シロキサン化合物
を添加することにより、エチレンオキサイドユニットを
介してポリシラン鎖とポリシロキサン鎖を結合させるこ
とも可能である。さらに、本発明のブロック共重合体の
製造法では、ポリシラン−ポリシロキサンブロック共重
合体を製造した後に、シリル化オレフィン、エポキサイ
ド化合物などの反応性の高い第3のモノマーを添加した
り、ジシレン付加体および環状シロキサン化合物の添加
を繰り返すことによりABC型(A:ポリシラン、B:
ポリシロキサン、C:IK3ポリマー)もしくはABA
B型などのブロック共重合体を製造することも可能であ
る。
ランの活性末端により、直接ポリシロキサンの重合を開
始するだけでなく、ポリシランの重合後、たとえばエポ
キサイド化合物などを加えてから環状シロキサン化合物
を添加することにより、エチレンオキサイドユニットを
介してポリシラン鎖とポリシロキサン鎖を結合させるこ
とも可能である。さらに、本発明のブロック共重合体の
製造法では、ポリシラン−ポリシロキサンブロック共重
合体を製造した後に、シリル化オレフィン、エポキサイ
ド化合物などの反応性の高い第3のモノマーを添加した
り、ジシレン付加体および環状シロキサン化合物の添加
を繰り返すことによりABC型(A:ポリシラン、B:
ポリシロキサン、C:IK3ポリマー)もしくはABA
B型などのブロック共重合体を製造することも可能であ
る。
発明の効果
本発明のポリシラン−ポリシロキサンブロック共重合体
は、ポリシラン鎮およびポリシロキサン鎖の鎖長がそれ
ぞれ独立に制御されているので、所望の電気的、光学的
性質および機械的、物理的性質を合せ持つポリシラン−
ポリシロキサンブロック共重合体であり、導電性材料、
電子材料?よび光機能性材料などとして有用である。
は、ポリシラン鎮およびポリシロキサン鎖の鎖長がそれ
ぞれ独立に制御されているので、所望の電気的、光学的
性質および機械的、物理的性質を合せ持つポリシラン−
ポリシロキサンブロック共重合体であり、導電性材料、
電子材料?よび光機能性材料などとして有用である。
また、本発明に係るポリシラン−ポリシロキサンブロッ
ク共重合体の製造法では、ポリシラン鎮およびポリシロ
キサン鎖の鎖長がそれぞれ独立に制御できるとともに、
高分子量でかつ明確なブロック構造を有するポリシラン
−ポリシロキサンブロック共重合体を製造することがで
きる。
ク共重合体の製造法では、ポリシラン鎮およびポリシロ
キサン鎖の鎖長がそれぞれ独立に制御できるとともに、
高分子量でかつ明確なブロック構造を有するポリシラン
−ポリシロキサンブロック共重合体を製造することがで
きる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
ら実施例に限定されるものではない。
実施例1
乾燥窒素気流下、1−フェニル−7,7,8−トリメチ
ル−8−n−ブチル−7,8−ジシラビシクロ[2,2
,2]オクタ−2,5−ジエン(1)2.0ミリモルを
10艷のテトラヒドロフランに溶解した溶液をドライア
イス−メタノール浴にて一78℃に冷却した。この溶液
中に、攪拌下、重合開始剤であるn−ブチルリチウム0
.01 ミIJモルを加えた後、浴から外して室温まで
暖狛ることによりポリシランのアニオン重合を行った。
ル−8−n−ブチル−7,8−ジシラビシクロ[2,2
,2]オクタ−2,5−ジエン(1)2.0ミリモルを
10艷のテトラヒドロフランに溶解した溶液をドライア
イス−メタノール浴にて一78℃に冷却した。この溶液
中に、攪拌下、重合開始剤であるn−ブチルリチウム0
.01 ミIJモルを加えた後、浴から外して室温まで
暖狛ることによりポリシランのアニオン重合を行った。
1時間後、反応液の一部を採取し、ガスクロマトグラフ
により(1)の消失とビフェニルの生成を! Liした
。GPC測定によりポリスチレン換算(以下同様)の数
平均分子量(MO)が1. I X、 10 ’であり
、重量平均分子量(〜)が1.6 X 10 ’である
ポリシランが生成していた。
により(1)の消失とビフェニルの生成を! Liした
。GPC測定によりポリスチレン換算(以下同様)の数
平均分子量(MO)が1. I X、 10 ’であり
、重量平均分子量(〜)が1.6 X 10 ’である
ポリシランが生成していた。
次に反応器を水浴に漬け、攪拌下、ヘキサメチルシクロ
トリシロキサン(2) 1.5ミリモルを1−のテトラ
ヒドロフランに溶解した溶液を加え、0℃にてポリシロ
キサンの重合反応を行った。
トリシロキサン(2) 1.5ミリモルを1−のテトラ
ヒドロフランに溶解した溶液を加え、0℃にてポリシロ
キサンの重合反応を行った。
40時間後、ガスクロマトグラフにて(2)の消失を確
認した後、トリメチルシリルクロライドを1滴加えて重
合反応を停止させた。この時のGPC測定にて、高分子
領域にはMoが4. I X 10 ’であり、〜が7
. OX 10 ’である単一ピークが観測された。
認した後、トリメチルシリルクロライドを1滴加えて重
合反応を停止させた。この時のGPC測定にて、高分子
領域にはMoが4. I X 10 ’であり、〜が7
. OX 10 ’である単一ピークが観測された。
反応液から溶媒を留去し、残査をベンゼンに再溶解し、
水洗にて塩を除去後、溶液を大過剰のメタノール中に加
えて、ポリマーを沈澱させた。上澄みを除去後、溶媒を
留去したところ、白色で高粘度のオイル0.47 gが
得られた。
水洗にて塩を除去後、溶液を大過剰のメタノール中に加
えて、ポリマーを沈澱させた。上澄みを除去後、溶媒を
留去したところ、白色で高粘度のオイル0.47 gが
得られた。
このポリマーのUVスペクトル(ヘキサン溶媒)を測定
したところ、306nmにポリシラン鎖に帰属される極
大吸収が見られた。IRスペクトルでは1.000〜1
.100 cm−’にかけて、ポリシロキサン鎖の81
−0伸縮振動に帰属される吸収が観測された。また、
’ H−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒)では
、0.6ppmにポリシランおよびポリシロキサンの5
i−CH3基のシグナルが、0.4〜1.6 ppmに
ポリシランの5i−C,H。
したところ、306nmにポリシラン鎖に帰属される極
大吸収が見られた。IRスペクトルでは1.000〜1
.100 cm−’にかけて、ポリシロキサン鎖の81
−0伸縮振動に帰属される吸収が観測された。また、
’ H−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒)では
、0.6ppmにポリシランおよびポリシロキサンの5
i−CH3基のシグナルが、0.4〜1.6 ppmに
ポリシランの5i−C,H。
基のシグナルが観測され、これらの積分比から計算され
るポリシラン鎮:ボリシロキサン鎮の比は1:2.9で
あった。
るポリシラン鎮:ボリシロキサン鎮の比は1:2.9で
あった。
(2)の添加後に分子量が増大したこと、生成物のGP
Cが単一ピークを示すこと、生成物のUV、 IR,
’H−NliRスペクトルがポリシランとポリシロキサ
ンの両方の存在を示唆すること、さらには再沈澱精製を
繰り返しても上記の結果を変化しないことから、この生
成物はポリシラン鎮とポリシロキサン鎖がAB型に結合
したブロック共重合体であることが確認された。
Cが単一ピークを示すこと、生成物のUV、 IR,
’H−NliRスペクトルがポリシランとポリシロキサ
ンの両方の存在を示唆すること、さらには再沈澱精製を
繰り返しても上記の結果を変化しないことから、この生
成物はポリシラン鎮とポリシロキサン鎖がAB型に結合
したブロック共重合体であることが確認された。
なお、このブロック共重合体のIRスペクトルおよび’
)I−NMRスペクトルの泥足結果をそれぞれ第1図お
よび第2図に示す。
)I−NMRスペクトルの泥足結果をそれぞれ第1図お
よび第2図に示す。
実施例2
重合開始剤としてカリウムt−ブトキシド0.01ミリ
モルを用い、(1)を5.2ミリモルおよび(2)を1
.5 ミ!Jモルを用いたこと以外は、実施例1と同様
にしてアニオン重合反応を行った。
モルを用い、(1)を5.2ミリモルおよび(2)を1
.5 ミ!Jモルを用いたこと以外は、実施例1と同様
にしてアニオン重合反応を行った。
(2)の添加前のGPC測定ではMnが2.9 X 1
0 ’であり翫が4.6 X 10 ’であったが、(
2)の添加、消失後のそれはMoが6. OX 10
’であり〜が10、8 X 10 ’に増大した。実施
例1と同様にして再沈澱精製を行ったところ、白色の水
あ杓状ポリマーが0.87 g得られた。’ H−NM
Rスペクトルの積分比より、このポリマーのポリシラン
鎮:ポリシロキサン鎖の比が1:1.1であることが分
かった。
0 ’であり翫が4.6 X 10 ’であったが、(
2)の添加、消失後のそれはMoが6. OX 10
’であり〜が10、8 X 10 ’に増大した。実施
例1と同様にして再沈澱精製を行ったところ、白色の水
あ杓状ポリマーが0.87 g得られた。’ H−NM
Rスペクトルの積分比より、このポリマーのポリシラン
鎮:ポリシロキサン鎖の比が1:1.1であることが分
かった。
実施例3
重合開始剤としてテトラ−n−ブチルアンモニウムフル
オライド0.05ミリモルを用い、(1)を4.9 ミ
’Jモルおよび(2)を0.8ミリモルを用いたこと以
外は、実施例1と同様にしてアニオン重合反応を行った
。
オライド0.05ミリモルを用い、(1)を4.9 ミ
’Jモルおよび(2)を0.8ミリモルを用いたこと以
外は、実施例1と同様にしてアニオン重合反応を行った
。
(2)の添加前のGPC測定ではMnが5.4X10’
であり〜が7.6 X 10 ’であったが、(2)の
添加、消失後のそれはMnが9.2 X 10 ’であ
り編が16、 OX 10 ’に増大した。実施例1と
同様にして再沈澱精製を行ったところ、白色のエラスト
マー状ポリマーが0.69 g得られた。’ H−NM
Rスペクトルの積分比より、このポリマーのポリシラン
釦:ポリシロキサン鎮の比が1:0.63であることが
分かった。
であり〜が7.6 X 10 ’であったが、(2)の
添加、消失後のそれはMnが9.2 X 10 ’であ
り編が16、 OX 10 ’に増大した。実施例1と
同様にして再沈澱精製を行ったところ、白色のエラスト
マー状ポリマーが0.69 g得られた。’ H−NM
Rスペクトルの積分比より、このポリマーのポリシラン
釦:ポリシロキサン鎮の比が1:0.63であることが
分かった。
実施例4
重合開始剤としてフエニルジメチルシリルリチウム0.
01ミリモルを用い、ジシレン付加体として1,8−ジ
フェニル−7,7,8−)リメチルー7.8−ジシラビ
シクロC2,22〕オクタ−2,5−ジエン(3)を5
.0ミリモルおよび環状シロキサン化合物として1,3
.5−)リメチル−1,3,5−)リフェニルシクロト
リシロキサン(4)を1.3−: IJモル用いた以外
は、実施例1と同様にしてアニオン重合反応を行った。
01ミリモルを用い、ジシレン付加体として1,8−ジ
フェニル−7,7,8−)リメチルー7.8−ジシラビ
シクロC2,22〕オクタ−2,5−ジエン(3)を5
.0ミリモルおよび環状シロキサン化合物として1,3
.5−)リメチル−1,3,5−)リフェニルシクロト
リシロキサン(4)を1.3−: IJモル用いた以外
は、実施例1と同様にしてアニオン重合反応を行った。
(4)の添加前のGPC測定ではgnが2.5 X 1
0 ’であり一が4. I X 10 ’であったが、
(4)の添加、消失後のそれはMnが7.8X10’、
I’Swが12.9×104に増大した。実施例1と同
様にして再沈澱精製を行ったところ、白色のエラストマ
ー状ポリマーが1.1g得られた。’ H−NMRスペ
クトルの積分比により、このポリマーのポリシラン鎮:
ボリシロキサン鎖の比が1:0.50であることが分か
った。
0 ’であり一が4. I X 10 ’であったが、
(4)の添加、消失後のそれはMnが7.8X10’、
I’Swが12.9×104に増大した。実施例1と同
様にして再沈澱精製を行ったところ、白色のエラストマ
ー状ポリマーが1.1g得られた。’ H−NMRスペ
クトルの積分比により、このポリマーのポリシラン鎮:
ボリシロキサン鎖の比が1:0.50であることが分か
った。
実施例5
重合開始剤としてフェニルリチウム0,01ミリモルを
用い、(3)を5.0 ミ!1モルおよび環状シロキサ
ン化合物として1.3.5−)リメチル1.3.5−ト
リヒドロトリシロキサン(5)を1、5 ミ!Jモル用
いた以外は、実施例1と同様にしてアニオン重合反応を
行った。
用い、(3)を5.0 ミ!1モルおよび環状シロキサ
ン化合物として1.3.5−)リメチル1.3.5−ト
リヒドロトリシロキサン(5)を1、5 ミ!Jモル用
いた以外は、実施例1と同様にしてアニオン重合反応を
行った。
(5)の添加前のcpc測定では1ionが2.7 X
10 ’であり翫が4.2X10’であったが、(5
)の添加、消失後のそれはMo゛が5. I X 10
’であり〜が8.2X10’に増大した。実施例1と
同様にして再沈澱精製を行ったところ、白色の水あめ状
ポリマーが0.79 g得られた。’ )I−NMRス
ペクトルの積分比よりこのポリマーのポリシラン鎮:ボ
リシロキサン鎖の比が1:0.59であることが分かっ
た。
10 ’であり翫が4.2X10’であったが、(5
)の添加、消失後のそれはMo゛が5. I X 10
’であり〜が8.2X10’に増大した。実施例1と
同様にして再沈澱精製を行ったところ、白色の水あめ状
ポリマーが0.79 g得られた。’ )I−NMRス
ペクトルの積分比よりこのポリマーのポリシラン鎮:ボ
リシロキサン鎖の比が1:0.59であることが分かっ
た。
第1図は、本発明の実施例1で測定して得られたポリシ
ラン−ポリシロキサンブロック共重合体のIRスペクト
ル図を、第2図は同じく’H−NMRスペクトル図を示
す。
ラン−ポリシロキサンブロック共重合体のIRスペクト
ル図を、第2図は同じく’H−NMRスペクトル図を示
す。
Claims (2)
- (1)下記一般式〔 I 〕で表わされるポリシラン−ポ
リシロキサンブロック共重合体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 (式中、R^1、R^2、R^3およびR^4はアルキ
ル基またはアリール基であり、それぞれ異っていても同
一でもよく、R^5およびR^6は水素原子、アルキル
基またはアリール基であり、それぞれ異っていてもよく
同一でもよい。また、mは15を超える整数であり、n
は3を超える整数である。) - (2)下記一般式〔II〕で表わされるビフェニルでマス
クされたジシレン付加体 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 (式中、R^1、R^2、R^3およびR^4は前記と
同意義。)をモノマーとして用いて、アニオン重合によ
りポリシランを製造した後、下記一般式〔III〕で表わ
される環状シロキサン化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 (式中、R^5およびR^6は前記と同意義であり、X
は3〜5の整数である。) を添加して開環重合させることを特徴とする一般式〔
I 〕で表わされるポリシラン−ポリシロキサンブロック
共重合体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17628490A JPH0465427A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | ポリシラン―ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17628490A JPH0465427A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | ポリシラン―ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0465427A true JPH0465427A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16010893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17628490A Pending JPH0465427A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | ポリシラン―ポリシロキサンブロック共重合体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0465427A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6188308B1 (en) | 1996-12-26 | 2001-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | PTC thermistor and method for manufacturing the same |
WO2012125432A1 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-20 | Dow Corning Corporation | Polysilanesiloxane copolymers and method of converting to silicon dioxide |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP17628490A patent/JPH0465427A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6188308B1 (en) | 1996-12-26 | 2001-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | PTC thermistor and method for manufacturing the same |
US6438821B1 (en) | 1996-12-26 | 2002-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | PTC thermistor and method for manufacturing the same |
WO2012125432A1 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-20 | Dow Corning Corporation | Polysilanesiloxane copolymers and method of converting to silicon dioxide |
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