JPH0465157A - パワートランジスタ用リードフレームとその製造方法 - Google Patents

パワートランジスタ用リードフレームとその製造方法

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JPH0465157A
JPH0465157A JP17782090A JP17782090A JPH0465157A JP H0465157 A JPH0465157 A JP H0465157A JP 17782090 A JP17782090 A JP 17782090A JP 17782090 A JP17782090 A JP 17782090A JP H0465157 A JPH0465157 A JP H0465157A
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JP
Japan
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heat sink
protrusion
lead frame
sink
sink portion
Prior art date
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Pending
Application number
JP17782090A
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English (en)
Inventor
Toru Yamada
徹 山田
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPH0465157A publication Critical patent/JPH0465157A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、プレス加工によって製造するパワートランジ
スタ用リードフレームとその製造方法に関するものであ
る。
〈従来の技術〉 従来、ヒートシンク部を有するパワートランジスタ用リ
ードフレームは、順送り金型を用いプレス加工によって
製造されている。
このヒートシンク部の外周部の一部分あるいはヒートシ
ンク部内の丸形または丸形以外の抜き孔には、モールド
との密着性および耐湿性を与えるためコイニング加工が
施される。 コイニング加工はヒートシンク部の表面ま
たは裏面のみに行う場合と表裏両面側から行う場合があ
る。
また、ヒートシンク部の一部分に溝加工を施す場合があ
る。
〈発明が解決しようとする課題〉 従来技術では、ヒートシンク部の一部分に直接圧縮力を
与えることにより、前記コイニング加工または溝加工を
行うため、ヒートシンク部には大きな応力が伝わること
になっていた。
従って、この力によりヒートシンク部全体が変形させら
れ、平坦度が悪(なるという問題点が生じていた。
このため、加工を十分に行うことが困難になり、本来の
目的であるモールドとの密着性および耐湿性にも限界が
あった。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、ヒ
ートシンク部の平坦度を確保しながら、モールドとの密
着性、耐湿性を大きく向上させることができるパワート
ランジスタ用リードフレームとその製造方法を提供する
ことにある。
く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明によれば、ヒートシン
ク部を有し、順送り金型を用いプレス加工によって製造
されるトランジスタ用リードフレームにおいて、前記ヒ
ートシンク部がせん断加工と圧縮加工による突起を有す
ることを特徴とするパワートランジスタ用リードフレー
ムが提供される。
また、本発明によれば、前記パワートランジスタ用リー
ドフレームの製造に際し、前記ヒートシンク部の形状抜
きをしたのち、せん断加工を前記ヒートシンク部の所定
の部分にその厚さ方向の中間まで行い、続いて、前記せ
ん断加工により形成された突起の先端を圧縮加工するこ
とを特徴とするパワートランジスタ用リードフレームの
製造方法が提供される。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明のパワートランジスタ用リードフレームは、ヒー
トシンク部を有し、順送り金型を用いプレス加工によっ
て製造されるものである。
本発明において用いる順送り金型の形状は、特に限定せ
ず公知のものを用いることができる。
本発明のリードフレームは、ヒートシンク部の外周部の
一部分あるいはヒートシンク部内の丸形または丸形以外
の抜き孔、さらにはヒートシンク部の一部分にモールド
との密着性および耐湿性を与えるために形成される突起
に特徴を有する。
第3図は、本発明の一実施例を示すパワートランジスタ
用リードフレームのヒートシンク部2を示す平面図であ
る。 第3図ではヒートシンク部2の周囲の一部に突起
部2aを有する例で、突起部2aの先端2bの断面形状
は第4図に示すようにつぶし加工されている。
第7図および第8図は、ヒートシンク部2内の一部分に
突起部2aを有する例を示し、突起部2aの先端2bの
断面は第8図に示すようにつぶし加工されている。
上記のばかヒートシンク部内の丸形または丸形以外の抜
き孔部分に、先端をつぶし加工した突起部を形成したも
のも挙げることができる(図示せず)。
このように先端をつぶし加工した突起部をヒートシンク
部に有することにより、モールドの密着性および耐湿性
を向上させることができる。
つぎに、本発明のパワートランジスタ用リードフレーム
の製造方法について説明する。
常法によりヒートシンク部の形状抜きをしたのち、せん
断加工と圧縮加工を併用して突起を形成する。
第1図および第2図は、ヒートシンク部2の周囲の一部
に突起を形成する場合の一例を示す。
まず、第1図に示すように形状抜きしたヒートシンク部
2の周囲の一部分に、せん断加工パンチ1およびダイ3
を用いて前記ヒートシンク部2の厚さ方向の中間(第1
図では厚さの半分)までせん断加工を行い突起部2aを
形成する。
続いて、前記突起部2aを有するヒートシンク部2に対
し、第2図に示すようにつぶし加工量はパンチ4および
つぶし加工ダイ5を用いて前記突起部2aへ圧縮力を与
え、先端2bをつぶし加工する。
このようにして断面形状が第4図に示すような突起を容
易に形成することができ、ヒートシンク部2の平坦度を
保持することができる。
突起部2aを形成するせん断加工の加工量およびその後
に行うつぶし加工の加工量は限定せず、任意に選定する
ことができる。
第5〜8図は、ヒートシンク部内の一部分に溝6を形成
する場合の一例を示す。
まず、第5図および第6図に示すように形状抜きしたヒ
ートシンク部2の一部分に、せん断加工を途中まで行い
、溝6を形成する。 このとき、溝6の裏面には突起部
2aが形成される。
続いて、前記突起部2aを有するヒートシンク部2に対
し、つぶし加工量はパンチおよびつぶし加工ダイを用い
て前記突起部2aへ圧縮力を与え、先端2bをつぶし加
工する(第7図および第8図参照)。
〈実施例〉 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
(実施例1) 第1図に示すように形状抜きしたヒートシンク部2の周
囲の一部分に、せん断加工により突起部2aを形成し、
続いて第2図に示すように突起部2aの先端をつぶし加
工し、第3図−および第4図に示すように突起を形成し
た。 各部の寸法は下記の通りである。
ヒートシンク部の厚さ (1,2〜2.0mm)または(1,4mm)せん断加
工の加工量 (0,5−1,0mm)または(0゜7mm)つぶし加
工の加工量 (0,1−0,5+*m)または(0,2mm)加工後
のヒートシンク部の平坦度は10LLm以下であり、は
とんど変形は無かった。
上記突起をヒートシンク部に形成したパワートランジス
タ用リードフレームを用い、チップを搭載し、エポキシ
樹脂でモールディングしたのち、下記によりモールドの
密着性、耐湿性の評価を行った。
(評価方法) PCT試験による(pressure cooker 
test)121℃、2気圧の水蒸気圧内に24時間か
ら100時間入れておき、 ■樹脂の外観チエツク−クラックがない■ジー1間リー
ク電流試験→10す’A以内で合格 ■樹脂を破壊し、内部へ水分の浸入がないかチエツク 〈発明の効果〉 本発明は以上説明したように構成されているので、本発
明の製造方法によれば、ヒートシンク部自体にかかる圧
縮応力が小さいのでヒートシンク部が反る、曲るという
変形をしない。
そのため平坦度が良好となり、グイボンディング性が向
上するという効果を奏する。 また、樹脂モールド時の
ヒートシンク部裏面へのモールド流れについても防止す
ることができる。
また、本発明のリードフレームはヒートシンク部に形成
される突起の形状が複雑となるため、モールドの密着性
、耐湿性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ヒートシンク部の周囲の一部にせん断加工を
半分まで施したときのヒートシンク部の断面図である。 第2図は、第1図のヒートシンク部の突起部につぶし加
工を施したときのヒートシンク部の断面図である。 第3図は、本発明のパワートランジスタ用リードフレー
ムのヒートシンク部の一実施例を示す平面図である。 第4図は、第3図のTV−TV線でみた断面図である。 第5図は、本発明のパワートランジスタ用リードフレー
ムのヒートシンク部内の一部分にせん断加工を半分まで
施したときのヒートシンク部の形状の他の例を示す平面
図である。 第6図は、第5図のVl−VI線でみた断面図である。 第7図は、第5図のヒートシンク部の突起部につぶし加
工を施したときのヒートシンク部の平面図である。 第8図は、第7図の■−■線でみた断面図である。 符号の説明 l・・・せん断加工パンチ、 2・・・リードフレームのヒートシンク部、2a・・・
突起部、 2b・・・先端、 3・・・せん断加工グイ、 4・・・つぶし加工受はパンチ、 5・・・つぶし加工グイ、 6・・・溝 FIG、5 FIG、7 FIG、8

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ヒートシンク部を有し、順送り金型を用いプレス
    加工によって製造されるトランジスタ用リードフレーム
    において、 前記ヒートシンク部がせん断加工と圧縮加工による突起
    を有することを特徴とするパワートランジスタ用リード
    フレーム。
  2. (2)請求項1記載のパワートランジスタ用リードフレ
    ームの製造に際し、 前記ヒートシンク部の形状抜きをしたのち、せん断加工
    を前記ヒートシンク部の所定の部分にその厚さ方向の中
    間まで行い、 続いて、前記せん断加工により形成された突起の先端を
    圧縮加工することを特徴とするパワートランジスタ用リ
    ードフレームの製造方法。
JP17782090A 1990-07-05 1990-07-05 パワートランジスタ用リードフレームとその製造方法 Pending JPH0465157A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339568A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2008034601A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2011139108A (ja) * 2011-04-14 2011-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339568A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2008034601A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
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