JPH0462139B2 - - Google Patents
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- JPH0462139B2 JPH0462139B2 JP58225663A JP22566383A JPH0462139B2 JP H0462139 B2 JPH0462139 B2 JP H0462139B2 JP 58225663 A JP58225663 A JP 58225663A JP 22566383 A JP22566383 A JP 22566383A JP H0462139 B2 JPH0462139 B2 JP H0462139B2
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- JP
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- conductive layer
- electron beam
- disk
- recording
- layer
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子ビーム記録用デイスク、詳しくは
書込み読出しに用いるビームを電子ビームで行う
大容量記録デイスクに関する。
書込み読出しに用いるビームを電子ビームで行う
大容量記録デイスクに関する。
(2) 技術の背景
記録の書込みおよび読出しに光デイスクを用い
る技術が知られている。それを第１図の一部断面
を示す斜視図を参照して説明すると、光デイスク
１（それは１つの円板である）に溝２が同心状に
形成され、溝２の間のトラツク３に開口部４が形
成されている。トラツク３はどの位置にあるかは
前以つて定められており、特定のトラツクの上に
デイジタル方式で開口部４を設けるか否かを
“１”と“０”の信号に対応させるとすると、ト
ラツク４に開口部を形成しまたはしないことによ
つて記録の書込みがなされ、またそれを検知する
ことによつて記録の読出しがなされる。
る技術が知られている。それを第１図の一部断面
を示す斜視図を参照して説明すると、光デイスク
１（それは１つの円板である）に溝２が同心状に
形成され、溝２の間のトラツク３に開口部４が形
成されている。トラツク３はどの位置にあるかは
前以つて定められており、特定のトラツクの上に
デイジタル方式で開口部４を設けるか否かを
“１”と“０”の信号に対応させるとすると、ト
ラツク４に開口部を形成しまたはしないことによ
つて記録の書込みがなされ、またそれを検知する
ことによつて記録の読出しがなされる。
溝２の幅は0.7μm〜0.8μm程度に微小化されて
いるが、光ビーム（例えばレーザビーム）を用い
る記録の書込みと読出しでは光ビームの解析限界
に近づいていて光ビームを前記した長さの径より
も小に絞り込むことはできない。そこで光の代り
に電子ビーム（electron beam，EB）を用いる
技術が開発されつつあり、電子ビームは500Å径
にまで絞り込むことができるので、高密度の記録
の書込みと読出しが可能となる。このような電子
ビームを用いて作成する記録媒体はEBデイスク
と呼称されるが、本発明はEBデイスクの改良に
係わるものである。
いるが、光ビーム（例えばレーザビーム）を用い
る記録の書込みと読出しでは光ビームの解析限界
に近づいていて光ビームを前記した長さの径より
も小に絞り込むことはできない。そこで光の代り
に電子ビーム（electron beam，EB）を用いる
技術が開発されつつあり、電子ビームは500Å径
にまで絞り込むことができるので、高密度の記録
の書込みと読出しが可能となる。このような電子
ビームを用いて作成する記録媒体はEBデイスク
と呼称されるが、本発明はEBデイスクの改良に
係わるものである。
(3) 従来技術と問題点
従来の電子ビーム用デイスクは弱い電子ビーム
を照射してその時に反射される二次電子を検知器
によつて読み出していた。そのため読出し用の検
知器を真空系内に置かなければならず、真空系に
おいて余分な体積を必要としていた。そこで前記
二次電子の検知をかかる真空系内に配置される検
知器を用いることなくなしうる電子ビーム記録用
デイスクが要望されている。
を照射してその時に反射される二次電子を検知器
によつて読み出していた。そのため読出し用の検
知器を真空系内に置かなければならず、真空系に
おいて余分な体積を必要としていた。そこで前記
二次電子の検知をかかる真空系内に配置される検
知器を用いることなくなしうる電子ビーム記録用
デイスクが要望されている。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、電子ビーム用
デイスクにおいて真空系内に配置された電子ビー
ムの検知器なしで、読出しの行なえる電子ビーム
記録用デイスクを提供することを目的とするもの
である。
デイスクにおいて真空系内に配置された電子ビー
ムの検知器なしで、読出しの行なえる電子ビーム
記録用デイスクを提供することを目的とするもの
である。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、デイスク基
板上に導電性層および該導電性層上の熱可溶性の
除去可能な非導電性層が形成され、記録は該非導
電性層に電子ビームを照射し非導電性層の被照射
部分に開口部を形成することによつてなし、読出
しは、前記電子ビームより弱い第２の電子ビーム
を該非導電性層に照射し開口部から導電性層を通
して流れる電子により発生する電流を検知してな
す構成を特徴とする電子ビーム記録用デイスクを
提供することによつて達成される。
板上に導電性層および該導電性層上の熱可溶性の
除去可能な非導電性層が形成され、記録は該非導
電性層に電子ビームを照射し非導電性層の被照射
部分に開口部を形成することによつてなし、読出
しは、前記電子ビームより弱い第２の電子ビーム
を該非導電性層に照射し開口部から導電性層を通
して流れる電子により発生する電流を検知してな
す構成を特徴とする電子ビーム記録用デイスクを
提供することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳説する。
本発明者は、デイスク形状として導電性層上に
非導電性薄膜層を設け、書込みは非導電性薄膜を
電子ビーム照射により除去することにより行い、
読出しは弱い電子ビーム照射により書込み部と非
書込み部ではデイスクへの電子の流れる量が異な
ることを利用して行うことを考えた。そして非導
電層としては、酢酸セルロース、塩化ビニル、
PMMA，PVC，コロジオンなどの有機薄膜や
MgF2，SiO2，CaF2，MgO，TeO2，GeO2など
の無機薄膜を用いるとよいことを確認した。
非導電性薄膜層を設け、書込みは非導電性薄膜を
電子ビーム照射により除去することにより行い、
読出しは弱い電子ビーム照射により書込み部と非
書込み部ではデイスクへの電子の流れる量が異な
ることを利用して行うことを考えた。そして非導
電層としては、酢酸セルロース、塩化ビニル、
PMMA，PVC，コロジオンなどの有機薄膜や
MgF2，SiO2，CaF2，MgO，TeO2，GeO2など
の無機薄膜を用いるとよいことを確認した。
本発明の実施例においては、第２図の断面図に
示される如く、EBデイスクを構成する厚さ２mm
のガラス基板２１上に導電性層として100μmの厚
さにアルミニウムAl導電層２２を真空蒸着法で
形成した後に、非導電性層として熱溶融し易い絶
縁性をもつた酢酸セルロース層２３をスピンコー
ト法により0.1μmの厚さに形成して情報記録デイ
スクを作る。
示される如く、EBデイスクを構成する厚さ２mm
のガラス基板２１上に導電性層として100μmの厚
さにアルミニウムAl導電層２２を真空蒸着法で
形成した後に、非導電性層として熱溶融し易い絶
縁性をもつた酢酸セルロース層２３をスピンコー
ト法により0.1μmの厚さに形成して情報記録デイ
スクを作る。
次いで第３図に示される如く上記の情報記録用
のEBデイスク２１に対し、10-3パスカルPa程度
の真空中において、スポツト径が500Åの電子ビ
ーム２４を、50KeVに加速して照射し、照射領
域において酢酸セルロース層２３を局部的に溶融
して開口部２５を形成して情報の書込みを行つ
た。このようにして形成されたEBデイスクのト
ラツクと開口部とは第１図に示したものと全く同
じ構造であるが、それは高密度である点において
従来の光デイスクとは異なるものである。
のEBデイスク２１に対し、10-3パスカルPa程度
の真空中において、スポツト径が500Åの電子ビ
ーム２４を、50KeVに加速して照射し、照射領
域において酢酸セルロース層２３を局部的に溶融
して開口部２５を形成して情報の書込みを行つ
た。このようにして形成されたEBデイスクのト
ラツクと開口部とは第１図に示したものと全く同
じ構造であるが、それは高密度である点において
従来の光デイスクとは異なるものである。
次に比較的弱い例えば上記の照射ビームの1/10
程度の第２の電子ビーム３０を照射した。開口部
２５ではAl導電層２２を通つて電子が流れるた
め、EBデイスク２１のAl導電層２２とつながつ
ている電流検知器３３（第４図参照）により電流
の有無が検知され、読出しが行われた。
程度の第２の電子ビーム３０を照射した。開口部
２５ではAl導電層２２を通つて電子が流れるた
め、EBデイスク２１のAl導電層２２とつながつ
ている電流検知器３３（第４図参照）により電流
の有無が検知され、読出しが行われた。
操作においては第４図に示される如く、EBデ
イスク２１は電子ビーム装置３１内に取り付けら
れ、電流はモータ３２の軸を通り電流検知器３３
まで流れて信号読出しが行なえる。なお第４図に
おいて、３４は電子銃、３５はコントローラ、３
６は電子レンズ、３７は偏向器、３８は排気ポン
プを示す。従来技術において二次電子検知器は符
号３９を付して点線で示す如くに配置されていた
ものである。図示の装置は公知のものであるので
それの詳細な説明は省略する。
イスク２１は電子ビーム装置３１内に取り付けら
れ、電流はモータ３２の軸を通り電流検知器３３
まで流れて信号読出しが行なえる。なお第４図に
おいて、３４は電子銃、３５はコントローラ、３
６は電子レンズ、３７は偏向器、３８は排気ポン
プを示す。従来技術において二次電子検知器は符
号３９を付して点線で示す如くに配置されていた
ものである。図示の装置は公知のものであるので
それの詳細な説明は省略する。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、真空
装置内に電子ビーム検出器のない装置に使用でき
る電子ビーム記録用デイスクを提供することがで
き、かかるデイスクは保管性に優れたものである
利点がある。
装置内に電子ビーム検出器のない装置に使用でき
る電子ビーム記録用デイスクを提供することがで
き、かかるデイスクは保管性に優れたものである
利点がある。
なお上記の実施例においては導電性層はAl層、
非導電性層は酢酸セルロースで作つたが、本発明
の適用範囲はその場合に限定されるものではな
く、その他の導電性材料および熱可溶性非導電性
材料を用いる場合にもおよぶものである。
非導電性層は酢酸セルロースで作つたが、本発明
の適用範囲はその場合に限定されるものではな
く、その他の導電性材料および熱可溶性非導電性
材料を用いる場合にもおよぶものである。
第１図は光デイスクの一部断面を示す斜視図、
第２図は本発明にかかるEBデイスクの部分的断
面図、第３図はEB照射後の第２図のEBデイスク
の部分的断面図、第４図は第３図に示すデイスク
を読み出す装置の断面図である。 ２１……EBデイスク、２２……Al層、２３…
…酢酸セルロース層、２４……EB、２５……開
口部。
第２図は本発明にかかるEBデイスクの部分的断
面図、第３図はEB照射後の第２図のEBデイスク
の部分的断面図、第４図は第３図に示すデイスク
を読み出す装置の断面図である。 ２１……EBデイスク、２２……Al層、２３…
…酢酸セルロース層、２４……EB、２５……開
口部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ デイスク基板上に導電性層および該導電性層
上の熱可溶性の除去可能な非導電性層が形成さ
れ、 記録は該非導電性層に電子ビームを照射し非導
電性層の被照射部分に開口部を形成することによ
つてなし、 読出しは、前記電子ビームより弱い第２の電子
ビームを該非導電性層に照射し開口部から導電性
層を通して流れる電子により発生する電流を検知
してなす構成を特徴とする電子ビーム記録用デイ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566383A JPS60117434A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 電子ビ−ム記録用デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566383A JPS60117434A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 電子ビ−ム記録用デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117434A JPS60117434A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0462139B2 true JPH0462139B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=16832823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22566383A Granted JPS60117434A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 電子ビ−ム記録用デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117434A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2757887B2 (ja) * | 1986-02-17 | 1998-05-25 | 株式会社島津製作所 | 情報を記録し，および読出す方法 |
| JPH0766575B2 (ja) * | 1986-02-17 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | 電子ビームによる情報再生装置 |
| JP2892022B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1999-05-17 | シャープ株式会社 | 記録素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775896A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Data recording member |
| JPS58158056A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22566383A patent/JPS60117434A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775896A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Data recording member |
| JPS58158056A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117434A (ja) | 1985-06-24 |
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