JPH0460933A - 光ピックアップヘッド装置 - Google Patents

光ピックアップヘッド装置

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JPH0460933A
JPH0460933A JP2167673A JP16767390A JPH0460933A JP H0460933 A JPH0460933 A JP H0460933A JP 2167673 A JP2167673 A JP 2167673A JP 16767390 A JP16767390 A JP 16767390A JP H0460933 A JPH0460933 A JP H0460933A
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JP
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light source
optical
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reflected
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JP2167673A
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Shinichi Kadowaki
愼一 門脇
Yoshiaki Kaneuma
慶明 金馬
Seiji Nishino
清治 西野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • G11B7/131—Arrangement of detectors in a multiple array
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1353—Diffractive elements, e.g. holograms or gratings

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明Ｃ上　　光ディスクあるいは光カードなど、光媒
体もしくは光磁気媒体上に記憶される光学情報を記録・
再生あるいは消去可能な光ピックアップヘッド装置に関
するものである。
従来の技術 高密度・大容量の記憶媒体として、ピット状パターンを
有する光ディスクを用いる光メモリ技術（よ　ディジタ
ルオーディオディス化　ビデオディス久　文書ファイル
ディス久　さらにはデータファイルと用途を拡張しつス
　実用化されてきている。　ミクロンオーダに絞られた
光ビームを介して光ディスクへの情報の記録再生が高い
信頼性のもとに首尾よく遂行されるメカニズムは　ひと
えにその光学系に因っている。その光学系の主要部であ
る光ピックアップヘッド装置（以下ＯＰＵと略す）の基
本的な機能は　（１）回折限界の微小スポットを形成す
る集光性、　（ＩＬ）前記光学系の焦点制御とピット信
号′検ａ　および（［）同トラッキング制御の３種類に
大別される。これらｉｉ　　口直　用途に応じて、各種
の光学系ならびに光電変換検出方式の組合せによって実
現されており、特に近岨　光ピックアップヘッド装置を
小型化　薄型化するための技術が開示されている。１）
〜３）１）特開平１−２２３４１２号　光走査装置２）
特開平１−２２４９３３号　光走査装置３）特開平１−
２７３２３８号　光学ヘッド装置 第８図（ａ）に特開平１−２７３２３８号公報において
示された光ピックアップヘッド装置の構成を、同図（ｂ
）に特開平１−２７３２３８号において示された光ピッ
クアップヘッド装置を構成する光源とフォトディテクタ
を同一のパッケージに収納した発光受光部の様子をそれ
ぞれ示す。同図（ｂ）において、　４３は半導体レーザ
光源５３と半導体基板５０に形成されたフォトディテク
タ５１．５２とプリズム５５とを同一パッケージ４２に
収納した発光受光部であり、同図（ａ）に示すように発
光受光部４３は光ピックアップヘッド装置を構成する保
持部材２２の上面に取り付けられている。また　発光受
光部４３の下方には反射部４４力（ざらに、　　保持部
材２２の上面部に配された対物レンズ１１の光軸上に反
射部４５が各々保持部材２２により保持されて配されて
いる。ここで保持部材２２に対する発光受光部４３の取
り付は基準面と保持部材２２に対する対物レンズ１１の
取り付は基準面は同一の面Ｐｒとされており、したがっ
て、発光受光部４３の取り付は基準面に対して対物レン
ズ１１の光軸方向が実質的に直交するものとされている
ことになる。光源５３から発したレーザービーム１４０
はプリズム５５で反射され下方の反射部４４に向かし＼
　反射部４４で反射されて、さら顛　反射部４５で反射
されて上方に向かうものとされて、対物レンズ１１に入
射せしめられる。そして、対物レンズ１１に入射せしめ
られたレーザービームｌ　４０　＋＆　　対物レンズ１
１により集束状態とされて、光ディスクＤに入射するも
のとされる。保持部材２２の内部において、発光受光部
４３と対物レンズ１１との間で、レーザービーム１４０
は反射部４４と反射部４５とにより方向が２回変更され
る光路をとることによって、光ピックアップヘッド装置
を小凰　薄型にしている。３８．３９はフォーカス及び
トラッキング方向にピックアップヘッド装置を追従させ
るためのアクチュエータである。
光ディスクＤからの反射レーザービーム１４１ば　対物
レンズ１１を通じて反射部４５に入射し反射部４５で反
射され　さらに　反射部４４で反射されて上方に向かう
ものとされて、パッケージ４２に収容された発光受光部
４３に導かれる。発光受光部４３１４．　　半導体基板
５０の内部に第１のと第２のフォトディテクタ５１及び
５２が配列されるととも４４　　半導体基板５ｏの面に
半導体レーザー光源５３が配され　ざらＩＱ　　半導体
基板５゜における半導体レーザー光源５３が配された面
が保護膜５４によって覆われ　その保護膜５４上におけ
る第１及び第２のフォトディテクタ５１及び５２に対応
する位置にプリズム５５が配されて構成され爪　集積化
されたものとされる。プリズム５５は　半導体レーザー
素子５３に対向する固め（半導体基板５０における半導
体レーザー素子５３が配された面に対して傾斜した先生
透過反射面５５ａを形成するものとされる。このような
もとで、半導体レーザー光源５３から発せられるレーザ
ービーム１４０バ　プリズム５５の先生透過反射面５５
ａで反射されて、パッケージ４２のガラス板部４７を透
過して反射部４４に向かうものとされ反射部４４．４５
及び対物レンズ１１を通じて光ディスクＤに入射せしめ
られる。そして、光ディスクＤからの反射レーザ−ビー
ム１４１力丈　対物レンズ１１、反射部４５．４４を通
じて戻り、プリズム５５の先生透過反射面５５ａを透過
してプリズム５５内に入射する。プリズム５５内に入射
したレーザービーム１４１　ｊ＆　　第１のフォトディ
テクタ５１に到達してビーム７０の強度の約半分が受光
されるとともＩＱ　　残りの強度のビーム１４１はフォ
トディテクタ５１．　　プリズム５５で反射されて第２
のフォトディテクタ５２に到達して受光される。その隘
　プリズム５５内に入射したレーザービーム１４１ｉ＆
　　プリズム５５内に形成される第１のフォトディテク
タ５１から第２のフォトディテクタ５２に至る光路上に
おいて、集束点を有するものとなるように設定されてい
る。したがって、第１及び第２のフォトディテクタ５１
゜５２の各々から１瓜　光ディスクＤからの反射レーザ
ービーム１４１に応じた検出出力信号が得られこれらに
基づいて、高周波情報（ＲＦ）信号　トラッキング誤差
（ＴＥ）信号、フォーカス誤差（ＦＥ）信号等が得られ
る。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この従来例に示した光ピックアップヘッ
ド装置の保持部材２２の内部においてζ主発光受光部４
３と対物レンズ１１との間で、レーザービーム１４０は
反射部４４と反射部４５とにより方向が２回変更される
光路をとる構成となっており、この従来例で示したよう
な構成では　例えば接着剤の厚みむら等により光ピック
アップヘッド装置を組み立てる際の反射部４４と反射部
４５の取り付は角度が設計した角度とは異なる角度で取
り付けられた場合、レーザービーム１４０は対物レンズ
１１の光軸を通らなくなり、その結果光ディスクＤに集
光されるレーザービーム１４０のスポット像はレンズの
軸外収差の影響を受けてぼやけた像となり良好なＲＦ倍
信号検出することができなくなも　特に２つの反射部で
光路を２回変更すると、反射部の取り付は角度の誤差が
それぞれ影響を与えるので、反射部１つで光路を１回変
更する構成の光ピックアップヘッド装置と比較して各々
の反射部の取り付は角度の誤差は２分の１程度にまで低
く抑えなければならなず、光ピックアップヘッド装置の
生産性をよくするために顛反射部の取り付は精度を緩和
しなければならないという課題があった 本発明は　小見　薄型で、レーザービームを反射する反
射部の取り付は角度の誤差を大きく許容する量産性に優
れた光ピックアップヘッド装置を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段 前記課題を解決するために 本発明において（よ　コヒーレントビームもしくは準単
色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源から
のビームを反射させてビームの進行方向を変更する第１
の光反射部と、前記第１の光反射部で反射されて進行方
向を変更したビームを反射させてビームの進行方向をさ
らに変更する第２の光反射部と、前記第２の光反射部で
反射されて進行方向を変更したビームを受け光記憶媒体
上へ微小スポットに収束する集光光学系と、前記光記憶
媒体で反ｎｔ　　回折したビームを受け光電流を出力す
る複数のフォトディテクタからなるフォトディテクタユ
ニットと、前記光記憶媒体で反射回折したビームを前記
フォトディテクタユニットへビームを導くための反射　
屈折もしくは回折を行う素子と、前記光源と前記第１の
反射部と前記第２の反射部と前記集光光学系と前記フォ
トディテクタユニットと前記反射　屈折もしくは回折を
行う素子を共通の部材で保持する可動体よ、前記可動体
を前記集光光学系の光軸に沿う第１の方向及び前記集光
光学系の光軸と直交する第２の方向に変位させる駆動機
構とを具備した光ピックアップヘッド装置において、前
記光源と前記フォトディテクタユニットは同一のパッケ
ージに収納して１つの発光受光素子を形成し　前記第１
の反射部と前記第２の反射部を同一の支持体に形成する
ことによって第１の反射部と第２の反射部の取り付は誤
差が相対的に同じ角度誤差となるようにする。
作用 本発明の光ピックアップヘッド装置で（よ　レーザービ
ームを反射する第１の反射部と第２の反射部を同一の支
持体に形成することによって、光ピックアップヘッド装
置を組み立てる限　反射部を取りイ」ける角度に誤差が
含まれる場合でも第１の反射部と第２の反射部とは相対
的に同じ角度の誤差を含んで取り付けられることになり
、光源から発したレーザービームが第１の反射部で反射
されたときに第１の反射部の取り付は角度の誤差によっ
て発生する光軸のずれは　相対的に第１の反射部と同じ
角度誤差を含んで取り付けられる第２の反射部で反射さ
れたときに相殺されて、光源から発したレーザービーム
の光軸は第１の反射部と第２の反射部を形成した支持体
の取り付は角度の影響を受けることなく対物レンズの光
軸に一致させることができ、すなわ叛　光ピックアップ
ヘッド装置を組み立てる暇　第１の反射部と第２の反射
部を形成した支持体を取り付ける角度精度が大きく緩和
され　生産性が大きく向上する。
実施例 第１図（ａ）に本発明の一実施例による光ピックアップ
ヘッド装置の概略構成を、同図（ｂ）に本発明の一実施
例による光ピックアップヘッド装置におけるフォトディ
テクタユニット５上のビーム７０の様子をそれぞれ示机
　同図（ａ）において、　１はコヒーレントビーム７０
を発する半導体レーザ光源（例えば波長λ＝７８０ｎｍ
）、　５は複数のフォトディテクタからなるフォトディ
テクタユニット、　３は光源１から発したビーム７０を
反射させ及び光記憶媒体（光ディスク）４から反射　回
折したビーム７０を透過　屈折させてフォトディテクタ
ユニット５に導くための半透過反射面３ａを設けたプリ
ズム　２は光源１とフォトディテクタユニット５とプリ
ズム３とを収納しているパッケージであり、光源１とフ
ォトディテクタユニット５とプリズム３とパッケージ２
とでハイブリッドデバイスを構成している。８は光源１
から発したビーム７０を受け光記憶媒体４上に集光する
有限焦点系集光レンズ、　９１はレンズ８の光軸に沿う
方向にレンズ８を変位させるフォーカス制御用のアクチ
ュエータ（駆動機構）、　９２はレンズ８の光軸と直交
する方向にレンズ８を変位させるトラッキング制御用の
アクチュエータ（駆動機構）であって、ハイブリッドデ
バイスとレンズ８とアクチュエータ９１及び９２と２つ
の反射部１３．１４を形成した支持体１５とを保持部材
２３に取り付けることにより光ピックアップヘッド装置
を構成している。光源１から発したビーム７０はプリズ
ム３の先竿透過反射面３ａで下方に反射され　さらに反
射部１３．１４でそれぞれ光路を曲げら札　レンズ８で
光記憶媒体４上に集光される。光記憶媒体４において、
　２０は溝もしくはピットが形成された基板　２１は保
護膜である。
光記憶媒体４上で反射２回折されたビーム７０は復路で
再びレンズ８を通過した後、反射部１３゜１４で２回光
路を変更されて、プリズム３の半透過反射面３ａに入射
する。プリズム３の半透過反射面３ａで透過　屈折した
ビーム７０は同図（、ｂ）に示すように　フォトディテ
クタユニット５上に形成されたフォトディテクタ５０１
．　５０２．　５０３でビーム７０の約１／２の強度が
受光され残りのビーム７０はフォトディテクタ５０１，
５０２．５０３で反射され　さらにプリズム３で反射さ
れた後フォトディテクタ５０４．　５０５．　５０６で
受光される。ＦＥ倍信号ＴＥ信Ｍ、ＲＦ倍信号検出方法
については後に詳しく述べる。
本実施例において、ビーム７０を反射する第１の反射部
１３と第２の反射部１４を同一の支持体１５に形成する
ことによって、光ピックアップヘッド装置を組み立てる
隘　２つの反射部１３、１４を含む支持体１５を保持部
材２３に取り付ける角度に誤差が含まれる場合でも第１
の反射部１３と第２の反射部１４とは相対的に同じ角度
の誤差を含んで取り付けられることになり、光源１から
発したビーム７０が第１の反射部１３で反射されたとき
に第１の反射部１３の取り付は角度の誤差によって発生
する光軸のずれ（よ　相対的に第１の反射部１３と同じ
角度誤差を含んで取り付けられる第２の反射部１４で反
射されたときに相殺されて、光源１から発したビーム７
０の光軸は反射部１３及び１４を形成した支持体１５の
取り付は角度の影響を受けることなく対物レンズ８の光
軸に一致させることができ、すなわ板　光ピックアップ
ヘッド装置を組み立てる胤　２つの反射部１３゜１４を
含む支持体１５を取り付ける角度精度が大きく緩和され
　生産性が大きく向上するようにしている。な杖　反射
部を支持体に形成する方法としてζ戴　アルミニウムの
蒸着、電解メツキ啄般的な方法が利用できるので、詳細
な説明は省略する。
第２図は本発明の第１の実施例をさらに詳しく説明する
ものであり、第１の反射部１３と第２の反射部１４とが
直交する角度で構成した支持体１５の様子を示している
。今、第１の反射部１３のＡ点に対してレーザーｌから
発するビーム７０が角度θ１で入射したとすれば　反射
の法則により第１の反射部１３のＡ点で反射されたビー
ム７０の反射角度もθ１となる。このとき、第１の反射
面１３と第１の反射面１３で反射されたビーム７０とが
なす角度を０２とすれ（′Ｌ　θ１＋θ２＝９０°であ
る。また　第１の反射部１３のＡ点で反射されたビーム
７０が第２の反射部１４のＢ点に入射するとすれば、そ
のときのビーム７０と第２の反射部１４とがなす角は直
角三角形ＡＢＣの角ＡＢＣに対応し１８０°−９０°−
θ２＝θ１となる。　したがって、第２の反射面１４に
入射するビーム７０の入射角度は９０°−θ１−θ２で
あり、第２の反射部１４で反射されるビーム７０の反射
角もθ２となる。以上のことから、第１の反射部１３に
入射するビーム７０と第２の反射部で反射されたビーム
７０とがなす角度を考察すると、ビーム７０は第１の反
射部でθ１＋θ１、第２の反射部でθ２十〇２、すなわ
ち合計で２　（θ１＋θ２）の角度変化がビーム７０に
与えられ　ここでθ１＋θ２−９０゜なので、合計２×
９０°＝１８０°の角度変化が与えられることになる。
この１８０°の角度変化１よ　光源１から発したビーム
７０が第１の反射部１３に入射する角度θ１には依存せ
ずに第１の反射部１３に入射したビーム７０と第２の反
射部１４で反射されたビーム７０とが平行で逆方向に進
行する関係になることを意味する。
第３図（ａ）に本発明の別の実施例による光ピックアッ
プヘッド装置の概略構成を、同図（ｂ）に本実施例によ
る光ピックアップヘッド装置におけるフォトディテクタ
ユニット５１上のビーム７１．　７２．　７３．　７４
の様子をそれぞれ示す。第１の実施例でｃＬ　　光源１
とフォトディテクタユニット６とプリズム３とパッケー
ジ２とでハイブリッドデバイスを構成していた力丈　こ
こで（よ　光源１とフォトディテクタユニット６とパッ
ケージ９とでハイブリッドデバイスを構成している。７
は光源から発生する熱を放散するブロックで、フォトデ
ィテクタユニット６の上に取り付けられている。同図（
ａ）において、光源１から発したビーム７０は　反射部
１６．１７でそれぞれ光路を曲げら株　レンズ８で光記
憶媒体４上に集光される。
ここで反射部１７はブレーズ化された反射型のホログラ
ム素子であり、　ビーム７０の往路では　ホログラム素
子１７のＯ次回折光が光記憶媒体４上に集光される。光
記憶媒体４上で反射　回折されたビーム７０は復路で再
びレンズ８を通過した後、反射型ホログラム素子１７に
入射しそこでＦＥ倍信号検出するための回折光７１．７
２とＴＥ倍信号検出するための回折光７３．７４が発生
させら札　反射部１６で光路を変更された後、フォトデ
ィテクタユニット６で受光される。同図（ｂ）に示すよ
う＆へ　フォトディテクタユニット６にはフォトディテ
クタ５０７〜５１４が形成され　ホログラム素子１７か
らの回折光７１は　フォトディテクタ５０７〜５０９で
、回折光７２はフォトディテクタ５１０〜５１２で、回
折光７３はフォトディテクタ５１３で、回折光７４はフ
ォトディテクタ５１４で各々受光される。回折光７１〜
７４を発生させるホログラム素子については後述する。
本実施例において（よ　ビーム７０を反射する第１の反
射部１６と反射型ホログラム素子１７を保持部材を兼ね
た同一の支持体１８に形成することによって、支持体１
８を取り付ける角度精度が大きく緩和され　生産性が大
きく向上するようにしている。な抵　ここては反射型ホ
ログラム素子を用いて光ピックアップヘッド装置を構成
した例を示した力（反射型ホログラム素子１７を単純な
反射部に置き換えて、光源１から発するビーム７０が光
記憶媒体４に集光される光路中に透過型のホロ一旬一 ダラム素子を設けて光ピックアップヘッド装置を構成す
ることも可能である。
第４図に　本発明の第２の実施例をさらに詳しく説明す
るものであり、ホログラム素子１８に記録されたパター
ンの一例を示す。同図（戴　ホログラム素子１７の機能
領域区分を模式的に示している。ホログラム素子１７ζ
ｉ　　ＦＥ信号検出用として異なる焦点を有する２つの
波面を再生可能な領域１００とＴＥ信号検出用として格
子状パターンを各々他と異なる方向に記録した領域１０
１及び１０２とからなる。光記憶媒体４で反射　回折さ
れたビームのファーフィールドパターン１１０及び１１
１を同図に示すようにホログラム素子１７に対して入射
させることにより、良好なＴＥ倍信号検出できる。ホロ
グラム素子１７から再生される波面は第３図（ｂ）に示
すよう＆へ　回折光７１及び７２はホログラム素子１７
の機能領域１００か収　回折光７３はホログラム素子１
７の機能領域１０１から、回折光７４はホログラム素子
１７の機能領域１０２からそれぞれ得られる。
次顛　実施例における信号検出方法を詳しく説明する。
第５図（え　第１図（ａ）で示したハイブリッドデバイ
スにおけるフォトディテクタユニット５の各フォトディ
テクタ領域５０１〜５０６で検出されるビーム７０の関
係を模式的にかつ一般的に表している。第５図（ｂ）は
光源１から発したビーム７０が光記憶媒体４上で焦点を
結んでいる場合であり、第５図（ａ）及び（ｃ）は各々
逆位相でのデフォーカス状態を示す。ＦＥ倍信号例えば
フォトディテクタ５０２と５０５の差動出力をとること
により得られる。このＦＥ倍信号検出方式はスポットサ
イズデイテクションと呼ばれており衆知の事実である。
また　ここで例えばフォトディテクタ５０２の出力に５
０４，５０６の出力を、５０５の出力に５０１，５０３
の出力をそれぞれ加算することにより差動出力は増大す
る。
ＦＥ倍信号戴　必要なレベルとなるように増幅　位相補
償　帯域制限などの回路処理した後、第１図（ａ）に示
すフォーカス制御用のアクチュエータ９１に供給されて
、常にレンズ８の焦点が光記憶−η− 媒体４上にあるように制御する。一方ＴＥ信号（よ光記
憶媒体４で反射　回折したビーム７０のファーフィール
ドパターン１１０，１１１とフォトディテクタ５０１〜
５０６との関係が概ね同図に示すようにすなわちビーム
７０におけるトラックもしくはピット列の写像がフォト
ディテクタの伸長方向と平行関係になるようにすれば　
フォトディテクタ５０１と５０３もしくは５０４と５０
６の差動出力をとることにより得られる。ＴＥ倍信号も
ＦＥ倍信号同様に　必要なレベルとなるように増幅　位
相補償　帯域制限などの回路処理した後、第１図（ａ）
に示すトラッキング制御用のアクチュエータ９２に供給
されて、常にレンズ８の焦点が光記憶媒体４のピット、
　トラックの溝もしくはランドの中心上にあるように制
御する。ま？＝　　ＲＦ倍信号フォトディテクタ５０１
〜５０６の出力を総和することにより得られる。ＲＦ倍
信号戴　光記憶媒体４に記録された情報を得るために信
号処理回路へ導かれる。。
ざら番ヘ　　実施例における信号検出方法を詳しく説明
する。第６図は　第３図（ａ）で示したハイブリッドデ
バイスにおけるフォトディテクタユニット６の各フォト
ディテクタ領域５０７〜５１４で検出される回折光７１
〜７４の関係を模式的にかつ一般的に表している。第６
図（ｂ）は光源１から発したビーム７０が光記憶媒体４
上で焦点を結んでいる場合であり、第６図（ａ）及び（
Ｃ）は各々逆位相でのデフォーカス状態を示す。ＦＥ倍
信号例えばフォトディテクタ５０２と５０５の差動出力
をとることにより得られる。また　フ第１・ディテクタ
５０２の出力に５０４，５０６の出力を、　５０５の出
力に５０１，５０３の出力をそれぞれ加算することによ
り差動出力は増大する。
一方、ＴＥ倍信号フォトディテクタ５０７と５０８の差
動出力をとることにより得られる。またＲＦ倍信号フォ
トディテクタ５０１〜５０８の出力を総和することによ
り得られる。
第７図ζよ　本発明のさらに別の実施例を示す概念図で
ある。同図（’ａ）ｌ瓜　　ホログラム素子１９の機能
領域区分を模式的に示しており、ホログラ−臼− 一冴− ム素子１９はＦＥ及びＴＥ信号検出用として波面を分割
可能なホログラム領域１０３及び１０４とからなる。光
記憶媒体４で反射　回折されたビーム７０のファーフィ
ールドパターン１１０及び１１１を同図（ａ）に示すよ
うに　ホログラム素子１９に対して入射させることによ
り、ＦＥ及びＴＥ倍信号検出できる。このＦＥ倍信号検
出方法はダブルナイフェツジ法という衆知の事実である
。
同図（ｂ）４１　　例えば第３図（ｂ）に示したような
ハイブリッドデバイスにおけるフォトディテクタユニッ
ト６の代わりにフォトディテクタユニット１２を、第３
図（ａ）に示したような光ピックアップヘッド装置にお
けるホログラム素子１７の代わりにホログラム素子１９
をそれぞれ用いた場合に得られるフォトディテクタユニ
ット１２上におけるホログラム素子１９から再生される
回折光を示しており、回折光７５及び７６はホログラム
素子１９の機能領域ｌＯ３及び１０４からそれぞれ得ら
れる。フォトディテクタユニット１２は複数のフォトデ
ィテクタ５１５〜５１８で構成されており、ＦＥ倍信号
フォトディテクタ５１５と５１８の出力和とフォトディ
テクタ５１６と５１７の出力和の差動により、ＴＥ倍信
号フォトディテクタ５１５と５１６の出力和とフォトデ
ィテクタ５１７と５１８の出力和の差動により、ＲＦ倍
信号検出方法はフォトディテクタ５１５〜５１８の出力
の総和により得られる。ホログラム素子１９のパターン
ｃｔ　　光源１から発したビーム７０が光記憶媒体４上
に合焦点にあるとき、ホログラム素子１９からの１次回
折光７５．７６がフォトディテクタユニット１２上で各
々焦点を結ぶように設計すればよし−以上に示したＦＥ
倍信号検出方式であるスポットサイズデイテクション法
やダブルナイフェツジ法Ｃヨ　　あくまでも−例にすぎ
すミ　勿論性のＦＥ信号検出方式　例えば非点収差法　
シングルナイフェツジ法なども本発明に適用可能である
。
発明の効果 以上に述べた詳細な説明から明らかなように本発明によ
る光ピックアップヘッド装置では　コヒーレントビーム
もしくは準単色のビームを発する半導体レーザ光源と、
前記光源からのビームを反射させてビームの進行方向を
変更する第１の光反射部と、前記第１の光反射部で反射
されて進行方向を変更したビームを反射させてビームの
進行方向をさらに変更する第２の光反射部と、前記第２
の光反射部で反射されて進行方向を変更したビームを受
け光記憶媒体上へ微小スポットに収束する集光光学系と
、前記光記憶媒体で反射　回折したビームを受け光電流
を出力する複数のフォトディテクタからなるフォトディ
テクタユニットと、前記光記憶媒体で反射　回折したビ
ームを前記フォトディテクタユニットへビームを導くた
めの反射　屈折もしくは回折を行う素子と、前記光源と
前記第１の反射部と前記第２の反射部と前記集光光学系
と前記フォトディテクタユニットと前記反射　屈折もし
くは回折を行う素子を共通の部材で保持する可動体と、
前記可動体を前記集光光学系の光軸に沿う第１の方向及
び前記集光光学系の光軸と直交する第２の方向に変位さ
せる駆動機構とを具備した光ピックアップヘッド装置に
おいて、前記光源と前記フォトディテクタユニットは同
一のパッケージに収納して１つの発光受光素子を形成し
　前記第１の反射部と前記第２の反射部を同一の支持体
に形成することによって第１の反射部と第２の反射部の
取り付は誤差が相対的に同じ角度誤差となるようにする
ことによって、光ピックアップヘッド装置を組み立てる
阪　反射部を取り付ける角度に誤差が含まれる場合でも
第１の反射部と第２の反射部とは相対的に同じ角度の誤
差を含んで取り付けられることになり、光源から発した
レーザービームが第１の反射部で反射されたとぎに第１
の反射部の取り付は角度の誤差によって発生する光軸の
ずれは　相対的に第１の反射部と同じ角度誤差を含んで
取り付けられる第２の反射部で反射されたときに相殺さ
れて、光源から発したレーザービームの光軸は第１の反
射部と第２の反射部を形成した支持体の取り付は角度の
影響を受けることなく対物レンズの光軸に一致させるこ
とができ、ずなわ板　光ピックアップヘッド装置−公− を組み立てる阪　第１の反射部と第２の反射部を形成し
た支持体を取り付ける角度精度が大きく緩和され　生産
性が大きく向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ＞は本発明の一実施例を示す光ピックアップ
ヘッド装置の概略構成医　同図（ｂ）は同図（ａ）に示
す光ピックアップヘッド装置を構成するフォトディテク
タユニットとビームの関係図　第２図は本発明を説明す
る原理医　第３図（ａ）は本発明の別の実施例による光
ピックアップヘッド装置の概略構成は　同図（ｂ）は同
図（ａ＞に示ず光ピックアップヘッド装置を構成するフ
ォトディテクタユニットと回折光の関係＠　第４図は第
３図（ａ）に示す光ピックアップヘッド装置を構成する
ホログラム素子の模式医　第５図（ａ）、（ｂ）、（ｃ
）は第１図（ａ）に示した光ピックアップヘッド装置に
おける信号検出方法を説明する一膜内原理ｌ　第６図（
ａ　）、（ｂ　）、（ｃ　）は第３図（ａ）に示した光
ピックアップヘッド装置における信号検出方法を説明す
る一膜内原理医　第７図（ａ）は他の実施例を説明する
ホログラム素子の構成匝　同図（ｂ）は同図（ａ）に示
すホログラム素子を用いた光ピックアップヘッド装置に
おけ（ｂ）は同図（ａ）に示した光ピックアップヘッド
装置を構成するハイブリッドデバイスと反射部の関係図
である。 １・・・半導体レーザもしくは相当のコヒーレント光、
ｔ　２・・・パッケージ、３・・・プリズム　４・・・
光記憶媒体（光ディスク）、　５・・・フォトディテク
タユニット、　８・・・レンズ、１３．１４・・・反射
ｉ　　１５・・・支持体　２０・・・基板　２１・・・
保護風　２３・・・保持部材、　７０・・・レーザービ
ーム　９１・・・フォーカス制御用アクチエエー久　９
２・・・トラッキング制御用アクチエエー久　５０１〜
５０６・・・フォトディテクタ。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名−湘− 一加− 奴 臥 城 〜

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）コヒーレントビームもしくは準単色のビームを発
    する半導体レーザ光源と、前記光源からのビームを反射
    させてビームの進行方向を変更する第１の光反射部と、
    前記第１の光反射部で反射されて進行方向を変更したビ
    ームを反射させてビームの進行方向をさらに変更する第
    ２の光反射部と、前記第２の光反射部で反射されて進行
    方向を変更したビームを受け光記憶媒体上へ微小スポッ
    トに収束する集光光学系と、前記光記憶媒体で反射、回
    折したビームを受け光電流を出力する複数のフォトディ
    テクタからなるフォトディテクタユニットと、前記光記
    憶媒体で反射、回折したビームを前記フォトディテクタ
    ユニットへビームを導くための反射、屈折を行う素子と
    、前記光源と前記第１の反射部と前記第２の反射部と前
    記集光光学系と前記フォトディテクタユニットと前記反
    射屈折を行う素子を共通の部材で保持する可動体と、前
    記可動体を前記集光光学系の光軸に沿う第１の方向及び
    前記集光光学系の光軸と直交する第２の方向に変位させ
    る駆動機構とを具備した光ピックアップヘッド装置にお
    いて、前記光源と前記フォトディテクタユニットは同一
    のパッケージに収納されて１つの発光受光素子を形成し
    ており、前記第１の反射部と前記第２の反射部は同一の
    支持体に形成されていることを特徴とする光ピックアッ
    プヘッド装置
  2. （２）コヒーレントビームもしくは準単色のビームを発
    する半導体レーザ光源と、前記光源からのビームを反射
    させてビームの進行方向を変更する第１の光反射部と、
    前記第１の光反射部で反射されて進行方向を変更したビ
    ームを反射させてビームの進行方向をさらに変更する第
    ２の光反射部と、前記第２の光反射部で反射されて進行
    方向を変更したビームを受け光記憶媒体上へ微小スポッ
    トに収束する集光光学系と、前記光記憶媒体で反射、回
    折したビームを受け光電流を出力する複数のフォトディ
    テクタからなるフォトディテクタユニットと、前記光記
    憶媒体で反射、回折したビームを回折させて前記フォト
    ディテクタユニットへビームを導くためのホログラム素
    子と、前記光源と前記第１の反射部と前記第２の反射部
    と前記集光光学系と前記フォトディテクタユニットと前
    記ホログラム素子を共通の部材で保持する可動体と、前
    記可動体を前記集光光学系の光軸に沿う第１の方向及び
    前記集光光学系の光軸と直交する第２の方向に変位させ
    る駆動機構とを具備した光ピックアップヘッド装置にお
    いて、前記光源と前記フォトディテクタユニットは同一
    のパッケージに収納されて１つの発光受光素子を形成し
    ており、前記第１の反射部と前記第２の反射部は同一の
    支持体に形成されていることを特徴とする光ピックアッ
    プヘッド装置。
  3. （３）光記憶媒体で反射　回折したビームを受け光電流
    を出力する複数のフォトディテクタからなるフォトディ
    テクタユニットと前記光記憶媒体で反射、回折したビー
    ムを前記フォトディテクタユニットへビームを導くため
    の反射、屈折を行う素子と光源を共通の部材で保持する
    可動体に第１の反射部と第２の反射部が一体構成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第
    ２項に記載の光ピックアップヘッド装置。
  4. （４）ホログラム素子が第１もしくは第２の反射部に形
    成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に
    記載の光ピックアップヘッド装置。
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