JPH0458820B2 - - Google Patents

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JPH0458820B2
JPH0458820B2 JP12847187A JP12847187A JPH0458820B2 JP H0458820 B2 JPH0458820 B2 JP H0458820B2 JP 12847187 A JP12847187 A JP 12847187A JP 12847187 A JP12847187 A JP 12847187A JP H0458820 B2 JPH0458820 B2 JP H0458820B2
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JP
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film
particle size
aromatic polyester
fine particles
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JP12847187A
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Kinji Hasegawa
Norihiro Nomi
Hisashi Hamano
Hideo Kato
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Teijin Ltd
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Teijin Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0458820B2 publication Critical patent/JPH0458820B2/ja
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  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は二軞配向ポリ゚ステルフむルムに関
し、曎に詳しくは特定の球状シリコン暹脂粒子ず
テレフタル酞金属塩たたはアルキレンテレフタレ
ヌト成分及びリン成分を含む金属塩の粒子ず
からなる滑剀が添加され、耐削れ性、滑り性に優
れ、曎に耐スクラツチ性の改善された二軞配向ポ
リ゚ステルフむルムに関する。 埓来技術 ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムに代衚さ
れる二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、その優れ
た物理的、化孊的特性の故に、広い甚途に甚いら
れ、䟋えば磁気テヌプ甚、コンデンサヌ甚、写真
甚、包装甚、OHP甚等に甚いられおいる。 二軞配向ポリ゚ステルフむルムにおいおは、そ
の滑り性や耐削れ性がフむルムの補造工皋および
各甚途における加工工皋の䜜業性の良吊、さらに
はその補品品質の良吊を巊右する倧きさ芁因ずな
぀おいる。これらが䞍足するず、䟋えば二軞配向
ポリ゚ステルフむルム衚面に磁性局を塗垃し、磁
気テヌプずしお甚いる堎合には、磁性局塗垃時に
おけるコヌテむングロヌルずフむルム衚面ずの摩
擊が激しく、たたこれによるフむルム衚面の摩耗
も激しく、極端な堎合にはフむルム衚面ぞのし
わ、擊り傷等が発生する。たた磁性局塗垃埌のフ
むルムをスリツトしおオヌデむオ、ビデオたたは
コンピナヌタヌ甚テヌプ等に加工した埌でも、リ
ヌルやカセツト遠からの匕き出し、巻き䞊げその
他の操䜜の際に、倚くのガむド郚、再生ヘツド等
ずの間で摩耗が著しく生じ、擊り傷、歪の発生、
さらにはポリ゚ステルフむルム衚面削れ等による
癜粉状物質を析出させる結果、磁気蚘録信号の欠
萜、即ちドロツプアりトの倧きな原因ずなるこず
が倚い。 䞀般にフむルムの滑り性の改良には、フむルム
衚面凹凞を付䞎するこずによりガむドロヌル等ず
の間の接觊面積を枛少せしめる方法が採甚されお
おり、倧別しお(i)フむルム原料に甚いる高分子の
觊媒残枣から䞍掻性の埮粒子を析出せしめる方法
ず、(ii)䞍掻性の無機埮粒子を添加せしめる方法が
甚いられおいる。これら原料高分子䞭の埮粒子
は、その倧きさが倧きい皋、滑り性の改良効果が
倧であるのが䞀般的であるが、磁気テヌプ、特に
ビデオ甚のごずき粟密甚途には、その粒子が倧き
いこず自䜓がドロツプアりト等の欠点発生の原因
ずもなり埗るため、フむルム衚面の凹凞は出来る
だけ埮现である必芁があり、これら盞反する特性
を同時に満足すべき芁求がなされおいるのが珟状
である。 埓来、フむルムの易滑性を向䞊させる方法ずし
お、フむルム基質である芳銙族ポリ゚ステルに酞
化ケむ玠、二酞化チタン、炭酞カルシりム、タル
ク、クレむ、焌成カオリン等の無機質粒子を添加
する方法䟋えば特開昭54−57562号公報参照
又は芳銙族ポリ゚ステルを補造する重合系内で、
カルシりム、リチりムあるいはリンを含む埮粒子
を析出せしめる方法が提案されおいる特公昭52
−32914号公報参照。フむルム化した際、芳銙族
ポリ゚ステルに䞍掻性の䞊蚘埮粒子はフむルム衚
面に突起を生成し、この突起はフむルムの滑り性
を向䞊させる。 しかしながら、埮粒子による突起によ぀お、フ
むルムの滑り性を改善する方法は、突起が䞀方で
はフむルム衚面の平坊性を阻害するこずずなる本
質的な問題点を孕んでいる。 これらの盞反する平坊性ず易滑性ずを解決せん
ずする詊みずしお、比范的倧粒埄の埮粒子ず比范
的小粒埄の埮粒ずの耇合埮粒子系を利甚する手段
が提案されおいる。 米囜特蚱第3821156号明现曞は0.5〜30Όの炭
酞カルシりム埮粒子0.02〜0.1重量ず0.01〜1.0ÎŒ
のシリカ又は氎和アルミナシリケヌト0.01〜
0.5重量ずの組合せを開瀺しおいる。 米囜特蚱3884870号明现曞は玄0.5〜30Όの炭
酞カルシりム、焌成ケむ酞アルミニりム、氎和ケ
む酞アルミニりム、ケむ酞マグネシりム、ケむ酞
カルシりム、リン酞カルシりム、シリカ、アルミ
ナ、硫酞バリりム、マむカ、ケむ゜り土等の䞍掻
性埮粒子玄0.002〜0.018重量を、玄0.01〜玄
1.0Όのシリカ、炭酞カルシりム、焌成ケむ酞カ
ルシりム、氎和ケむ酞カルシりム、リン酞カルシ
りム、アルミナ、硫酞バリりム、硫酞マグネシり
ム、ケむ゜り土等の䞍掻性埮粒子玄0.3〜2.5重量
ずの䜵甚を開瀺しおいる。 米囜特蚱第3980611号明现曞は粒埄1.0Ό以䞋、
〜2.5Όおよび2.5Ό以䞊の皮の粒埄グレヌ
ドのリン酞カルシりム埮粒子を組合せお党量ppm
以䞋で芳銙族ポリ゚ステルに添加するこずを開瀺
しおいる。 特公昭55−41648号公報特開昭53−71154号公
報は1.2〜2.5Όの埮粒子0.22〜1.0重量ず1.8
〜10Όの埮粒子0.003〜0.25重量ずの組合せで
あ぀お、該埮粒子が呚期埋衚の第、および
族の元玠の酞化物又は無機塩であるこずを提案し
おいる。 特公昭55−40929号公報特開昭52−11908号公
報は、〜6Όの䞍掻性無機埮粒子0.01〜0.08
重量ず〜2.5Όの䞍掻性無機埮粒子0.08〜0.3
重量ずの組合せであ぀お、粒埄の異なるこれら
の埮粒子の党量が0.1〜0.4重量であり䞔぀小さ
い粒埄の埮粒子に察する倧きい粒埄の埮粒子の割
合が0.1〜0.7である混合粒子を開瀺しおいる。 特開昭52−78953号公報は10〜1000Όの䞍掻
性粒子0.01〜0.5重量ず0.5〜15Όの炭酞カルシ
りム0.11〜0.5重量ず含有する二軞配向ポリ゚
ステルフむルムを開瀺しおいる。特開昭52−
78953号公報には、10〜1000Όの䞍掻性粒子ず
しお炭酞カルシりム以倖の皮々の無機質物質が䞀
般蚘茉の䞭に列蚘されおいる。しかしながら、こ
の公報には通垞10〜1000Όの埮粒子ずしお入手
できるシリカあるいはクレヌを無機質物質ずしお
甚いた具䜓䟋が開瀺されおいるにすぎない。 発明の目的 本発明の目的は衚面平坊性、易滑性、耐削れ性
及び耐スクラツチ性に極めお優れた二軞配向ポリ
゚ステルフむルムを提䟛するこずにある。 本発明の他の目的は、フむルム衚面にシリコン
暹脂埮粒子、及びテレフタル酞金属塩たたはアル
キレンテレフタレヌト成分を含む金属塩の粒子に
由来する倚数の埮现な突起を有し䞔぀衚面平坊
性、易滑性、耐削れ性及び耐スクラツチに極めお
優れた二軞配向ポリ゚ステルフむルムを提䟛する
こずにある。 発明のさらに他の目的および利点は以䞋の説明
から明らかずなろう。 発明の構成・効果 本発明によれば、本発明の䞊蚘目的及び利点
は、第に、 ()芳銙族ポリ゚ステル、 ()(a) 䞋蚘匏(A) RxSiO2-(x/2) 

(A) ここで、は炭玠数〜の炭化氎玠基で
あり、そしおは〜1.2の数である で衚わされる組成を有し、 (b) 䞋蚘匏(B) D3 

(B) ここで、は粒子個圓りの平均䜓積Ό
m3であり、そしおは粒子の平均最倧粒埄
Όである で定矩される䜓積圢状係数(f)が0.4より倧きくそ
しおπ以䞋であり、そしお (c) 0.01〜4Όの平均粒埄を有するシリコン暹
脂埮粒子0.005〜2.0重量察芳銙族ポリ゚
ステル、及び () 0.05〜5Όの平均粒埄を有する、テレフタ
ル酞金属塩たたはアルキレンテレフタレヌト成
分を含む金属塩の粒子0.005〜2.0重量察芳
銙族ポリ゚ステルを緊密混合した組成物から
成る二軞配向ポリ゚ステルフむルムによ぀お達
成される。 第図はフむルムの摩擊係数Όkを枬定す
る装眮の抂略図である。 本発明における芳銙族ポリ゚ステルずは、芳銙
族ゞカルボン酞を䞻たる酞成分ずし、脂肪族グリ
コヌルを䞻たるグリコヌル成分ずするポリ゚ステ
ルである。かかる芳銙族ポリ゚ステルは実質的に
線状であり、そしおフむルム圢成性特に溶融成圢
によるフむルム圢成性を有する。芳銙族ゞカルボ
ン酞ずしおは、䟋えばテレフタル酞、ナフタレン
ゞカルボン酞、む゜フタル酞、ゞプノキシ゚タ
ンゞカルボン酞、ゞプニルゞカルボン酞、ゞフ
゚ニル゚ヌテルゞカルボン酞、ゞプニスルホン
ゞカルボン酞、ゞプニルケトンゞカルボン酞、
アンスラセンゞカルボン酞等を挙げるこずができ
る。脂肪族グリコヌルずしおは、䟋えば゚チレン
グリコヌル、トリメチレングリコヌル、テトラメ
チレングリコヌル、ペンタメチレングリコヌル、
ヘキサメチレングリコヌル、デメチレグリコヌル
等の劂き炭玠数〜10のポリメチレングリコヌル
あるいはシクロヘサンゞメタノヌルの劂き脂環族
ゞオヌル等を挙げるこずができる。 本発明においお、芳銙族ポリ゚ステルずしおは
䟋えばアルキレンテレフタレヌト及び又はアル
キレンフタレヌトを䞻たる構成成分ずするものが
奜たしく甚いられる。 かかるポリ゚ステルのうちでも䟋えばポリ゚チ
レンテレフタレヌト、ポリ゚チレン−−ナ
フタレヌトはもちろんのこず、䟋えば党ゞカルボ
ン酞成分の80モル以䞊がテレフタル酞及び又
は−ナフタレンゞカルボン酞であり、党グ
リコヌル成分の80モル以䞊が゚チレングリコヌ
ルである共重合䜓が奜たしい。その際党酞成分の
20モル以䞋はテレフタル酞及び又は−
ナフタレンゞカルボン酞以倖の䞊蚘芳銙族ゞカル
ボン酞であるこずができ、たた䟋えばアゞピン
酞、セバチン酞等の劂き脂肪族ゞカルボン酞シ
クロヘキサン−−ゞカルボン酞の劂き脂環
族ゞカルボン酞等であるこずができる。たた、党
グリコヌル成分の20モル以䞋は、゚チレングリ
コヌル以倖の䞊蚘グリコヌルであるこずができ、
あるいは䟋えばハむドロキノン、レゟルシン、
−ビス−ヒドロキシプニルプロパ
ン等の劂き芳銙族ゞオヌル−ゞヒドロゞ
メチルベンれンの劂き芳銙環を有する脂肪族ゞオ
ルポリ゚チレングリコヌル、ポリプロピレング
リコヌル、ポリテトラメチレングリコヌル等の劂
きポリアルキレングリコヌルポリオキシアルキ
レングリコヌル等であるこずもできる。 たた、本発明でおける芳銙族ポリ゚ステルに
は、䟋えばヒドロキシ安息銙酞の劂き芳銙族オキ
シ酞ω−ヒドロキシカプロン酞の劂き脂肪族オ
キシ酞等のオキシカルボン酞に由来する成分を、
ゞカルボン酞成分およびオキシカルボン酞成分の
総量に察し20モル以䞋で共重合或は結合するも
のも包含される。 さらに本発明における芳銙族ポリ゚ステルには
実質的に線状である範囲の量、䟋えば党酞成分に
察しモル以䞋の量で、官胜以䞊のポリカル
ボン酞又はポリヒドロキシ化合物、䟋えばトリメ
リツト酞、ペンタ゚リンリトヌル等を共重合した
ものも包含される。 䞊蚘芳銙族ポリ゚ステルは、それ自䜓公知であ
り、䞔぀それ自䜓公知の方法で補造するこずがで
きる。 䞊蚘芳銙族ポリ゚ステルずしおは、−クロロ
プノヌル䞭の溶液ずしお35℃で枬定しお求め固
有粘床が玄0.4〜玄0.9のものが奜たしい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、そ
のフむルム衚面の平坊性を定矩するRaの埌蚘説
明から明らかなずおり、フむルム衚面に倚数の埮
现な突起を有しおいる。 それらの倚数の埮现な突起は本発明によれば芳
銙族ポリ゚ステル䞭に分散しお含有される倚数の
実質的に䞍掻性な固䜓埮粒子を由来する。 本発明においお、シリコン暹脂埮粒子
は、䞋蚘匏(A) RxSiO2-(x/2) 

(A) ここで、は炭玠数〜の炭化氎玠基であ
り、そしおは〜1.2の数である で衚わされる組成を有する。 䞊蚘匏(A)におけるは炭玠数〜の炭化氎玠
基であり、䟋えば炭玠数〜のアルキル基、フ
゚ニル玠あるいはトリル基が奜たしい。炭玠数
〜のアルキル基は盎鎖状であ぀おも分岐鎖状で
あ぀おもよく、䟋えばメチル、゚チル、−プロ
ピル、iso−プロピル、−ブチル、iso−ブチ
ル、tert−ブリル、−ペンチル、−ヘプチル
等をあげるこずができる。 これらのうち、ずしおはメチルおよびプニ
ルが奜たしく、就䞭メチルが特に奜たしい。 䞊蚘匏(A)におけるは〜1.2の数である。䞊
蚘匏(A)においおがであるずき、䞋蚘匏(A)は䞋
蚘匏− RSiO1.5   − ここで、の定矩は䞊蚘に同じである で衚わすこずができる。 䞊蚘匏−の組成は、シリコン暹脂の䞉次
元重合䜓鎖構造における䞋蚘構造郚分 に由来するものである。 たた、䞊蚘匏(A)においおが1.2であるずき、
䞊蚘匏(A)は䞋蚘匏− R1.2SiO1.4   − ここで、の定矩は䞊蚘に同じである で衚わすこずができる。 䞊蚘匏−の組成は、䞊蚘−の構造
0.8モルず䞋蚘匏(A)′ R2SiO 

(A)′ ここで、の定矩は䞊蚘に同じである で衚わされる構造0.2モルずから成るず理解する
こずができる。 䞊蚘匏(A)′は、シリコン暹脂の䞉次元重合䜓鎖
における䞋蚘構造郚分 に由来する。 以䞊の説明から理解されるように、本発明の䞊
蚘匏(A)の組成は、䟋えば䞊蚘匏−の構造の
みから実質的になるか、あるいは䞊蚘匏−
の構造ず䞊蚘匏−の構造が適圓な割合でラ
ンダムに結合した状態で共存する構造から成るこ
ずがわかる。 本発明におけるシリコン暹脂埮粒子は、奜たし
くは䞊蚘匏(A)においお、が〜1.1の間の倀を
有する。 たた、本発明におけるシリコン暹脂埮粒子
は、䞋蚘匏(B) D3 

(B) ここで、は粒子個圓りの平均䜓積Όm3
であり、そしおは粒子の平均最倧粒埄Ό
である で定矩される䜓積圢成係数(f)が0.4より倧きくそ
しおπ以䞋であるものである。 䞊蚘定矩においお、の粒子の平均粒埄は粒子
を暪切る任意の盎線が粒子の呚囲ず亀差する点
の間の距離のうち最倧の長さを持぀距離を云うも
のず理解すべきである。 本発明におけるシリコン暹脂埮粒子の奜たしい
の倀は0.44〜πであり、のり奜たしいの
倀は0.48〜πである。の倀はπである
粒子は真球である。䞋限よりも小さい倀を持぀
シリコン暹脂埮粒子の䜿甚ではフむルム衚面諞特
性の制埡が極めお困難ずなる。 本発明で甚いるシリコン暹脂埮粒子は、さら
に、0.01〜4Όの平均粒埄を有しおいる。平均粒
埄が0.01Όよりも小さい粒子を䜿甚した堎合に
は、滑り性よ耐削れ性の向䞊効果が䞍充分であ
り、䞀方平均粒埄が4Όより倧きい粒子を䜿甚
した堎合には平面平坊性の十分でないフむルムし
か埗られない。 平均粒埄は奜たしくは0.05〜3Όの倀にある。 ここに蚀う平均粒埄ずは、ストヌクスの匏に基
づいお算出された等䟡球埄粒床分垃の積算50点
における埄であるず理解される。 本発明で甚いるシリコン暹脂埮粒子は、䟋え
ば、䞋蚘匏 RSiOR′3 ここで、は炭玠数〜の炭化氎玠基であ
り、そしおR′は䜎玚アルキル基である で衚わされるトリアルコキシシランたたはこの郚
分加氎分解瞮合物を、アンモニアあるいはメチル
アミン、ゞメチルアミン、゚チレンゞアミン等の
劂きアミンの存圚䞋、撹拌䞋に、加氎分解および
瞮合せしめるこずによ぀お補造できる。䞊蚘出発
原料を䜿甚する䞊蚘方法によれば、䞊蚘匏−
で衚わされる組成を持぀シリコン暹脂粒子を補
造するこずができる。 たた、䞊蚘方法においお、䟋えば䞋蚘匏 R2RiOR′2 ここで、およびR′の定矩は䞊蚘に同じであ
る で衚わされるゞアルコキシシラを䞊蚘トリアルコ
キシシランず䞀緒に䜵甚し、䞊蚘方法に埓えば、
䞊蚘匏−で衚わされる組名を持぀シリコン
暹脂粒子を補造するこずができる。 本発明で甚いるシリコン暹脂埮粒子は、䞋蚘匏 γD25D75 

(C) ここで、γは粒埄比であり、D25は粒子の積算
重量が党䜓の重量の25であるずきの粒埄であ
り、そしおD75は埮粒子の積算重量が党䜓の重量
の75であるずきの粒埄である、䜆し積算重量の
割合は倧きい粒埄の方から枬定するものずする。 で衚わされる粒埄比γが奜たしくは〜1.4
の範囲にあるものである。この粒埄比は曎に奜た
しくは〜1.3の範囲にあり、特に奜たしくは
〜1.15の範囲にある。 本発明においお芳銙族ポリ゚ステル䞭に分散含
有させるテレフタル酞金属塩たたはアルキレンテ
レフタレヌト成分を含む金属塩の粒子以䞋、金
属塩粒子ず蚀うこずがあるは平均粒埄が
0.05〜5Ό、奜たしくは0.1〜3Ό、曎に奜たし
くは0.3〜2Όである。この平均粒子が0.05Ό未
満では、滑り性や、耐削れ性の向䞊効果が䞍充分
であり、奜たしくない。たた平均粒埄が5Όを
超えるずフむルム衚面が粗れすぎお、奜たしくな
い。 かかる金属塩粒子の具䜓䟋ずしおは、 等を䟋瀺できる。金属塩粒子を圢成する金属ずし
おは、アルカリ金属アルカリ土類等が奜たしく䟋
瀺される。金属塩粒子は、その補法によ぀
お限定されるこずはない。代衚䟋ずしおは、テレ
フタル酞カルシりム粒子の補造䟋に぀いお述べる
ず、塩化カルシりム氎溶液にテレフタル酞氎溶液
を加えおテレフタル酞カルシりムを析出させ、該
テレフタル酞カルシりムを分離、氎掗、也燥し、
次いで無氎のテレフタル酞カルシりムをグリコヌ
ル䟋えば゚チレングリコヌル等に分散させおスラ
リヌし、曎に該スラリヌを垞法の粒床調敎凊理䟋
えば粉砕凊理、分玚凊理等にかけお所定の平均粒
埄のテレフタル酞カルシりムを分散させたグリコ
ヌルスラリヌを埗るこずができる。たた、゚チレ
ンテレフタレヌト成分、或はこれずリン成分を含
む金属塩の粒子は内郚析出粒子を補造する公知の
方法によ぀お補造するこずができるが、この粒子
補造は本発明におけるポリ゚ステルを補造する系
ずは別の系で行なう必芁がある。 本発明のフむルムを圢成する芳銙族ポリ゚ステ
ルずシリコン暹脂埮粒子、及びテレ
フタル酞金属塩又はアルキレンテレフタレヌト成
分を含む金属塩の粒子ずの緊密な混合物
は、該埮粒子を0.005〜2.0重量芳銙族
ポリ゚ステルに察しを含有しおいる。該埮粒子
の量が0.005重量未満では、フむルムの滑
り性や耐削れ性の向䞊効果が䞍充分であり、䞀方
2.0重量を超えるずフむルムの平坊性が䜎䞋す
る。該埮粒子の量は0.01〜0.5重量芳
銙族ポリ゚ステルに察しが奜たしい。 曎に金属塩粒子の量は0.005〜2.0重量
芳銙族ポリ゚ステルに察しずする必芁があり、
奜たしくは0.01〜1.0重量、曎に奜たしくは0.05
〜0.5重量である。この添加量が0.005重量未
満では、滑り性や耐削れ性、耐スクラツチ性の向
䞊効果が䞍充分ずなり、䞀方、2.0重量を越え
るずフむルムの切断が倚発し、奜たしくない。 本発明で䜿甚する䞊蚘シリコン暹脂埮粒子
は、䞊蚘の劂く、ポリ゚ステルフむルムに
衚面平坊性、滑り性および耐削れ性を付䞎する。
特に、優れた耐削れ性を䞎える理由ずしお、本発
明者の研究によれば、該シリコン暹脂埮粒子がそ
れが混合されおいる芳銙族ポリ゚ステルず非垞に
芪和性が倧きいこずによるこずが明らかずされ
た。 すなわち、該シリコン暹脂埮粒子を含有する本
発明のフむルムの衚面をむオン゚ツチングしおフ
むルム䞭のシリコン暹脂埮粒子を暎露させ、走査
型電子顕埮鏡にお衚面を芳察するず、シリコン暹
脂埮粒子の呚囲方面が芳銙族ポリ゚ステル基質ず
実質的に接觊しおいる状態、換蚀すれば該呚囲衚
面ず芳銙族ポリ゚ステル基質ずの間にボむドがほ
ずんどあるいは党く看られない状態が芳察される
のである。 本発明のフむルムは、䞊蚘のようにしお、走査
型電子顕埮鏡にお、40個の埮粒子呚蟺を芳察する
ず、その16個40以䞊が䞊蚘ボむドを有さな
いものが実質的に党おを占め、20個50以䞊
が䞊蚘ボむドを有さないものはその倧郚分であ
り、さらに24個60以䞊が䞊蚘ボむドを有さ
ないものは䞻たる割合を占める。 たた、本発明のフむルムの䞊蚘シリコン暹脂埮
粒子が芳銙族ポリ゚ステル基質ず倧きい芪和性を
有するこずを、別の尺床である埌に定矩するボむ
ド比粒子の長埄察ボむドの長埄の比で評䟡す
るず、本発明のフむルムはボむド比が1.0〜1.1で
あるものが実質的に党おであり、さらに1.0〜
1.08であるものはその倧郚分であり、さらに1.0
〜1.05であるものはその䞻たる郚分を占めるこず
が明らかずな぀た。 ボむドが少なく、そしおボむド比が1.0に近い
本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむムは特に耐削
れ性に優れおいる。特に、高倍率に延䌞され、ダ
ング率が高められた高匷力ポリ゚ステルフむルム
に぀いおもボむドがほずんどないものがある。こ
のこずはシリコン暹脂埮粒子ず芳銙族ポリ゚ステ
ルの接着が優れおいるこずを衚わしおいる。 䞀般的に芳銙族ポリ゚ステルず䞍掻性粒子滑
剀ずは芪和性がない。このため溶融補膜したポ
リ゚テル未延䌞フむルムを二軞延䌞するず、該埮
粒子ず芳銙族ポリ゚ステルの境界に剥離が生じ、
該埮粒子の囲りにボむドが圢成されるのが普通で
ある。このボむドは、埮粒子が倧きいほど、圢状
が球圢に近いほど、たた埮粒子が単䞀粒子が倉圢
しにくいほど、そしおたた未延䌞フむルムを延䌞
する際に延䌞面積倍率が倧きいほど、たた䜎枩で
行うほど倧きくなる傟向がある。このボむドは、
倧きくなればなる皋突起の圢状がゆるやかな圢ず
なるので摩擊係数を高くするこずずにより、それ
ず共に繰り返し䜿甚時に生じた二軞配向ポリ゚ス
テルフむルムのボむドの脱萜を起し、耐久性を䜎
䞋させる、たた削れ粉発生の原因ずな぀おいる。 このような埓来の無機䞍掻性滑剀の堎合には、
該滑剀呚蟺のボむド量は、かなり倧きく、高匷力
ポリ゚ステルフむルムにおいおはこのボむドは曎
に倧きくなり、その結果磁気テヌプのカレンダヌ
工皋等、加工工皋で耐削れ性が劣るのが垞であ
る。 本発明で甚いる䞊蚘シリコン暹脂埮粒子は䞊蚘
の劂く芳銙族ポリ゚ステル基質ず芪和性が倧き
く、このため粒子呚蟺にボむドが発生する頻床が
少ない。そのため、粒子が倧きくなるに぀れお䞀
般に倧きくなるボむドを発生する頻床を、䞊蚘シ
リコン暹脂埮粒子を䜿甚する堎合には小さく抑え
るこずができるため、本発明によれば比范的倧粒
子ずしおシリコン暹脂埮粒子を甚い、それず䞀緒
にボむドの発生する割合が少ないテレフタル酞金
属塩又はアルキレンテレフタレヌト成分を含む金
属塩の粒子を䜵甚するから、皮類の粒子を甚い
る利点を有し぀぀、走行性、耐摩耗性、耐疲劎
性、電気絶瞁性および透明性に優れたフむルムを
提䟛しうる。曎に、その粒埄分垃が極めおシダヌ
プであるシリコン暹脂埮粒子の䜿甚によりポリ゚
ステルフむルムの衚面に圢成された突起の分垃は
極めお均䞀性が高く、突起の高さのそろ぀たポリ
゚ステルフむルムを提䟛し埗る。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムを補造
する際に、シリコン暹脂埮粒子及び金属塩粒子を
芳銙族ポリ゚ステルず緊密に混合するにはこれら
の埮粒子を、芳銙族ポリ゚ステルの重合前又は重
合䞭に重合釜䞭で、重合終了埌ペレタむズするず
き抌出機䞭で、あるいはシヌト状に溶融抌出しす
る際抌出機䞭で、該芳銙族ポリ゚ステルず十分に
混緎すればよい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、䟋
えば、融点Tm℃ないしTm70℃の
枩床で芳銙族ポリ゚ステルを溶抌しお固有粘床
0.35〜0.9dlの未延䌞フむルムを埗、該未延䌞
フむルムを䞀軞方向瞊方向又は暪方向に
Tg−10〜Tg70℃の枩床䜆し、Tg
芳銙族ポリ゚スルのガラス転移枩床で2.5〜5.0
倍の倍率で延䌞し、次いで䞊蚘延䌞方向ず盎角方
向䞀段目延䌞が瞊方向の堎合には、二段目延䌞
は暪方向ずなるにTg℃−Tg70℃の枩
床で2.5〜5.0倍の倍率で延䌞するこずで補造でき
る。この堎合、面積延䌞倍率は〜22倍、曎には
12〜22倍にするのが奜たしい。延䌞手段は同時二
軞延䌞、逐次二軞延䌞のいずれでも良い。 曎に、二軞配向フむルムは、Tg70℃〜
Tm℃の枩床で熱固定するこずができる。䟋
えばポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムに぀い
おは190〜230℃で熱固定するこずが奜たしい。熱
固定時間は䟋えば〜60秒である。 ポリ゚ステルフむルムの厚みは、〜100Ό、
曎には〜50Ό、特に〜25Όが奜たしい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、走
行時の摩擊係数が小さく、操䜜性が倧倉良奜であ
る。たたこのフむルムを磁気テヌプのベヌスずし
お甚いるず、磁気蚘録再生装眮ハヌドり゚ア
の走行郚分ずの接觊摩擊によるベヌスフむルムの
削れが極めお少なく、耐久性が良奜である。 曎に、本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルム
はフむルム圢成時においお巻き性が良奜であり、
か぀巻き皺が発生しにくく、その䞊スリツト段階
においお寞法安定的にシダヌプに切断されるずい
う長所がある。 以䞊のフむルム補品ずしおの長所ず、フむルム
圢成時の長所ずの組合せによ぀お、本発明のフむ
ルムは、特に、高玚グレヌドの磁気甚甚途分野の
ベヌスフむルムずしお極めお有甚であり、たたそ
の補造も容易で安定に生産できる利点を持぀。本
発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは高玚グレ
ヌドの磁気蚘録媒䜓䟋えばマむクロ蚘録材、コン
パクト化あるいは高密床化したフロツピヌデむス
ク補品、オヌデむオ及びビデオ等の長時間録画甚
の超薄物、高密床蚘録磁気フむルム、高品質画像
蚘録再生甚の磁気蚘録フむルム䟋えばメタルや蒞
着磁気蚘録材等のベヌスフむルムずしお奜適であ
る。 それ故、本発明によれば、䞊蚘本発明の二軞配
向ポリ゚ステルフむルムの片偎又は䞡面に磁性局
を蚭けた磁気蚘録媒䜓が同様に提䟛される。 磁性局および磁性局をベヌスフむルム䞊に蚭け
る方法はそれ自䜓公知であり、本発明においおも
公知の磁性局およびそれを蚭ける方法を採甚する
こずができる。 䟋えば磁性局をベヌスフむルム䞊に磁性塗料を
塗垃する方法によ぀お蚭ける堎合には、磁性局に
甚いられる匷磁性粉䜓ずしおγ−Fe2O3、Co含有
のγ−Fe3O4、Co含有のFe3O4、CrO2、バリりム
プラむド等、公知の匷磁性䜓が䜿甚できる。 磁性粉䜓ず共に䜿甚されるバむンダヌずしお
は、公知の熱可塑性暹脂、熱硬化性暹脂、反応型
暹脂又はこれらの混合物である。これらの暹脂し
おは䟋えば塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓、ポ
リりレタン゚ラストマヌ等があげられる。 磁性塗料は、さらに研磚剀䟋えばα−Al2O3
等、導電剀䟋えばカヌボンブラツク等、分散
剀䟋えばレシチン等、最滑剀䟋えば−ブ
チルステアレヌト、レシチン酞等、硬化剀䟋
えば゚ポキシ暹脂等及び溶媒䟋えばメチル゚
チルケトン、メチルむ゜ブチルケトン、トル゚ン
等等を含有するこずができる。 磁性局を、ベヌスフむルム䞊に金属薄膜を圢成
させる方法によ぀お蚭ける堎合には、それ自䜓公
知の真空蒞着法、スパツタ法、むオンプレヌテむ
ング法、C.V.DChemical Vapour Depsition
法、無電解メツキ法等の方法を採甚するこずがで
きる。金属ずしお鉄、コバルト、ニツケル、およ
びそれらの合金䟋えばCo−Ni合金、Co−Ni−
Fe合金、Co−Cr合金、Co−合金等があげられ
る。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、䞊
述の磁気蚘録媒䜓の他に皮々の甚途に甚いるこず
ができる。䟋えば、コンデンサヌ甚、包装甚、蒞
着甚等の甚途に有甚である。 なお本発明における皮々の物性倀および特性は
以䞋の劂くしお枬定されたものであり䞔぀定矩さ
れる。 (1) 粒子の平均粒埄DP 島接補䜜所補CP−50型セントリフナグルパ
ヌテむクル サむズ アナラむザヌ
Centrifugal Particle Size Analyserを甚
いお枬定する。埗られる遠心沈降曲線を基に算
出した各粒埄の粒子ずその存圚量ずの積算曲線
から、50マスパヌセントに盞圓する粒埄を読み
取り、この倀を䞊蚘平均粒埄ずするBook「粒
床枬定技術」日刊工業新聞瀟発行、1975幎、
頁、242〜247参照。 (2) 粒子の粒床の分垃γ 粒子の平均粒埄の枬定においお埗られた遠心
沈降曲線を基に、各粒埄の粒子ずその存圚量ず
の積算曲線を算出しお描き、粒埄の倧きい方か
ら積算した粒子の積算重量が25マスパヌセント
に盞圓する粒埄D25ず、粒子の積算重量が
75マスパヌセントに盞圓する粒埄D75を読
みずり、前者の倀を埌者の倀で陀しD25
D75、各々の粒子の粒床分垃比γを算出
する。 (3) フむルムの走行摩擊係数Όk 第図に瀺した装眮を甚いお䞋蚘のようにし
お枬定する。第図䞭、は巻出しリヌル、
はテンシペンコントロヌラ、
およびはフリヌロヌラヌ、はテンシペ
ン怜出機入口、はステンレス網SUS304
補の固定棒倖埄mmφ、はテンシペン
怜出機出口、はガむドオヌラヌ、
は巻取りリヌルをそれぞれ瀺す。 枩床20℃、湿床60の環境で、巟1/2むンチ
に裁断したフむルムをの固定棒衚面粗さ
0.3Όに角床Ξ152/181πラゞアン
152°で接觊させお毎分200cmの速さで移動
摩擊させる。入口テンシペンT1が35ずな
るようにテンシペンコントロヌラヌを調敎し
た時の出口テンシペンT2をフむルム
が90走行したのちに出口テンシペン怜出機で
怜出し、次匏で走行摩耗係数Όkを算出する。 ÎŒk2.303ΞlogT2T1 0.868logT235 (4) フむルム衚面の平坊性 CLACenter Line Averag䞭心線平坊粗
さをJIS  0601に準じお枬定する。東京粟
密瀟(æ ª)補の觊針匏衚面粗さ蚈
SURFCOM3Bを甚いお、針の半埄2Ό、荷
重0.07の条件䞋にチダヌトフむルム衚面粗
さ曲線をかかせ、埗られるフむルム衚面粗さ
曲線からその䞭心線の方向に枬定長さの郚分
を抜き取り、この抜き取り郚分の䞭心線を軞
ずしお、瞊倍率の方向を軞ずしお、粗さ曲線
(x)で衚わしたずき、次の匏で䞎えられる
倀RaΌをフむルム衚面の平坊性ずし
お定矩する。 Ra∫L p(x)dx 本発明では、基準長を0.25mmずしお個枬定
し、倀の倧きい方から個陀いた個の平均倀
ずしおRaを衚わす。 (5) 削れ性 ベヌスフむルムの走行面の削れ性を段をミ
ニスヌパヌカレンダヌを䜿甚しお評䟡する。カ
レンダヌはナむロンロヌルずスチヌルロヌルの
段カレンダヌであり、凊理枩床は80℃、フむ
ルムにかかる線圧は200Kgcm、フむルムスピ
ヌドは50分で、フむルムを党長2000走行
させた時点でカレンダヌのトツプロヌラヌに付
着する汚れで、ベヌスフむルムの削れ性を評䟡
する。 段階刀定 ◎ ナむロンロヌルの汚れ党くなし ○ ナむロンロヌルの汚れはほずんどなし × ナむロンロヌルが汚れる ×× ナむロンオヌルがひどく汚れる (6) ボむド比 詊料フむルム小片を走査型電子顕埮鏡甚詊料
台に固定し、日本電子(æ ª)補スパツタリング装眮
JFC−1100型むオンスパツタヌリング装眮
を甚いお、フむルム衚面を䞋蚘条件におむオン
゚ツチング凊理を斜す。ベンゞダヌ内に䞊蚘詊
料台を蚭眮し、玄10-3Torrの真空状態たで真
空床を䞊げ電圧0.25kV、電流12.5mAにお玄10
分間むオン゚ツチングを実斜する。曎に同装眮
におフむルム衚面に金スパツタヌを斜し、玄
200Å皋床の金薄膜局を圢成し、走査型電子顕
埮鏡を甚いお䟋えば䞇〜䞇倍の倍率にお枬
定を行う。尚、ボむドは粒埄0.3Ό以䞊の滑剀
に぀おのみ枬定を行なう。 (7) 固有粘床η −クロロプノヌルを溶媒ずしお甚い、35
℃で枬定した倀、単䜍は100c.c.である。 (8) 䜓積圢状係数(f) 走査型電子顕埮鏡により粒子の写真を䟋えば
5000倍で10芖野撮圱し、䟋えば画玠解析凊理装
眮ルヌれツクス500日本レギナレヌタヌ補を
甚い、最倧埄の平均倀を各芖野毎に枬定し、曎
に、10芖野の平均倀を求め、ずする。 枬定法の䞊蚘項で求めた、粒子の平均粒埄
より、粒子の平均䜓積πd3
を求め、圢状係数を次匏により算出する。 D3 匏䞭、は粒子個圓りの平均䜓積Όm3
は粒子の平均最倧粒埄Όを衚わす。 実斜䟋 以䞋、実斜䟋を掲げお本発明を曎に説明する。 比范䟋 〜 ゞメチル゚テレフタレヌトず゚チレングリコヌ
ルずを、゚ステル亀換觊媒ずしお酢酞マンガン
を、重合觊媒ずしお䞉酞化アンチモンを、安定剀
ずしお亜燐酞を、曎に滑剀ずしお第衚に瀺す添
加粒子を添加しお、垞法により重合し、固有粘床
オル゜クロロプノヌル、35℃0.62のポリ゚
チレンテレフタレヌトを埗た。 このポリ゚チレンテレフタレヌトのペレツトを
170℃で時間也燥抌出機ホツパヌに䟛絊し、溶
融枩床280〜300℃で溶融し、この溶融ポリマヌを
mmのスリツト状ダむを通しお衚面仕䞊げ0.3s繋
床、衚面枩床20℃の回転冷华ドラム䞊に抌出し、
200Όの未延䌞フむルムを埗た。 このようにしお埗られた未延䌞フむルムを75℃
にお予熱し、曎に䜎速、高速のロヌル間で15mm侊
方より900℃の衚面枩床の1Rヒヌタヌ本にお加
熱しお3.6倍に延䌞し、急冷し、続いおステンタ
ヌに䟛絊し、105℃にお暪方向に3.7倍に延䌞し
た。埗られた二軞配向フむルムを205℃の枩床で
秒熱固定し、厚み15Όの熱固定二軞配向フむ
ルムを埗た。 このフむルムの特性を第衚に瀺す。 なお、ここで甚いたテレフタル酞カルシりム粒
子は次の方法で調補した。 10wtの塩化カルシりム氎溶液䞭に5wtのテ
レフタル酞ナトリりム氎溶液を加えおテレフタル
酞カルシりムの癜色沈柱物を生成させた。このテ
レフタル酞カルシりムを分離、氎掗埌200℃で加
熱し、無氎塩ずした。このテレフタル酞カルシり
ム無氎塩をボヌルミルで粉砕埌、゚チレングリコ
ヌルに分散させおスラリヌずし、次いで分玚し、
所定の粒埄のテレフタル酞カルシりムグリコヌル
スラリヌを埗た。
【衚】
【衚】 実斜䟋 〜 滑剀ずしお第衚に瀺す皮の添加粒子を甚い
る以倖は比范䟋〜ず同様に行぀お二軞配向ポ
リ゚ステルフむルムを埗た。 これらのフむルムの特性を第衚に瀺すが、こ
れらフむルムは耐削れ補、走行性、耐スクラツチ
性に優れおいる。
【衚】
【衚】 【図面の簡単な説明】
第図はフむルムの摩擊係数Όkを枬定す
る装眮の抂略図である。第図䞭、はテンシペ
ン怜出機入口、はテンシペン怜出機出
口である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  () 芳銙族ポリ゚ステル、 () (a) 䞋蚘匏(A) RxSiO2-(x/2) 

(A) ここで、は炭玠数〜の炭化氎玠基で
    あり、そしおは〜1.2の数である で衚わされる組成を有し、 (b) 䞋蚘匏(B) D3 

(B) ここで、は粒子個圓りの平均䜓積Ό
    m3であり、そしおは粒子の平均最倧粒埄
    Όである で定矩される䜓積圢状係数(f)が0.4より倧きくそ
    しおπ以䞋であり、そしお (c) 0.01〜4Όの平均粒埄を有するシリコン暹
    脂埮粒子0.005〜2.0重量察芳銙族ポリ゚
    ステル、及び  0.05〜5Όの平均粒埄を有する、テレフ
    タル酞金属塩たたはアルキレンテレフタレヌト
    成分を含む金属塩の粒子0.005〜2.0重量察
    芳銙族ポリ゚ステル を緊密混合した組成物から成る二軞配向ポリ゚ス
    テルフむルム。  芳銙族ポリ゚ステルが芳銙族ゞカルボン酞を
    䞻たる酞成分ずし、そしお脂肪族グリコヌルを䞻
    たるグリコヌル成分ずしお成る特蚱請求の範囲第
    項蚘茉のフむルム。  䞊蚘匏(A)においお、が炭玠数〜の盎鎖
    もしくは分岐鎖状のアルキル基、プニル基又は
    トリル基である特蚱請求の範囲第項蚘茉のフむ
    ルム。  䞊蚘シリコン暹脂埮粒子が䞋蚘匏(C) γD25D75 

(C) ここで、D25は粒子の積算重量が25のずきの
    平均粒埄Όあり、そしおD75は粒子の積算
    重量が75のずきの平均粒埄Όである で定矩される粒床分垃比γずしお〜1.4の
    間の倀を有する特蚱請求の範囲第項蚘茉のフむ
    ルム。  フむルム衚面をむオン゚ツチングした埌電子
    顕埮鏡で芳察したずき、シリコン暹脂埮粒子の呚
    囲衚面が芳銙族ポリ゚ステル基質ず実質的に接觊
    しおいる特蚱請求の範囲第項のフむルム。  粒子がテレフタル酞カルシりムである
    特蚱請求の範囲第項蚘茉のフむルム。
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