JPH0454880A - ウェーハ保持装置 - Google Patents
ウェーハ保持装置Info
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- JPH0454880A JPH0454880A JP2163556A JP16355690A JPH0454880A JP H0454880 A JPH0454880 A JP H0454880A JP 2163556 A JP2163556 A JP 2163556A JP 16355690 A JP16355690 A JP 16355690A JP H0454880 A JPH0454880 A JP H0454880A
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- wafer
- charged particle
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空中でウェーハを高精度に保持する装置に関
するものである。
するものである。
従来この種の装置では、ウェーハにおける電子線、イオ
ンビーム線等の荷電粒子線の入射面(ウェーハ表面)と
は反対側(ウェー八裏面側)に静電吸着装置があり、ウ
ェーハ裏面を吸着した後、ウェーハ表面を基準面に当接
していた。
ンビーム線等の荷電粒子線の入射面(ウェーハ表面)と
は反対側(ウェー八裏面側)に静電吸着装置があり、ウ
ェーハ裏面を吸着した後、ウェーハ表面を基準面に当接
していた。
上記の如き従来の技術に於いてはウェーハは裏面から静
電吸着による力を受け、表面からはウェーハ位置決めの
ための基準面から力を受けるため、表裏両面から力を受
け、ウェーハに歪が残る恐れがあった。
電吸着による力を受け、表面からはウェーハ位置決めの
ための基準面から力を受けるため、表裏両面から力を受
け、ウェーハに歪が残る恐れがあった。
あるいは、ウェーハ表面を基準面に当接する表面基準を
採用する代わりに、ウェーハの裏面を基準面に当接する
裏面基準を採用することも考えられるが、裏面基準では
、荷電粒子線の軸方向の位置を正確に決めることができ
ない。
採用する代わりに、ウェーハの裏面を基準面に当接する
裏面基準を採用することも考えられるが、裏面基準では
、荷電粒子線の軸方向の位置を正確に決めることができ
ない。
本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので
、ウェーハの表面にしか力が加わらないウェーハ保持装
置を提供することを目的とする。
、ウェーハの表面にしか力が加わらないウェーハ保持装
置を提供することを目的とする。
上記問題点の解決の為に本発明では、荷電粒子線の照射
されるウェーハを保持するウェーハ保持装置において、
前記荷電粒子線が入射するウェーハ表面の周縁部に対す
る基準面を有すると共に、該基準面上に、薄膜で形成し
た絶縁層を含む吸着手段を設けた。
されるウェーハを保持するウェーハ保持装置において、
前記荷電粒子線が入射するウェーハ表面の周縁部に対す
る基準面を有すると共に、該基準面上に、薄膜で形成し
た絶縁層を含む吸着手段を設けた。
荷電粒子線の軸に高精度に直交する面になるよう加工さ
れた基準面上に、薄膜で形成された絶縁層を含む吸着手
段が設けられており、薄膜の厚さのムラは10%以下の
凸凹に容易に抑えられるので少くともこの面に当接した
ウェーハの周縁部の軸方向の位置は正確に決められる。
れた基準面上に、薄膜で形成された絶縁層を含む吸着手
段が設けられており、薄膜の厚さのムラは10%以下の
凸凹に容易に抑えられるので少くともこの面に当接した
ウェーハの周縁部の軸方向の位置は正確に決められる。
従ってウェーハ全面はその平面度の範囲内で正しく位置
決めされる。ウェーハが正しく吸着されるか否かは、ウ
ェーハ重量と静電力との大小関係で決められる。
決めされる。ウェーハが正しく吸着されるか否かは、ウ
ェーハ重量と静電力との大小関係で決められる。
前者より後者が十分大きければよい。
ウェーハ重量を50gr(8”ウェーハ)とすると、静
電力Fは50gr重より十分大きければよい。
電力Fは50gr重より十分大きければよい。
従ってF≧100gr重を満せばよい。
100gr重/cdの静電力が得られる場合には、lc
j以上の面積が取れればウェーハを吸着できる。
j以上の面積が取れればウェーハを吸着できる。
8インチウェーへの周縁部で幅1閣のリング状領域を考
えると、約6dの面積が得られるので、吸着に必要な十
分な面積が得られる。
えると、約6dの面積が得られるので、吸着に必要な十
分な面積が得られる。
以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の部分拡大断面図(第2図(
b)の−点鎖線B円の部分)であり、第2図(a)、(
b)は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり、
第2図(a)は平面図、第2図(b)は第2図(a)の
A−A’矢視断面図である。
b)の−点鎖線B円の部分)であり、第2図(a)、(
b)は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり、
第2図(a)は平面図、第2図(b)は第2図(a)の
A−A’矢視断面図である。
基準ブロック1は、中央部に円形の開口1aを形成され
た上板部1bと、上板部1bを支える横断面形状がコ字
形(第2図(a)参照)の脚部ICとを有する。11部
ICの開口部1dはウェーハ10の挿脱孔として機能し
、従って、対向する脚部1cの間隔及び、奥行きは当然
ウェーハ10の外径よりも大きく設計しである。また、
上板部1bの開口1aの径は、ウェーハ10の外径より
若干小さく設計しである。
た上板部1bと、上板部1bを支える横断面形状がコ字
形(第2図(a)参照)の脚部ICとを有する。11部
ICの開口部1dはウェーハ10の挿脱孔として機能し
、従って、対向する脚部1cの間隔及び、奥行きは当然
ウェーハ10の外径よりも大きく設計しである。また、
上板部1bの開口1aの径は、ウェーハ10の外径より
若干小さく設計しである。
そして、上板部1bの下面には、開口1aに隣接して数
閣幅のリング状の基準面2が形成さており、この基準面
2はウェーハ10の表面周辺部に対する取付基準面とし
て機能する。そのため、この基準面2は、荷電粒子線の
軸に高精度に直交する面として加工されている。
閣幅のリング状の基準面2が形成さており、この基準面
2はウェーハ10の表面周辺部に対する取付基準面とし
て機能する。そのため、この基準面2は、荷電粒子線の
軸に高精度に直交する面として加工されている。
基準面2以外の基準ブロック1のほぼ全表面には、帯電
防止のために、チタンの蒸着膜3が形成されている。
防止のために、チタンの蒸着膜3が形成されている。
また、基準面2の表面には、真空蒸着等で電極4a、4
bを形成する金属の薄膜が幅約1閣、厚さ0.2 p
m程度で形成されている。荷電粒子線の軸に直交する面
内で見た(平面図)第2図(a)に表われているように
、電極4a、4bは、周辺を2分割するように形成され
ている。
bを形成する金属の薄膜が幅約1閣、厚さ0.2 p
m程度で形成されている。荷電粒子線の軸に直交する面
内で見た(平面図)第2図(a)に表われているように
、電極4a、4bは、周辺を2分割するように形成され
ている。
そして、これら電極4a、4bにはそれぞれ導線5a、
5bが接続され、導線5a、5bは基準ブロックlの内
側面に沿って導かれた後、シール材6a、6b等を介し
て基準ブロック1の内部から外部に導出される。
5bが接続され、導線5a、5bは基準ブロックlの内
側面に沿って導かれた後、シール材6a、6b等を介し
て基準ブロック1の内部から外部に導出される。
このようにして外部に導出された導線5a15bには、
それぞれ+100■、−100Vが印加される。
それぞれ+100■、−100Vが印加される。
また、電極4a、4bの表面及び基準面2の表面には、
真空蒸着によってアルミナ(Aj!tOs)の絶縁膜7
が厚さ3μm程度で形成されている。
真空蒸着によってアルミナ(Aj!tOs)の絶縁膜7
が厚さ3μm程度で形成されている。
ウェーハ搬送用の静電吸着装置9の基台90は、平面形
状がほぼ円形であり、その上面には電極91とアルミナ
等の絶縁膜92とが形成されており、このような静電吸
着装置9は周知の構成のものである。
状がほぼ円形であり、その上面には電極91とアルミナ
等の絶縁膜92とが形成されており、このような静電吸
着装置9は周知の構成のものである。
このような構成であるから、静電吸着装置9によって、
上板部1bと脚部1cで囲まれた空間内に運ばれた後、
開口1aの中心とほぼ中心を合わせられたウェーハ10
は、静電吸着装置9の上昇によって、基準面2の蒸着膜
3に当接する。静電吸着装置9の上昇用モータの負荷増
等により上記当接を検出すると、この検出信号によって
、電極4 a s 4 bにそれぞれ+100V、−1
00Vが印加され、その後、静電吸着装置9の電極91
への通電が切られ、静電吸着装置9が下降して停止する
。
上板部1bと脚部1cで囲まれた空間内に運ばれた後、
開口1aの中心とほぼ中心を合わせられたウェーハ10
は、静電吸着装置9の上昇によって、基準面2の蒸着膜
3に当接する。静電吸着装置9の上昇用モータの負荷増
等により上記当接を検出すると、この検出信号によって
、電極4 a s 4 bにそれぞれ+100V、−1
00Vが印加され、その後、静電吸着装置9の電極91
への通電が切られ、静電吸着装置9が下降して停止する
。
電極4a、4bにはそれぞれ+100■、−100vが
印加されているから、ウェーハ10は基準ブロック1に
静91)着されることになる。
印加されているから、ウェーハ10は基準ブロック1に
静91)着されることになる。
このとき、電極4a、4b及び絶縁膜7の厚みは3.2
μm程度であり、これらの厚みムラは10%以下である
ので、少くともウェーハ10の周縁部は正確に位置決め
ができる。従って、ウェーハ10の全表面は、その平坦
度範囲内に正しく位置決めができる。
μm程度であり、これらの厚みムラは10%以下である
ので、少くともウェーハ10の周縁部は正確に位置決め
ができる。従って、ウェーハ10の全表面は、その平坦
度範囲内に正しく位置決めができる。
そして、矢印C方向からウェーハlO上に荷電粒子線の
照射が行なわれる。
照射が行なわれる。
以上の実施例によれば、
(1)約50grのウェーハを約500gr重の力で吸
着固定しているので、Siミラニーへ上面に吸着固定で
きる、(2)構造が簡単で、静電チャック電圧は+10
0■で動作し、ロードアンロード用電源と兼用できる、
(3)静電チャック用の電極と絶縁層の形成は蒸着やス
パッタで可能なので簡単に作れ、信頼性がある、(4)
表面基準であるので、ウェーハの厚みムラ等があっても
ウェーハ面の荷電粒子線の軸方向の変動がない、(5)
基準ブロックがSiCの如き高・価なセラミックスでな
く、アルミナという安価な材料でできるので安価である
、という効果が得られる。
着固定しているので、Siミラニーへ上面に吸着固定で
きる、(2)構造が簡単で、静電チャック電圧は+10
0■で動作し、ロードアンロード用電源と兼用できる、
(3)静電チャック用の電極と絶縁層の形成は蒸着やス
パッタで可能なので簡単に作れ、信頼性がある、(4)
表面基準であるので、ウェーハの厚みムラ等があっても
ウェーハ面の荷電粒子線の軸方向の変動がない、(5)
基準ブロックがSiCの如き高・価なセラミックスでな
く、アルミナという安価な材料でできるので安価である
、という効果が得られる。
以上のように本発明によれば、ウェーハの表面にしか力
が加わらないので、ウェーハに歪が残ることがなく、正
確に位置決めができる。
が加わらないので、ウェーハに歪が残ることがなく、正
確に位置決めができる。
第1図は本発明の一実施例の部分拡大断面図(第2図(
b)の−点鎖線Bで囲った円の部分)、第2図(a)、
(b)は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり
、第2図(a)は平面図、第2図(b)は第2図(a)
のA−A’矢視断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 2・・・・・・基準面、 4a、4b・・・・・・電
極、7・・・・・・アルミナ膜。
b)の−点鎖線Bで囲った円の部分)、第2図(a)、
(b)は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり
、第2図(a)は平面図、第2図(b)は第2図(a)
のA−A’矢視断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 2・・・・・・基準面、 4a、4b・・・・・・電
極、7・・・・・・アルミナ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 荷電粒子線の照射されるウェーハを保持するウェーハ保
持装置において、 前記荷電粒子線が入射するウェーハ表面の周縁部に対す
る基準面を有すると共に、該基準面上に、薄膜で形成し
た絶縁層を含む吸着手段を備えたことを特徴とするウェ
ーハ保持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16355690A JP2754420B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ウェーハ保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16355690A JP2754420B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ウェーハ保持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0454880A true JPH0454880A (ja) | 1992-02-21 |
JP2754420B2 JP2754420B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=15776146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16355690A Expired - Fee Related JP2754420B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ウェーハ保持装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2754420B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5560780A (en) * | 1993-04-22 | 1996-10-01 | Applied Materials, Inc. | Protective coating for dielectric material on wafer support used in integrated circuit processing apparatus and method of forming same |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16355690A patent/JP2754420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5560780A (en) * | 1993-04-22 | 1996-10-01 | Applied Materials, Inc. | Protective coating for dielectric material on wafer support used in integrated circuit processing apparatus and method of forming same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2754420B2 (ja) | 1998-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |