JPH0454880A - ウェーハ保持装置 - Google Patents
ウェーハ保持装置Info
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- JPH0454880A JPH0454880A JP2163556A JP16355690A JPH0454880A JP H0454880 A JPH0454880 A JP H0454880A JP 2163556 A JP2163556 A JP 2163556A JP 16355690 A JP16355690 A JP 16355690A JP H0454880 A JPH0454880 A JP H0454880A
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- wafer
- charged particle
- particle beam
- suction apparatus
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空中でウェーハを高精度に保持する装置に関
するものである。
するものである。
従来この種の装置では、ウェーハにおける電子線、イオ
ンビーム線等の荷電粒子線の入射面（ウェーハ表面）と
は反対側（ウェー八裏面側）に静電吸着装置があり、ウ
ェーハ裏面を吸着した後、ウェーハ表面を基準面に当接
していた。
ンビーム線等の荷電粒子線の入射面（ウェーハ表面）と
は反対側（ウェー八裏面側）に静電吸着装置があり、ウ
ェーハ裏面を吸着した後、ウェーハ表面を基準面に当接
していた。
上記の如き従来の技術に於いてはウェーハは裏面から静
電吸着による力を受け、表面からはウェーハ位置決めの
ための基準面から力を受けるため、表裏両面から力を受
け、ウェーハに歪が残る恐れがあった。
電吸着による力を受け、表面からはウェーハ位置決めの
ための基準面から力を受けるため、表裏両面から力を受
け、ウェーハに歪が残る恐れがあった。
あるいは、ウェーハ表面を基準面に当接する表面基準を
採用する代わりに、ウェーハの裏面を基準面に当接する
裏面基準を採用することも考えられるが、裏面基準では
、荷電粒子線の軸方向の位置を正確に決めることができ
ない。
採用する代わりに、ウェーハの裏面を基準面に当接する
裏面基準を採用することも考えられるが、裏面基準では
、荷電粒子線の軸方向の位置を正確に決めることができ
ない。
本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので
、ウェーハの表面にしか力が加わらないウェーハ保持装
置を提供することを目的とする。
、ウェーハの表面にしか力が加わらないウェーハ保持装
置を提供することを目的とする。
上記問題点の解決の為に本発明では、荷電粒子線の照射
されるウェーハを保持するウェーハ保持装置において、
前記荷電粒子線が入射するウェーハ表面の周縁部に対す
る基準面を有すると共に、該基準面上に、薄膜で形成し
た絶縁層を含む吸着手段を設けた。
されるウェーハを保持するウェーハ保持装置において、
前記荷電粒子線が入射するウェーハ表面の周縁部に対す
る基準面を有すると共に、該基準面上に、薄膜で形成し
た絶縁層を含む吸着手段を設けた。
荷電粒子線の軸に高精度に直交する面になるよう加工さ
れた基準面上に、薄膜で形成された絶縁層を含む吸着手
段が設けられており、薄膜の厚さのムラは１０％以下の
凸凹に容易に抑えられるので少くともこの面に当接した
ウェーハの周縁部の軸方向の位置は正確に決められる。
れた基準面上に、薄膜で形成された絶縁層を含む吸着手
段が設けられており、薄膜の厚さのムラは１０％以下の
凸凹に容易に抑えられるので少くともこの面に当接した
ウェーハの周縁部の軸方向の位置は正確に決められる。
従ってウェーハ全面はその平面度の範囲内で正しく位置
決めされる。ウェーハが正しく吸着されるか否かは、ウ
ェーハ重量と静電力との大小関係で決められる。
決めされる。ウェーハが正しく吸着されるか否かは、ウ
ェーハ重量と静電力との大小関係で決められる。
前者より後者が十分大きければよい。
ウェーハ重量を５０ｇｒ（８”ウェーハ）とすると、静
電力Ｆは５０ｇｒ重より十分大きければよい。
電力Ｆは５０ｇｒ重より十分大きければよい。
従ってＦ≧１００ｇｒ重を満せばよい。
１００ｇｒ重／ｃｄの静電力が得られる場合には、ｌｃ
ｊ以上の面積が取れればウェーハを吸着できる。
ｊ以上の面積が取れればウェーハを吸着できる。
８インチウェーへの周縁部で幅１閣のリング状領域を考
えると、約６ｄの面積が得られるので、吸着に必要な十
分な面積が得られる。
えると、約６ｄの面積が得られるので、吸着に必要な十
分な面積が得られる。
以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の部分拡大断面図（第２図（
ｂ）の−点鎖線Ｂ円の部分）であり、第２図（ａ）、（
ｂ）は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり、
第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’矢視断面図である。
ｂ）の−点鎖線Ｂ円の部分）であり、第２図（ａ）、（
ｂ）は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり、
第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’矢視断面図である。
基準ブロック１は、中央部に円形の開口１ａを形成され
た上板部１ｂと、上板部１ｂを支える横断面形状がコ字
形（第２図（ａ）参照）の脚部ＩＣとを有する。１１部
ＩＣの開口部１ｄはウェーハ１０の挿脱孔として機能し
、従って、対向する脚部１ｃの間隔及び、奥行きは当然
ウェーハ１０の外径よりも大きく設計しである。また、
上板部１ｂの開口１ａの径は、ウェーハ１０の外径より
若干小さく設計しである。
た上板部１ｂと、上板部１ｂを支える横断面形状がコ字
形（第２図（ａ）参照）の脚部ＩＣとを有する。１１部
ＩＣの開口部１ｄはウェーハ１０の挿脱孔として機能し
、従って、対向する脚部１ｃの間隔及び、奥行きは当然
ウェーハ１０の外径よりも大きく設計しである。また、
上板部１ｂの開口１ａの径は、ウェーハ１０の外径より
若干小さく設計しである。
そして、上板部１ｂの下面には、開口１ａに隣接して数
閣幅のリング状の基準面２が形成さており、この基準面
２はウェーハ１０の表面周辺部に対する取付基準面とし
て機能する。そのため、この基準面２は、荷電粒子線の
軸に高精度に直交する面として加工されている。
閣幅のリング状の基準面２が形成さており、この基準面
２はウェーハ１０の表面周辺部に対する取付基準面とし
て機能する。そのため、この基準面２は、荷電粒子線の
軸に高精度に直交する面として加工されている。
基準面２以外の基準ブロック１のほぼ全表面には、帯電
防止のために、チタンの蒸着膜３が形成されている。
防止のために、チタンの蒸着膜３が形成されている。
また、基準面２の表面には、真空蒸着等で電極４ａ、４
ｂを形成する金属の薄膜が幅約１閣、厚さ０．２ ｐ
ｍ程度で形成されている。荷電粒子線の軸に直交する面
内で見た（平面図）第２図（ａ）に表われているように
、電極４ａ、４ｂは、周辺を２分割するように形成され
ている。
ｂを形成する金属の薄膜が幅約１閣、厚さ０．２ ｐ
ｍ程度で形成されている。荷電粒子線の軸に直交する面
内で見た（平面図）第２図（ａ）に表われているように
、電極４ａ、４ｂは、周辺を２分割するように形成され
ている。
そして、これら電極４ａ、４ｂにはそれぞれ導線５ａ、
５ｂが接続され、導線５ａ、５ｂは基準ブロックｌの内
側面に沿って導かれた後、シール材６ａ、６ｂ等を介し
て基準ブロック１の内部から外部に導出される。
５ｂが接続され、導線５ａ、５ｂは基準ブロックｌの内
側面に沿って導かれた後、シール材６ａ、６ｂ等を介し
て基準ブロック１の内部から外部に導出される。
このようにして外部に導出された導線５ａ１５ｂには、
それぞれ＋１００■、−１００Ｖが印加される。
それぞれ＋１００■、−１００Ｖが印加される。
また、電極４ａ、４ｂの表面及び基準面２の表面には、
真空蒸着によってアルミナ（Ａｊ！ｔＯｓ）の絶縁膜７
が厚さ３μｍ程度で形成されている。
真空蒸着によってアルミナ（Ａｊ！ｔＯｓ）の絶縁膜７
が厚さ３μｍ程度で形成されている。
ウェーハ搬送用の静電吸着装置９の基台９０は、平面形
状がほぼ円形であり、その上面には電極９１とアルミナ
等の絶縁膜９２とが形成されており、このような静電吸
着装置９は周知の構成のものである。
状がほぼ円形であり、その上面には電極９１とアルミナ
等の絶縁膜９２とが形成されており、このような静電吸
着装置９は周知の構成のものである。
このような構成であるから、静電吸着装置９によって、
上板部１ｂと脚部１ｃで囲まれた空間内に運ばれた後、
開口１ａの中心とほぼ中心を合わせられたウェーハ１０
は、静電吸着装置９の上昇によって、基準面２の蒸着膜
３に当接する。静電吸着装置９の上昇用モータの負荷増
等により上記当接を検出すると、この検出信号によって
、電極４ ａ ｓ ４ ｂにそれぞれ＋１００Ｖ、−１
００Ｖが印加され、その後、静電吸着装置９の電極９１
への通電が切られ、静電吸着装置９が下降して停止する
。
上板部１ｂと脚部１ｃで囲まれた空間内に運ばれた後、
開口１ａの中心とほぼ中心を合わせられたウェーハ１０
は、静電吸着装置９の上昇によって、基準面２の蒸着膜
３に当接する。静電吸着装置９の上昇用モータの負荷増
等により上記当接を検出すると、この検出信号によって
、電極４ ａ ｓ ４ ｂにそれぞれ＋１００Ｖ、−１
００Ｖが印加され、その後、静電吸着装置９の電極９１
への通電が切られ、静電吸着装置９が下降して停止する
。
電極４ａ、４ｂにはそれぞれ＋１００■、−１００ｖが
印加されているから、ウェーハ１０は基準ブロック１に
静９１）着されることになる。
印加されているから、ウェーハ１０は基準ブロック１に
静９１）着されることになる。
このとき、電極４ａ、４ｂ及び絶縁膜７の厚みは３．２
μｍ程度であり、これらの厚みムラは１０％以下である
ので、少くともウェーハ１０の周縁部は正確に位置決め
ができる。従って、ウェーハ１０の全表面は、その平坦
度範囲内に正しく位置決めができる。
μｍ程度であり、これらの厚みムラは１０％以下である
ので、少くともウェーハ１０の周縁部は正確に位置決め
ができる。従って、ウェーハ１０の全表面は、その平坦
度範囲内に正しく位置決めができる。
そして、矢印Ｃ方向からウェーハｌＯ上に荷電粒子線の
照射が行なわれる。
照射が行なわれる。
以上の実施例によれば、
（１）約５０ｇｒのウェーハを約５００ｇｒ重の力で吸
着固定しているので、Ｓｉミラニーへ上面に吸着固定で
きる、（２）構造が簡単で、静電チャック電圧は＋１０
０■で動作し、ロードアンロード用電源と兼用できる、
（３）静電チャック用の電極と絶縁層の形成は蒸着やス
パッタで可能なので簡単に作れ、信頼性がある、（４）
表面基準であるので、ウェーハの厚みムラ等があっても
ウェーハ面の荷電粒子線の軸方向の変動がない、（５）
基準ブロックがＳｉＣの如き高・価なセラミックスでな
く、アルミナという安価な材料でできるので安価である
、という効果が得られる。
着固定しているので、Ｓｉミラニーへ上面に吸着固定で
きる、（２）構造が簡単で、静電チャック電圧は＋１０
０■で動作し、ロードアンロード用電源と兼用できる、
（３）静電チャック用の電極と絶縁層の形成は蒸着やス
パッタで可能なので簡単に作れ、信頼性がある、（４）
表面基準であるので、ウェーハの厚みムラ等があっても
ウェーハ面の荷電粒子線の軸方向の変動がない、（５）
基準ブロックがＳｉＣの如き高・価なセラミックスでな
く、アルミナという安価な材料でできるので安価である
、という効果が得られる。
以上のように本発明によれば、ウェーハの表面にしか力
が加わらないので、ウェーハに歪が残ることがなく、正
確に位置決めができる。
が加わらないので、ウェーハに歪が残ることがなく、正
確に位置決めができる。
第１図は本発明の一実施例の部分拡大断面図（第２図（
ｂ）の−点鎖線Ｂで囲った円の部分）、第２図（ａ）、
（ｂ）は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり
、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＡ−Ａ’矢視断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ２・・・・・・基準面、 ４ａ、４ｂ・・・・・・電
極、７・・・・・・アルミナ膜。
ｂ）の−点鎖線Ｂで囲った円の部分）、第２図（ａ）、
（ｂ）は上記一実施例の全体を概略的に示した図であり
、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＡ−Ａ’矢視断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ２・・・・・・基準面、 ４ａ、４ｂ・・・・・・電
極、７・・・・・・アルミナ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 荷電粒子線の照射されるウェーハを保持するウェーハ保
持装置において、 前記荷電粒子線が入射するウェーハ表面の周縁部に対す
る基準面を有すると共に、該基準面上に、薄膜で形成し
た絶縁層を含む吸着手段を備えたことを特徴とするウェ
ーハ保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16355690A JP2754420B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ウェーハ保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16355690A JP2754420B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ウェーハ保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0454880A true JPH0454880A (ja) | 1992-02-21 |
| JP2754420B2 JP2754420B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=15776146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16355690A Expired - Fee Related JP2754420B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ウェーハ保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2754420B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5560780A (en) * | 1993-04-22 | 1996-10-01 | Applied Materials, Inc. | Protective coating for dielectric material on wafer support used in integrated circuit processing apparatus and method of forming same |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16355690A patent/JP2754420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5560780A (en) * | 1993-04-22 | 1996-10-01 | Applied Materials, Inc. | Protective coating for dielectric material on wafer support used in integrated circuit processing apparatus and method of forming same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2754420B2 (ja) | 1998-05-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |