JPH0451582A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0451582A JPH0451582A JP2161601A JP16160190A JPH0451582A JP H0451582 A JPH0451582 A JP H0451582A JP 2161601 A JP2161601 A JP 2161601A JP 16160190 A JP16160190 A JP 16160190A JP H0451582 A JPH0451582 A JP H0451582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component mounting
- electronic
- bonded
- parts
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、混成集積回路装置に関する。
従来、ガラス基材エポキシ樹脂をベースにしたプリント
配線板に半導体チップをグイボンディングし、ワイヤボ
ンディング法にて半導体チップの所定電極とプリント配
線板上の所定電極とを電気的に接続し、樹脂にて所定領
域を封止する技術(COB技術)または、ポリイミド樹
脂をベースにしたフレキシブルプリント配線板上に半導
体チップを前述と同じ方法で組立を行なう技術(COF
技術)が、電子機器の小型化、薄形化の目的で一般的に
使用されつつある。
配線板に半導体チップをグイボンディングし、ワイヤボ
ンディング法にて半導体チップの所定電極とプリント配
線板上の所定電極とを電気的に接続し、樹脂にて所定領
域を封止する技術(COB技術)または、ポリイミド樹
脂をベースにしたフレキシブルプリント配線板上に半導
体チップを前述と同じ方法で組立を行なう技術(COF
技術)が、電子機器の小型化、薄形化の目的で一般的に
使用されつつある。
第2図は従来の混成集積回路装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
第2図に示すように、厚さ25μmのポリイミド樹脂フ
ィルム1の上に設けた厚さ18μmの銅箔をバターニン
グし、選択的にニッケルめっき及び金めつきを施した配
線2を有するフレキシブル配線板の裏面に補強板11を
接着剤4により接着してフレキシブル配線板の機械的強
度を補強する0次に、フレキシブル配線板の電子部品搭
載部に半導体チップ7をダイマウントし、ワイヤボンデ
ィング法により半導体チップ7の電極と配線2のパッド
とを金線8で電気的に接続し、樹脂体9により半導体チ
ップ7を含んで封止する。次に、チップコンデンサ10
を配線2に半田付けして混成集積回路装置を構成する。
ィルム1の上に設けた厚さ18μmの銅箔をバターニン
グし、選択的にニッケルめっき及び金めつきを施した配
線2を有するフレキシブル配線板の裏面に補強板11を
接着剤4により接着してフレキシブル配線板の機械的強
度を補強する0次に、フレキシブル配線板の電子部品搭
載部に半導体チップ7をダイマウントし、ワイヤボンデ
ィング法により半導体チップ7の電極と配線2のパッド
とを金線8で電気的に接続し、樹脂体9により半導体チ
ップ7を含んで封止する。次に、チップコンデンサ10
を配線2に半田付けして混成集積回路装置を構成する。
この従来の混成集積回路装置は、フレキシブル配線板上
にマウントした半導体チップのワイヤボンディング工程
で、フレキシブル配線板を100〜150℃に加熱する
ために接着剤のガラス転移点を超えてしまい接着剤の軟
化あるいは材料劣化を生じてパッド上にボンディングす
る圧力が不足してボンディング線とパッドの接合性が低
下し、ボンディングの信頼性が低下するという欠点があ
った。
にマウントした半導体チップのワイヤボンディング工程
で、フレキシブル配線板を100〜150℃に加熱する
ために接着剤のガラス転移点を超えてしまい接着剤の軟
化あるいは材料劣化を生じてパッド上にボンディングす
る圧力が不足してボンディング線とパッドの接合性が低
下し、ボンディングの信頼性が低下するという欠点があ
った。
また、接着剤のガラス転移点以下の温度でワイヤボンデ
ィングする場合にもボンディングの接合性の低下が生ず
るという問題点があった。
ィングする場合にもボンディングの接合性の低下が生ず
るという問題点があった。
本発明の目的はワイヤボンディング工程の加熱温度を接
着剤のガラス転移点と無関係に設定できワイヤボンディ
ングの接合強度を向上させた混成集積回路装置を提供す
ることにある。
着剤のガラス転移点と無関係に設定できワイヤボンディ
ングの接合強度を向上させた混成集積回路装置を提供す
ることにある。
本発明の混成集積回路装置は、半導体チップを含む電子
部品を配線板上に搭載して設けた混成集積回路装置にお
いて、少くとも前記電子部品搭載部に対応する領域に開
孔部を設け且つ前記電子部品搭載部の周囲に接着剤によ
り取付けた補強板を有する。
部品を配線板上に搭載して設けた混成集積回路装置にお
いて、少くとも前記電子部品搭載部に対応する領域に開
孔部を設け且つ前記電子部品搭載部の周囲に接着剤によ
り取付けた補強板を有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す混成集積回路装置の断
面図である。
面図である。
第1図に示すように、厚さ25μmのポリイミド樹脂フ
ィルム1の上に厚さ18μmの銅箔を設けてバターニン
グしニッケルめっき層及び部分的に金めつき層を設けた
配線2を有するフレキシブル配線板と、フレキシブル配
線板の電子部品搭載部に対応する部分に開孔部5a、5
bを設けた厚さ0.5〜2mmのガラスエポキシ板やエ
ポキシ系樹脂板等の補強板6を少くとも電子部品搭載部
の周囲に接着剤4により接着して固定する。
ィルム1の上に厚さ18μmの銅箔を設けてバターニン
グしニッケルめっき層及び部分的に金めつき層を設けた
配線2を有するフレキシブル配線板と、フレキシブル配
線板の電子部品搭載部に対応する部分に開孔部5a、5
bを設けた厚さ0.5〜2mmのガラスエポキシ板やエ
ポキシ系樹脂板等の補強板6を少くとも電子部品搭載部
の周囲に接着剤4により接着して固定する。
ここで、補強板6はガラスエポキシ板の代りにポリイミ
ド系樹脂板やアルミニウム等の金属板を使用しても良く
、金属板の場合にはグランド配線と接続してシールドの
機能を持たせたり放熱性を向上させる等の利点がある。
ド系樹脂板やアルミニウム等の金属板を使用しても良く
、金属板の場合にはグランド配線と接続してシールドの
機能を持たせたり放熱性を向上させる等の利点がある。
次に、開孔部5aの電子部品搭載部に半導体チップ7を
ダイボンディングし、半導体チップ7の電極と配線2の
金めつき層を設けたパッドとの間を金線8によりワイヤ
ボンディングして接続し、樹脂体9により開孔部5内を
充填して被覆する。
ダイボンディングし、半導体チップ7の電極と配線2の
金めつき層を設けたパッドとの間を金線8によりワイヤ
ボンディングして接続し、樹脂体9により開孔部5内を
充填して被覆する。
家な、開孔部5bの電子部品搭載部の配線2にチップコ
ンデンサ10を半田付けして搭載する。
ンデンサ10を半田付けして搭載する。
以上説明したように本発明は、フレキシブル配線板の電
子部品搭載部に対応する部分に開孔部を設けた補強板を
少くとも電子部品搭載部の周囲に接着して設けることに
より、電子部品のワイヤボンディング工程の加熱温度を
接着剤のガラス転移点に無間係にボンディングの最適条
件に設定でき、ワイヤボンディングの接合強度を強化し
て混成集積回路装置の信頼性を向上させるという効果を
有する。
子部品搭載部に対応する部分に開孔部を設けた補強板を
少くとも電子部品搭載部の周囲に接着して設けることに
より、電子部品のワイヤボンディング工程の加熱温度を
接着剤のガラス転移点に無間係にボンディングの最適条
件に設定でき、ワイヤボンディングの接合強度を強化し
て混成集積回路装置の信頼性を向上させるという効果を
有する。
また、補強板に設けた開孔部内に樹脂体を充填して封止
することにより、開孔部を樹脂の流れ止め、あるいはダ
ム枠を兼ねるという効果を有する。
することにより、開孔部を樹脂の流れ止め、あるいはダ
ム枠を兼ねるという効果を有する。
第1図は、本発明の一実施例を示す混成集積回路装置の
断面図、第2図は従来の混成集積回路装置の一例を示す
断面図である。 1・・・ポリイミド樹脂フィルム、2・・・配線、4・
・・接着剤、5a、5b・・・開孔部、6・・・補強板
、7・・・半導体チップ、8・・・金線、9・・・樹脂
体、10・・・チップコンデンサ、11・・・補強板。
断面図、第2図は従来の混成集積回路装置の一例を示す
断面図である。 1・・・ポリイミド樹脂フィルム、2・・・配線、4・
・・接着剤、5a、5b・・・開孔部、6・・・補強板
、7・・・半導体チップ、8・・・金線、9・・・樹脂
体、10・・・チップコンデンサ、11・・・補強板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップを含む電子部品を配線板上に搭載して
設けた混成集積回路装置において、少くとも前記電子部
品搭載部に対応する領域に開孔部を設け且つ前記電子部
品搭載部の周囲に接着剤により取付けた補強板を有する
ことを特徴とする混成集積回路装置。 2、補強板としてガラスエポキシ板を用いた請求項1記
載の混成集積回路装置。 3、補強板として金属板を用いた請求項1記載の混成集
積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2161601A JPH0451582A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2161601A JPH0451582A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0451582A true JPH0451582A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15738258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2161601A Pending JPH0451582A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0451582A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0607929A2 (en) * | 1993-01-19 | 1994-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Flexible printed circuit board and ink jet recording head using the same |
EP0594427A3 (en) * | 1992-10-21 | 1995-06-21 | Nippon Electric Co | Printed circuit board with electrical elements mounted thereon. |
JPH09283889A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Rohm Co Ltd | フレキシブル基板の補強方法及びフレキシブル基板 |
JP2008085340A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 反り防止のための回路基板及びその製造方法 |
JP2010103516A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 補強材付き配線基板 |
JP2012104557A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品付き配線基板及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6054364B2 (ja) * | 1979-11-07 | 1985-11-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 切刃用複合焼結部片 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161601A patent/JPH0451582A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6054364B2 (ja) * | 1979-11-07 | 1985-11-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 切刃用複合焼結部片 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594427A3 (en) * | 1992-10-21 | 1995-06-21 | Nippon Electric Co | Printed circuit board with electrical elements mounted thereon. |
EP0607929A2 (en) * | 1993-01-19 | 1994-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Flexible printed circuit board and ink jet recording head using the same |
EP0607929A3 (en) * | 1993-01-19 | 1996-03-13 | Canon Kk | Flexible printed circuit board and ink jet recording head using the same. |
US6328427B1 (en) | 1993-01-19 | 2001-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing a wiring substrate |
JPH09283889A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Rohm Co Ltd | フレキシブル基板の補強方法及びフレキシブル基板 |
JP2008085340A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 反り防止のための回路基板及びその製造方法 |
JP2010103516A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 補強材付き配線基板 |
JP2012104557A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品付き配線基板及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4814943A (en) | Printed circuit devices using thermoplastic resin cover plate | |
US6215175B1 (en) | Semiconductor package having metal foil die mounting plate | |
KR100339044B1 (ko) | 볼그리드어레이 반도체패키지 및 그 제조방법 | |
KR101643332B1 (ko) | 초음파 웰딩을 이용한 클립 본딩 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2003017518A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JPH0451582A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2005123559A (ja) | 強化散熱型パッケージ構造及びその形成方法 | |
JP3314574B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000021935A (ja) | 電子部品実装体及びその製造方法 | |
JP3446695B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH034543A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPH06163746A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP3684517B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
JP2004103641A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04144162A (ja) | 半導体装置 | |
JP2614495B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP3462591B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2541494B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2944586B2 (ja) | Bga型半導体装置及びその製造方法 | |
JPH07170048A (ja) | フレキシブルプリント配線板の部品実装構造及び部品実装方法 | |
JPH05144985A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP4614579B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JPH04320052A (ja) | 半導体装置 |