JPH045050B2 - - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 59
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 17
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 39
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 9
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 9
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910004721 HSiCl3 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 2
- -1 ammonium halide Chemical class 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000001367 organochlorosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000000160 carbon, hydrogen and nitrogen elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- JZALIDSFNICAQX-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-trimethylsilylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(Cl)Cl JZALIDSFNICAQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000007903 gelatin capsule Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003918 potentiometric titration Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジシラザンとトリクロロシラン
HSiCl3との反応によるヒドロシラザン重合体の
製造に関する。その様な重合体は高温で焼成され
ると、窒化ケイ素および窒化ケイ素を含むセラミ
ツク物質を形成するので有用である。 ここに開示されるのは新規なヒドロシラザン重
合体を得る新規な方法であり、その方法は不活性
で本質的に無水の雰囲気中でHSiCl3とジシラザ
ンを接触せしめ、その間揮発性の副生成物を蒸留
して除去しながら反応させることから成る。 当該技術分野において周知であるように、ハロ
シランモノマーはアンモニアおよび、第1級また
は第2級アミノ基を含む大抵の有機化合物と反応
して種々のシラザンを生成する。例えば、トリメ
チルクロロシランとアンモニアの反応はヘキサメ
チルジシラザン(シラザンモノマー)を生成する
し、ジメチルジクロロシランとアンモニアとはジ
メチル環状シラザンを生成する。 シラザンは一般に多年学術上好奇心の的であつ
たので、多種多様のシラザン類、例えばモノマ
ー、オリゴマー、環状体および低分子量の樹脂と
線状重合体さえもが種々の方法により製造され
た。例えばブリードら(L.W.Breed et al.)はJ.
Org・ Chem.,27,1114(1962)で立体障害シ
ラザンオリゴマーの重合によるシラザンの生成を
報告している。J.Polym.Sci.A.2,45(1964)に
は、環状トリマーおよびテトラマーのシラザン類
が触媒を使用して熱分解されると、線状の重合体
を生ずることが報告されている。 対照的に、CH3SiCl3,(CH3)2SiCl2および過剰
のアンモニアから製造された液体、ゴム状重合体
および樹脂がクルーガーら(Kruger et al.)に
よりJ.Polym.Sci.A,2,3179(1964)において
およびレドル(Redl)による“シラザン ポリ
マー”、ARPA−19,Advanced Research
Projects Agency,October,1965によつて報告
された。 特許文献もシラザンの製造に関する開示を含む
ものがある。米国特許第2564674号(1951年8月
21日)においてシアロニス(Cheronis)は溶媒
溶液中におけるハロシランと過剰のアンモニアの
反応による低分子量の線状シラザン重合体の製造
を開示している。バウスマら(Bausma et al.)
は米国特許第3809713号(1974年5月7日)にお
いて、副生する固体ハロゲン化アンモニウムをエ
チレンジアミンを使用して除く改良を加えた類似
の反応形式を開示している。 ヴアービークら(Verbeek et al.)は米国特許
第3853567号(1974年12月10日)および米国特許
第3892583号(1975年7月1日)において、
CH3SiCl3と(CH3)2SiCl2の混合物をアンモニア
または有機アミンと処理すると、熱分解によつて
SiC/Si3N4のセラミツクスを生成する物質を形
成することができることを開示した。 従来の技術の他の分野において、シラザン重合
体の製造におけるジシラザンの使用は比較的低分
子量の物質の生成に限られていた。例えば、ウオ
ナガートら(Wannagat et al.,Ang.Chem.75
(7),345(1963))は、テトラメチルジクロロジシ
ランとアンモニアガスとの反応は予期された線状
シラザン重合体よりむしろ6員環のシラザン、
〔(CH3)2SiSi(CH3)2NH〕2、を生成することを報
告した。ヘンゲら(Hengge et al.,Montash.
Chem.1011(2),325(1970))は、ジメチルアミン
と、クロロシランの製造のための直接法から得ら
れた塩素含有ジシラン混合物とからジシランのジ
メチルアミノ置換混合物を製造した。 さらに最近になり、ゴール(Gaul)は米国特
許第4312970号(1982年1月26日)および同第
4340619号(1982年7月20日)において、ジシラ
ザンをオルガノクロロシランまたは塩素含有ジシ
ランと反応させることによつてシラザン重合体を
製造する方法を開示した。米国特許第4312970号
のオルガノクロロシランは一般式R′oSiCl4-oによ
つて記載されており、上式中R′はビニル基、1
〜3個の炭素原子を含むアルキル基、またはフエ
ニル基であり、nは1または2の値を有する。米
国特許第4340619号の塩素含有ジシランは一般式
(ClaR′bSi)2によつて記載されており、上式中
R′はビニル基、1〜3個の炭素原子を含むアル
キル基、またはフエニル基であり、またaは0.5
〜3の値を有し、bは0〜2.5の値を有し、且つ
(a+b)の和が3である。ゴールの前セラミツ
ク状シラザン重合体を不活性雰囲気中で高温にお
いて焼成することにより製造されたセラミツク物
質は結晶相として主に炭化ケイ素を含有してい
た。窒化ケイ素は、もし見出されたとしても、比
較的少量にしか存在しなかつた。 サイフアースら(Seyferth et al.)は米国特許
第4397828号(1983年8月9日)において、ケイ
素、窒素および水素を含有する比較的安定な液状
重合体の製造法を開示したが、その重合体は
H2SiCl2のようなジヒドロジハロシランとアンモ
ニアとを、脂肪族エーテル、クロロメタン、また
はそれらの混合物から成る溶媒の存在で、反応さ
せることにより形成された。サイフアースらの方
法はむしろ多量の厄介な副生成物塩化アンモニウ
ムを生成する。その液状重合体は、不活性雰囲気
中では、0℃において少なくとも7日間は安定で
あつたが、室温においては僅か2日後にゲル化し
始めた。サイフアースらの液状重合体は不活性雰
囲気中で高温まで焼成されると、窒化ケイ素を含
有する物質を生成した。 新しく発見されたことはトリクロロシランとジ
シラザンとの間の相互反応が有用な高分子量のヒ
ドロシラザン重合体を与えることである。このヒ
ドロシラザン重合体は従来技術の材料の上に重要
な進歩を示す。 本発明は、不活性で本質的に無水の雰囲気中で
トリクロロシランとジシラザンを25〜300℃の範
囲の温度において接触させ、揮発性の副生成物を
蒸留して除きながら反応させることから成り、そ
の際ジシラザンは次の一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することを特徴
とする、R3SiNH基を含有するヒドロシラザン重
合体の製造方法に関する。 本発明はまた、不活性で本質的に無水の雰囲気
中でトリクロロシランとジシラザンを25〜300℃
の範囲の温度において接触させ、揮発性の副生成
物を蒸留して除きながら反応させることにより、
且つその際ジシラザンは次の一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することにより
製造される、R3SiNH基を含有するヒドロシラザ
ン重合体である新規な組成物にも関する。 本発明はさらにまた、R3SiNH基を含有するヒ
ドロシラザン重合体を不活性雰囲気中または真空
中で、R3SiNH基含有ヒドロシラザン重合体が窒
化ケイ素を含有するセラミツク物質に変換するま
で少なくとも750℃の温度に加熱することから成
り、また前記ヒドロシラザン重合体が、不活性で
本質的に無水の雰囲気中でトリクロロシランとジ
シラザンを25〜300℃の範囲の温度において接触
させ、揮発性の副生成物を蒸留して除きながら反
応させることから成り、その際ジシラザンは次の
一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することから成
る方法によつて得られたものである。窒化ケイ素
を含有するセラミツク物質の製造方法にも関す
る。 本発明は、ジシラザンとトリクロロシランから
製造される新しい部類のシラザン重合体に関す
る。塩素含有シランは、窒素源としてのジシラザ
ンと処理されるが、ジシラザンはその塩素含有シ
ラン中の全塩素と反応するために十分な量におい
て用いられる。これは通常トリクロロシランの塩
素含有量に基づく等モル量である。発明者はその
様な理論に拘束されることを望まないが、トリク
ロロシランとジシラザンを含む混合物が、不活性
で本質的に無水の雰囲気中で、且つ通常溶媒の不
存在において、加熱されるとき、次の反応 =Si(H)Cl+R3SiNHSiR3→ =Si(H)NHSiR3+R3SiCl が起ると信じられる。この反応の間に生成する
R3SiClは反応が進行するに従い蒸留によつて除
かれる。反応混合物の温度が上昇すると、縮合反
応が起り始めて、より高い分子量のヒドロシラザ
ンおよび〔R3Si〕2NHを形成させる。この
〔R3Si〕2NHもまたそれが形成されるに従つて反
応系から蒸留して除かれる。 2=Si(H)NHSiR3→=Si(H)NHSi(H) =+〔R3Si〕2NH なお一層高い温度に達すると、より多くの架橋
化が起り、重合体に残存するR3SiNH−基はいず
れも末端閉塞剤として働く。この方法は反応を如
何なる点でも停止させて殆んど望み通りの粘度を
得させる。ヒドロシラザン重合体は物理的外観に
おいて高粘性液体から固体物質に亘る。それ故こ
の物質は極く容易に取扱われる。 本発明はヒドロシラザン重合体を生成するトリ
クロシランHSiCl3とある種のジシラザンとの反
応を含む。これらのヒドロシラザン重合体を焼成
すると、窒化ケイ素を含むセラミツクな重合体を
得ることができる。クロロシラン反応物はジシラ
ザンと反応させる前に精製することが望ましい。
古くなつたクロロシラン反応物中のある成分(多
分加水分解の生成物であるが)は本発明の方法に
有害のようである。その様な汚染したクロロシラ
ン反応物は蒸留によつて適当に精製することがで
きる。他の精製方法も採用することができる。ま
た反応物を初めの反応の発熱が最小に留まるよう
に加えることが望ましい。一方の反応物を他方の
反応物に対して徐々に加えてもよいし、あるいは
反応の発熱を低く保つために反応器を冷却しても
よい。その他の方法またはそれらの方法の組合せ
を使用することもできる。一般に、発熱をうける
初めの反応温度が約50℃以下であるように反応を
調節することが望しく、35℃以下が最も望まし
い。一般に、精製したトリクロロシランを使用
し、且つ初めの反応温度を注意深く調節すると、
より多くの再現性のある結果が得られる。 本発明の第2の反応物は一般式(R3Si)2NHの
ジシラザンである。この式中のRはビニル基、水
素、フエニル基または1〜3個の炭素原子を有す
るアルキル基である。従つて、この式のためのR
は水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニ
ル基またはフエニル基などによつて代表される。
上述のように上式中の各R基は同一であることが
できるし、あるいは異なつてもよい。本発明の範
囲内にあると考えられる化合物を挙げると次のよ
うである。 〔(CH3)3Si〕2NH,〔C6H5(CH3)2Si〕2NH, 〔(C6H5)2CH3Si〕2NH,〔CH2=CH
(CH3)2Si〕2NH, 〔CH2=CH(CH3)C6H5Si〕2NH, 〔CH2=CH(C6H5)2Si〕2NH, 〔CH2=CH(C2H5)2Si〕2NH,〔H
(CH3)2Si〕2NHおよび 〔(CH2=CH(C6H5)C2H5Si〕2NH. これらの反応物は不活性で本質的に無水の雰囲
気中において一緒にされる。本発明のために「不
活性」と称するのは、反応が不活性ガス、例えば
アルゴン、窒素またはヘリウム、の包囲の下に行
われることを意味する。「本質的に無水の」と称
するのは、反応が絶対に無水の雰囲気中で行われ
ることが望ましいが、極く僅かの湿気ならば許容
し得るということを意味する。 反応物が相互に接触すると、反応が始まつて中
間のアミノ化合物を生成する。先述のように、反
応開始時の発熱を最小に保つように反応物を接触
させることが望ましい。加熱するとすぐ追加のア
ミノ化合物が生成し、加熱を続けると、R3SiCl
が反応混合物から蒸留されて除かれ、ヒドロシラ
ザン重合体が生成する。最良の結果を得るために
は、加熱速度を約1.0℃/分以下の速度に調節す
べきである。約0.5℃/分またはそれ以下の加熱
速度が好ましい。原料を加える順序は決定的に重
要でないようである。温度が上るに従い、一層多
く縮合が起り、また反応混合物から蒸留によつて
除かれないので、連鎖閉塞剤としても働く残りの
R3Si−基による架橋剤が発生する。この反応の
ための望ましい温度範囲は25℃〜300℃である。
この反応のためのより好ましい温度範囲は125゜〜
275℃である。反応に必要な時間の長さは反応の
最終温度および加熱速度に依存する。もし望まし
ければ、反応をその最終温度に種々の長さの時間
保つこともできる。 「揮発性の生成物」とは、上述の反応によつて
形成され、蒸留によつて除き得る副生する生成物
を意味する。これらの物質の代表的なものを挙げ
ると、(CH3)3SiCl,(CH2=CH)(C6H5)2SiCl,
CH3(C6H5)2SiCl,(CH3)2C6H5SiClおよび
(CH2=CH)(CH3)2SiClである。ある時には、
これらの物質を反応混合物から除去するために加
熱と共に減圧の使用を必要とする。 ヒドロシラザン重合体は本質的には直ちに使用
できる。しかし、揮発性物質を除くために使用に
先だつてヒドロシラザン重合体を真空ストリツピ
ングにかけることが望ましい。真空ストリツプ操
作を採用すると、通常その結果固体のヒドロシラ
ザン重合体が得られ、これはその後の加工工程に
おいて取扱い易い。ヒドロシラザン重合体は不活
性雰囲気中または真空中で少なくとも750℃の温
度において熱分解し、窒化ケイ素を含有する物質
を生成する。重合体が十分な粘度を有する場合あ
るいは十分低い融点を有する場合には、先ず成形
し(例えば押し出し繊維のような形に)、その後
熱分解して窒化ケイ素を含有する繊維を製造する
ことができる。ヒドロシラザン重合体に(望まし
ければ)セラミツク型の充填材を充填し、それか
ら少なくとも750℃に焼いて窒化ケイ素のセラミ
ツク物質または窒化ケイ素セラミツク物質を含む
セラミツク製品を得ることができる。 本発明の重合体は用途に応じて充填および無充
填の状態で使用することができる。従つて、充填
および無充填の重合体によつて支持体を塗被して
から、その支持体を加熱して窒化ケイ素含有セラ
ミツク被覆製品を製造することは本発明の範囲内
に意図されている。充填材および補助剤は三本ロ
ールミル上で、単に本発明のヒドロシラザン重合
体と充填材を混合してからミル上を数回通過させ
ることにより混練することができる。また他の方
法において、重合体を溶媒中に入れ、それに充填
材と補助剤を加え、混合した後溶媒を除くことに
よつて充填された重合体を製造することもでき
る。塗被は従来の方法によつて行うことができ
る。その使用される手段は使用される重合体と支
持体および意図される用途に依存する。従つて、
これらの材料ははけ塗り、ロール塗り、浸漬また
は吹付けによつて塗被することができる。充填状
態では、重合体を支持体上にこて塗りすることが
ある場合には必要なこともある。 重合体がセラミツク状態に変換される時はいつ
も、不活性雰囲気中または真空中で少くとも750
℃の温度で重合体を熱分解させることによつてな
される。 当業者が本発明をより良く確認し且つ理解でき
るように、次の実施例を提供する。特に指示され
なければ、百分率はすべて重量百分率である。 以下の実施例において、使用される分析方法は
次の通りである。 ケイ素の百分率は融解法によつて測定された
が、その方法はケイ素物質をケイ素の可溶性の形
に変換してから、次に原子吸光分析によつて全ケ
イ素に対してその可溶性物質を定量分析すること
から成る。可溶化はパー型(Parr−type)融解
皿に試料(約0.3g)を入れて秤量し、15.0gの
過酸化ナトリウムを加え、約90秒加熱してから、
冷水中で急冷することによつてなされる。生成物
質を150〜200mlの蒸留水を収容しているニツケル
ビーカー中に入れる。試薬級酢酸(55ml)を加え
てから、水で500mlに希釈する。 塩素(残留)の百分率は過酸化ナトリウム分解
と硝酸銀滴定によつて測定され、過酸ナトリウム
と共に行うハロゲン化物の融解に続いて、硝酸銀
標準液による電位差滴定が行われる。ゼラチンカ
プセル中に試料を入れて秤量し、清潔な乾燥した
反応皿中に約1.5gのNa2O3,約0.7gのKNO3お
よび約0.15gの砂糖を入れ、その混合物中にカプ
セルを埋め込む。反応皿にNa2O2を満してから、
反応器に入れる。それを1〜11/2分間加熱して
から、冷水中で急冷する。反応皿および反応器を
洗い、その洗液を集める。洗液を加熱して固体を
すべて溶解させる。冷い50%H2SO4水溶液(15
ml)を加え、15〜20秒放置する。この溶液をさら
にH2SO4を加えて中和してから、滴定する。 炭素、水素および窒素は、イタリーのカルロ・
エルバ・ストルメンタジオーネ社(Carlo Erba
Strumentazione)製、モデル1106、C,H,N
元素分析計で測定された。試料を1030℃で燃焼さ
せてから、650℃の酸化クロム床と650℃の銅床を
通過させた。生成したN2,CO2およびH2Oは次
に分離されてから、熱伝導率型検出器を使用して
検出した。 ヒドロシラザン重合体は、アストロ・インダス
トリース・フアーネース(Astro Industries
Furnace)1000A水冷黒鉛加熱モデル1000・3060
−FP−12を使用して高温まで焼成した。1600℃
に焼成される試料は不活性雰囲気中で次の温度プ
ログラムを使用して加熱される。すなわち、2.9
℃/分で25〜380℃;2.6℃/分で380〜600℃;
5.2℃/分で600〜850℃;31.3℃/分で850〜1600
℃;1600℃に12分間保ち;次いで約13℃/分の速
度で冷却した。1300℃で焼成されるヒドロシラザ
ン重合体は不活性雰囲気中で次の温度プログラム
を使用して加熱された。すなわち、740℃まで急
速加熱;0.83℃/分で740〜800℃;2.1℃/分で
800〜1300℃;次いで冷却した。 実施例 1 反応系は2のガラス三つ口フラスコから成
り、これに加熱マントル、温度調節器、かい形か
きまぜ機、蒸留装置およびガス導入管を備えてい
た。反応系をアルゴンガスで一掃した後、800g
の〔(CH3)3Si〕2NH(5モル)と300gのHSiCl3
(2.2モル)を室温の反応系に加えた。混合物は発
熱して約75℃になつた。反応物をそれからアルゴ
ン雰囲気下に約0.5℃/分の速度で230℃まで加熱
した。温度を230℃に約10分間保持した。生成物
をアルゴン下に約140℃まで冷却させ、その時点
で生成物を150℃、37mmHgで真空ストリツプし
た。アルゴンガスを再び満してから、ヒドロシラ
ザン重合体を180℃に加熱し、アルゴン包囲した
容器に注ぎ込み、それからアルゴン下に一夜放冷
した。約190gの重合体収量が得られた。重合体
は透明な薄黄色の固体で、圧力によつて成形する
ことができた。赤外分析はSiH,Si(CH3)3およ
びSiCl各基の存在を示した。全塩素含量は0.08%
以下であつた。ケイ素含量は48.0%であつた。
C,H,N分析はC22.7%、H7.8%、および
N21.5%の結果を示した。 3/8インチ加熱バレルと20ミクロンの紡糸口金
をつけた溶融流動計をこのヒドロシラザン重合体
から繊維を製造するために使用した。最良の繊維
が約70℃で製造された。 ヒドロシラザン重合体の試料をアストロ・フア
ーネース中でヘリウム下に1600℃まで焼成した。
暗緑色のセラミツク物質が53.1%の吸率で得られ
た。X線分析は35%α−Si3N4の値およびβ−
SiCの検知されないことを示した。セラミツク生
成物は62%のケイ素を含んでいた。 ヒドロシラザン重合体はアルゴン下に塊状のま
ま室温でアルゴン下に貯蔵し、それから種々の貯
蔵時間の後にアストロフアーネース中で焼成し
た。トルエンのような有機溶媒中の溶解度を含め
て、物理的変化は表示された時間の貯蔵の後に観
察されなかつた。 【表】 試料AはX線分析により43%のα−Si3N4およ
び13%のβ−SiCを含んでいた。試料Bは約43%
のα−Si3N4および約15%のβ−SiCを含んでい
た。 実施例 2 実施例1と、特に示す点を除き、同じ原料と操
作を使用して、400g(2.5モル)の
〔(CH3)3Si〕2NHと150g(1.1モル)のHSiCl3を
反応させた。反応混合物を0.5℃/分の速度で190
℃まで加熱してから、室温になるまで一晩中放冷
した。生成物質は適度に高い粘度を有する透明な
黄色の液体であつた。この物質の加熱を0.5℃/
分の速度で最終温度260℃まで続けた。温度を260
℃に約5分間保持した。依然アルゴン下に、反応
混合物を約100℃まで冷した。この時混合物は透
明な薄黄色の、極めて粘稠な、ガム状の物質であ
つた。200℃、5mmHgでの真空ストリツピングに
より製品が得られた。アルゴン下に室温まで冷却
すると、圧をかけると音をたてて砕ける薄黄色の
固体が得られた。この物質は250℃においても流
動しなかつた。 実施例 3 実施例1に使用されたものと同じHSiCl3試料
により数回の実験が行なわれたが、ただ異なる点
としてHSiCl3試料は外気に数回さらされた。実
施例1に用いた同じジシラザンと操作を使用した
が、反応は予期したように進まず、むしろ反応温
度が約215℃以上に達したとき発泡してゲル化を
始めた。反応混合物が高温で発泡ゲル化するとき
には、満足すべき重合体は製造されなかつた。 HSiCl3をドライアイス/アセトンの温度で加
え、且つ反応の発熱を受ける開始温度を約35℃以
下に保つような速度で加えることによりこの問題
を克服しようとする若干の試みがなされた。反応
温度が約225℃以上に上つたとき、発泡に続いて
ゲル化が再び起つた。 最後に、HSiCl3を簡単な蒸留によつて精製し
た。そのガラス製蒸留装置は乾燥したアルゴンガ
スを通気して一晩中乾燥された。留出物の中間80
%を収集してアルゴン雰囲気下に保存した。気−
液クロマトグラフイー分析はその試料が99.7%以
上HSiCl3であることを示した。 この精製HSiCl3と実施例1に使用されたジシ
ラザンを用いてヒドロシラザン重合体が製造され
た。装置と操作は、特に述べた他は、実施例1に
記載した通りである。精製したHSiCl3(140.5g、
1.04モル)をドライアイス/アセトンの温度にし
て、375g(2.3モル)の〔(CH3)3Si〕2NHに徐々
に加えた。HSiCl3の添加は約45分間に亘つて行
われ、その間に反応温度は約32℃に上つた。反応
混合物をアルゴン下室温で一晩中撹拌した。その
後温度を0.5℃/分の速度で245℃まで上げた。著
しい発泡は観察されなかつた。反応混合物が245
℃に達した後、混合物を約170℃まで冷却してか
ら、次に約45mmHgの圧において真空ストリツピ
ングを行なつた。生成物を収集し、アルゴン下に
一晩中放冷した。生成物は透明な極く薄い黄色の
固体であつた。その物質はいくらか圧をかけると
成形できたが、ある程度砕ける傾向があつた。 重合体は実施例1に記載したのと同様の紡糸装
置で20ミクロンの紡糸口金を使用して評価され
た。約83℃〜92℃の温度で連続糸を製造すること
ができた。約92℃以上の紡糸温度は試験されなか
つた。 このヒドロシラン重合体について、蒸気圧浸透
法によりテトラヒドロフランを溶媒として行い、
約1700g/モルの数量平均分子量が測定された。 アルゴン下に室温で塊状のまま貯蔵されたヒド
ロシラザン重合体の試料を、種々の貯蔵期間の後
にアストロ・フアネース中で焼成した。トルエン
のような有機溶媒中の溶解度を含めて、物理的変
化は表示された期間の貯蔵後に観察されなかつ
た。 【表】 黒
C 148 ヘリウム 1600 54.4 緑−黒
X線分析によると、試料Aは63%のαSi3Nと22
%のβSiCを含んでいた。試料Cは56%のαSi3Nと
5%のαSiCを含んでいた。 実施例 4 この実施例は〔H(CH3)2Si〕2NHとHSiCl3か
らのヒドロシラザン重合体の製造を説明するもの
である。ジシラザンおよびクロロシランの両者共
使用に先だつて蒸留によつて精製した。装置と操
作は本質的に実施例1に記載した通りであつた。
精製したHSiCl3(30.0g、0.22モル)を室温で、
〔H(CH3)2Si〕2NH(75.2g、0.57モル)に速やか
に加えた。温度は急速に約55℃まで上つた。温度
を0.5℃/分の速度で235℃まで上げた。反応生成
物を約150℃まで冷してから、次に170℃、14mm
Hgで真空ストリツプした。18.3gの重合体収量
が得られた。生成物は粘稠で曇りのある油で、室
温において数百センチストークスの推定粘度を有
するものであつた。赤外分析は重合体中のNH,
SiH,Si−CH3およびSiN各基の存在を示した。
このヒドロシラザンをメリウム雰囲気中で1600℃
に焼成すると暗緑色のセラミツク粉末が得られ
た。セラミツク収率は48.3%であつた。このセラ
ミツクのX線分析は51%のαSi3N4および8%の
αSiCを示した。セラミツク粉末は62.1%のSiを含
有していた。
HSiCl3との反応によるヒドロシラザン重合体の
製造に関する。その様な重合体は高温で焼成され
ると、窒化ケイ素および窒化ケイ素を含むセラミ
ツク物質を形成するので有用である。 ここに開示されるのは新規なヒドロシラザン重
合体を得る新規な方法であり、その方法は不活性
で本質的に無水の雰囲気中でHSiCl3とジシラザ
ンを接触せしめ、その間揮発性の副生成物を蒸留
して除去しながら反応させることから成る。 当該技術分野において周知であるように、ハロ
シランモノマーはアンモニアおよび、第1級また
は第2級アミノ基を含む大抵の有機化合物と反応
して種々のシラザンを生成する。例えば、トリメ
チルクロロシランとアンモニアの反応はヘキサメ
チルジシラザン(シラザンモノマー)を生成する
し、ジメチルジクロロシランとアンモニアとはジ
メチル環状シラザンを生成する。 シラザンは一般に多年学術上好奇心の的であつ
たので、多種多様のシラザン類、例えばモノマ
ー、オリゴマー、環状体および低分子量の樹脂と
線状重合体さえもが種々の方法により製造され
た。例えばブリードら(L.W.Breed et al.)はJ.
Org・ Chem.,27,1114(1962)で立体障害シ
ラザンオリゴマーの重合によるシラザンの生成を
報告している。J.Polym.Sci.A.2,45(1964)に
は、環状トリマーおよびテトラマーのシラザン類
が触媒を使用して熱分解されると、線状の重合体
を生ずることが報告されている。 対照的に、CH3SiCl3,(CH3)2SiCl2および過剰
のアンモニアから製造された液体、ゴム状重合体
および樹脂がクルーガーら(Kruger et al.)に
よりJ.Polym.Sci.A,2,3179(1964)において
およびレドル(Redl)による“シラザン ポリ
マー”、ARPA−19,Advanced Research
Projects Agency,October,1965によつて報告
された。 特許文献もシラザンの製造に関する開示を含む
ものがある。米国特許第2564674号(1951年8月
21日)においてシアロニス(Cheronis)は溶媒
溶液中におけるハロシランと過剰のアンモニアの
反応による低分子量の線状シラザン重合体の製造
を開示している。バウスマら(Bausma et al.)
は米国特許第3809713号(1974年5月7日)にお
いて、副生する固体ハロゲン化アンモニウムをエ
チレンジアミンを使用して除く改良を加えた類似
の反応形式を開示している。 ヴアービークら(Verbeek et al.)は米国特許
第3853567号(1974年12月10日)および米国特許
第3892583号(1975年7月1日)において、
CH3SiCl3と(CH3)2SiCl2の混合物をアンモニア
または有機アミンと処理すると、熱分解によつて
SiC/Si3N4のセラミツクスを生成する物質を形
成することができることを開示した。 従来の技術の他の分野において、シラザン重合
体の製造におけるジシラザンの使用は比較的低分
子量の物質の生成に限られていた。例えば、ウオ
ナガートら(Wannagat et al.,Ang.Chem.75
(7),345(1963))は、テトラメチルジクロロジシ
ランとアンモニアガスとの反応は予期された線状
シラザン重合体よりむしろ6員環のシラザン、
〔(CH3)2SiSi(CH3)2NH〕2、を生成することを報
告した。ヘンゲら(Hengge et al.,Montash.
Chem.1011(2),325(1970))は、ジメチルアミン
と、クロロシランの製造のための直接法から得ら
れた塩素含有ジシラン混合物とからジシランのジ
メチルアミノ置換混合物を製造した。 さらに最近になり、ゴール(Gaul)は米国特
許第4312970号(1982年1月26日)および同第
4340619号(1982年7月20日)において、ジシラ
ザンをオルガノクロロシランまたは塩素含有ジシ
ランと反応させることによつてシラザン重合体を
製造する方法を開示した。米国特許第4312970号
のオルガノクロロシランは一般式R′oSiCl4-oによ
つて記載されており、上式中R′はビニル基、1
〜3個の炭素原子を含むアルキル基、またはフエ
ニル基であり、nは1または2の値を有する。米
国特許第4340619号の塩素含有ジシランは一般式
(ClaR′bSi)2によつて記載されており、上式中
R′はビニル基、1〜3個の炭素原子を含むアル
キル基、またはフエニル基であり、またaは0.5
〜3の値を有し、bは0〜2.5の値を有し、且つ
(a+b)の和が3である。ゴールの前セラミツ
ク状シラザン重合体を不活性雰囲気中で高温にお
いて焼成することにより製造されたセラミツク物
質は結晶相として主に炭化ケイ素を含有してい
た。窒化ケイ素は、もし見出されたとしても、比
較的少量にしか存在しなかつた。 サイフアースら(Seyferth et al.)は米国特許
第4397828号(1983年8月9日)において、ケイ
素、窒素および水素を含有する比較的安定な液状
重合体の製造法を開示したが、その重合体は
H2SiCl2のようなジヒドロジハロシランとアンモ
ニアとを、脂肪族エーテル、クロロメタン、また
はそれらの混合物から成る溶媒の存在で、反応さ
せることにより形成された。サイフアースらの方
法はむしろ多量の厄介な副生成物塩化アンモニウ
ムを生成する。その液状重合体は、不活性雰囲気
中では、0℃において少なくとも7日間は安定で
あつたが、室温においては僅か2日後にゲル化し
始めた。サイフアースらの液状重合体は不活性雰
囲気中で高温まで焼成されると、窒化ケイ素を含
有する物質を生成した。 新しく発見されたことはトリクロロシランとジ
シラザンとの間の相互反応が有用な高分子量のヒ
ドロシラザン重合体を与えることである。このヒ
ドロシラザン重合体は従来技術の材料の上に重要
な進歩を示す。 本発明は、不活性で本質的に無水の雰囲気中で
トリクロロシランとジシラザンを25〜300℃の範
囲の温度において接触させ、揮発性の副生成物を
蒸留して除きながら反応させることから成り、そ
の際ジシラザンは次の一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することを特徴
とする、R3SiNH基を含有するヒドロシラザン重
合体の製造方法に関する。 本発明はまた、不活性で本質的に無水の雰囲気
中でトリクロロシランとジシラザンを25〜300℃
の範囲の温度において接触させ、揮発性の副生成
物を蒸留して除きながら反応させることにより、
且つその際ジシラザンは次の一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することにより
製造される、R3SiNH基を含有するヒドロシラザ
ン重合体である新規な組成物にも関する。 本発明はさらにまた、R3SiNH基を含有するヒ
ドロシラザン重合体を不活性雰囲気中または真空
中で、R3SiNH基含有ヒドロシラザン重合体が窒
化ケイ素を含有するセラミツク物質に変換するま
で少なくとも750℃の温度に加熱することから成
り、また前記ヒドロシラザン重合体が、不活性で
本質的に無水の雰囲気中でトリクロロシランとジ
シラザンを25〜300℃の範囲の温度において接触
させ、揮発性の副生成物を蒸留して除きながら反
応させることから成り、その際ジシラザンは次の
一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することから成
る方法によつて得られたものである。窒化ケイ素
を含有するセラミツク物質の製造方法にも関す
る。 本発明は、ジシラザンとトリクロロシランから
製造される新しい部類のシラザン重合体に関す
る。塩素含有シランは、窒素源としてのジシラザ
ンと処理されるが、ジシラザンはその塩素含有シ
ラン中の全塩素と反応するために十分な量におい
て用いられる。これは通常トリクロロシランの塩
素含有量に基づく等モル量である。発明者はその
様な理論に拘束されることを望まないが、トリク
ロロシランとジシラザンを含む混合物が、不活性
で本質的に無水の雰囲気中で、且つ通常溶媒の不
存在において、加熱されるとき、次の反応 =Si(H)Cl+R3SiNHSiR3→ =Si(H)NHSiR3+R3SiCl が起ると信じられる。この反応の間に生成する
R3SiClは反応が進行するに従い蒸留によつて除
かれる。反応混合物の温度が上昇すると、縮合反
応が起り始めて、より高い分子量のヒドロシラザ
ンおよび〔R3Si〕2NHを形成させる。この
〔R3Si〕2NHもまたそれが形成されるに従つて反
応系から蒸留して除かれる。 2=Si(H)NHSiR3→=Si(H)NHSi(H) =+〔R3Si〕2NH なお一層高い温度に達すると、より多くの架橋
化が起り、重合体に残存するR3SiNH−基はいず
れも末端閉塞剤として働く。この方法は反応を如
何なる点でも停止させて殆んど望み通りの粘度を
得させる。ヒドロシラザン重合体は物理的外観に
おいて高粘性液体から固体物質に亘る。それ故こ
の物質は極く容易に取扱われる。 本発明はヒドロシラザン重合体を生成するトリ
クロシランHSiCl3とある種のジシラザンとの反
応を含む。これらのヒドロシラザン重合体を焼成
すると、窒化ケイ素を含むセラミツクな重合体を
得ることができる。クロロシラン反応物はジシラ
ザンと反応させる前に精製することが望ましい。
古くなつたクロロシラン反応物中のある成分(多
分加水分解の生成物であるが)は本発明の方法に
有害のようである。その様な汚染したクロロシラ
ン反応物は蒸留によつて適当に精製することがで
きる。他の精製方法も採用することができる。ま
た反応物を初めの反応の発熱が最小に留まるよう
に加えることが望ましい。一方の反応物を他方の
反応物に対して徐々に加えてもよいし、あるいは
反応の発熱を低く保つために反応器を冷却しても
よい。その他の方法またはそれらの方法の組合せ
を使用することもできる。一般に、発熱をうける
初めの反応温度が約50℃以下であるように反応を
調節することが望しく、35℃以下が最も望まし
い。一般に、精製したトリクロロシランを使用
し、且つ初めの反応温度を注意深く調節すると、
より多くの再現性のある結果が得られる。 本発明の第2の反応物は一般式(R3Si)2NHの
ジシラザンである。この式中のRはビニル基、水
素、フエニル基または1〜3個の炭素原子を有す
るアルキル基である。従つて、この式のためのR
は水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニ
ル基またはフエニル基などによつて代表される。
上述のように上式中の各R基は同一であることが
できるし、あるいは異なつてもよい。本発明の範
囲内にあると考えられる化合物を挙げると次のよ
うである。 〔(CH3)3Si〕2NH,〔C6H5(CH3)2Si〕2NH, 〔(C6H5)2CH3Si〕2NH,〔CH2=CH
(CH3)2Si〕2NH, 〔CH2=CH(CH3)C6H5Si〕2NH, 〔CH2=CH(C6H5)2Si〕2NH, 〔CH2=CH(C2H5)2Si〕2NH,〔H
(CH3)2Si〕2NHおよび 〔(CH2=CH(C6H5)C2H5Si〕2NH. これらの反応物は不活性で本質的に無水の雰囲
気中において一緒にされる。本発明のために「不
活性」と称するのは、反応が不活性ガス、例えば
アルゴン、窒素またはヘリウム、の包囲の下に行
われることを意味する。「本質的に無水の」と称
するのは、反応が絶対に無水の雰囲気中で行われ
ることが望ましいが、極く僅かの湿気ならば許容
し得るということを意味する。 反応物が相互に接触すると、反応が始まつて中
間のアミノ化合物を生成する。先述のように、反
応開始時の発熱を最小に保つように反応物を接触
させることが望ましい。加熱するとすぐ追加のア
ミノ化合物が生成し、加熱を続けると、R3SiCl
が反応混合物から蒸留されて除かれ、ヒドロシラ
ザン重合体が生成する。最良の結果を得るために
は、加熱速度を約1.0℃/分以下の速度に調節す
べきである。約0.5℃/分またはそれ以下の加熱
速度が好ましい。原料を加える順序は決定的に重
要でないようである。温度が上るに従い、一層多
く縮合が起り、また反応混合物から蒸留によつて
除かれないので、連鎖閉塞剤としても働く残りの
R3Si−基による架橋剤が発生する。この反応の
ための望ましい温度範囲は25℃〜300℃である。
この反応のためのより好ましい温度範囲は125゜〜
275℃である。反応に必要な時間の長さは反応の
最終温度および加熱速度に依存する。もし望まし
ければ、反応をその最終温度に種々の長さの時間
保つこともできる。 「揮発性の生成物」とは、上述の反応によつて
形成され、蒸留によつて除き得る副生する生成物
を意味する。これらの物質の代表的なものを挙げ
ると、(CH3)3SiCl,(CH2=CH)(C6H5)2SiCl,
CH3(C6H5)2SiCl,(CH3)2C6H5SiClおよび
(CH2=CH)(CH3)2SiClである。ある時には、
これらの物質を反応混合物から除去するために加
熱と共に減圧の使用を必要とする。 ヒドロシラザン重合体は本質的には直ちに使用
できる。しかし、揮発性物質を除くために使用に
先だつてヒドロシラザン重合体を真空ストリツピ
ングにかけることが望ましい。真空ストリツプ操
作を採用すると、通常その結果固体のヒドロシラ
ザン重合体が得られ、これはその後の加工工程に
おいて取扱い易い。ヒドロシラザン重合体は不活
性雰囲気中または真空中で少なくとも750℃の温
度において熱分解し、窒化ケイ素を含有する物質
を生成する。重合体が十分な粘度を有する場合あ
るいは十分低い融点を有する場合には、先ず成形
し(例えば押し出し繊維のような形に)、その後
熱分解して窒化ケイ素を含有する繊維を製造する
ことができる。ヒドロシラザン重合体に(望まし
ければ)セラミツク型の充填材を充填し、それか
ら少なくとも750℃に焼いて窒化ケイ素のセラミ
ツク物質または窒化ケイ素セラミツク物質を含む
セラミツク製品を得ることができる。 本発明の重合体は用途に応じて充填および無充
填の状態で使用することができる。従つて、充填
および無充填の重合体によつて支持体を塗被して
から、その支持体を加熱して窒化ケイ素含有セラ
ミツク被覆製品を製造することは本発明の範囲内
に意図されている。充填材および補助剤は三本ロ
ールミル上で、単に本発明のヒドロシラザン重合
体と充填材を混合してからミル上を数回通過させ
ることにより混練することができる。また他の方
法において、重合体を溶媒中に入れ、それに充填
材と補助剤を加え、混合した後溶媒を除くことに
よつて充填された重合体を製造することもでき
る。塗被は従来の方法によつて行うことができ
る。その使用される手段は使用される重合体と支
持体および意図される用途に依存する。従つて、
これらの材料ははけ塗り、ロール塗り、浸漬また
は吹付けによつて塗被することができる。充填状
態では、重合体を支持体上にこて塗りすることが
ある場合には必要なこともある。 重合体がセラミツク状態に変換される時はいつ
も、不活性雰囲気中または真空中で少くとも750
℃の温度で重合体を熱分解させることによつてな
される。 当業者が本発明をより良く確認し且つ理解でき
るように、次の実施例を提供する。特に指示され
なければ、百分率はすべて重量百分率である。 以下の実施例において、使用される分析方法は
次の通りである。 ケイ素の百分率は融解法によつて測定された
が、その方法はケイ素物質をケイ素の可溶性の形
に変換してから、次に原子吸光分析によつて全ケ
イ素に対してその可溶性物質を定量分析すること
から成る。可溶化はパー型(Parr−type)融解
皿に試料(約0.3g)を入れて秤量し、15.0gの
過酸化ナトリウムを加え、約90秒加熱してから、
冷水中で急冷することによつてなされる。生成物
質を150〜200mlの蒸留水を収容しているニツケル
ビーカー中に入れる。試薬級酢酸(55ml)を加え
てから、水で500mlに希釈する。 塩素(残留)の百分率は過酸化ナトリウム分解
と硝酸銀滴定によつて測定され、過酸ナトリウム
と共に行うハロゲン化物の融解に続いて、硝酸銀
標準液による電位差滴定が行われる。ゼラチンカ
プセル中に試料を入れて秤量し、清潔な乾燥した
反応皿中に約1.5gのNa2O3,約0.7gのKNO3お
よび約0.15gの砂糖を入れ、その混合物中にカプ
セルを埋め込む。反応皿にNa2O2を満してから、
反応器に入れる。それを1〜11/2分間加熱して
から、冷水中で急冷する。反応皿および反応器を
洗い、その洗液を集める。洗液を加熱して固体を
すべて溶解させる。冷い50%H2SO4水溶液(15
ml)を加え、15〜20秒放置する。この溶液をさら
にH2SO4を加えて中和してから、滴定する。 炭素、水素および窒素は、イタリーのカルロ・
エルバ・ストルメンタジオーネ社(Carlo Erba
Strumentazione)製、モデル1106、C,H,N
元素分析計で測定された。試料を1030℃で燃焼さ
せてから、650℃の酸化クロム床と650℃の銅床を
通過させた。生成したN2,CO2およびH2Oは次
に分離されてから、熱伝導率型検出器を使用して
検出した。 ヒドロシラザン重合体は、アストロ・インダス
トリース・フアーネース(Astro Industries
Furnace)1000A水冷黒鉛加熱モデル1000・3060
−FP−12を使用して高温まで焼成した。1600℃
に焼成される試料は不活性雰囲気中で次の温度プ
ログラムを使用して加熱される。すなわち、2.9
℃/分で25〜380℃;2.6℃/分で380〜600℃;
5.2℃/分で600〜850℃;31.3℃/分で850〜1600
℃;1600℃に12分間保ち;次いで約13℃/分の速
度で冷却した。1300℃で焼成されるヒドロシラザ
ン重合体は不活性雰囲気中で次の温度プログラム
を使用して加熱された。すなわち、740℃まで急
速加熱;0.83℃/分で740〜800℃;2.1℃/分で
800〜1300℃;次いで冷却した。 実施例 1 反応系は2のガラス三つ口フラスコから成
り、これに加熱マントル、温度調節器、かい形か
きまぜ機、蒸留装置およびガス導入管を備えてい
た。反応系をアルゴンガスで一掃した後、800g
の〔(CH3)3Si〕2NH(5モル)と300gのHSiCl3
(2.2モル)を室温の反応系に加えた。混合物は発
熱して約75℃になつた。反応物をそれからアルゴ
ン雰囲気下に約0.5℃/分の速度で230℃まで加熱
した。温度を230℃に約10分間保持した。生成物
をアルゴン下に約140℃まで冷却させ、その時点
で生成物を150℃、37mmHgで真空ストリツプし
た。アルゴンガスを再び満してから、ヒドロシラ
ザン重合体を180℃に加熱し、アルゴン包囲した
容器に注ぎ込み、それからアルゴン下に一夜放冷
した。約190gの重合体収量が得られた。重合体
は透明な薄黄色の固体で、圧力によつて成形する
ことができた。赤外分析はSiH,Si(CH3)3およ
びSiCl各基の存在を示した。全塩素含量は0.08%
以下であつた。ケイ素含量は48.0%であつた。
C,H,N分析はC22.7%、H7.8%、および
N21.5%の結果を示した。 3/8インチ加熱バレルと20ミクロンの紡糸口金
をつけた溶融流動計をこのヒドロシラザン重合体
から繊維を製造するために使用した。最良の繊維
が約70℃で製造された。 ヒドロシラザン重合体の試料をアストロ・フア
ーネース中でヘリウム下に1600℃まで焼成した。
暗緑色のセラミツク物質が53.1%の吸率で得られ
た。X線分析は35%α−Si3N4の値およびβ−
SiCの検知されないことを示した。セラミツク生
成物は62%のケイ素を含んでいた。 ヒドロシラザン重合体はアルゴン下に塊状のま
ま室温でアルゴン下に貯蔵し、それから種々の貯
蔵時間の後にアストロフアーネース中で焼成し
た。トルエンのような有機溶媒中の溶解度を含め
て、物理的変化は表示された時間の貯蔵の後に観
察されなかつた。 【表】 試料AはX線分析により43%のα−Si3N4およ
び13%のβ−SiCを含んでいた。試料Bは約43%
のα−Si3N4および約15%のβ−SiCを含んでい
た。 実施例 2 実施例1と、特に示す点を除き、同じ原料と操
作を使用して、400g(2.5モル)の
〔(CH3)3Si〕2NHと150g(1.1モル)のHSiCl3を
反応させた。反応混合物を0.5℃/分の速度で190
℃まで加熱してから、室温になるまで一晩中放冷
した。生成物質は適度に高い粘度を有する透明な
黄色の液体であつた。この物質の加熱を0.5℃/
分の速度で最終温度260℃まで続けた。温度を260
℃に約5分間保持した。依然アルゴン下に、反応
混合物を約100℃まで冷した。この時混合物は透
明な薄黄色の、極めて粘稠な、ガム状の物質であ
つた。200℃、5mmHgでの真空ストリツピングに
より製品が得られた。アルゴン下に室温まで冷却
すると、圧をかけると音をたてて砕ける薄黄色の
固体が得られた。この物質は250℃においても流
動しなかつた。 実施例 3 実施例1に使用されたものと同じHSiCl3試料
により数回の実験が行なわれたが、ただ異なる点
としてHSiCl3試料は外気に数回さらされた。実
施例1に用いた同じジシラザンと操作を使用した
が、反応は予期したように進まず、むしろ反応温
度が約215℃以上に達したとき発泡してゲル化を
始めた。反応混合物が高温で発泡ゲル化するとき
には、満足すべき重合体は製造されなかつた。 HSiCl3をドライアイス/アセトンの温度で加
え、且つ反応の発熱を受ける開始温度を約35℃以
下に保つような速度で加えることによりこの問題
を克服しようとする若干の試みがなされた。反応
温度が約225℃以上に上つたとき、発泡に続いて
ゲル化が再び起つた。 最後に、HSiCl3を簡単な蒸留によつて精製し
た。そのガラス製蒸留装置は乾燥したアルゴンガ
スを通気して一晩中乾燥された。留出物の中間80
%を収集してアルゴン雰囲気下に保存した。気−
液クロマトグラフイー分析はその試料が99.7%以
上HSiCl3であることを示した。 この精製HSiCl3と実施例1に使用されたジシ
ラザンを用いてヒドロシラザン重合体が製造され
た。装置と操作は、特に述べた他は、実施例1に
記載した通りである。精製したHSiCl3(140.5g、
1.04モル)をドライアイス/アセトンの温度にし
て、375g(2.3モル)の〔(CH3)3Si〕2NHに徐々
に加えた。HSiCl3の添加は約45分間に亘つて行
われ、その間に反応温度は約32℃に上つた。反応
混合物をアルゴン下室温で一晩中撹拌した。その
後温度を0.5℃/分の速度で245℃まで上げた。著
しい発泡は観察されなかつた。反応混合物が245
℃に達した後、混合物を約170℃まで冷却してか
ら、次に約45mmHgの圧において真空ストリツピ
ングを行なつた。生成物を収集し、アルゴン下に
一晩中放冷した。生成物は透明な極く薄い黄色の
固体であつた。その物質はいくらか圧をかけると
成形できたが、ある程度砕ける傾向があつた。 重合体は実施例1に記載したのと同様の紡糸装
置で20ミクロンの紡糸口金を使用して評価され
た。約83℃〜92℃の温度で連続糸を製造すること
ができた。約92℃以上の紡糸温度は試験されなか
つた。 このヒドロシラン重合体について、蒸気圧浸透
法によりテトラヒドロフランを溶媒として行い、
約1700g/モルの数量平均分子量が測定された。 アルゴン下に室温で塊状のまま貯蔵されたヒド
ロシラザン重合体の試料を、種々の貯蔵期間の後
にアストロ・フアネース中で焼成した。トルエン
のような有機溶媒中の溶解度を含めて、物理的変
化は表示された期間の貯蔵後に観察されなかつ
た。 【表】 黒
C 148 ヘリウム 1600 54.4 緑−黒
X線分析によると、試料Aは63%のαSi3Nと22
%のβSiCを含んでいた。試料Cは56%のαSi3Nと
5%のαSiCを含んでいた。 実施例 4 この実施例は〔H(CH3)2Si〕2NHとHSiCl3か
らのヒドロシラザン重合体の製造を説明するもの
である。ジシラザンおよびクロロシランの両者共
使用に先だつて蒸留によつて精製した。装置と操
作は本質的に実施例1に記載した通りであつた。
精製したHSiCl3(30.0g、0.22モル)を室温で、
〔H(CH3)2Si〕2NH(75.2g、0.57モル)に速やか
に加えた。温度は急速に約55℃まで上つた。温度
を0.5℃/分の速度で235℃まで上げた。反応生成
物を約150℃まで冷してから、次に170℃、14mm
Hgで真空ストリツプした。18.3gの重合体収量
が得られた。生成物は粘稠で曇りのある油で、室
温において数百センチストークスの推定粘度を有
するものであつた。赤外分析は重合体中のNH,
SiH,Si−CH3およびSiN各基の存在を示した。
このヒドロシラザンをメリウム雰囲気中で1600℃
に焼成すると暗緑色のセラミツク粉末が得られ
た。セラミツク収率は48.3%であつた。このセラ
ミツクのX線分析は51%のαSi3N4および8%の
αSiCを示した。セラミツク粉末は62.1%のSiを含
有していた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 不活性で本質的に無水の雰囲気中でトリクロ
ロシランとジシラザンを25〜300℃の範囲の温度
において接触させ、揮発性の副生成物を蒸留して
除きながら反応させることから成り、その際ジシ
ラザンは次の一般式 (R3Si)2NH (但し上式中Rはビニル基、水素、フエニル基
および1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基
から成る群より選択される)を有することを特徴
とする、R3SiNH基を含有するヒドロシラザン重
合体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US555755 | 1983-11-28 | ||
US06/555,755 US4540803A (en) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60135431A JPS60135431A (ja) | 1985-07-18 |
JPH045050B2 true JPH045050B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=24218478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59250370A Granted JPS60135431A (ja) | 1983-11-28 | 1984-11-27 | ヒドロシラザン重合体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4540803A (ja) |
EP (1) | EP0146802B1 (ja) |
JP (1) | JPS60135431A (ja) |
CA (1) | CA1234244A (ja) |
DE (1) | DE3463516D1 (ja) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |