JPH0449887B2 - - Google Patents
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- JPH0449887B2 JPH0449887B2 JP60065466A JP6546685A JPH0449887B2 JP H0449887 B2 JPH0449887 B2 JP H0449887B2 JP 60065466 A JP60065466 A JP 60065466A JP 6546685 A JP6546685 A JP 6546685A JP H0449887 B2 JPH0449887 B2 JP H0449887B2
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/32—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders by focusing the object, e.g. on a ground glass screen
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/30—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
- G02B7/32—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line using active means, e.g. light emitter
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Remote Sensing (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 技術分野
本発明は、ギヤツプ測定装置、特に半導体製造
装置等に於て用いられるギヤツプ測定装置に関す
る。
装置等に於て用いられるギヤツプ測定装置に関す
る。
(2) 従来技術
従来、光学的手法によつて異なる２面の間隔を
測定する方法としては、２重焦点レンズを用いる
方法（特開昭56−130922）や光デイスク等に用い
られるAF（オートフオーカス）の原理を利用した
方法等がある。しかしながら、２重焦点レンズを
用いる方法では固定焦点である為に測定のダイナ
ミツクレンジが狭かつたり、通常のAFの原理を
用いる方法では、測定対象面からの反射光と残り
の非測定面からの反射光が干渉し合い、精確な測
定を行なう事が困難であつた。
測定する方法としては、２重焦点レンズを用いる
方法（特開昭56−130922）や光デイスク等に用い
られるAF（オートフオーカス）の原理を利用した
方法等がある。しかしながら、２重焦点レンズを
用いる方法では固定焦点である為に測定のダイナ
ミツクレンジが狭かつたり、通常のAFの原理を
用いる方法では、測定対象面からの反射光と残り
の非測定面からの反射光が干渉し合い、精確な測
定を行なう事が困難であつた。
(3) 発明の概要
本発明の目的は、従来の欠点に鑑み、非常に微
小の間隔を有する２面の間隔を常時精度良く測定
する事が可能なギヤツプ測定装置を提供する事に
ある。
小の間隔を有する２面の間隔を常時精度良く測定
する事が可能なギヤツプ測定装置を提供する事に
ある。
本発明は、異なる少なくとも２面の間隔を光学
的に測定する装置に於て、円環状光束を発生させ
る手段と、該円環状光束を前記異なる少なくとも
２面の各面近傍へ順次集束させる光学系と、各面
で反射された前記円環状光束を検出する光検出手
段とを有する事により上記目的を達成せんとする
ものである。
的に測定する装置に於て、円環状光束を発生させ
る手段と、該円環状光束を前記異なる少なくとも
２面の各面近傍へ順次集束させる光学系と、各面
で反射された前記円環状光束を検出する光検出手
段とを有する事により上記目的を達成せんとする
ものである。
本発明に係るギヤツプ測定装置に於ては、前記
円環状光束（以下、リングビームと記す。）を用
いる事により、測定面と非測定面からの反射光の
干渉を防ぐ。又、前記光学系中に可変焦点距離レ
ンズ等を配して各面近傍へ前記リングビームを高
速に順次集束させる事ができる為、測定の高精度
化、高速化、及びダイナミツクレンジを広げる事
が可能となる。
円環状光束（以下、リングビームと記す。）を用
いる事により、測定面と非測定面からの反射光の
干渉を防ぐ。又、前記光学系中に可変焦点距離レ
ンズ等を配して各面近傍へ前記リングビームを高
速に順次集束させる事ができる為、測定の高精度
化、高速化、及びダイナミツクレンジを広げる事
が可能となる。
更に、前記光検出手段へ達する反射光の光量を
制御する光量制御装置を付加する事により、前記
光検出手段で測定する光量を被測定面の反射率が
異なる場合に於ても一定にする事が出来、常時精
度良く間隔を測定することが可能となる。
制御する光量制御装置を付加する事により、前記
光検出手段で測定する光量を被測定面の反射率が
異なる場合に於ても一定にする事が出来、常時精
度良く間隔を測定することが可能となる。
従つて、本発明に係るギヤツプ測定装置は、特
に半導体製造装置に於る半導体ウエハとマスクの
間隔を測定する場合等に好適である。
に半導体製造装置に於る半導体ウエハとマスクの
間隔を測定する場合等に好適である。
以下、本発明を実施例により詳述する。
(4) 実施例
第１図は本発明に係るギヤツプ測定装置の構成
例を示し、１はレーザ、２はコリメータレンズ、
３は第１の円錐形ミラー、４は第２の円錐形ミラ
ー、５は可変焦点距離レンズ、６は偏向ビームス
プリツタ、７は1/4波長板、８は集光レンズで、
９は第１の測定面で本実施例ではマスクとし、１
０は第２の測定面で本実施例ではウエハとする。
更に、１１は受光センサ、１２は処理装置、ｄは
マスク９とウエハ１０の間隔を示している。
例を示し、１はレーザ、２はコリメータレンズ、
３は第１の円錐形ミラー、４は第２の円錐形ミラ
ー、５は可変焦点距離レンズ、６は偏向ビームス
プリツタ、７は1/4波長板、８は集光レンズで、
９は第１の測定面で本実施例ではマスクとし、１
０は第２の測定面で本実施例ではウエハとする。
更に、１１は受光センサ、１２は処理装置、ｄは
マスク９とウエハ１０の間隔を示している。
レーザ１から出射したレーザ光はコリメータレ
ンズ２で平行ビームとなる。この平行ビームは第
１の円錐形ミラー３と第２の円錐形ミラー４を介
して光束中心が暗い所謂リングビームとなり、可
変焦点距離レンズ５、ビームスプリツタ６を通過
して1/4波長板７によつて直線偏光したリングビ
ームを円偏光したビームに変換され、集光レンズ
８によりマスク９もしくはウエハ１０の近傍に集
光される。
ンズ２で平行ビームとなる。この平行ビームは第
１の円錐形ミラー３と第２の円錐形ミラー４を介
して光束中心が暗い所謂リングビームとなり、可
変焦点距離レンズ５、ビームスプリツタ６を通過
して1/4波長板７によつて直線偏光したリングビ
ームを円偏光したビームに変換され、集光レンズ
８によりマスク９もしくはウエハ１０の近傍に集
光される。
例えば、可変焦点距離レンズ５を調節してリン
グビームをマスク９近傍に集光させた場合、マス
ク９で反射されたリングビームの一部は、集光レ
ンズ８を通り1/4波長板によつて再度入射時と直
交する方向に直線偏光したビームに変換された
後、ビームスプリツター６によつて反射されて光
路を変え、受光センサ１１で受光される。
グビームをマスク９近傍に集光させた場合、マス
ク９で反射されたリングビームの一部は、集光レ
ンズ８を通り1/4波長板によつて再度入射時と直
交する方向に直線偏光したビームに変換された
後、ビームスプリツター６によつて反射されて光
路を変え、受光センサ１１で受光される。
第２図は受光センサ１１の受光面を表わし、１
３及び１４はリング状センサで同心円を形成して
いる。リング状センサ１３，１４の直径はマスク
９の位置が集光点（結像位置）にある時、反射さ
れたリングビームが丁度リング状センサ１３とリ
ング状センサ１４の境界に投射され、リング状セ
ンサ１３，１４の出力が零になるよう設定されて
いる。
３及び１４はリング状センサで同心円を形成して
いる。リング状センサ１３，１４の直径はマスク
９の位置が集光点（結像位置）にある時、反射さ
れたリングビームが丁度リング状センサ１３とリ
ング状センサ１４の境界に投射され、リング状セ
ンサ１３，１４の出力が零になるよう設定されて
いる。
従つて、マスク９の位置が焦光点より遠い位置
にある場合、反射されたリングビームは集光レン
ズ８を介して収斂光となり、直径が小さくなつた
ビームとして受光センサ１１に投射される。この
時、リングセンサ１３の出力はリングセンサ１４
の出力より大きくなる。逆に、マスク９の位置が
集光点より前方に位置する場合、反射されたリン
グビームは発散光となり直径が大きくなつたビー
ムとして受光センサ１１に投射され、リングセン
サ１４の出力はリング状センサ１３の出力より大
きくなる。このリング状センサ１３，１４の出力
差は、処理装置１２でリングセンサ１３，１４の
出力和により規格化され合焦信号として処理され
る。即ち、一般に測定面の位置と規格化された合
焦信号とは第３図に示す様に良好な線形関係にあ
り、合焦信号によつてマスク９の位置が検出でき
る。
にある場合、反射されたリングビームは集光レン
ズ８を介して収斂光となり、直径が小さくなつた
ビームとして受光センサ１１に投射される。この
時、リングセンサ１３の出力はリングセンサ１４
の出力より大きくなる。逆に、マスク９の位置が
集光点より前方に位置する場合、反射されたリン
グビームは発散光となり直径が大きくなつたビー
ムとして受光センサ１１に投射され、リングセン
サ１４の出力はリング状センサ１３の出力より大
きくなる。このリング状センサ１３，１４の出力
差は、処理装置１２でリングセンサ１３，１４の
出力和により規格化され合焦信号として処理され
る。即ち、一般に測定面の位置と規格化された合
焦信号とは第３図に示す様に良好な線形関係にあ
り、合焦信号によつてマスク９の位置が検出でき
る。
次に上述した方法と同様の方法で、ウエハ１０
の近傍にリングビームを集光させてウエハ１０の
位置を検出する事により、処理装置１１でマスク
９の位置とウエハ１０の位置の差、即ち間隔（ギ
ヤツプ）ｄが求められる。
の近傍にリングビームを集光させてウエハ１０の
位置を検出する事により、処理装置１１でマスク
９の位置とウエハ１０の位置の差、即ち間隔（ギ
ヤツプ）ｄが求められる。
上記測定中、例えばマスク９の近傍にリングビ
ームを集光させた場合、一部は被測定面である所
のマスク９により反射されて信号光として検出さ
れるが、残りの光束はマスク９を透過してウエハ
１０で同様に反射される。このウエハ１０の位置
はマスク９の所定の測定範囲外に位置しており、
又、リングビームの集光点から遠ざかつている
為、ウエハ１０で反射されたリングビームは集光
レンズ８を介して収斂光となり、直径がリング状
センサ１３の内径より小さくなつたビームとして
受光センサ１１に投射される。従つて、マスク９
の位置を測定する際に障害となるウエハ１０から
反射光は、リング状センサ１３，１４で検出され
る事はない。又、ウエハ１０の位置を測定する際
には、リングビームはマスク９によつて一部反射
されるが、このマスク９の位置はウエハ１０の所
定の測定領域外であつて、ウエハ１０近傍に集光
されたリングビームの焦光点前方（集光レンズ８
側）に位置している為、マスク９により反射され
たリングビームは集光レンズ８を介して発散光と
なり、直径がリング状センサ１４の外径より大き
くなつたビームとして受光センサ１１に投射され
る。従つて、ウエハ１０の位置を測定する際に障
害となるマスク９からの反射光は、リング状セン
サ１３，１４で検出される事はない。
ームを集光させた場合、一部は被測定面である所
のマスク９により反射されて信号光として検出さ
れるが、残りの光束はマスク９を透過してウエハ
１０で同様に反射される。このウエハ１０の位置
はマスク９の所定の測定範囲外に位置しており、
又、リングビームの集光点から遠ざかつている
為、ウエハ１０で反射されたリングビームは集光
レンズ８を介して収斂光となり、直径がリング状
センサ１３の内径より小さくなつたビームとして
受光センサ１１に投射される。従つて、マスク９
の位置を測定する際に障害となるウエハ１０から
反射光は、リング状センサ１３，１４で検出され
る事はない。又、ウエハ１０の位置を測定する際
には、リングビームはマスク９によつて一部反射
されるが、このマスク９の位置はウエハ１０の所
定の測定領域外であつて、ウエハ１０近傍に集光
されたリングビームの焦光点前方（集光レンズ８
側）に位置している為、マスク９により反射され
たリングビームは集光レンズ８を介して発散光と
なり、直径がリング状センサ１４の外径より大き
くなつたビームとして受光センサ１１に投射され
る。従つて、ウエハ１０の位置を測定する際に障
害となるマスク９からの反射光は、リング状セン
サ１３，１４で検出される事はない。
以上説明を行なつた本実施例では、間隔を測定
する対象としてマスクとウエハの間隔を挙げた
が、当然、複数の面が存在する場合であつても、
該複数の面に於る任意の二面間の間隔を上記同様
の方法で測定できる。又、各測定面近傍へ順次リ
ングビームを集光する手段として、本実施例では
可変焦点距離レンズを用いたが該手段はこれに限
らず、焦点距離の異なるレンズを機械的に交換し
たり、集光レンズを移動させる等各種方法があ
り、更に光学系の配置も本発明の思想内に於て多
くの構成が考えられる。
する対象としてマスクとウエハの間隔を挙げた
が、当然、複数の面が存在する場合であつても、
該複数の面に於る任意の二面間の間隔を上記同様
の方法で測定できる。又、各測定面近傍へ順次リ
ングビームを集光する手段として、本実施例では
可変焦点距離レンズを用いたが該手段はこれに限
らず、焦点距離の異なるレンズを機械的に交換し
たり、集光レンズを移動させる等各種方法があ
り、更に光学系の配置も本発明の思想内に於て多
くの構成が考えられる。
本発明ではリングビームを用いる事により、非
測定面からの反射光が受光センサで受光されるの
を防止した。更にこのリングビームは測定面の若
干の位置ずれにより敏感にその径を変化させる
為、微小な間隔を測定する際、非常に有効な手段
となる。又、上記実施例では受光センサの受光面
にリング状センサを設けているが、必ずしもリン
グ状に形成する必要はない。
測定面からの反射光が受光センサで受光されるの
を防止した。更にこのリングビームは測定面の若
干の位置ずれにより敏感にその径を変化させる
為、微小な間隔を測定する際、非常に有効な手段
となる。又、上記実施例では受光センサの受光面
にリング状センサを設けているが、必ずしもリン
グ状に形成する必要はない。
第４図は本発明に係るギヤツプ測定装置の他の
構成例を示す図であり、装置の基本的構成は第１
図に示したものと同様で、同じ部材には同番号を
付してある。尚、１５は光量制御装置であり、
PLZT等の電気光学結晶を利用したもの、NDフ
イルターを用いたもの、液晶を利用したものなど
各種装置構成が可能である。
構成例を示す図であり、装置の基本的構成は第１
図に示したものと同様で、同じ部材には同番号を
付してある。尚、１５は光量制御装置であり、
PLZT等の電気光学結晶を利用したもの、NDフ
イルターを用いたもの、液晶を利用したものなど
各種装置構成が可能である。
一般に、マスクとウエハの様な反射率が異なる
二面間の間隔を測定する場合、受光センサー１１
で受光される光量に違いが生じ、精確な測定が困
難になる。即ち、通常の受光センサは第５図に示
す如く最適光量の範囲が限られており、光量がこ
の範囲より少ない場合は暗電流の大きさが無視で
きなくなり、光量がこの範囲より大きい場合はセ
ンサが飽和してしまつて誤差の原因となつてい
た。従つて、本実施例に係るギヤツプ測定装置に
於ては、光量制御装置１５によつて受光センサ１
１で受光される光量を常時測定の最適光量に成る
よう調節し、測定精度を更に向上させる事が可能
となる。
二面間の間隔を測定する場合、受光センサー１１
で受光される光量に違いが生じ、精確な測定が困
難になる。即ち、通常の受光センサは第５図に示
す如く最適光量の範囲が限られており、光量がこ
の範囲より少ない場合は暗電流の大きさが無視で
きなくなり、光量がこの範囲より大きい場合はセ
ンサが飽和してしまつて誤差の原因となつてい
た。従つて、本実施例に係るギヤツプ測定装置に
於ては、光量制御装置１５によつて受光センサ１
１で受光される光量を常時測定の最適光量に成る
よう調節し、測定精度を更に向上させる事が可能
となる。
以下、本ギヤツプ測定装置に於る光量制御方法
について詳述する。
について詳述する。
第６図は光量制御方法の説明図で、１３，１４
はリング状センサ、１５は光量制御装置、１６は
マイコン、１７はリング状センサ１３，１４から
の信号をマイコン１５へ入力する為のインタフエ
ース、Ｄ１，Ｄ２は各々リング状センサ１３，１
４からの出力信号を示す。
はリング状センサ、１５は光量制御装置、１６は
マイコン、１７はリング状センサ１３，１４から
の信号をマイコン１５へ入力する為のインタフエ
ース、Ｄ１，Ｄ２は各々リング状センサ１３，１
４からの出力信号を示す。
被測定面（前記実施例に於るマスクやウエハ）
で反射されたリングビームが受光センサ１１に投
射される時、その投射位置に応じて生じるリング
状センサ１３，１４からの信号Ｄ１，Ｄ２は、イ
ンタフエース１７を介してマイコン１６へ入力さ
れる。マイコン１６に於て出力信号Ｄ１とＤ２は
差信号Ｄ１−Ｄ２を強度信号Ｄ１＋Ｄ２によつて
規格化され合焦信号となる。一方、強度信号Ｄ１
＋Ｄ２は受光センサ１１の最適光量範囲内にその
値が存在するかどうかを判別され、最適光量の下
限値よりも強度信号の値が小さい場合は、光量制
御装置１５へ光量増加を命令する制御する信号を
送る。逆に最適光量の上限値よりも強度信号の値
が大きい場合、光量制御装置１５へ光量減少を命
令する制御信号を送る。又、強度信号の値が最適
光量の範囲内にあれば、制御信号が発せられる事
はなくその状態で測定を行なう。尚、以上の動作
はマイコン１６に予め組み込まれたプログラムに
よつて実行される。
で反射されたリングビームが受光センサ１１に投
射される時、その投射位置に応じて生じるリング
状センサ１３，１４からの信号Ｄ１，Ｄ２は、イ
ンタフエース１７を介してマイコン１６へ入力さ
れる。マイコン１６に於て出力信号Ｄ１とＤ２は
差信号Ｄ１−Ｄ２を強度信号Ｄ１＋Ｄ２によつて
規格化され合焦信号となる。一方、強度信号Ｄ１
＋Ｄ２は受光センサ１１の最適光量範囲内にその
値が存在するかどうかを判別され、最適光量の下
限値よりも強度信号の値が小さい場合は、光量制
御装置１５へ光量増加を命令する制御する信号を
送る。逆に最適光量の上限値よりも強度信号の値
が大きい場合、光量制御装置１５へ光量減少を命
令する制御信号を送る。又、強度信号の値が最適
光量の範囲内にあれば、制御信号が発せられる事
はなくその状態で測定を行なう。尚、以上の動作
はマイコン１６に予め組み込まれたプログラムに
よつて実行される。
上述の様に、受光センサ１１に投射される光量
の減少もしくは増加を命令する制御信号を光量制
御装置１５へ送る場合、初期状態から徐々に光量
を変化させ、最適光量へ近づけるべく制御信号を
段階的に送り判別を繰り返す方法や、最適光量の
上限値もしくは下限値と強度信号との差を計算
し、最適光量の範囲内の値になる様に制御信号を
送る方法等がある。
の減少もしくは増加を命令する制御信号を光量制
御装置１５へ送る場合、初期状態から徐々に光量
を変化させ、最適光量へ近づけるべく制御信号を
段階的に送り判別を繰り返す方法や、最適光量の
上限値もしくは下限値と強度信号との差を計算
し、最適光量の範囲内の値になる様に制御信号を
送る方法等がある。
第７図は光量制御装置の一例で、１８は
KH2PO4等の電気光学結晶、１９，２０は各々偏
光子と検光子、２１は電気光学結晶１８へ電界を
印加する為のドライバーを示す。電気光学結晶１
８は電界印加により複屈折性を変化させる事が可
能で、その変化量（位相変化量）は電界の強さに
依存する。従つて、マイコン１６から送られる制
御信号に応じてドライバー２１を駆動し、所定の
電界を印加する事により、光量制御装置１５を透
過する光束の光量変調が可能となる。
KH2PO4等の電気光学結晶、１９，２０は各々偏
光子と検光子、２１は電気光学結晶１８へ電界を
印加する為のドライバーを示す。電気光学結晶１
８は電界印加により複屈折性を変化させる事が可
能で、その変化量（位相変化量）は電界の強さに
依存する。従つて、マイコン１６から送られる制
御信号に応じてドライバー２１を駆動し、所定の
電界を印加する事により、光量制御装置１５を透
過する光束の光量変調が可能となる。
尚、前記実施例に於ては、光量制御装置をコリ
メータレンズと円錐形ミラーの間に配置したが、
受光センサに至るまでの光学系中のどの位置に配
置しても構わない。又、光量制御装置としてレー
ザ等の光源出力を制御しても良い。
メータレンズと円錐形ミラーの間に配置したが、
受光センサに至るまでの光学系中のどの位置に配
置しても構わない。又、光量制御装置としてレー
ザ等の光源出力を制御しても良い。
(5) 発明の効果
以上説明した様に本発明に係るギヤツプ測定装
置は、ダイナミツクレンジが広く、常時精確なギ
ヤツプ測定を行なえる装置である。
置は、ダイナミツクレンジが広く、常時精確なギ
ヤツプ測定を行なえる装置である。
第１図は本発明に係るギヤツプ測定装置の構成
例を示す図。第２図は受光センサの受光面を示す
図。第３図は測定面位置と合焦信号との関係を示
す図。第４図は本発明に係るギヤツプ測定装置の
別の構成例を示す図。第５図はセンサで受光され
る光量と合焦信号との関係を示す図。第６図は光
量制御方法の説明図。第７図は光量装置の一例を
示す図。 １……レーザ、２……コリメータレンズ、３，
４……円錐形ミラー、５……可変焦点距離レン
ズ、６……偏光ビームスプリツタ、７……1/4波
長板、８……集光レンズ、９……マスク、１０…
…ウエハ、１１……受光センサ、１２……処理装
置、１３，１４……リング状センサ、１５……光
量制御装置、１６……マイコン、１７……インタ
フエース、１８……電気光学結晶、１９……偏光
子、２０……検光子、２１……ドライバー。
例を示す図。第２図は受光センサの受光面を示す
図。第３図は測定面位置と合焦信号との関係を示
す図。第４図は本発明に係るギヤツプ測定装置の
別の構成例を示す図。第５図はセンサで受光され
る光量と合焦信号との関係を示す図。第６図は光
量制御方法の説明図。第７図は光量装置の一例を
示す図。 １……レーザ、２……コリメータレンズ、３，
４……円錐形ミラー、５……可変焦点距離レン
ズ、６……偏光ビームスプリツタ、７……1/4波
長板、８……集光レンズ、９……マスク、１０…
…ウエハ、１１……受光センサ、１２……処理装
置、１３，１４……リング状センサ、１５……光
量制御装置、１６……マイコン、１７……インタ
フエース、１８……電気光学結晶、１９……偏光
子、２０……検光子、２１……ドライバー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 異なる少なくとも２面の間隔を光学的に測定
する装置において、円環状光束を発生させる手段
と、該円環状光束を前記異なる少なくとも２面の
各面近傍へ順次集束させる光学系と、各面で反射
された前記円環状光束を検出するべく合焦状態に
おける円形ビーム像の位置を境界とした同心円上
に分離配置された光検出手段とを有することを特
徴とするギヤツプ測定装置。 ２ 前記光検出手段で検出される光束の光量を制
御する光量制御装置を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のギヤツプ測定装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065466A JPS61223604A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | ギヤツプ測定装置 |
| FR8515821A FR2572515B1 (fr) | 1984-10-25 | 1985-10-24 | Dispositif de detection de position |
| GB08526374A GB2167262B (en) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | A position detecting device |
| DE3538062A DE3538062C2 (de) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | Positionserfassungsgerät |
| US07/218,447 US4830498A (en) | 1984-10-25 | 1988-07-12 | Position detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065466A JPS61223604A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | ギヤツプ測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223604A JPS61223604A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH0449887B2 true JPH0449887B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=13287922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065466A Granted JPS61223604A (ja) | 1984-10-25 | 1985-03-29 | ギヤツプ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61223604A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120107A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | Ushio Inc | 共焦点検出器による距離測定方法及びプロキシミティ露光装置におけるマスクとワークの距離測定方法。 |
| CN102175153B (zh) * | 2011-03-08 | 2013-09-11 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 激光光束聚焦焦斑检测*** |
| WO2016121081A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置 |
| KR102670417B1 (ko) * | 2019-07-11 | 2024-05-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 높이를 측정하기 위한 장치 및 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948262U (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-30 | 大野 剛一 | 家具転倒防止金具 |
| JPS59131369U (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | マツダ株式会社 | ラツクピニオン型ステアリング装置 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065466A patent/JPS61223604A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61223604A (ja) | 1986-10-04 |
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