JPH04372224A - 電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ - Google Patents

電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ

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JPH04372224A
JPH04372224A JP14892891A JP14892891A JPH04372224A JP H04372224 A JPH04372224 A JP H04372224A JP 14892891 A JP14892891 A JP 14892891A JP 14892891 A JP14892891 A JP 14892891A JP H04372224 A JPH04372224 A JP H04372224A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明,プリンタ装置等における
総印刷枚数(累積カウント値)を記憶するのに有用な電
気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ(EEPRM
)を用いたカウンタに関する。
【0002】
【従来の技術】プリンタ等においては,印刷用紙枚数を
一枚ずつカウントして累積し,使用を開始してからの総
印刷枚数を記憶するようにして,プリンタの保守管理デ
ータとして用いられるようにしている。そして,そのよ
うな総印刷枚数のカンウト値は電気的に消去可能な不揮
発性メモリ(以後,EEPROMと称する)に記録し,
電源が絶たれてもカウント値が保存されるようにしてい
る。
【0003】図4は従来のプリンタの総印刷枚数のカウ
ンタを示す。図 (a)は,カウンタの構成を示す。図
において,40はカウント要求部であって,印刷用紙一
枚の印刷実行毎にカウント値の更新要求をするものであ
る。 41はメモリであって,1ビット/ワード×nワードの
EEPROMにより構成され,総印刷枚数を記憶するも
のである。42はメモリ書き換え制御部であって,カウ
ント要求部40に基づいて,メモリ41のデータを読み
出して,更新し(読み出したデータに+1する),メモ
リ41を消去して,更新したデータを書き込むものであ
る。43はメモリ消去部であって,メモリ41のデータ
を消去するものである(通常は,EEPROM内部にあ
ってメモリの全ビットを1とすることによりデータ消去
を行う)。
【0004】図 (b)は,カウンタの動作フローであ
る。 図示の番号に従ってフローを説明する。 (1)   メモリ書き換え制御部42は,カウント要
求部40を入力すると,メモリ(EEPROM)41か
ら記憶されているカウント値を読み出す。
【0005】(2)   メモリ書き換え制御部42は
読み出したカウント値に1を加算してカウント値を更新
する。 (3)   メモリ書き換え制御部42は,メモリ消去
部43にメモリ消去を指示する。メモリ消去部43はメ
モリ41を消去する(通常,消去はメモリの全ビットを
1に書き換えることにより行われる)。
【0006】(4)   メモリ書き換え制御部42は
,更新したカウント値をメモリ41に書き込む。図5は
,従来のカウンタのカウント方式を示す。
【0007】図において,51〜54は1ワード(16
ビット)のEEPROMを示す。従来の,プリンタの総
印刷枚数のカウンタでは,1ワード(16ビット)のE
EPROM51〜54を用いて2進方式でカウントして
いた。
【0008】図において,51は総印刷枚数が1のとき
のメモリの状態,52は総印刷枚数が2のメモリの状態
,53は総印刷枚数が3の状態,54は総印刷枚数が1
万の状態を表す。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来のプリンタにおけ
る総印刷枚数の記憶は,上記のように,1ワード(16
ビット)のEEPROMに,用紙一枚の印刷実行毎にメ
モリの消去と,更新したカウント値を2進方式で記憶す
るようにしていた。
【0010】ところで,EEPROMの書き換え可能な
回数は通常1万回程度であり,書き換えられるメモリの
ビット位置は下位ビットが多いので,ほぼカウント1万
回程度で書き換え不能になる。一方,プリンタの寿命は
,総印刷枚数30万〜50万枚程度もしくはそれ以上で
ある。
【0011】そのため,従来のカウント方式では,プリ
ンタの寿命が総印刷枚数50万枚の場合には,EEPR
OMの容量が,16ビット/ワード×50ワード=80
0ビット必要となり,プリンタ寿命がそれ以上の場合に
は,さらに多くのEEPROM容量を必要とした。
【0012】本発明は,少ない容量で,大きなカウント
値まで更新可能な電気的に書き込み消去可能な不揮発性
メモリ(EEPROM)を用いたカウンタを提供するこ
とを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は,nビットのう
ちの1ビットのみを他のビットと異ならしめ,該ビット
の位置でカウント値を表すn中1方式のカウンタを設定
した部分と,該メモリからのオーバフローを2進カウン
ト方式でカウントするカウンタを設定した部分を用いて
,カウント値を記憶するようにした。
【0014】図1は,本発明の基本構成を示す。図にお
いて,1は電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ
(EEPROM)であって,n中1カウント方式により
カウントするカウンタ部である。2は,第1のカウンタ
部のオーバフローを2進カウント方式でカウントするカ
ウンタを設定したものである。3はカウンタ制御部であ
って,第1のカウンタ,第2のカウンタの値を読み出し
,カウント値の更新,第1のカウンタ,第2のカウンタ
の書き込み制御を行うものである。4は読み出し制御部
であって,第1のカウンタおよび第2のカウンタの値を
読み出すものである。5は更新部であって,カウント値
の更新を示すカウントデータ入力に基づいて,読み出し
たカウント値に1を加算して,カウント値を更新するも
のである。7はメモリ消去部であって,第1のカウンタ
,第2のカウンタを消去するものである。8はカウント
要求部であって,印刷実行毎にカウンタ制御部3にカウ
ント値の更新を要求するものである。
【0015】
【作用】全ビットを1に書き換えることにより第1のカ
ウンタの消去が行われる場合について説明する。そのよ
うなメモリの場合には,本発明のn中1カウント方式は
1ビットのみ0とし,他のビットは全て値を1とする。 そして,値0のビットの位置でカウントを表すようにし
,カウント値を1加算する毎に左シフトカウント値を表
すものとする。
【0016】図示の丸つきの番号に従って,説明する。 ■  例えば,印刷実行処理により,カウント要求部8
は,カウント値の更新をカウンタ制御部3に指示する。
【0017】■  読み出し制御部4は第1のカウンタ
と第2のカウンタのデータを読み出す。■  更新部5
は読み出し制御部4の読み出した値に1を加算し,カウ
ント値を更新する。
【0018】■  書き込み制御部6は,更新部5で更
新されたカウント値を受け取る。■  書き込み制御部
6は,メモリ消去部7にメモリの消去を指示する。この
とき,第1のカウンタにオーバフローが生じたときは,
第1のカウンタと第2のカウンタの両方を消去し,オー
バフローがなかった場合は,第1のカウンタだけを消去
するように指示する。
【0019】■  メモリ消去部7は,指示された第1
のカウンタもしくは第2のカウンタを消去する。■  
書き込み制御部6は,オーバフローがあった場合は第1
と第2のカウンタに更新値を書き込み,オーバフローが
なかった場合は第1のカウンタにのみ更新値の書き込み
制御を行う。
【0020】上記の構成においては,第1のカウンタは
,消去を全ビットの値を1にすることにより行うので,
第1のカウンタを書き換えるときは,値0のビットが含
まれるワードのみを消去する。そのため,例えば,第1
のカウンタとして,3ワードで構成するとすれば,n=
48で,48枚カウントするまでに各ビットの書き換え
回数は1回だけとなる。通常EEPROMの各ビットは
,1万回程度の書き換えが可能であるので,上記のよう
な構成によれば,48万枚程度のカウントは可能となる
【0021】従って,本発明によれば,例えば,4ワー
ド第1のカウンタとして3ワード,第2のカウンタとし
て1ワードで,48万枚のカウントが可能になる。従来
の方式においては,48万枚のカウントには1ワード(
16ビット)のEEPROM48ワード程度を必要とし
ていたので,本発明の方式によれば,大幅に不揮発性メ
モリの使用数を削減することが可能になる。
【0022】なお,上記の構成は,不揮発性メモリの消
去は全ビット1にすることにより行われてあったので,
n中1カウント方式のメモリのカウント値を0値のビッ
ト位置により表すようにしたが,全ビット位置0値に書
き換えることにより消去を行う場合は,第1の不揮発性
メモリのカウントを1ビットのみ1値とし,他のビット
は全て0値とすることによりカウント値を表すn中1カ
ウント方式により行うようにする。
【0023】また,図1の構成では,メモリに記憶され
ている値の更新時に,更新部5が各カウンタから,値を
読み出すよう指示しているが,更新値を各カウンタに書
き込む際に,同じ値をレジスタに保持しておき,そのレ
ジスタの値を読み出して,更新するようにしてもよい。
【0024】
【実施例】本発明の実施例を図2に示す。図において,
211〜213は,3ワード(48ビット)のメモリを
構成し48中1カウント方式によりカウント値を記憶す
るようにしたものである。214は,3ワードのメモリ
(211〜213)からのオーバフローを2進カウント
方式によりカウントするものである。
【0025】221〜223,231〜233,241
〜243,251〜253はそれぞれ,211〜213
を表すものであり,書き込み値が異なっている状態を表
す。同様に,224〜254も,214を表すものであ
り,254は書き込み値が他と異なる状態を表している
【0026】図の各カウンタ(211〜213,214
)の消去は,全ビットを1に書き換えることにより行わ
れるものとする。図のメモリの動作を説明する。
【0027】(1) はカウント値1枚の状態を示す。 即ち,48中1カウント方式の3ワードメモリ(211
〜213)の最下位ビットのみ0で他のビットは全て1
である。このとき,2進カウント方式の1ワードメモリ
214は各ビット全て0である。
【0028】(2) はカウント値2の状態を示す。即
ち,(1) の状態の48中1カウント方式の3ワード
メモリの値0の位置を1ビット左シフトされて,3ワー
ドメモリ(221〜223)の最下位から2番目のビッ
ト位置に0が格納される。このとき,2進カウント方式
の1ワードメモリ224の各ビットは0である。
【0029】(3) はカウント値3の状態を示す。即
ち,(2) の状態の48中1カウント方式の3ワード
メモリの値0の位置が1ビット左シフトされて,3ワー
ドメモリ(231〜233)の最下位から3番目のビッ
ト位置に0が格納される。このとき,2進カウント方式
の1ワードメモリ234の各ビットは0である。
【0030】(4) 同様にカウントを行い,カウント
値が48で,48中1カウント方式の3ワードメモリの
最上位ビットに値0が格納される。このとき,2進カウ
ント方式の1ワードメモリ244の各ビットは0である
【0031】(5) カウント値が49になると,48
中1カウント方式の3ワードメモリの値0の位置がオー
バフロし,3ワードメモリ(251〜253)の各ビッ
トの値は1になる。そして,カウント制御部,オーバフ
ローを検出し,2進カウント方式の1ワードメモリ25
4の最下位ビットに1を格納する。
【0032】カウント値50以降は,3ワードメモリ(
48中1カウント方式のメモリ)の状態は(1) 〜(
5) を同じ順番に繰り返し,2進カウント方式の1ワ
ードメモリは,3ワードメモリがオーバーフローする毎
に1ずつ加算される。
【0033】以上の処理を繰り返し,EEPROMの書
き換え可能回数までカウント値を更新することができる
。図3は,本発明の実施例フローを示す。
【0034】図は,図2のメモリのカウント制御部のフ
ローを示し,カウント制御部等の装置構成は,図1と同
様である。必要に応じて図1,図2を参照する。 (1)   書き込み制御部6はカウント要求部8のカ
ウント要求入力を受ける。
【0035】(2)   読み出し制御部4は,カウン
ト値を読み出して,更新部5にロードする。 (3)   更新部5は,ロードした下位ワード(図2
におけるワード211〜213に対応する部分)の値に
1を加算する。
【0036】(4)   更新部5は,EEPROMの
下位3ワード部分(図2の3ワード211〜213)に
オーバフローがあるか判断する。オーバフローがあれば
,(5) に進み,なければ(8) に進む。
【0037】(5)   オーバフローがあったので,
更新部5にロードした上位ワード(図2の1ワード21
4に対応する部分)に1を加算する。 (6)   書き込み制御部6は,メモリ消去部7に,
2進カウント方式メモリ(図2の1ワード214)の消
去を指示する。メモリ消去部7は,2進カウント方式メ
モリを消去する。
【0038】(7)   書き込み制御部6は,2進カ
ウント方式メモリに更新値を書き込む。 (8)   下位ワードにオーバフローがなかったので
,書き込み制御部6は,メモリ消去部7に48中1カウ
ント方式メモリ(3ワード211〜213)の消去を指
示する。メモリ消去部7は,48中1カウント方式メモ
リを消去する(消去は全ビットを1値に書き換えること
により行われる)。
【0039】(9)   書き込み制御部6は,48中
1カウント方式メモリに更新値を書き込む(0値を1ビ
ット左シフトする)。 以上の処理を繰り返し,カウント値を更新する。
【0040】本実施例によれば,メモリ消去は全ビット
を1に書き換えることにより行われるが,48中1カウ
ント方式メモリ(図2における3ワードメモリ211〜
213)は,1ビットのみ0で他は全て1であるので,
消去のための書き換えは,1ビットのみとなる。そして
,0値のビットは,最下位ビットから順次左シフトして
移動するので,書き換えビットが平均化される。そのた
め,EEPROMの最大消去回数に達するまでのカウン
ト値を最大にとることができる。
【0041】なお,上記実施例においては,48中1カ
ウント方式のカウントを0値のビット位置により行うよ
うにしたのは,EEPROMの消去を全ビットを1値に
書き換えることにより行われるためであって,EEPR
OMの消去を全ビット0値に書き換えることにより行う
場合には,1ビットのみ1とし,他は全て0とし,1値
のビット位置によりカウント値を表すようにする。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば,不揮発性メモリの1回
の消去処理において,実際に消去が実行されるビットは
1ビットだけであり,しかも,その位置は,1回の消去
処理毎に最下位ビットから上位ビットにかけて順番に移
動するので,消去不能になるまでカウント値を最大にと
ることができる。
【0043】そのため,本発明によれば,少ないEEP
ROM容量で,大きいカウント値まで更新することが可
能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本構成を示す図である。
【図2】本発明の実施例を示す図である。
【図3】本発明の実施例フローを示す図である。
【図4】従来のプリンタの総印刷枚数のカウンタを示す
図である。
【図5】従来のカウンタのカウント方式を示す図である
【符号の説明】
1  :第1のカウンタ(EEPROM内)2  :第
2のカウンタ(EEPROM内)3  :カウンタ制御
部 4  :読み出し制御部 5  :更新部 6  :書き込み制御部 7  :メモリ消去部 8  :カウント要求部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電気的にワード単位で書き込み消去可
    能な不揮発性メモリを用いたカウンタにおいて,nビッ
    トのうちの1ビットのみを他のビットと異ならしめ,該
    ビットの位置でカウント値を表すn中1方式のカウンタ
    (1)を設定した部分と前記n中1カウント方式のカウ
    ンタからのオーバフローをカウントする2進カウント方
    式のカウンタ(2)を設定した部分とから成る電気的に
    ワード単位で書き込み消去可能なの不揮発性メモリと,
    カウント値の更新時に,上記のメモリから各カウンタの
    値を読み出し,それぞれのカウント値を前記各カウント
    方式に基づいて更新をするとともに,更新が行われたカ
    ウンタについての更新値を対応する不揮発性メモリに書
    き込むカウンタ制御部(3) からなることを特徴とす
    る電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを用いた
    カウンタ。
  2. 【請求項2】  請求項1において,カウンタ制御部(
    3) は,カウント値更新毎にn中1カウント方式のデ
    ータを1ビットずつ左シフトし,オーバフローが生じた
    とき2進カウント方式のカウンタを1だけカウントアッ
    プして更新し,オーバフローがあった場合は第1と第2
    のカウンタに更新値を書き込み,オーバフローがなかっ
    た場合は第1のカウンタの更新値を書き込む制御を行う
    ことを特徴とする電気的に書き込み消去可能な不揮発性
    メモリを用いたカウンタ。
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