JPH04371953A - フォトマスクブランクとこのフォトマスクブランクを用いてフォトマスクを製造する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体、ＩＣ、ＬＳＩ
等の製造に用いられるフォトマスクブランクとこれを用
いたフォトマスクの製造方法に係り、特に、長期に亘る
保存安定性に優れかつ高精度の微細パターンを確実に形
成できるフォトマスクブランクとこれを用いたフォトマ
スク製造方法の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種のフォトマスクは、図９に示すよ
うに透明基板ａと遮光層ｂとでその主要部が構成される
フォトマスクブランクｃ上へフォトレジストｒを塗布し
、かつ、パターン露光した後このフォトレジストｒを現
像し（図１０参照）、かつ、残留するフォトレジストｒ
をマスクにして上記遮光層ｂをエッチングによりパター
ニングし（図１１参照）、更に上記フォトレジストｒを
アルカリ溶液等により除去する一連のフォトリソグラフ
ィー工程に従って製造されている。

【０００３】そして、最近のＬＳＩ等の微細化の要求に
伴い従来の紫外線露光法から微細露光が可能な電子線露
光法に、また、従来のウエットエッチング法からサイド
エッチの少ないドライエッチング法へと移行されている
。

【０００４】ところで、上記遮光層ｂのエッチング方式
としてドライエッチング法を採った場合、プラズマダメ
ージによるレジストパターンの寸法変化が大きくなりこ
れに伴って図１１に示すように遮光層ｂの加工精度が劣
化する欠点があった。尚、ドライエッチング時における
プラズマ条件について放電電力密度を低くしガス圧を比
較的高く設定することによりレジストパターンと遮光層
ｂのエッチング速度の調整が図れ上記遮光層ｂの加工精
度を高めることは可能となるが、このような設定条件に
するとエッチング速度が極端に遅くなるため従来のウエ
ットエッチングと比較して生産性が著しく悪くなる欠点
があった。

【０００５】そこで、特開昭６１−１３８２５７号公報
においては、上記遮光層ｂ上へこの遮光層ｂのエッチン
グ条件に対し耐性を有する被覆層ｄを設けることにより
（図１２参照）上記諸欠点を解消するフォトマスクブラ
ンクが記載されている。

【０００６】すなわち、このフォトマスクブランクにお
いては図１３に示すように被覆層ｄ上にレジストパター
ンｒを形成し、かつ、被覆層ｄをドライエッチングによ
りパターニングすると共に（図１４参照）、この被覆層
ｄ用のエッチングガスとは相違するドライエッチングガ
スにて遮光層ｂをドライエッチングし図１５に示すよう
なフォトマスクＭを求めるものであった。

【０００７】そして、上記遮光層ｂをドライエッチング
する際、パターニングされた被覆層ｄが図１５に示すよ
うに遮光層ｂに対しエッチングマスクとして作用するた
め、このエッチング段階においてレジストパターンにダ
メージがでてきても上記遮光層ｂが寸法変化を受け難く
なり、従って、高精度の微細パターンが形成できるとい
うものであった。

【０００８】ところで、この被覆層ｄを構成する材料と
して特開昭６１−１３８２５７号公報においては、タン
タル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ
）、シリコン（Ｓｉ）、窒化シリコン（Ｓｉ３　Ｎ４　
）、酸化シリコン（ＳｉＯ２　）、ポリシロキサン等の
材料群が列挙されている。

【０００９】しかしながら、これ等材料群の中から窒化
シリコン（Ｓｉ３　Ｎ４　）、酸化シリコン（ＳｉＯ２
　）、ポリシロキサン等を選択した場合、これ等材料は
絶縁性のため電子線露光法によりレジストのパターニン
グを行うとレジストに隣接する被覆層ｄが帯電され易く
電子線露光特性が低下する欠点があり、他方、被覆層ｄ
の構成材料としてモリブデン（Ｍｏ）やシリコン（Ｓｉ
）を選択した場合には耐薬品性が劣る欠点があるため、
タンタル（Ｔａ）より安価なタングステン（Ｗ）が広く
利用されていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このようにタングステ
ン（Ｗ）は他の材料群と比較して特性的に優れた利点を
有しているが、その反面、酸化されると水溶性になる欠
点がありこれが適用されたフォトマスクブランクについ
てその保存安定性に欠ける問題点があった。

【００１１】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、上記被覆層とし
てタングステン（Ｗ）が適用されたフォトマスクブラン
クを前提とし、長期に亘る保存安定性と高精度の微細パ
ターンが形成可能なフォトマスクブランクとこれを用い
たフォトマスク製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】すなわち請求項１に係る
発明は、被覆層としてタングステンが適用されたフォト
マスクブランクを前提とし、透明基板と、この透明基板
上に光反射防止層を介し若しくは介さないで積層された
クロムを主成分とする遮光層と、この遮光層上に光反射
防止層を介し若しくは介さないで積層されたタングステ
ンを主成分とする被覆層と、この被覆層上に積層された
クロムを主成分とする保護薄膜、とを備えることを特徴
とし、また、請求項２に係る発明も、被覆層としてタン
グステンが適用されたフォトマスクブランクを前提とし
、透明基板と、透明基板上に積層された酸化窒化クロム
膜から成る基板側光反射防止層と、基板側光反射防止層
上に積層された窒化クロム膜から成る遮光層と、遮光層
上に積層された酸化窒化クロム膜から成る光反射防止層
と、光反射防止層上に積層された炭素を含むタングステ
ン膜から成る被覆層と、被覆層上に積層された酸化窒化
クロム又は窒化クロム膜から成る保護薄膜、とを備える
ことを特徴とするものである。

【００１３】他方、請求項３に係る発明は、請求項２に
係るフォトマスクブランクを用いてフォトマスクを製造
する方法を前提とし、上記フォトマスクブランク表面の
酸化窒化クロム又は窒化クロム膜から成る保護薄膜上に
レジストパターンを形成し、かつ、塩素系ドライエッチ
ングガスにて上記保護薄膜をドライエッチングした後、
フッ素系ドライエッチングガスにて炭素を含むタングス
テン膜から成る被覆層をドライエッチングし、続いて上
記塩素系ドライエッチングガスにて酸化窒化クロム膜か
ら成る光反射防止層と窒化クロム膜から成る遮光層と酸
化窒化クロム膜から成る基板側光反射防止層とを連続的
にドライエッチングすると共に最上層のレジストパター
ンとパターニングされた上記保護薄膜を一様に除去し、
更にパターニングされた上記被覆層をフッ素系ドライエ
ッチングガスにて一様に除去してフォトマスクを求める
ことを特徴とするものである。

【００１４】このような技術的手段において上記透明基
板としては、ソーダライムガラス、硼硅酸ガラス、石英
ガラス、水晶、サファイヤ等光学的に透明な任意の材料
が適用でき、また、その厚みについて本質的な制約はな
いが通常０．２〜６ｍｍ程度に設定された材料が用いら
れる。

【００１５】また、クロムを主成分とする遮光層として
はクロム単体膜でこれを構成してもよいし、窒素、酸素
又は炭素の少なくとも一つを含むクロム膜（例えばＣｒ
：Ｎ，Ｃｒ：Ｏ：Ｎ等で表現する）にてこれを構成して
もよい。そして、請求項２に係る発明においてはこの遮
光層が窒化クロム膜で構成されている。尚、窒素、酸素
又は炭素の少なくとも一つを含むクロム膜の形成方法と
しては、マグネトロンスパッタリング、イオンアシスト
蒸着、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ法等が挙
げられる。この場合、クロム膜中への窒素、酸素又は炭
素の導入量はターゲットの組成比、ガス混合比等を変え
ることにより調整可能である。また、この遮光層の両面
側に酸素又は炭素の少なくとも一方を含むクロム膜より
成りその膜厚が１００〜５００オングストロームに設定
された光反射防止層を設けてもよい。そして、請求項２
に係る発明においては上記遮光層を各々酸化窒化クロム
膜からなる基板側光反射防止層と光反射防止層とで挟む
構造となっている。尚、これ等遮光層と光反射防止層並
びに基板側光反射防止層を構成するクロム系薄膜層は塩
素系ドライエッチングガスによりパターニングすること
が可能である。

【００１６】また、上記遮光層が遮光性を有するために
は一定の光学濃度（一般には２．６〜３．０程度）が必
要である。ここでいう遮光性とは、フォトマスクとして
作用させる際、感光性樹脂の感光領域の光に対しての遮
光性のことである。そして、遮光層の膜厚としては一定
の光学濃度を持たせるため２００〜２０００オングスト
ローム程度に設定する。

【００１７】次に、タングステンを主成分とする被覆層
としては遮光層と同様にタングステン単体膜でこれを構
成してもよいし炭素を含むタングステン膜（例えばＷ：
Ｃで表現する）にてこれを構成してもよい。尚、炭素を
含むタングステン膜の形成方法としては、遮光層と同様
にマグネトロンスパッタリング、イオンアシスト蒸着、
イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ法等が挙げられ
る。この場合、タングステン膜中への炭素の導入量はタ
ーゲットの組成比、ガス混合比等を変えることにより調
整することができる。また、タングステンを主成分とす
る被覆層のパターニングについてはフッ素系のドライエ
ッチングガスによりこれを行うことができる。

【００１８】また、上記被覆層上に積層されるクロムを
主成分とする保護薄膜としてはクロムを主成分とする上
記遮光層と略同一のものが適用できる。この場合、この
保護薄膜の膜厚については上記被覆層の酸化を防止でき
れば必要にして十分であり厚く設定する必要はない。

【００１９】

【作用】請求項１〜２に係る発明によれば、タングステ
ンを主成分とする被覆層上にクロムを主成分とする保護
薄膜を備えているため、保存時において上記被覆層の主
要部を構成するタングステンの酸化が防止されフォトマ
スクブランクとしての保存安定性を向上させることが可
能となる。

【００２０】一方、請求項３に係る発明によれば、フォ
トマスクブランク表面の酸化窒化クロム又は窒化クロム
膜から成る保護薄膜を塩素系ドライエッチングガスを用
いてドライエッチングする際、この保護薄膜の膜厚につ
いては被覆層の酸化を防止できれば必要にして十分で従
来の被覆層より薄く設定できるためレジストパターンが
ダメージを受けないうちにそのエッチングを完了させる
ことが可能となる。このため上記レジストパターンを厚
く設定する必要がなく、従って、膜厚が薄くなる分パタ
ーン露光時における光の散乱が防止されて露光解像度の
向上が図れ併せて現像処理によりレジストパターンを形
成する際の加工精度の向上が図れる。

【００２１】また、炭素を含むタングステン膜から成る
被覆層をフッ素系ドライエッチングガスを用いてドライ
エッチングする際にはパターニングされた上記保護薄膜
がエッチングマスクとして作用するため、このエッチン
グ段階において上記レジストパターンにダメージが出て
きても上記被覆層は寸法変化を受けずにそのエッチング
が完了し、同様に塩素系ドライエッチングガスにて酸化
窒化クロム膜から成る光反射防止層と窒化クロム膜から
成る遮光層と酸化窒化クロム膜から成る基板側光反射防
止層とを連続的にドライエッチングする際にはパターニ
ングされた上記被覆層がエッチングマスクとして作用す
るため光反射防止層、遮光層並びに基板側光反射防止層
は寸法変化を受けないと共に、このエッチング処理の際
に上記レジストパターンと酸化窒化クロム又は窒化クロ
ム膜から成る保護薄膜を除去することが可能となる。

【００２２】更に、パターニングされた上記被覆層をフ
ッ素系ドライエッチングガスにて一様に除去する際、こ
の下面側の酸化窒化クロム膜から成る光反射防止層は上
記フッ素系ドライエッチングガスにてはエッチングされ
難いためエッチングストッパーとして作用しそのエッチ
ング条件を緩和させることが可能となる。

【００２３】従って、レジストパターンの加工精度の向
上が図れると共に遮光層並びにこの両面に設けられた光
反射防止層と基板側光反射防止層のエッチング精度をも
向上できるため、フォトマスクブランクの透明基板上へ
高精度の微細パターンをその生産性を低下させずに形成
することが可能となる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００２５】この実施例に係るフォトマスクブランクは
、図１に示すように６インチ角、厚さ０．０９インチの
フォトマスク用石英ガラス基板１と、ガラス基板１上に
成膜された厚さ２５０〜３５０オングストロームの酸化
窒化クロム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る基板側光反射防
止層２と、この基板側光反射防止層２上に成膜された厚
さ５００〜８００オングストロームの窒化クロム膜（Ｃ
ｒ：Ｎ）から成る遮光層３と、この遮光層３上に成膜さ
れた厚さ２５０〜３５０オングストロームの酸化窒化ク
ロム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る光反射防止層４と、こ
の光反射防止層４上に成膜された厚さ１００〜５００オ
ングストロームの炭素を含むタングステン膜（Ｗ：Ｃ）
から成る被覆層５と、この被覆層５上に成膜された厚さ
１００〜３００オングストロームの酸化窒化クロム膜（
Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る保護薄膜６とでその主要部が構
成され、その光学的濃度は３．０、その光反射率は３０
０〜８００ｎｍの範囲で表裏とも１５％以下であった。

【００２６】そして、このフォトマスクブランクは以下
のようにして製造されている。

【００２７】まず、上記ガラス基板１をクロム混酸液に
よる通常のスパッタ前洗浄を行った後、直流マグネトロ
ンスパッタ装置（徳田製作所製システム５０Ａ）に装着
した。ここで、スパッタリングターゲットは３Ｎグレー
ドのタングステンターゲットと４Ｎグレードのクロムタ
ーゲットを使用した。

【００２８】次に、真空槽内を２×１０−４Ｐａまで排
気した後、Ａｒガス２０Ｓｃｃｍ、窒素ガス５Ｓｃｃｍ
、及び酸素ガス２５Ｓｃｃｍを導入し、全圧９×１０−
１Ｐａにて放電電流１Ａ、２分４５秒間の条件でクロム
ターゲットをスパッタリングし酸化窒化クロム膜（Ｃｒ
：Ｏ：Ｎ）から成る基板側光反射防止層２を室温に設定
されているガラス基板１上に成膜した。スパッタ終了後
、真空槽内を２×１０−４Ｐａまで排気し、Ａｒガス２
０Ｓｃｃｍ及び窒素ガス５Ｓｃｃｍを導入し全圧８×１
０−１Ｐａの圧力にて放電電流２Ａ、５分間の条件でク
ロムターゲットをスパッタリングし窒化クロム膜（Ｃｒ
：Ｎ）から成る遮光層３を成膜し、更に、上記基板側光
反射防止層２の成膜条件と同一にして酸化窒化クロム膜
（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る光反射防止層４を成膜した。

【００２９】次にタングステンターゲットに切換え、Ａ
ｒガス２０Ｓｃｃｍとメタン（ＣＨ４　）ガス１２Ｓｃ
ｃｍを導入し、全圧１１×１０−１Ｐａにて放電電流２
Ａ、２分３０秒間の条件でスパッタリングして炭素を含
むタングステン膜（Ｗ：Ｃ）から成る被覆層５を成膜し
、再度、クロムターゲットに切換え、Ａｒガス２０Ｓｃ
ｃｍ、窒素ガス５Ｓｃｃｍ、及び酸素ガス２５Ｓｃｃｍ
を導入し、全圧９×１０−１Ｐａにて放電電流１Ａ、２
分間の条件でクロムターゲットをスパッタリングし酸化
窒化クロム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る保護薄膜６を成
膜して上記フォトマスクブランクを求めた。

【００３０】尚、このフォトマスクブランクは、炭素を
含むタングステン膜（Ｗ：Ｃ）から成る被覆層５上に酸
化窒化クロム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る保護薄膜６を
備えているため保存時において上記被覆層５の主要部を
構成するタングステンの酸化が防止され、フォトマスク
ブランクとしての保存安定性が飛躍的に向上する利点を
有していた。

【００３１】『フォトマスクの製法』以下、このように
して求めたフォトマスクブランクを用いてフォトマスク
を製造した。

【００３２】まず、このフォトマスクブランクに対しク
ロム混酸液による通常のレジストコート前洗浄を行い、
電子線レジストＰＢＳ（チッソ（株）社製）をスピンコ
ートしかつプリベークを行って厚さ４０００オングスト
ロームのレジスト層ｒ０　を形成した後、図２に示すよ
うに電子ビーム露光装置によりレジスト層ｒ０　に適す
る露光を行いかつ現像を行って図３に示すようなレジス
トパターンｒを形成した。尚、以上は標準的なプロセス
ですべて処理した。

【００３３】次に、上記レジストパターンｒが形成され
たフォトマスクブランクをドライエッチング装置ＤＥＡ
−５０３（日電アネルバ社製）に装着し、５×１０−５
Ｐａまで排気した後、ＣＣｌ４　ガス４９ＳｃｃｍとＯ
２　ガス４５Ｓｃｃｍのドライエッチングガスによりガ
ス圧１０Ｐａ、放電電力７００Ｗの条件で３分間ドライ
エッチング処理を施し、図４に示すように酸化窒化クロ
ム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る保護薄膜６をまずパター
ニングした。

【００３４】このとき、この保護薄膜６の膜厚は薄く設
定されており、そのエッチング時間が３分間と短く上記
レジストパターンｒがダメージを受けないうちにエッチ
ングが終了するためレジスト層ｒ０　の膜厚を上記のよ
うに薄く設定することができる。従って、レジスト層ｒ
０　の膜厚が薄くなる分パターン露光時における光の散
乱が防止されて露光解像度の向上が図れ併せて現像処理
によりレジストパターンｒを形成する際の加工精度の向
上が図れた。

【００３５】次に、メカニカルブースターポンプで排気
し、ＣＦ４　ガス９５ＳｃｃｍとＯ２　ガス５Ｓｃｃｍ
のドライエッチングガスによりガス圧４０Ｐａ、放電電
力３５０Ｗで１分間ドライエッチング処理を施して図５
に示すように炭素を含むタングステン膜（Ｗ：Ｃ）から
成る被覆層５をパターニングし、かつ、同じくメカニカ
ルブースターポンプで排気した後、ＣＣｌ４　ガス４９
ＳｃｃｍとＯ２　ガス４５Ｓｃｃｍのドライエッチング
ガスによりガス圧１０Ｐａ、放電電力７００Ｗの条件で
１５分間ドライエッチング処理を施し図６に示すように
酸化窒化クロム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る光反射防止
層４と窒化クロム膜（Ｃｒ：Ｎ）から成る遮光層３と酸
化窒化クロム膜（Ｃｒ：Ｏ：Ｎ）から成る基板側光反射
防止層２とを連続ドライエッチングしてそれぞれパター
ニングした。このとき、既にパターニングされている保
護薄膜６が上記被覆層５のエッチングマスクとして作用
するため、このエッチング段階でレジストパターンｒに
ダメージがでてきても上記被覆層５は寸法変化を受けず
にエッチングが完了し、同様に、光反射防止層４と遮光
層３と基板側光反射防止層２のエッチングの際にはパタ
ーニングされた被覆層５がエッチングマスクとして作用
するため、これ等クロム系の被覆層５等が寸法変化を受
けることもない。従って、レジストパターンｒと被覆層
５等のエッチング速度の調整を図ることなく遮光層３や
光反射防止層４等のエッチング精度を向上できる利点を
有している。

【００３６】そして、最上層のレジストパターンｒとパ
ターニングされている保護薄膜６を図７に示すように一
様に除去し、更にパターニングされた上記被覆層５をＣ
Ｆ４　ガスとＯ２　ガスのドライエッチングガスにより
一様に除去して図８に示すようなフォトマスクを求めた
。

【００３７】求められた上記フォトマスクはパターンの
設計寸法を非常に高精度で再現していた。

【００３８】

【発明の効果】請求項１〜２に係る発明によれば、クロ
ムを主成分とする保護薄膜の存在により被覆層の主要部
を構成するタングステンの酸化が防止されフォトマスク
ブランクとしての保存安定性の向上が図れる効果を有し
ており、他方、請求項３に係る発明によれば、レジスト
パターンの加工精度の向上が図れると共に遮光層並びに
この両面に設けられた光反射防止層と基板側光反射防止
層のエッチング精度をも向上できるため、フォトマスク
ブランクの透明基板上へ高精度の微細パターンをその生
産性を低下させずに形成することが可能となる。

【００３９】従って、高精度の微細パターンが形成され
たフォトマスクをその生産性の低下を引起こすことなく
簡便に提供できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るフォトマスクブランクの構成断面
図。

【図２】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマス
クを製造する工程説明図。

【図３】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマス
クを製造する工程説明図。

【図４】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマス
クを製造する工程説明図。

【図５】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマス
クを製造する工程説明図。

【図６】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマス
クを製造する工程説明図。

【図７】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマス
クを製造する工程説明図。

【図８】完成されたフォトマスクの構成断面図。

【図９】従来のフォトマスクブランクの構成断面図。

【図１０】このフォトマスクブランクを用いてフォトマ
スクを製造する工程説明図。

【図１１】上記フォトマスクブランクを用いてフォトマ
スクを製造する工程説明図。

【図１２】改良された従来のフォトマスクブランクの構
成断面図。

【図１３】改良されたフォトマスクブランクを用いたフ
ォトマスクの製造工程説明図。

【図１４】改良されたフォトマスクブランクを用いたフ
ォトマスクの製造工程説明図。

【図１５】改良されたフォトマスクブランクを用いたフ
ォトマスクの製造工程説明図。

【符号の説明】

１　　　　ガラス基板 ２　　　　基板側光反射防止層 ３　　　　遮光層 ４　　　　光反射防止層 ５　　　　被覆層 ６　　　　保護薄膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　透明基板と、この透明基板上に光反射
   防止層を介し若しくは介さないで積層されたクロムを主
   成分とする遮光層と、この遮光層上に光反射防止層を介
   し若しくは介さないで積層されたタングステンを主成分
   とする被覆層と、この被覆層上に積層されたクロムを主
   成分とする保護薄膜、とを備えることを特徴とするフォ
   トマスクブランク。
2. 【請求項２】　　透明基板と、透明基板上に積層された
   酸化窒化クロム膜から成る基板側光反射防止層と、基板
   側光反射防止層上に積層された窒化クロム膜から成る遮
   光層と、遮光層上に積層された酸化窒化クロム膜から成
   る光反射防止層と、光反射防止層上に積層された炭素を
   含むタングステン膜から成る被覆層と、被覆層上に積層
   された酸化窒化クロム又は窒化クロム膜から成る保護薄
   膜、とを備えることを特徴とするフォトマスクブランク
   。
3. 【請求項３】　　請求項２記載のフォトマスクブランク
   を用いてフォトマスクを製造する方法において、上記フ
   ォトマスクブランク表面の酸化窒化クロム又は窒化クロ
   ム膜から成る保護薄膜上にレジストパターンを形成し、
   かつ、塩素系ドライエッチングガスにて上記保護薄膜を
   ドライエッチングした後、フッ素系ドライエッチングガ
   スにて炭素を含むタングステン膜から成る被覆層をドラ
   イエッチングし、続いて上記塩素系ドライエッチングガ
   スにて酸化窒化クロム膜から成る光反射防止層と窒化ク
   ロム膜から成る遮光層と酸化窒化クロム膜から成る基板
   側光反射防止層とを連続的にドライエッチングすると共
   に最上層のレジストパターンとパターニングされた上記
   保護薄膜を一様に除去し、更にパターニングされた上記
   被覆層をフッ素系ドライエッチングガスにて一様に除去
   してフォトマスクを求めることを特徴とするフォトマス
   クの製造方法。