JPH04367214A - レジスト現像装置および方法 - Google Patents
レジスト現像装置および方法Info
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- JPH04367214A JPH04367214A JP3143425A JP14342591A JPH04367214A JP H04367214 A JPH04367214 A JP H04367214A JP 3143425 A JP3143425 A JP 3143425A JP 14342591 A JP14342591 A JP 14342591A JP H04367214 A JPH04367214 A JP H04367214A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に有
用な、レジスト現像装置および方法に関する。近年、半
導体装置の微細化に伴なって、ウエハ面内での現像分布
のバラツキを小さくすることが求められ、それにはレジ
ストパターンに処理液が落下するときの衝撃を少なくす
ることが必要であり、なお現像液をウエハ上に同時に素
早く落下させることも有効である。
用な、レジスト現像装置および方法に関する。近年、半
導体装置の微細化に伴なって、ウエハ面内での現像分布
のバラツキを小さくすることが求められ、それにはレジ
ストパターンに処理液が落下するときの衝撃を少なくす
ることが必要であり、なお現像液をウエハ上に同時に素
早く落下させることも有効である。
【0002】
【従来の技術】従来の現像方法は、パドル現像方式と呼
ばれる方法であって、図10および11に示すように、
モータ2の軸に固定された真空チャック1にウエハ4を
吸着して固定し、ウエハ4を静止または低速回転させて
、ウエハ4の中心部の上方約50mmにある垂直方向の
処理液パイプ5の吐出口から圧送圧力0.8〜1.0k
g/cm2 の処理液を流下させる。処理液は圧送圧力
と位置エネルギーの変化による衝撃をもってウエハ4に
流下し、中心部から周縁部に広がって、ウエハ4上で表
面張力によっていわゆるパドル9を形成する。所定時間
が経過してウエハ4上のレジスト膜が現像された後、ウ
エハ4を高速回転させて現像液を振り飛ばす。次に処理
液パイプ5からリンス液を注下させると、現像液はウエ
ハ表面から洗い流され、リンス液も周縁から振り飛ばさ
れる。
ばれる方法であって、図10および11に示すように、
モータ2の軸に固定された真空チャック1にウエハ4を
吸着して固定し、ウエハ4を静止または低速回転させて
、ウエハ4の中心部の上方約50mmにある垂直方向の
処理液パイプ5の吐出口から圧送圧力0.8〜1.0k
g/cm2 の処理液を流下させる。処理液は圧送圧力
と位置エネルギーの変化による衝撃をもってウエハ4に
流下し、中心部から周縁部に広がって、ウエハ4上で表
面張力によっていわゆるパドル9を形成する。所定時間
が経過してウエハ4上のレジスト膜が現像された後、ウ
エハ4を高速回転させて現像液を振り飛ばす。次に処理
液パイプ5からリンス液を注下させると、現像液はウエ
ハ表面から洗い流され、リンス液も周縁から振り飛ばさ
れる。
【0003】このような操作において処理液には流下に
よる力が大きく加わってレジストパターンの形状が損わ
れる問題があり、なお周縁部まで広がるのに時間がかか
るので、現像時間に差を生じてパターンが不均質になる
こともあった。
よる力が大きく加わってレジストパターンの形状が損わ
れる問題があり、なお周縁部まで広がるのに時間がかか
るので、現像時間に差を生じてパターンが不均質になる
こともあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、現像液の流
下によってレジスト膜に加わる力を軽減することを目的
とする。
下によってレジスト膜に加わる力を軽減することを目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題は、「ウエハ4
の上方に処理液パイプ5を水平方向に配置し、このパイ
プ5がその吐出口をウエハ4のレジスト膜面に接近でき
るように設定されていることを特徴とする、レジスト現
像装置」および「ウエハ4の上方にウエハ4面に対して
傾斜するプレート8を配置し、このプレート8が、その
表面の上端に開口する処理液パイプ5を有し、その下端
をウエハ4のレジスト膜面に接近できるように設定され
ていることを特徴とする、レジスト現像装置」および「
ウエハ4のレジスト膜面に接近して水平または傾斜する
方向に、処理液を流下させることを特徴とするレジスト
現像方法」ならびに、
の上方に処理液パイプ5を水平方向に配置し、このパイ
プ5がその吐出口をウエハ4のレジスト膜面に接近でき
るように設定されていることを特徴とする、レジスト現
像装置」および「ウエハ4の上方にウエハ4面に対して
傾斜するプレート8を配置し、このプレート8が、その
表面の上端に開口する処理液パイプ5を有し、その下端
をウエハ4のレジスト膜面に接近できるように設定され
ていることを特徴とする、レジスト現像装置」および「
ウエハ4のレジスト膜面に接近して水平または傾斜する
方向に、処理液を流下させることを特徴とするレジスト
現像方法」ならびに、
【0006】「ウエハ4に接近してその上方に処理液タ
ンク10を配置し、このタンク10がその底面において
ウエハ4と実質的に等しい領域に多数個の処理液吐出孔
11を有し、この吐出孔11を蔽うようにタンク10の
底面と頂面との間に風船12を配置し、この風船12に
送風または排気する通風パイプ13を設け、風船12を
膨張または収縮させることによって吐出孔11を閉止ま
たは開放できるように設定されていることを特徴とする
、レジスト現像装置」および「ウエハ4と実質的に等し
い領域に配置された多数個の吐出孔11から、ウエハ4
に接近してレジスト膜の全面に処理液を流下させること
を特徴とするレジスト現像方法」および「ウエハ4と実
質的に等しい領域に配置された多数個の吐出孔11に、
処理液のメニスカスを形成し、次に、吐出孔11とウエ
ハ4とを接近させて、メニスカス状の処理液をレジスト
膜面に移行させることを特徴とする、レジストの現像方
法」によって解決することができる。
ンク10を配置し、このタンク10がその底面において
ウエハ4と実質的に等しい領域に多数個の処理液吐出孔
11を有し、この吐出孔11を蔽うようにタンク10の
底面と頂面との間に風船12を配置し、この風船12に
送風または排気する通風パイプ13を設け、風船12を
膨張または収縮させることによって吐出孔11を閉止ま
たは開放できるように設定されていることを特徴とする
、レジスト現像装置」および「ウエハ4と実質的に等し
い領域に配置された多数個の吐出孔11から、ウエハ4
に接近してレジスト膜の全面に処理液を流下させること
を特徴とするレジスト現像方法」および「ウエハ4と実
質的に等しい領域に配置された多数個の吐出孔11に、
処理液のメニスカスを形成し、次に、吐出孔11とウエ
ハ4とを接近させて、メニスカス状の処理液をレジスト
膜面に移行させることを特徴とする、レジストの現像方
法」によって解決することができる。
【0007】
【作用】本発明の第1のレジスト現像装置は、水平な処
理液パイプ5をレジスト膜面に1〜3mmまで接近させ
て処理液を水平方向に吐出することができる。これによ
って処理液の流下による衝撃がウエハ4上のレジスト膜
に加わる圧力を軽減する。
理液パイプ5をレジスト膜面に1〜3mmまで接近させ
て処理液を水平方向に吐出することができる。これによ
って処理液の流下による衝撃がウエハ4上のレジスト膜
に加わる圧力を軽減する。
【0008】また本発明の第2のレジスト現像装置は、
傾斜したプレート8の下端をレジスト膜面に1〜3mm
まで接近させて、プレート8の表面の上端から処理液を
流下させるので、処理液はプレート8の下端の縁から水
平方向の線状になって流下する。これによって処理液の
流下による衝撃がウエハ4上のレジスト膜に加わる圧力
を軽減する。
傾斜したプレート8の下端をレジスト膜面に1〜3mm
まで接近させて、プレート8の表面の上端から処理液を
流下させるので、処理液はプレート8の下端の縁から水
平方向の線状になって流下する。これによって処理液の
流下による衝撃がウエハ4上のレジスト膜に加わる圧力
を軽減する。
【0009】さらに、本発明の第3のレジスト現像装置
は、処理液タンク10の底面に、ウエハ4の全面を蔽う
領域に多数個の直径0.2〜0.5mmの吐出孔11を
あけてあり、頂面と底面との間に風船12を配置し、底
面をウエハ4に2〜3mmまで接近させ、風船12を膨
張させて底面の吐出孔11を閉止した後タンク10に処
理液を供給し、風船12を収縮させて吐出孔11を開放
し、ウエハ4上のレジスト膜面に処理液を一度に流下さ
せる。これによって処理液の落下による衝撃を軽減する
とともに、現像時間の差を解消することができる。
は、処理液タンク10の底面に、ウエハ4の全面を蔽う
領域に多数個の直径0.2〜0.5mmの吐出孔11を
あけてあり、頂面と底面との間に風船12を配置し、底
面をウエハ4に2〜3mmまで接近させ、風船12を膨
張させて底面の吐出孔11を閉止した後タンク10に処
理液を供給し、風船12を収縮させて吐出孔11を開放
し、ウエハ4上のレジスト膜面に処理液を一度に流下さ
せる。これによって処理液の落下による衝撃を軽減する
とともに、現像時間の差を解消することができる。
【0010】この第3のレジスト現像装置を使用して、
吐出孔11に処理液のメニスカスを形成した後、処理液
タンク10の底面とウエハ4とを0.2〜0.5mmま
で接近させて、メニスカス状の液をレジスト膜面に一度
に移行させ、これによって現像時間の差を解消するとと
もに液の流下による衝撃を実質的に解消することができ
る。
吐出孔11に処理液のメニスカスを形成した後、処理液
タンク10の底面とウエハ4とを0.2〜0.5mmま
で接近させて、メニスカス状の液をレジスト膜面に一度
に移行させ、これによって現像時間の差を解消するとと
もに液の流下による衝撃を実質的に解消することができ
る。
【0011】
例1
図1および2は、本発明の第1のレジスト現像装置の縦
断面図および平面図である。チャック1、モータ2およ
びカップ3は、従来技術と同様であるので、以下これに
ついての説明を省略する。
断面図および平面図である。チャック1、モータ2およ
びカップ3は、従来技術と同様であるので、以下これに
ついての説明を省略する。
【0012】チャック1にウエハ4を吸着して保持させ
、静止させるか、または低速回転させながら、アーム6
を駆動部7により作動させて、水平な処理液パイプ5を
ウエハ4に2mmまで接近させて、ウエハ4の中心部に
おいて、直径2mmの吐出口から加圧することなく現像
液を流下させた。現像液は、位置エネルギーの変化によ
る0.01〜0.08kg/cm2 の圧力のみで流下
した。現像液はウエハ4の周縁部まで拡がってパドル9
を形成し、所定時間を経過した後、ウエハ4を高速回転
させて現像液を振り飛ばし、次に、同様にリンス液で処
理して現像を停止させ、さらにクリーニングを行い、そ
の後ウエハ4を高速回転させて乾燥した。こうしてレジ
ストパターンを変形させることなく形成することができ
た。
、静止させるか、または低速回転させながら、アーム6
を駆動部7により作動させて、水平な処理液パイプ5を
ウエハ4に2mmまで接近させて、ウエハ4の中心部に
おいて、直径2mmの吐出口から加圧することなく現像
液を流下させた。現像液は、位置エネルギーの変化によ
る0.01〜0.08kg/cm2 の圧力のみで流下
した。現像液はウエハ4の周縁部まで拡がってパドル9
を形成し、所定時間を経過した後、ウエハ4を高速回転
させて現像液を振り飛ばし、次に、同様にリンス液で処
理して現像を停止させ、さらにクリーニングを行い、そ
の後ウエハ4を高速回転させて乾燥した。こうしてレジ
ストパターンを変形させることなく形成することができ
た。
【0013】例2
図3および4は、本発明の第2のレジスト現像装置の縦
断面図および平面図である。45°に傾斜したプレート
8はアーム6で支持され、表面の上端に処理液パイプ5
を有し、下端をウエハ4の中心部に2mmまで接近させ
て、現像液をウエハ4上のレジスト膜面に流下させた。 その後の操作は例1と同様に行って、変形のないレジス
トパターンを得ることができた。
断面図および平面図である。45°に傾斜したプレート
8はアーム6で支持され、表面の上端に処理液パイプ5
を有し、下端をウエハ4の中心部に2mmまで接近させ
て、現像液をウエハ4上のレジスト膜面に流下させた。 その後の操作は例1と同様に行って、変形のないレジス
トパターンを得ることができた。
【0014】例3
【0015】本発明の第3のレジスト現像装置は、図5
および6に装置全体の縦断面図および処理液タンク10
の底面図を示す。処理液タンク10は、ウエハ4と等し
い領域の底面に多数個の直径0.5mmの処理液吐出孔
11をあけてあり、この領域の底面と頂面との間に風船
12を入れ、この風船12は空気を導入または排出する
通風パイプ13を有する。空気を導入して風船12を膨
張させ、吐出孔11を閉止して、タンク10に現像液を
入れた。図7に示すように、駆動部7を作動させて、タ
ンク10を降下させ、その底面をウエハ4上のレジスト
膜面に2mmまで接近させた後、空気を排出して風船1
2を収縮させ、処理液を流下させて、一瞬のうちにパド
ル9を形成した。その後の操作は、例1と同様に操作し
て、レジストパターンを形成した。
および6に装置全体の縦断面図および処理液タンク10
の底面図を示す。処理液タンク10は、ウエハ4と等し
い領域の底面に多数個の直径0.5mmの処理液吐出孔
11をあけてあり、この領域の底面と頂面との間に風船
12を入れ、この風船12は空気を導入または排出する
通風パイプ13を有する。空気を導入して風船12を膨
張させ、吐出孔11を閉止して、タンク10に現像液を
入れた。図7に示すように、駆動部7を作動させて、タ
ンク10を降下させ、その底面をウエハ4上のレジスト
膜面に2mmまで接近させた後、空気を排出して風船1
2を収縮させ、処理液を流下させて、一瞬のうちにパド
ル9を形成した。その後の操作は、例1と同様に操作し
て、レジストパターンを形成した。
【0016】この方法によって、処理液は流下による衝
撃を軽減するのみでなく、レジスト膜の現像時間の差を
解消することができ、良好なレジストパターンを形成す
ることができた。
撃を軽減するのみでなく、レジスト膜の現像時間の差を
解消することができ、良好なレジストパターンを形成す
ることができた。
【0017】例4
図8および9は、例3と同一の装置を使用する他のレジ
スト現像方法を示す、現像装置の縦断面図である。図8
に示すように、風船10を僅かに収縮させて、処理液タ
ンク10の底面の吐出孔11にメニスカス状の液を形成
した後、底面をウエハ4に0.5mmまで接近させて、
メニスカス状の液をウエハ4上のレジスト膜面に移行さ
せたこの他は、例3と同様に操作して、レジストパター
ンを形成した。
スト現像方法を示す、現像装置の縦断面図である。図8
に示すように、風船10を僅かに収縮させて、処理液タ
ンク10の底面の吐出孔11にメニスカス状の液を形成
した後、底面をウエハ4に0.5mmまで接近させて、
メニスカス状の液をウエハ4上のレジスト膜面に移行さ
せたこの他は、例3と同様に操作して、レジストパター
ンを形成した。
【0018】
【発明の効果】本発明によって、処理液は流下による衝
撃を実質的に解消することができ、かつレジスト膜の現
像時間の差も解消するので、極めて良好なレジストパタ
ーンを形成することができる。
撃を実質的に解消することができ、かつレジスト膜の現
像時間の差も解消するので、極めて良好なレジストパタ
ーンを形成することができる。
【図1】本発明の第1のレジスト現像装置の縦断面図で
ある。
ある。
【図2】図1の装置の平面図である。
【図3】本発明の第2のレジスト現像装置の縦断面図で
ある。
ある。
【図4】図3の装置の平面図である。
【図5】本発明の第3のレジスト現像装置の縦断面図で
ある。
ある。
【図6】図5の装置の処理液タンクの底面図である。
【図7】図5の装置でウエハ上に処理液を流下させた状
態を示す縦断面図である。
態を示す縦断面図である。
【図8】図5の装置で、処理液タンクの底面の吐出孔に
メニスカスを形成した状態を示す縦断面図である。
メニスカスを形成した状態を示す縦断面図である。
【図9】図5の装置で、メニスカスをウエハ上に移行さ
せた状態を示す縦断面図である。
せた状態を示す縦断面図である。
【図10】従来のレジスト現像装置の縦断面図である。
【図11】図10の装置の平面図である。
1…チャック
2…モータ
3…カップ
4…ウエハ
5…処理液パイプ
6…アーム
7…駆動部
8…傾斜プレート
9…パドル
10…処理液タンク
11…吐出孔
12…風船
13…通風パイプ
Claims (6)
- 【請求項1】 ウエハ(4)の上方に処理液パイプ(
5)を水平方向に配置し、このパイプ(5)がその吐出
口をウエハ(4)のレジスト膜面に接近できるように設
定されていることを特徴とするレジスト現像装置。 - 【請求項2】 ウエハ(4)の上方にウエハ(4)面
に対して傾斜するプレート(8)を配置し、このプレー
ト(8)が、その表面の上端に開口する処理液パイプ(
5)を有し、その下端をウエハ(4)のレジスト膜面に
接近できるように設定されていることを特徴とするレジ
スト現像装置。 - 【請求項3】 ウエハ(4)のレジスト膜面に接近し
て水平または傾斜する方向に、処理液を流下させること
を特徴とするレジスト現像方法。 - 【請求項4】 ウエハ(4)に接近してその上方に処
理液タンク(10)を配置し、このタンク(10)がそ
の底面においてウエハと実質的に等しい領域に多数個の
処理液吐出孔(11)を有し、この吐出孔(11)を蔽
うようにタンク(10)の底面と頂面との間に風船(1
2)を配置し、この風船(12)に送風または排気する
通風パイプ(13)を設け、風船(12)を膨張または
収縮させることによって吐出孔(11)を閉止または開
放できるように設定されていることを特徴とするレジス
ト現像装置。 - 【請求項5】 ウエハ(4)と実質的に等しい領域に
配置された多数個の吐出孔(11)から、ウエハ(4)
に接近してレジスト膜の全面に処理液を一度に流下させ
ることを特徴とするレジスト現像方法。 - 【請求項6】 ウエハ(4)と実質的に等しい領域に
配置された多数個の吐出孔(11)に、処理液のメニス
カスを形成し、次に、吐出孔(11)とウエハ(4)と
を接近させて、メニスカス状の処理液をレジスト膜面に
一度に移行させることを特徴とするレジストの現像方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3143425A JPH04367214A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト現像装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3143425A JPH04367214A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト現像装置および方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04367214A true JPH04367214A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15338437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3143425A Pending JPH04367214A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト現像装置および方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04367214A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016082177A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143425A patent/JPH04367214A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016082177A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010213 |