JPH04360506A - 薄膜キャパシタ - Google Patents
薄膜キャパシタInfo
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- JPH04360506A JPH04360506A JP16234791A JP16234791A JPH04360506A JP H04360506 A JPH04360506 A JP H04360506A JP 16234791 A JP16234791 A JP 16234791A JP 16234791 A JP16234791 A JP 16234791A JP H04360506 A JPH04360506 A JP H04360506A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に順に形成された
下部電極、誘電体、上部電極からなる薄膜キャパシタの
構造に関し、特に下部および上部電極が少なくとも２つ
以上の導電性材料からなる構造を有する薄膜キャパシタ
に関する。
下部電極、誘電体、上部電極からなる薄膜キャパシタの
構造に関し、特に下部および上部電極が少なくとも２つ
以上の導電性材料からなる構造を有する薄膜キャパシタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜キャパシタは、シリ
コン電極上に直接にスパッタ法により誘電体膜、上部電
極を順に形成した構造（特願平１−２１７９１８号）、
またはシリコン電極上にＴａ、Ｔｉなどの少なくとも１
種類の高融点金属からなる第１層およびＰｔ，Ｐｄの少
なくとも１種類の材料からなる第２層とから構成される
導電層上に誘電体膜、上部電極を順に形成した構造（特
願平１−２３８４８４号）となっていた。また、例えば
１９６９年のアイ・ビ−・エム・ジャ―ナル・オブ・リ
サ―チ・アンド・ディベロップメント、第６８巻、６８
６〜６９５ペ―ジ（ ＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ，
６８（１９６９），ｐ．６８６〜６９５）に記載されて
いるように、サファイア等の絶縁基板上に下部電極とし
てＰｔまたはＰｄを堆積し、誘電体膜を堆積後、上部電
極としてＴｉ、Ａｕを順に堆積した積層膜、またはＣｕ
、Ｍｏ、Ａｌ等を形成した構造がすでに知られている。
コン電極上に直接にスパッタ法により誘電体膜、上部電
極を順に形成した構造（特願平１−２１７９１８号）、
またはシリコン電極上にＴａ、Ｔｉなどの少なくとも１
種類の高融点金属からなる第１層およびＰｔ，Ｐｄの少
なくとも１種類の材料からなる第２層とから構成される
導電層上に誘電体膜、上部電極を順に形成した構造（特
願平１−２３８４８４号）となっていた。また、例えば
１９６９年のアイ・ビ−・エム・ジャ―ナル・オブ・リ
サ―チ・アンド・ディベロップメント、第６８巻、６８
６〜６９５ペ―ジ（ ＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ，
６８（１９６９），ｐ．６８６〜６９５）に記載されて
いるように、サファイア等の絶縁基板上に下部電極とし
てＰｔまたはＰｄを堆積し、誘電体膜を堆積後、上部電
極としてＴｉ、Ａｕを順に堆積した積層膜、またはＣｕ
、Ｍｏ、Ａｌ等を形成した構造がすでに知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の構造の
薄膜キャパシタでは、絶縁基板上に下部電極、誘電体、
上部電極を順に形成して薄膜キャパシタを構成した後に
熱処理を行うと、上部および下部電極と誘電体との反応
が生じる結果、リーク電流が増大するという欠点がある
。また、シリコン電極上に直接にスパッタ法により誘電
体を形成した場合には、シリコン電極表面が誘電体を形
成する時に酸化され、誘電率の高い誘電体を形成しても
シリコン電極と誘電体との界面に存在する低誘電率の二
酸化シリコンのために薄膜キャパシタ全体の容量を大き
くすることが制限されるという欠点があるものの、薄膜
キャパシタ構成後の熱処理によっても二酸化シリコン層
の存在によりリーク電流があまり大きくならずに済むと
いった利点がある。また、前述のシリコン電極に第１お
よび第２の材料からなる導電層を形成し、その上に誘電
体、上部電極を順に形成した構造の場合には、適切な熱
処理を行うことにより低誘電率層の形成を防止しながら
薄膜キャパシタ全体の容量を大きくすることが可能であ
るが、上部電極形成後に熱処理を行うと上部電極と誘電
体膜との反応が生じるために、リーク電流が増大してし
まうといった欠点がある。本発明は、このような従来の
問題点を解決するためになされたもので、下部および上
部電極の双方が、電極材料と誘電体膜の反応によりリー
ク電流特性に悪影響を与えないような、少なくとも２つ
以上の材料からなる導電層で構成することにより、低誘
電率層の形成を防止するとともに、熱処理後のリ−ク電
流の増大が防止された薄膜キャパシタを提供することを
目的とする。
薄膜キャパシタでは、絶縁基板上に下部電極、誘電体、
上部電極を順に形成して薄膜キャパシタを構成した後に
熱処理を行うと、上部および下部電極と誘電体との反応
が生じる結果、リーク電流が増大するという欠点がある
。また、シリコン電極上に直接にスパッタ法により誘電
体を形成した場合には、シリコン電極表面が誘電体を形
成する時に酸化され、誘電率の高い誘電体を形成しても
シリコン電極と誘電体との界面に存在する低誘電率の二
酸化シリコンのために薄膜キャパシタ全体の容量を大き
くすることが制限されるという欠点があるものの、薄膜
キャパシタ構成後の熱処理によっても二酸化シリコン層
の存在によりリーク電流があまり大きくならずに済むと
いった利点がある。また、前述のシリコン電極に第１お
よび第２の材料からなる導電層を形成し、その上に誘電
体、上部電極を順に形成した構造の場合には、適切な熱
処理を行うことにより低誘電率層の形成を防止しながら
薄膜キャパシタ全体の容量を大きくすることが可能であ
るが、上部電極形成後に熱処理を行うと上部電極と誘電
体膜との反応が生じるために、リーク電流が増大してし
まうといった欠点がある。本発明は、このような従来の
問題点を解決するためになされたもので、下部および上
部電極の双方が、電極材料と誘電体膜の反応によりリー
ク電流特性に悪影響を与えないような、少なくとも２つ
以上の材料からなる導電層で構成することにより、低誘
電率層の形成を防止するとともに、熱処理後のリ−ク電
流の増大が防止された薄膜キャパシタを提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に下部
電極、誘電体膜および上部電極が順次形成された構造の
薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、
それぞれ基板側からチタン、タンタル、モリブデン、タ
ングステン、ルテニウム、ルテニウムシリサイド、酸化
ルテニウム、レニウム、レニウムシリサイド、酸化レニ
ウム、オスミウム、オスミウムシリサイド、酸化オスミ
ウム、ロジウム、ロジウムシリサイド、酸化ロジウムの
高融点金属あるいはそれらのシリサイド化合物、および
窒化チタンから選ばれる少なくとも１種以上の材料から
なる第１の導電膜と、白金、パラジウム、ロジウムおよ
びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種以上の材料
からなる第２の導電膜とを少なくとも有し、誘電体がＢ
ａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ
３、ＬｉＮｂＯ３およびＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から選ばれ
た一つ、あるいはこれらの固溶体からなることを特徴と
する薄膜キャパシタである。また、基板は、ｎ型または
ｐ型に不純物ドープされたシリコン基板、Ｇａ、Ａｓ、
Ｉｎ、ＰおよびＡｌの少なくとも２つから選ばれる元素
の化合物基板、またはＳｉとＧｅの固溶体基板であるこ
とを好適とする。
電極、誘電体膜および上部電極が順次形成された構造の
薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、
それぞれ基板側からチタン、タンタル、モリブデン、タ
ングステン、ルテニウム、ルテニウムシリサイド、酸化
ルテニウム、レニウム、レニウムシリサイド、酸化レニ
ウム、オスミウム、オスミウムシリサイド、酸化オスミ
ウム、ロジウム、ロジウムシリサイド、酸化ロジウムの
高融点金属あるいはそれらのシリサイド化合物、および
窒化チタンから選ばれる少なくとも１種以上の材料から
なる第１の導電膜と、白金、パラジウム、ロジウムおよ
びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種以上の材料
からなる第２の導電膜とを少なくとも有し、誘電体がＢ
ａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ
３、ＬｉＮｂＯ３およびＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から選ばれ
た一つ、あるいはこれらの固溶体からなることを特徴と
する薄膜キャパシタである。また、基板は、ｎ型または
ｐ型に不純物ドープされたシリコン基板、Ｇａ、Ａｓ、
Ｉｎ、ＰおよびＡｌの少なくとも２つから選ばれる元素
の化合物基板、またはＳｉとＧｅの固溶体基板であるこ
とを好適とする。
【０００５】
【作用】本発明の薄膜キャパシタでは、基板上に順に堆
積形成された下部電極、誘電体膜、上部電極構造におい
て、絶縁基板を使用した場合には、下部電極については
、基板側を第１の導電膜として、基板と第２の導電膜と
が接しないようにすれば、基板と下部電極間の剥離防止
に効果的である。また、上部電極については、第１の導
電膜を介して第２の導電膜を形成するようにすれば、Ａ
ｌ等を直接上部電極として用いて熱処理した時に生じる
上部電極と誘電体との反応（拡散）あるいは上部電極と
誘電体間の剥離を防止することができる。このため、下
部および上部電極形成後の熱処理に対してもリーク電流
の増大のないキャパシタが形成される。また、シリコン
基板等を使用した場合には、下部電極については、基板
と下部電極との間で低誘電率層が形成されるのを防止す
るために、第１の導電層を基板側に形成することで大容
量を実現する。また上部電極については、上記で述べた
のと同様である。
積形成された下部電極、誘電体膜、上部電極構造におい
て、絶縁基板を使用した場合には、下部電極については
、基板側を第１の導電膜として、基板と第２の導電膜と
が接しないようにすれば、基板と下部電極間の剥離防止
に効果的である。また、上部電極については、第１の導
電膜を介して第２の導電膜を形成するようにすれば、Ａ
ｌ等を直接上部電極として用いて熱処理した時に生じる
上部電極と誘電体との反応（拡散）あるいは上部電極と
誘電体間の剥離を防止することができる。このため、下
部および上部電極形成後の熱処理に対してもリーク電流
の増大のないキャパシタが形成される。また、シリコン
基板等を使用した場合には、下部電極については、基板
と下部電極との間で低誘電率層が形成されるのを防止す
るために、第１の導電層を基板側に形成することで大容
量を実現する。また上部電極については、上記で述べた
のと同様である。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 実施例１ 図２は、基板としてサファイア、誘電体としてＳｒＴｉ
Ｏ３を使用した本発明の一実施例の薄膜キャパシタの縦
断面図である。図中、１はＡｌ、２はＷ、３はＳｒＴｉ
Ｏ３層、４はＰｔ、５はＴｉ、６はサファイア基板であ
る。作製プロセスは以下のように公知の薄膜堆積技術を
使用した。まず、サファイア基板上にＴｉ，Ｐｔを順に
それぞれ１０〜１５０ｎｍ、２０〜１５０ｎｍの厚さに
直流マグネトロンスパッタ法により堆積し、次にＳｒＴ
ｉＯ３膜を高周波マグネトロンスパッタ法により３０〜
５００ｎｍの厚さに堆積する。最後に上部電極として、
直流マグネトロンスパッタ法によりＷおよびＡｌをそれ
ぞれ１０〜１５０ｎｍ、１００〜１２００ｎｍの厚さに
堆積して図２の薄膜キャパシタを作製した。この構造で
は、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０〜９０
分間の熱処理を行ってもリ−ク電流の増加は生じなかっ
た。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ３を使用した
が、ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３，Ｌｉ
ＮｂＯ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２あるいはこれらの固溶体
を用いても同様の結果が得られた。また、サファイア基
板以外の絶縁基板でも同様の結果が得られた。さらに、
本実施例では第１の導電膜としてチタン、タングステン
を使用したが、この他、タンタル、モリブデン、ルテニ
ウム、ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウ
ム、レニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、
オスミウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロ
ジウムシリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいは
それらのシリサイド化合物、または窒化チタンを用いて
も同様の結果が得られた。また、第２の導電膜として、
白金、アルミニウムを用いたが、この他、パラジウムま
たはロジウムでも同様の結果が得られた。
て説明する。 実施例１ 図２は、基板としてサファイア、誘電体としてＳｒＴｉ
Ｏ３を使用した本発明の一実施例の薄膜キャパシタの縦
断面図である。図中、１はＡｌ、２はＷ、３はＳｒＴｉ
Ｏ３層、４はＰｔ、５はＴｉ、６はサファイア基板であ
る。作製プロセスは以下のように公知の薄膜堆積技術を
使用した。まず、サファイア基板上にＴｉ，Ｐｔを順に
それぞれ１０〜１５０ｎｍ、２０〜１５０ｎｍの厚さに
直流マグネトロンスパッタ法により堆積し、次にＳｒＴ
ｉＯ３膜を高周波マグネトロンスパッタ法により３０〜
５００ｎｍの厚さに堆積する。最後に上部電極として、
直流マグネトロンスパッタ法によりＷおよびＡｌをそれ
ぞれ１０〜１５０ｎｍ、１００〜１２００ｎｍの厚さに
堆積して図２の薄膜キャパシタを作製した。この構造で
は、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０〜９０
分間の熱処理を行ってもリ−ク電流の増加は生じなかっ
た。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ３を使用した
が、ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３，Ｌｉ
ＮｂＯ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２あるいはこれらの固溶体
を用いても同様の結果が得られた。また、サファイア基
板以外の絶縁基板でも同様の結果が得られた。さらに、
本実施例では第１の導電膜としてチタン、タングステン
を使用したが、この他、タンタル、モリブデン、ルテニ
ウム、ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウ
ム、レニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、
オスミウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロ
ジウムシリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいは
それらのシリサイド化合物、または窒化チタンを用いて
も同様の結果が得られた。また、第２の導電膜として、
白金、アルミニウムを用いたが、この他、パラジウムま
たはロジウムでも同様の結果が得られた。
【０００７】実施例２
図１は本発明の別の実施例の縦断面図である。基板とし
てｎ型の低抵抗シリコン基板、誘電体としてＳｒＴｉＯ
３を使用した例である。１１はＡｌ、１２はＴｉＮ、１
３はＴｉ、１４はＳｒＴｉＯ３、１５はＰｔ、１６はＴ
ａ、１７はシリコン基板である。作製プロセスは図２の
薄膜キャパシタと同様であるが、１２のＴｉＮは反応性
直流マグネトロンスパッタにより作製した。この構造に
おいても、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０
〜９０分間の熱処理を行ってもリーク電流の増加は生じ
なかった。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ３を使
用したが、ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３
，ＬｉＮｂＯ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２あるいはこれらの
固溶体を用いても同様の結果が得られた。また、基板と
してｎ型のシリコン基板以外にｐ型のシリコン基板、Ｇ
ａ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｐ，Ａｌの少なくとも２つから選ばれ
る元素の化合物基板、ＳｉとＧｅの固溶体基板でも同様
の結果が得られた。さらに、本実施例では第１の導電膜
としてタンタル、チタン、窒化チタンを使用したが、こ
の他、タンタル、モリブデン、タングステン、ルテニウ
ム、ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム
、レニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オ
スミウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジ
ウムシリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそ
れらのシリサイド化合物を用いても同様の結果が得られ
た。また、第２の導電膜として、白金、アルミニウムを
用いたが、この他、パラジウムまたはロジウムでも同様
の結果が得られた。
てｎ型の低抵抗シリコン基板、誘電体としてＳｒＴｉＯ
３を使用した例である。１１はＡｌ、１２はＴｉＮ、１
３はＴｉ、１４はＳｒＴｉＯ３、１５はＰｔ、１６はＴ
ａ、１７はシリコン基板である。作製プロセスは図２の
薄膜キャパシタと同様であるが、１２のＴｉＮは反応性
直流マグネトロンスパッタにより作製した。この構造に
おいても、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０
〜９０分間の熱処理を行ってもリーク電流の増加は生じ
なかった。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ３を使
用したが、ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３
，ＬｉＮｂＯ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２あるいはこれらの
固溶体を用いても同様の結果が得られた。また、基板と
してｎ型のシリコン基板以外にｐ型のシリコン基板、Ｇ
ａ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｐ，Ａｌの少なくとも２つから選ばれ
る元素の化合物基板、ＳｉとＧｅの固溶体基板でも同様
の結果が得られた。さらに、本実施例では第１の導電膜
としてタンタル、チタン、窒化チタンを使用したが、こ
の他、タンタル、モリブデン、タングステン、ルテニウ
ム、ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム
、レニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オ
スミウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジ
ウムシリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそ
れらのシリサイド化合物を用いても同様の結果が得られ
た。また、第２の導電膜として、白金、アルミニウムを
用いたが、この他、パラジウムまたはロジウムでも同様
の結果が得られた。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜キャパシタの容量を低下させる低誘電率層の形成を
防止するとともに、キャパシタ作製後の熱処理で下部お
よび上部電極が誘電体と反応することによるリ−ク電流
増大を防止することができ、大容量でリーク電流の少な
い薄膜キャパシタを作製することができる効果がある。
薄膜キャパシタの容量を低下させる低誘電率層の形成を
防止するとともに、キャパシタ作製後の熱処理で下部お
よび上部電極が誘電体と反応することによるリ−ク電流
増大を防止することができ、大容量でリーク電流の少な
い薄膜キャパシタを作製することができる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】本発明の別の一実施例の縦断面図である。
１，１１ Ａｌ
２ Ｗ３，１４ ＳｒＴｉＯ３
４，１５ Ｐｔ５，１３
Ｔｉ ６
サファイア基板 １２ ＴｉＮ
１６ Ｔａ１７ シリコン基板
２ Ｗ３，１４ ＳｒＴｉＯ３
４，１５ Ｐｔ５，１３
Ｔｉ ６
サファイア基板 １２ ＴｉＮ
１６ Ｔａ１７ シリコン基板
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に下部電極、誘電体膜および上
部電極が順次形成された構造の薄膜キャパシタにおいて
、下部電極および上部電極が、それぞれ基板側からチタ
ン、タンタル、モリブデン、タングステン、ルテニウム
、ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム、
レニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オス
ミウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジウ
ムシリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそれ
らのシリサイド化合物、および窒化チタンから選ばれる
少なくとも１種以上の材料からなる第１の導電膜と、白
金、パラジウム、ロジウムおよびアルミニウムから選ば
れる少なくとも１種以上の材料からなる第２の導電膜と
を少なくとも有し、誘電体がＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ
３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＬｉＮｂＯ３および
Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から選ばれた一つ、あるいはこれら
の固溶体からなることを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 【請求項２】 基板がｎ型またはｐ型に不純物ドープ
されたシリコン基板、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、ＰおよびＡｌ
の少なくとも２つから選ばれる元素の化合物基板、また
はＳｉとＧｅの固溶体基板である請求項１記載の薄膜キ
ャパシタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162347A JPH0746670B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜キャパシタ |
| US07/882,000 US5262920A (en) | 1991-05-16 | 1992-05-13 | Thin film capacitor |
| DE69205063T DE69205063T2 (de) | 1991-05-16 | 1992-05-13 | Dünnschichtkondensator. |
| EP92304302A EP0514149B1 (en) | 1991-05-16 | 1992-05-13 | Thin film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162347A JPH0746670B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜キャパシタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360506A true JPH04360506A (ja) | 1992-12-14 |
| JPH0746670B2 JPH0746670B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15752833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3162347A Expired - Lifetime JPH0746670B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-06-07 | 薄膜キャパシタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746670B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348894A (en) * | 1993-01-27 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials |
| JP2007109693A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toray Ind Inc | キャパシタ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090115826A (ko) * | 2008-05-04 | 2009-11-09 | 송준오 | 그룹 3족 질화물계 반도체 소자용 버퍼층 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387055A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Nec Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH03101260A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3162347A patent/JPH0746670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387055A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Nec Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH03101260A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348894A (en) * | 1993-01-27 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials |
| JP2007109693A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toray Ind Inc | キャパシタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746670B2 (ja) | 1995-05-17 |
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