JPH04349657A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04349657A JPH04349657A JP3121521A JP12152191A JPH04349657A JP H04349657 A JPH04349657 A JP H04349657A JP 3121521 A JP3121521 A JP 3121521A JP 12152191 A JP12152191 A JP 12152191A JP H04349657 A JPH04349657 A JP H04349657A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＤＲＡＭ又は不揮発性
メモリ等に用いるキャパシタ電極に関するものである。
メモリ等に用いるキャパシタ電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、強誘電体膜又は高誘電体膜は
、その高い誘電率や残留分極値をもつため、高集積ＬＳ
Ｉメモリの誘電体として、検討されている。高誘電体膜
又は強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いるキャパ
シタの電極材料としては、従来Ｓｉ系（多結晶シリコン
又は金属シリサイド等）が用いられてきた。
、その高い誘電率や残留分極値をもつため、高集積ＬＳ
Ｉメモリの誘電体として、検討されている。高誘電体膜
又は強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いるキャパ
シタの電極材料としては、従来Ｓｉ系（多結晶シリコン
又は金属シリサイド等）が用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に従来技術による
一実施例の断面図を示す。１はシリコン基板、２は下部
電極、３は強誘電体キャパシタ絶縁膜、４は上部電極。 ９はシリコン酸化膜を示す。また図４（ａ）は、図３の
キャパシタ部の等価回路を示し、同（ｂ）は、電極と絶
縁膜との間にシリコン酸化膜が生じない場合のキャパシ
タ部の等価回路を示す。Ｃ１，Ｃ２はシリコン酸化膜９
における容量を示し、Ｃ，Ｃ０は強誘電体膜３における
容量を示す。強誘電体膜としてＰＺＴ膜を用いた場合、
高温，酸素雰囲気中でＰＺＴ膜を堆積するため、キャパ
シタ電極２，４に多結晶シリコンを用いた場合、キャパ
シタ電極２は、熱酸化され、またキャパシタ電極４は酸
化物であるキャパシタ絶縁膜と接しているため、界面が
酸化され、キャパシタ電極２，４とキャパシタ絶縁膜と
の界面にシリコン酸化膜９が形成される。また、キャパ
シタ電極にＰｔ等の金属を用いた場合、Ｐｔ等の金属は
シリサイド化され、キャパシタ絶縁膜３とキャパシタ電
極２，４との界面にシリコン酸化膜９が形成される。上
記の様に、シリコン酸化膜９が形成されると、図４（ｂ
）に示される等価回路から同（ａ）に示される等価回路
に変化し、キャパシタ全体としての誘電率は低下するこ
とになる。
一実施例の断面図を示す。１はシリコン基板、２は下部
電極、３は強誘電体キャパシタ絶縁膜、４は上部電極。 ９はシリコン酸化膜を示す。また図４（ａ）は、図３の
キャパシタ部の等価回路を示し、同（ｂ）は、電極と絶
縁膜との間にシリコン酸化膜が生じない場合のキャパシ
タ部の等価回路を示す。Ｃ１，Ｃ２はシリコン酸化膜９
における容量を示し、Ｃ，Ｃ０は強誘電体膜３における
容量を示す。強誘電体膜としてＰＺＴ膜を用いた場合、
高温，酸素雰囲気中でＰＺＴ膜を堆積するため、キャパ
シタ電極２，４に多結晶シリコンを用いた場合、キャパ
シタ電極２は、熱酸化され、またキャパシタ電極４は酸
化物であるキャパシタ絶縁膜と接しているため、界面が
酸化され、キャパシタ電極２，４とキャパシタ絶縁膜と
の界面にシリコン酸化膜９が形成される。また、キャパ
シタ電極にＰｔ等の金属を用いた場合、Ｐｔ等の金属は
シリサイド化され、キャパシタ絶縁膜３とキャパシタ電
極２，４との界面にシリコン酸化膜９が形成される。上
記の様に、シリコン酸化膜９が形成されると、図４（ｂ
）に示される等価回路から同（ａ）に示される等価回路
に変化し、キャパシタ全体としての誘電率は低下するこ
とになる。
【０００４】本発明は、キャパシタ電極とキャパシタ絶
縁膜との界面におけるシリコン酸化膜の形成を抑制し、
高誘電率を有するキャパシタを提供することを目的とす
る。
縁膜との界面におけるシリコン酸化膜の形成を抑制し、
高誘電率を有するキャパシタを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明は
、キャパシタ電極にパラジウム又はパラジウムと白金と
の合金を用いたキャパシタを設けたことを特徴とする。
、キャパシタ電極にパラジウム又はパラジウムと白金と
の合金を用いたキャパシタを設けたことを特徴とする。
【０００６】また、請求項２記載の本発明は、キャパシ
タ電極に導電性酸化物を用いたキャパシタを設けたこと
を特徴とする。
タ電極に導電性酸化物を用いたキャパシタを設けたこと
を特徴とする。
【０００７】さらに、請求項３記載の本発明は、キャパ
シタ電極が、キャパシタ絶縁膜に接する側から、白金又
はパラジウム又は白金とパラジウムとの合金、及びＶＩ
ａ族金属の窒化物、及びＶＩａ族金属の順に三層構造と
なるキャパシタを設けたことを特徴とする。
シタ電極が、キャパシタ絶縁膜に接する側から、白金又
はパラジウム又は白金とパラジウムとの合金、及びＶＩ
ａ族金属の窒化物、及びＶＩａ族金属の順に三層構造と
なるキャパシタを設けたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記請求項１記載の本発明を用いることによっ
て、電極材料に酸化されにくい金属を用いることで、電
極とキャパシタ絶縁膜との界面にシリコン酸化膜の発生
を抑制できる。
て、電極材料に酸化されにくい金属を用いることで、電
極とキャパシタ絶縁膜との界面にシリコン酸化膜の発生
を抑制できる。
【０００９】また、上記請求項２記載の本発明を用いる
ことにより、電極材料に導電性酸化物を用いるので電極
とキャパシタ絶縁膜との界面におけるシリコン酸化膜の
発生を抑制できる。
ことにより、電極材料に導電性酸化物を用いるので電極
とキャパシタ絶縁膜との界面におけるシリコン酸化膜の
発生を抑制できる。
【００１０】さらに、上記請求項３記載の本発明を用い
ることにより、電極材料のシリサイド化を防止し、電極
とキャパシタ絶縁膜との界面にシリコン酸化膜の発生を
抑制する。
ることにより、電極材料のシリサイド化を防止し、電極
とキャパシタ絶縁膜との界面にシリコン酸化膜の発生を
抑制する。
【００１１】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は、請求項１記載及び請求項２記載の
本発明の一実施例の製造工程を示し、図２は請求項３記
載の本発明の一実施例の製造工程を示す。
本発明の一実施例の製造工程を示し、図２は請求項３記
載の本発明の一実施例の製造工程を示す。
【００１３】１はシリコン基板、２は下部電極、３はキ
ャパシタ絶縁膜、４は上部電極、５，８はＶＩａ族金属
膜、６，７はＶＩａ族金属の窒化膜を示す。キャパシタ
絶縁膜３には、Ｔａ２Ｏ５膜，ＢａＴｉＯ３膜、ＳｒＴ
ｉＯ３膜又はＰＺＴ膜等を用いる。
ャパシタ絶縁膜、４は上部電極、５，８はＶＩａ族金属
膜、６，７はＶＩａ族金属の窒化膜を示す。キャパシタ
絶縁膜３には、Ｔａ２Ｏ５膜，ＢａＴｉＯ３膜、ＳｒＴ
ｉＯ３膜又はＰＺＴ膜等を用いる。
【００１４】次に、請求項１記載及び請求項２記載の本
発明の一実施例の製造工程について説明する。
発明の一実施例の製造工程について説明する。
【００１５】まずシリコン基板１上にスパッタ法を用い
て、下部電極２を１０００Å堆積する。該電極材料とし
て、パラジウム、又はパラジウムと白金との合金、又は
導電性酸化物を用いる。さらに、導電性酸化膜として、
ＩｎＯ３，ＳｎＯ２，ＲｕＯ２を用いる。上記材料をタ
ーゲットとして、酸素雰囲気中でスパッタリングを行う
（図１（ａ））。次に、スパッタ法を用いてキャパシタ
絶縁膜３として強誘電体膜（ＰＺＴ膜等）を１０００〜
３０００Å堆積する（図１（ｂ））。その後、上部電極
４を下部電極２形成工程と同一工程で１０００Å堆積す
る（図１（ｃ））。 次に、請求項３記載の本発明の
一実施例の製造工程について説明する。
て、下部電極２を１０００Å堆積する。該電極材料とし
て、パラジウム、又はパラジウムと白金との合金、又は
導電性酸化物を用いる。さらに、導電性酸化膜として、
ＩｎＯ３，ＳｎＯ２，ＲｕＯ２を用いる。上記材料をタ
ーゲットとして、酸素雰囲気中でスパッタリングを行う
（図１（ａ））。次に、スパッタ法を用いてキャパシタ
絶縁膜３として強誘電体膜（ＰＺＴ膜等）を１０００〜
３０００Å堆積する（図１（ｂ））。その後、上部電極
４を下部電極２形成工程と同一工程で１０００Å堆積す
る（図１（ｃ））。 次に、請求項３記載の本発明の
一実施例の製造工程について説明する。
【００１６】シリコン基板１上に拡散バリア層として、
Ｔｉ層５を５００Å，ＴｉＮ層６を５００Å形成する（
図２（ａ））。その後、下部電極２を１０００Å堆積す
る（図２（ｂ））。電極材料として、酸化されにくいパ
ラジウム、又は白金、又はパラジウムと白金の合金を用
いる。次にキャパシタ絶縁膜３として、ＰＺＴ膜等を１
０００〜３０００Å堆積する（図２（ｃ））。次に、上
部電極４を前記下部電極２形成工程と同一工程により１
０００Å形成した後（図２（ｄ）），ＴｉＮ層７及びＴ
ｉ層８をそれぞれ５００Å堆積する（図２（ｅ））。 上記堆積は、すべてスパッタ法により実施可能であり、
また、ＴｉのかわりにＶＩａ族金属のＺｒ，Ｈｆを用い
ても実施可能である。
Ｔｉ層５を５００Å，ＴｉＮ層６を５００Å形成する（
図２（ａ））。その後、下部電極２を１０００Å堆積す
る（図２（ｂ））。電極材料として、酸化されにくいパ
ラジウム、又は白金、又はパラジウムと白金の合金を用
いる。次にキャパシタ絶縁膜３として、ＰＺＴ膜等を１
０００〜３０００Å堆積する（図２（ｃ））。次に、上
部電極４を前記下部電極２形成工程と同一工程により１
０００Å形成した後（図２（ｄ）），ＴｉＮ層７及びＴ
ｉ層８をそれぞれ５００Å堆積する（図２（ｅ））。 上記堆積は、すべてスパッタ法により実施可能であり、
また、ＴｉのかわりにＶＩａ族金属のＺｒ，Ｈｆを用い
ても実施可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、請求項１及
び２記載の本発明を用いることにより、電極材料がキャ
パシタ絶縁膜形成時に酸化されにくく、そのため、電極
とキャパシタ電極との間にシリコン酸化膜が発生するこ
とを抑制でき、高誘電率を有するキャパシタを設けた半
導体装置が得られる。
び２記載の本発明を用いることにより、電極材料がキャ
パシタ絶縁膜形成時に酸化されにくく、そのため、電極
とキャパシタ電極との間にシリコン酸化膜が発生するこ
とを抑制でき、高誘電率を有するキャパシタを設けた半
導体装置が得られる。
【００１８】また、請求項３記載の本発明を用いること
により、電極材料に金属を用いた場合の金属のシリサイ
ド化を防止することができ、これにより、電極とキャパ
シタ電極との間にシリコン酸化膜が発生することを抑制
でき、高誘電率を有するキャパシタを設けた半導体装置
が得られる。
により、電極材料に金属を用いた場合の金属のシリサイ
ド化を防止することができ、これにより、電極とキャパ
シタ電極との間にシリコン酸化膜が発生することを抑制
でき、高誘電率を有するキャパシタを設けた半導体装置
が得られる。
【図１】請求項１及び請求項２記載の本発明の一実施例
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２】請求項３記載の本発明の一実施例の製造工程図
である。
である。
【図３】従来技術によるキャパシタ部の断面図である。
【図４】（ａ）は従来技術を用いた場合のキャパシタ部
の等価回路図であり、（ｂ）は本発明を用いた場合の同
等価回路図である。
の等価回路図であり、（ｂ）は本発明を用いた場合の同
等価回路図である。
１ シリコン基板
２ 下部電極
３ キャパシタ電極
４ 上部電極
５，８ ＶＩａ族金属膜
６，７ ＶＩａ族金属の窒化膜
９ シリコン酸化膜
Claims (3)
- 【請求項１】 キャパシタ絶縁膜として、強誘電体膜
又は高誘電体膜を用いたキャパシタを設けた半導体装置
に於いて、キャパシタ電極材料にパラジウム又はパラジ
ウムと白金との合金を用いたキャパシタを設けたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 キャパシタ絶縁膜として、強誘電体膜
又は高誘電体膜を用いたキャパシタを設けた半導体装置
に於いて、キャパシタ電極材料に導電性酸化物を用いた
キャパシタを設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 キャパシタ絶縁膜として、強誘電体膜
又は高誘電体膜を用いたキャパシタを設けた半導体装置
に於いて、キャパシタ電極材料が、キャパシタ絶縁膜に
接する側から、白金又はパラジウム又は白金とパラジウ
ムとの合金、及びＶＩａ族金属の窒化物、及びＶＩａ族
金属の順に三層構造とするキャパシタを設けたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121521A JP2690821B2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121521A JP2690821B2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349657A true JPH04349657A (ja) | 1992-12-04 |
| JP2690821B2 JP2690821B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=14813285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121521A Expired - Fee Related JP2690821B2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690821B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766300A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | キャパシタおよびその作製方法 |
| JPH0864786A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-03-08 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH08191137A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-07-23 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH09199687A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-07-31 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のキャパシタおよびその製造方法 |
| EP0800187A3 (en) * | 1992-04-20 | 2005-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Electrodes for high dielectric constant materials |
| JP2007184623A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-07-19 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387056A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Nec Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH03101260A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP3121521A patent/JP2690821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387056A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Nec Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH03101260A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800187A3 (en) * | 1992-04-20 | 2005-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Electrodes for high dielectric constant materials |
| JPH0766300A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | キャパシタおよびその作製方法 |
| JPH0864786A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-03-08 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH08191137A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-07-23 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH09199687A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-07-31 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のキャパシタおよびその製造方法 |
| JP2007184623A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-07-19 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2690821B2 (ja) | 1997-12-17 |
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