JPH04355400A - 反射鏡、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 - Google Patents
反射鏡、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法Info
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- JPH04355400A JPH04355400A JP3131299A JP13129991A JPH04355400A JP H04355400 A JPH04355400 A JP H04355400A JP 3131299 A JP3131299 A JP 3131299A JP 13129991 A JP13129991 A JP 13129991A JP H04355400 A JPH04355400 A JP H04355400A
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- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 23
- -1 osnium Chemical compound 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシンクロトロン放射光
源から放射されたシンクロトロン放射光（Ｘ線）によっ
て露光を行うＸ線露光装置に関する。
源から放射されたシンクロトロン放射光（Ｘ線）によっ
て露光を行うＸ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体集積回路のパタ−ンを形成
するリソグラフィ−において、光源にシンクロトロン放
射光を利用したＸ線リソグラフィ−が注目されている。
するリソグラフィ−において、光源にシンクロトロン放
射光を利用したＸ線リソグラフィ−が注目されている。
【０００３】図３は、一般的なＸ線露光装置を示す。つ
まり、同図中１は上記シンクロトロン放射光Ｌ（以下放
射光Ｌという）を放射するシンクロトロン放射光源２が
設けられた超高真空の蓄積リングである。この放射光源
２から放射された放射光ＬはＸ線吸収材によりマスクパ
タ−ンが描かれたＸ線マスク３を通して被加工物４を照
射し、上記Ｘ線マスク３のパタ−ンを上記被加工物４に
塗布されたレジスト膜５に転写するようになっている。
まり、同図中１は上記シンクロトロン放射光Ｌ（以下放
射光Ｌという）を放射するシンクロトロン放射光源２が
設けられた超高真空の蓄積リングである。この放射光源
２から放射された放射光ＬはＸ線吸収材によりマスクパ
タ−ンが描かれたＸ線マスク３を通して被加工物４を照
射し、上記Ｘ線マスク３のパタ−ンを上記被加工物４に
塗布されたレジスト膜５に転写するようになっている。
【０００４】上記放射光Ｌは電子軌道面に対して平行な
方向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をも
つため、放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも、均一
な露光領域は幅数ｍｍ程度しか得られない。そこで、均
一露光領域を拡大するために、上記放射光Ｌの光路に斜
入射反射鏡６を設け、この反射鏡６を矢印で示すように
振動させることが行われている。
方向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をも
つため、放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも、均一
な露光領域は幅数ｍｍ程度しか得られない。そこで、均
一露光領域を拡大するために、上記放射光Ｌの光路に斜
入射反射鏡６を設け、この反射鏡６を矢印で示すように
振動させることが行われている。
【０００５】反射鏡６を図３に矢印で示す方向に振動さ
せれば、放射光Ｌは上下方向に拡大されてＸ線マスク３
を通って被加工物４に塗布されたレジスト膜５を照射す
るから、露光領域を拡大することができる。
せれば、放射光Ｌは上下方向に拡大されてＸ線マスク３
を通って被加工物４に塗布されたレジスト膜５を照射す
るから、露光領域を拡大することができる。
【０００６】上記反射鏡６は、露光領域の拡大と均一性
とを考慮して振動を与えるばかりでなく、ミラ−形状を
トロイダルやシリンドリカルなどにするなどの工夫もな
されている。また、反射鏡６に耐熱性を持たせるために
材質をＳｉＣにしたり、Ｘ線、真空紫外線と称される光
に対して屈折係数と吸収係数の小さい物質を上記反射鏡
６の反射面にコ−テイングし、放射光Ｌの反射強度低下
を小さくしている。この点を考慮して反射面の材質とし
て一般的にＡｕ（金）やＰｔ（白金）などが選択されて
いる。
とを考慮して振動を与えるばかりでなく、ミラ−形状を
トロイダルやシリンドリカルなどにするなどの工夫もな
されている。また、反射鏡６に耐熱性を持たせるために
材質をＳｉＣにしたり、Ｘ線、真空紫外線と称される光
に対して屈折係数と吸収係数の小さい物質を上記反射鏡
６の反射面にコ−テイングし、放射光Ｌの反射強度低下
を小さくしている。この点を考慮して反射面の材質とし
て一般的にＡｕ（金）やＰｔ（白金）などが選択されて
いる。
【０００７】しかしながら、放射光Ｌの材質に対する屈
折係数と吸収係数は、物質依存性の他に、波長依存性の
あることにも、留意しなければならない。放射光Ｌの波
長領域は一般的に０．０１〜数十ｎｍと広範囲であり、
ＡｕとＰｔが全ての波長領域において屈折係数と吸収係
数が小さくなるものでない。したがって、使用する放射
光Ｌの波長を考えて、反射鏡面の物質を選定する必要が
ある。
折係数と吸収係数は、物質依存性の他に、波長依存性の
あることにも、留意しなければならない。放射光Ｌの波
長領域は一般的に０．０１〜数十ｎｍと広範囲であり、
ＡｕとＰｔが全ての波長領域において屈折係数と吸収係
数が小さくなるものでない。したがって、使用する放射
光Ｌの波長を考えて、反射鏡面の物質を選定する必要が
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、反射鏡の
反射率の向上を計るには、使用する放射光Ｌの波長に応
じて適正な物質をミラ−反射面の材料として選定するこ
とが重要となる。
反射率の向上を計るには、使用する放射光Ｌの波長に応
じて適正な物質をミラ−反射面の材料として選定するこ
とが重要となる。
【０００９】この発明は上記事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、露光のスル−プットの
向上を計ることができるようにしたＸ線露光装置を提供
することにある。
ので、その目的とするところは、露光のスル−プットの
向上を計ることができるようにしたＸ線露光装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、シンクロトロン放射光源から放射される
シンクロトロン放射光を、振動するＸ線ミラ−で反射さ
せ、Ｘ線マスクを介してＸ線レジストが塗布された被加
工物に照射させるＸ線露光装置において、上記Ｘ線ミラ
−の反射面は、レニウム、オスニウム、イリジウムの重
金属のうちのいずれかをコ−テイングして形成されてい
ることを特徴とする。
にこの発明は、シンクロトロン放射光源から放射される
シンクロトロン放射光を、振動するＸ線ミラ−で反射さ
せ、Ｘ線マスクを介してＸ線レジストが塗布された被加
工物に照射させるＸ線露光装置において、上記Ｘ線ミラ
−の反射面は、レニウム、オスニウム、イリジウムの重
金属のうちのいずれかをコ−テイングして形成されてい
ることを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、レニウム、オスニウム、イ
リジウムの重金属は放射光の広範囲の波長に対して高い
反射率を示すから、スル−プットを向上させることがで
きる。
リジウムの重金属は放射光の広範囲の波長に対して高い
反射率を示すから、スル−プットを向上させることがで
きる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。図１はＸ線露光装置に用いられるこの発明の
斜入射反射鏡６１の拡大断面図を示す。この反射鏡６１
は基板６２を有する。この基板６２は、シンクロトロン
放射光Ｌが高エネルギをもつため、照射部位の熱蓄積を
避けることができる材質、たとえば熱放散性に優れたＳ
ｉＣによって形成されている。
説明する。図１はＸ線露光装置に用いられるこの発明の
斜入射反射鏡６１の拡大断面図を示す。この反射鏡６１
は基板６２を有する。この基板６２は、シンクロトロン
放射光Ｌが高エネルギをもつため、照射部位の熱蓄積を
避けることができる材質、たとえば熱放散性に優れたＳ
ｉＣによって形成されている。
【００１３】上記基板６２の上面にはバッファ層６３お
よび反射面を形成する反射膜６４が順次設けられている
。上記バッファ層６３は反射膜６４の密着性や平滑性を
よくする目的で設けられるものであるが、なくても反射
膜６４による放射光Ｌの反射率にはとくに影響を与えな
いから、基板６２上に反射膜６４を直接コ−テイングし
た構成としてもよい。
よび反射面を形成する反射膜６４が順次設けられている
。上記バッファ層６３は反射膜６４の密着性や平滑性を
よくする目的で設けられるものであるが、なくても反射
膜６４による放射光Ｌの反射率にはとくに影響を与えな
いから、基板６２上に反射膜６４を直接コ−テイングし
た構成としてもよい。
【００１４】上記反射膜６４は、放射光Ｌの広い範囲の
波長に対して高反射率を示す材料である重金属のうちの
、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスニウム）、Ｉｒ（イリ
ジウム）のいずれかをスパッタあるいは高真空下での蒸
着によって上記バッファ層６３の上に設けられている。
波長に対して高反射率を示す材料である重金属のうちの
、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスニウム）、Ｉｒ（イリ
ジウム）のいずれかをスパッタあるいは高真空下での蒸
着によって上記バッファ層６３の上に設けられている。
【００１５】上記反射膜６４の厚さｄは、放射光Ｌが反
射膜６４を透過することのない厚さであればよい。一般
的に、斜入射反射鏡６１への放射光Ｌの斜入射角θは５
度以下なので、ｄ＞１０ｎｍ以上であればよい。つぎに
、上記反射膜６４として重金属のうちのＲｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒを選択した理由を説明する。
射膜６４を透過することのない厚さであればよい。一般
的に、斜入射反射鏡６１への放射光Ｌの斜入射角θは５
度以下なので、ｄ＞１０ｎｍ以上であればよい。つぎに
、上記反射膜６４として重金属のうちのＲｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒを選択した理由を説明する。
【００１６】複素屈折率ｎ１ 、ｎ２ の２つの媒質の
境界面でのＸ線反射率Ｒｐ（ｐ偏光に対する反射率）、
Ｒｓ（ｓ偏光に対する反射率）は、放射光Ｌの斜入射角
と屈折角をそれぞれθ１ 、θ２ とすれば、フレネル
の法則により、次式（１）、（２）にて示すことができ
る。
境界面でのＸ線反射率Ｒｐ（ｐ偏光に対する反射率）、
Ｒｓ（ｓ偏光に対する反射率）は、放射光Ｌの斜入射角
と屈折角をそれぞれθ１ 、θ２ とすれば、フレネル
の法則により、次式（１）、（２）にて示すことができ
る。
【００１７】
【数１】
【００１８】
【数２】
また、複素屈折率ｎ´は、原子の散乱、吸収の因子をそ
れぞれｆ１ 、ｆ２ とすれば、次式（３）で示すこと
ができる。
れぞれｆ１ 、ｆ２ とすれば、次式（３）で示すこと
ができる。
【００１９】
【数３】
【００２０】ここで、Ｎは単位体積中の原子数、ｒｅは
古典電子半径、λは放射光Ｌの波長である。さらに、（
３）式を実部と虚部とに分け、それぞれをｎ、ｋとする
と、ｎは屈折係数、ｋは吸収係数と称される。
古典電子半径、λは放射光Ｌの波長である。さらに、（
３）式を実部と虚部とに分け、それぞれをｎ、ｋとする
と、ｎは屈折係数、ｋは吸収係数と称される。
【００２１】ところで、放射光Ｌはほぼ直線偏光とみな
せるので、斜入射反射鏡６１へ入射する放射光Ｌをｓ偏
光と規定するとともに、放射光Ｌは真空中を伝播するも
のとし、ｎ´＝１．０ とすれば、反射鏡６１による反
射率Ｒは次式（４）で示される。
せるので、斜入射反射鏡６１へ入射する放射光Ｌをｓ偏
光と規定するとともに、放射光Ｌは真空中を伝播するも
のとし、ｎ´＝１．０ とすれば、反射鏡６１による反
射率Ｒは次式（４）で示される。
【００２２】
【数４】
【００２３】上記ｆ１ 、ｆ２ の値としてＨｅｎｋｅ
らが理論的に求めた値（参考文献；Ｂ．Ｌ．Ｈｅｎｋ
ｅ ｅｔａｌ． Ａｔｏｍｉｃ Ｄａｔａ ａｎｄ Ｎ
ｕｃｌｅａｒ Ｄａｔａ Ｔａｂｌｅ Ｖｏｌ．２７
Ｎｏ．１ １９８２ ）を引用すれば、上記（３）式よ
り、（ｎ´＝ｎ＋ｉｋ）が容易に求まる。さらに、上記
（４）式にｎ２ ＝ｎ´を代入することにより、各種物
質の放射光Ｌに対する反射率を求めることができる。
らが理論的に求めた値（参考文献；Ｂ．Ｌ．Ｈｅｎｋ
ｅ ｅｔａｌ． Ａｔｏｍｉｃ Ｄａｔａ ａｎｄ Ｎ
ｕｃｌｅａｒ Ｄａｔａ Ｔａｂｌｅ Ｖｏｌ．２７
Ｎｏ．１ １９８２ ）を引用すれば、上記（３）式よ
り、（ｎ´＝ｎ＋ｉｋ）が容易に求まる。さらに、上記
（４）式にｎ２ ＝ｎ´を代入することにより、各種物
質の放射光Ｌに対する反射率を求めることができる。
【００２４】そこで、放射性、毒性を有さず、室温にお
いて固状である物質に限定して放射光Ｌの波長λ＝０．
７ 〜２．５ｎｍ の領域における各種物質の放射光Ｌ
に対する反射率を求めたところ、重金属のうちのＲｅ、
Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕが高い反射率を示すことが確認
された。 反射鏡６１に対する斜入射角θが１．０ 度と１．５
度における上記Ｒｅ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕの各々の
反射率を求めた結果を図２に示す。
いて固状である物質に限定して放射光Ｌの波長λ＝０．
７ 〜２．５ｎｍ の領域における各種物質の放射光Ｌ
に対する反射率を求めたところ、重金属のうちのＲｅ、
Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕが高い反射率を示すことが確認
された。 反射鏡６１に対する斜入射角θが１．０ 度と１．５
度における上記Ｒｅ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕの各々の
反射率を求めた結果を図２に示す。
【００２５】また、下表１は原子番号７１〜８１の各物
質の波長λが２．３６ｎｍ、１．８３ｎｍ、１．１９１
ｎｍ、０．９８９ｎｍ の光に対する複素屈折率を（３
）式により計算した結果を示すもので、これらの値を用
いて図２に示す結果を得た。
質の波長λが２．３６ｎｍ、１．８３ｎｍ、１．１９１
ｎｍ、０．９８９ｎｍ の光に対する複素屈折率を（３
）式により計算した結果を示すもので、これらの値を用
いて図２に示す結果を得た。
【００２６】
【表１】
【００２７】上記図２からは、斜入射角θが１．０ 度
および１．５ 度のいずれにおいても、上記５つの物質
のうち、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒがＰｔ、Ａｕよりも高反射率
を示すことが分かる。
および１．５ 度のいずれにおいても、上記５つの物質
のうち、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒがＰｔ、Ａｕよりも高反射率
を示すことが分かる。
【００２８】図２において、たとえば、波長λが１．１
９１ｎｍ の放射光Ｌを斜入射角θを１．０ 度で反射
鏡６１に入射させたとき、反射膜６４がＰｔであると、
放射光Ｌに対する反射率Ｒは８１％であるが、Ｒｅでは
反射率Ｒが８３％に向上することが分かる。
９１ｎｍ の放射光Ｌを斜入射角θを１．０ 度で反射
鏡６１に入射させたとき、反射膜６４がＰｔであると、
放射光Ｌに対する反射率Ｒは８１％であるが、Ｒｅでは
反射率Ｒが８３％に向上することが分かる。
【００２９】以上のことから、反射鏡６１の反射膜６４
にＲｅ、ＯｓあるいはＩｒを選択すれば、放射光Ｌの広
範囲の波長に対して高い反射率を呈する反射鏡６１を得
ることができる。なお、反射鏡の形状は平面に限定され
ず、トロイダル、シリンドリカルなどであってもよい。
にＲｅ、ＯｓあるいはＩｒを選択すれば、放射光Ｌの広
範囲の波長に対して高い反射率を呈する反射鏡６１を得
ることができる。なお、反射鏡の形状は平面に限定され
ず、トロイダル、シリンドリカルなどであってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、シンクロ
トロン放射光源から放射されるシンクロトロン放射光を
反射させるＸ線ミラ−の反射面を、レニウム、オスニウ
ム、イリジウムの重金属のうちのいずれかをコ−テイン
グして形成した。
トロン放射光源から放射されるシンクロトロン放射光を
反射させるＸ線ミラ−の反射面を、レニウム、オスニウ
ム、イリジウムの重金属のうちのいずれかをコ−テイン
グして形成した。
【００３１】上記重金属は金や白金に比べて波長０．７
〜２．５ｎｍ 領域の放射光に対して複素屈折率が小
さく、反射率が高い。そのため、反射鏡で反射した放射
光の反射強度の低下を小さくできるから、Ｘ線露光にお
けるスル−プットの向上を計ることができる。
〜２．５ｎｍ 領域の放射光に対して複素屈折率が小
さく、反射率が高い。そのため、反射鏡で反射した放射
光の反射強度の低下を小さくできるから、Ｘ線露光にお
けるスル−プットの向上を計ることができる。
【図１】この発明の一実施例の反射鏡の一部を示す拡大
断面図。
断面図。
【図２】同じく斜入射角が１．０１度と１．５ 度にお
けるＲｅ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕの波長と反射率との
関係を示すグラフ。
けるＲｅ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕの波長と反射率との
関係を示すグラフ。
【図３】Ｘ線露光装置の概略図。
６１…反射鏡、６２…基板、６４…反射膜（反射面）、
Ｌ…放射光。
Ｌ…放射光。
Claims (1)
- 【請求項１】 シンクロトロン放射光源から放射され
るシンクロトロン放射光を、振動するＸ線ミラ−で反射
させ、Ｘ線マスクを介してＸ線レジストが塗布された被
加工物に照射させるＸ線露光装置において、上記Ｘ線ミ
ラ−の反射面は、レニウム、オスニウム、イリジウムの
重金属のうちのいずれかをコ−テイングして形成されて
いることを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03131299A JP3090711B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 反射鏡、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03131299A JP3090711B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 反射鏡、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355400A true JPH04355400A (ja) | 1992-12-09 |
| JP3090711B2 JP3090711B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=15054722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03131299A Expired - Fee Related JP3090711B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 反射鏡、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3090711B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014131074A (ja) * | 2006-05-19 | 2014-07-10 | Bridgelux Inc | Ｌｅｄ用低光学損失電極構造体 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP03131299A patent/JP3090711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014131074A (ja) * | 2006-05-19 | 2014-07-10 | Bridgelux Inc | Ｌｅｄ用低光学損失電極構造体 |
| US9356194B2 (en) | 2006-05-19 | 2016-05-31 | Bridgelux, Inc. | LEDs with efficient electrode structures |
| US9627589B2 (en) | 2006-05-19 | 2017-04-18 | Bridgelux, Inc. | LEDs with efficient electrode structures |
| US10199543B2 (en) | 2006-05-19 | 2019-02-05 | Bridgelux, Inc. | LEDs with efficient electrode structures |
| US10741726B2 (en) | 2006-05-19 | 2020-08-11 | Bridgelux Inc. | LEDs with efficient electrode structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3090711B2 (ja) | 2000-09-25 |
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