JPH04341570A - 放電電極並びに反応装置 - Google Patents
放電電極並びに反応装置Info
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- JPH04341570A JPH04341570A JP11150491A JP11150491A JPH04341570A JP H04341570 A JPH04341570 A JP H04341570A JP 11150491 A JP11150491 A JP 11150491A JP 11150491 A JP11150491 A JP 11150491A JP H04341570 A JPH04341570 A JP H04341570A
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- electrode
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Landscapes
- Discharge Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放電電極並びに反応装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、デポジションやエッチング等の反
応処理を行う反応装置では、その放電電極の表面は平面
状であった。
応処理を行う反応装置では、その放電電極の表面は平面
状であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような放電電極を
用いた反応装置では、放電状態が不十分（放電範囲が狭
い、放電が不均一等）であったり、膜特性が不満足（膜
質が悪い、膜厚が不均一等）であるといった問題点があ
った。
用いた反応装置では、放電状態が不十分（放電範囲が狭
い、放電が不均一等）であったり、膜特性が不満足（膜
質が悪い、膜厚が不均一等）であるといった問題点があ
った。
【０００４】本発明の目的は、放電状態や膜特性の改善
が可能な放電電極並びに反応装置を提供することである
。
が可能な放電電極並びに反応装置を提供することである
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる放電電極
並びに反応装置は、放電電極の表面を凸凹状にしたもの
である。また、放電電極を縦方向に設置した反応装置で
は、放電電極の表面形状を縦方向に延びる凸凹形状にす
ることが好ましい。
並びに反応装置は、放電電極の表面を凸凹状にしたもの
である。また、放電電極を縦方向に設置した反応装置で
は、放電電極の表面形状を縦方向に延びる凸凹形状にす
ることが好ましい。
【０００６】
【実施例】図１は、実施例を示した説明図である。放電
電極１の表面は凸凹状になっており（凸部１ａ、凹部１
ｂ）、その表面側（対向面側）にはデポジションやエッ
チング等の反応処理を行うための反応ガスの供給孔１ｃ
が設けてある。供給孔１ｃは、凸部１ａと凹部１ｂのい
ずれか一方に設けてもよいし両方に設けてもよい。
電極１の表面は凸凹状になっており（凸部１ａ、凹部１
ｂ）、その表面側（対向面側）にはデポジションやエッ
チング等の反応処理を行うための反応ガスの供給孔１ｃ
が設けてある。供給孔１ｃは、凸部１ａと凹部１ｂのい
ずれか一方に設けてもよいし両方に設けてもよい。
【０００７】放電電極１に対向して基板側電極２が位置
しており、その対向面側には被処理物３（シリコンウエ
ハ、ガラス基板等）が設置される。供給孔１ｃを通して
チャンバ（図示せず）内に反応ガスを供給し、放電電極
１と基板側電極２との間に高周波電圧を印加すれば、両
電極間でプラズマ放電が生じ、被処理物３に対してデポ
ジションやエッチング等の反応処理が行われる。なお、
放電電極１および基板側電極２を横方向に設置した横型
反応装置では、矢印“Ｘ”または“Ｘ´”の方向が鉛直
方向（重力方向）となるように放電電極１を設置するこ
とが好ましい。また、放電電極１および基板側電極２を
縦方向に設置した縦型反応装置では、矢印“Ｙ”の方向
が鉛直方向（重力方向）となるように放電電極１を設置
することが好ましい。このように設置すれば、反応処理
で生じたフレ―ク等が放電電極１にほとんど積もること
がない。
しており、その対向面側には被処理物３（シリコンウエ
ハ、ガラス基板等）が設置される。供給孔１ｃを通して
チャンバ（図示せず）内に反応ガスを供給し、放電電極
１と基板側電極２との間に高周波電圧を印加すれば、両
電極間でプラズマ放電が生じ、被処理物３に対してデポ
ジションやエッチング等の反応処理が行われる。なお、
放電電極１および基板側電極２を横方向に設置した横型
反応装置では、矢印“Ｘ”または“Ｘ´”の方向が鉛直
方向（重力方向）となるように放電電極１を設置するこ
とが好ましい。また、放電電極１および基板側電極２を
縦方向に設置した縦型反応装置では、矢印“Ｙ”の方向
が鉛直方向（重力方向）となるように放電電極１を設置
することが好ましい。このように設置すれば、反応処理
で生じたフレ―ク等が放電電極１にほとんど積もること
がない。
【０００８】図１に示した放電電極１を用いることによ
り、放電電極１のほぼ全域において均一で安定した放電
状態が得られるようになった。これは、放電電極の表面
を凸凹状にすることによりその表面積が増加し、単位面
積当たりの放電パワ―が減少するためであると考えられ
る。図２は、図１に示した放電電極を用いてリンド―プ
のアモルファスシリコンを成膜した場合と、従来の放電
電極を用いてリンド―プのアモルファスシリコンを成膜
した場合とを比較したものである。放電電極の表面形状
以外のパラメ―タ（反応ガス、圧力、放電パワ―等）は
両者とも同じである。横軸（対数スケ―ル）は膜厚、縦
軸（リニアスケ―ル）は電流密度である。図２から明ら
かなように、図１に示した放電電極を用いたとき（ａ）
の方が従来の放電電極を用いたとき（ｂ）よりも電流密
度が高く、膜質の優れたアモルファスシリコン膜が形成
されることがわかる。
り、放電電極１のほぼ全域において均一で安定した放電
状態が得られるようになった。これは、放電電極の表面
を凸凹状にすることによりその表面積が増加し、単位面
積当たりの放電パワ―が減少するためであると考えられ
る。図２は、図１に示した放電電極を用いてリンド―プ
のアモルファスシリコンを成膜した場合と、従来の放電
電極を用いてリンド―プのアモルファスシリコンを成膜
した場合とを比較したものである。放電電極の表面形状
以外のパラメ―タ（反応ガス、圧力、放電パワ―等）は
両者とも同じである。横軸（対数スケ―ル）は膜厚、縦
軸（リニアスケ―ル）は電流密度である。図２から明ら
かなように、図１に示した放電電極を用いたとき（ａ）
の方が従来の放電電極を用いたとき（ｂ）よりも電流密
度が高く、膜質の優れたアモルファスシリコン膜が形成
されることがわかる。
【０００９】図３は、放電電極１の他の実施例を示した
説明図である。このように、凸部１ａをその長さ方向に
適当に区切ってもよい。また、これとは逆に、凸部１ａ
の位置に凹部を形成し、凹部１ｂの位置に凸部を形成し
てもよい。
説明図である。このように、凸部１ａをその長さ方向に
適当に区切ってもよい。また、これとは逆に、凸部１ａ
の位置に凹部を形成し、凹部１ｂの位置に凸部を形成し
てもよい。
【００１０】図４、図５および図６は、図１または図３
に示した放電電極１の断面形状の変形例を示したもので
ある。このように、断面形状に関しては種々のバリエ―
ションが可能である。
に示した放電電極１の断面形状の変形例を示したもので
ある。このように、断面形状に関しては種々のバリエ―
ションが可能である。
【００１１】図７、図８および図９は、図１または図３
に示した放電電極１の断面形状のさらに他の変形例を示
したものである。これらは、ステンレス等を用いた金属
薄板１ｅをスポット溶接等を用いて基体１ｄに取り付け
たものであり、１ｆがスポット溶接部である。これらの
例では、図４、図５および図６の例に比べて、放電電極
１の総重量を低減できる。なお、反応ガスの供給孔は、
基体１ｄには設ける必要はあるが、金属薄板１ｅには設
けても設けなくてもよい。
に示した放電電極１の断面形状のさらに他の変形例を示
したものである。これらは、ステンレス等を用いた金属
薄板１ｅをスポット溶接等を用いて基体１ｄに取り付け
たものであり、１ｆがスポット溶接部である。これらの
例では、図４、図５および図６の例に比べて、放電電極
１の総重量を低減できる。なお、反応ガスの供給孔は、
基体１ｄには設ける必要はあるが、金属薄板１ｅには設
けても設けなくてもよい。
【００１２】図１０は、放電電極１の他の実施例を示し
た説明図である。これは、放電電極１の表面に突起部を
設けることにより、放電電極１の表面を凸凹状にしたも
のである（凸部１ａ、凹部１ｂ）。反応ガスの供給孔１
ｃは凹部１ｂに設けることが好ましい。
た説明図である。これは、放電電極１の表面に突起部を
設けることにより、放電電極１の表面を凸凹状にしたも
のである（凸部１ａ、凹部１ｂ）。反応ガスの供給孔１
ｃは凹部１ｂに設けることが好ましい。
【００１３】図１１は、放電電極１の他の実施例を示し
た説明図である。これは、放電電極１を円筒形にしたと
きの例を示したものであり、放電電極１の内壁に凸部１
ａと凹部１ｂとを形成したものである。放電電極１と円
柱状の被処理物４との間に高周波電圧を印加してプラズ
マ放電を生じさせ、被処理物４に対してデポジションや
エッチング等の反応処理を行うものである。なお、縦型
反応装置では、紙面に垂直な方向が鉛直方向（重力方向
）となるように放電電極１を位置させれば、反応処理で
生じたフレ―ク等が放電電極１の内壁にほとんど積もる
ことがない。
た説明図である。これは、放電電極１を円筒形にしたと
きの例を示したものであり、放電電極１の内壁に凸部１
ａと凹部１ｂとを形成したものである。放電電極１と円
柱状の被処理物４との間に高周波電圧を印加してプラズ
マ放電を生じさせ、被処理物４に対してデポジションや
エッチング等の反応処理を行うものである。なお、縦型
反応装置では、紙面に垂直な方向が鉛直方向（重力方向
）となるように放電電極１を位置させれば、反応処理で
生じたフレ―ク等が放電電極１の内壁にほとんど積もる
ことがない。
【００１４】なお、以上述べた実施例は、放電のエネル
ギーのみで反応処理を行うもののほか、これに光やレー
ザーのエネルギーを組み合わせて反応処理を行うものに
も適用可能である。
ギーのみで反応処理を行うもののほか、これに光やレー
ザーのエネルギーを組み合わせて反応処理を行うものに
も適用可能である。
【００１５】
【発明の効果】本発明では、放電電極の表面を凸凹状に
したため、放電状態や膜特性の改善が可能となる。また
、放電電極を縦方向に設置したものでは、放電電極の表
面形状を縦方向に延びる凸凹形状とすることにより、反
応処理で生じたフレ―ク等が放電電極にほとんど積もる
ことがない。
したため、放電状態や膜特性の改善が可能となる。また
、放電電極を縦方向に設置したものでは、放電電極の表
面形状を縦方向に延びる凸凹形状とすることにより、反
応処理で生じたフレ―ク等が放電電極にほとんど積もる
ことがない。
【図１】実施例を示した説明図である。
【図２】図１に示した放電電極を用いて成膜した場合と
従来の放電電極を用いて成膜した場合とを比較した特性
図である。
従来の放電電極を用いて成膜した場合とを比較した特性
図である。
【図３】他の実施例を示した説明図である。
【図４】図１または図３に示した放電電極の変形例を示
した断面図である。
した断面図である。
【図５】図１または図３に示した放電電極の変形例を示
した断面図である。
した断面図である。
【図６】図１または図３に示した放電電極の変形例を示
した断面図である。
した断面図である。
【図７】図１または図３に示した放電電極の変形例を示
した断面図である。
した断面図である。
【図８】図１または図３に示した放電電極の変形例を示
した断面図である。
した断面図である。
【図９】図１または図３に示した放電電極の変形例を示
した断面図である。
した断面図である。
【図１０】他の実施例を示した説明図である。
【図１１】他の実施例を示した説明図である。
１……放電電極
１ａ…凸部
１ｂ…凹部
Claims (3)
- 【請求項１】 デポジションやエッチング等の反応処
理を行う反応装置の放電電極の表面を凸凹状にした放電
電極。 - 【請求項２】 デポジションやエッチング等の反応処
理を行う反応装置の放電電極の表面を凸凹状にした反応
装置。 - 【請求項３】 上記放電電極は縦方向に設置され、上
記放電電極の表面形状を縦方向に延びる凸凹形状にした
請求項２に記載の反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11150491A JPH04341570A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 放電電極並びに反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11150491A JPH04341570A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 放電電極並びに反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341570A true JPH04341570A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14562982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11150491A Pending JPH04341570A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 放電電極並びに反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04341570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236124A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Asm Japan Kk | シャワープレート及びプラズマ処理装置 |
| JP2011179096A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP11150491A patent/JPH04341570A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236124A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Asm Japan Kk | シャワープレート及びプラズマ処理装置 |
| JP2011179096A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
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