JPH04338197A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成方法Info
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- JPH04338197A JPH04338197A JP10601291A JP10601291A JPH04338197A JP H04338197 A JPH04338197 A JP H04338197A JP 10601291 A JP10601291 A JP 10601291A JP 10601291 A JP10601291 A JP 10601291A JP H04338197 A JPH04338197 A JP H04338197A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンドの合成方
法に関し、特に、ミラー磁場を形成した状態で且つ紫外
線を反応ガス及び基板に照射しつつ合成することにより
、成膜を均一にするとともに、成膜速度を向上させるた
めの新規な改良に関する。
法に関し、特に、ミラー磁場を形成した状態で且つ紫外
線を反応ガス及び基板に照射しつつ合成することにより
、成膜を均一にするとともに、成膜速度を向上させるた
めの新規な改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、用いられていたこの種のダイヤモ
ンドの合成方法としては種々あるが、その中で代表的な
ものについて述べると、例えば、特開昭６２−１３８３
９４号公報および特開昭６３−１０７８９９号公報に開
示されている方法を挙げることができる。すなわち、特
開昭６２−１３８９４号公報においては、炭化水素と水
素の混合ガスを熱電子放射によって活性化し、６００℃
以上１２００℃以下に加熱した基板表面にダイヤモンド
を析出させるダイヤモンドの合成方法において、混合ガ
ス、基板表面、熱電子放射材のいずれかに混合ガスは必
須として、少なくとも１つ以上外部から高出力紫外線を
照射して基板表面上にダイヤモンドを合成するようにし
た方法である。また、特開昭６３−１０７８９９号公報
においては、プラズマ室および反応室内に炭化水素気体
を含む薄膜形成気体を導入し、前記気体に対して外部よ
り磁界およびマイクロ波電力を加え、その相互作用によ
り１００ｐａから１０−２ｐａの圧力範囲でプラズマを
発生せしめ、前記プラズマにより薄膜形成用気体中の励
起されたイオン種、活性種等により、あらかじめ加熱さ
れて反応室内に保持されていた基板表面上にダイヤモン
ドを合成するようにした方法である。
ンドの合成方法としては種々あるが、その中で代表的な
ものについて述べると、例えば、特開昭６２−１３８３
９４号公報および特開昭６３−１０７８９９号公報に開
示されている方法を挙げることができる。すなわち、特
開昭６２−１３８９４号公報においては、炭化水素と水
素の混合ガスを熱電子放射によって活性化し、６００℃
以上１２００℃以下に加熱した基板表面にダイヤモンド
を析出させるダイヤモンドの合成方法において、混合ガ
ス、基板表面、熱電子放射材のいずれかに混合ガスは必
須として、少なくとも１つ以上外部から高出力紫外線を
照射して基板表面上にダイヤモンドを合成するようにし
た方法である。また、特開昭６３−１０７８９９号公報
においては、プラズマ室および反応室内に炭化水素気体
を含む薄膜形成気体を導入し、前記気体に対して外部よ
り磁界およびマイクロ波電力を加え、その相互作用によ
り１００ｐａから１０−２ｐａの圧力範囲でプラズマを
発生せしめ、前記プラズマにより薄膜形成用気体中の励
起されたイオン種、活性種等により、あらかじめ加熱さ
れて反応室内に保持されていた基板表面上にダイヤモン
ドを合成するようにした方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイヤモンドの
合成方法は、以上のように構成されていたため、次のよ
うな課題が存在していた。すなわち、特開昭６２−１３
８３９４号公報の合成方法では、炭化水素と水素の混合
ガスに紫外線を照射しているが、ダイヤモンドの合成方
法に重要な役割を果す水素を活性化できるような実用的
な紫外線発生装置は現在のところ実用化されていない。 また、炭化水素の活性化にエキシマレーザのような紫外
線発生装置を用いることが試みられているが、エキシマ
レーザは非常に高価であり、現状ではナノ秒（ｎｓ，１
０−９秒）オーダの極短時間のパルスを毎秒数回から数
１００回の発光しかできないため、混合ガスに照射され
る積算時間が短く、反応時間に占める照射による活性化
時間が非常に少ないため照射効果は小さく、高価な手段
を用いても紫外線照射の効果は殆ど得られていないのが
現状である。
合成方法は、以上のように構成されていたため、次のよ
うな課題が存在していた。すなわち、特開昭６２−１３
８３９４号公報の合成方法では、炭化水素と水素の混合
ガスに紫外線を照射しているが、ダイヤモンドの合成方
法に重要な役割を果す水素を活性化できるような実用的
な紫外線発生装置は現在のところ実用化されていない。 また、炭化水素の活性化にエキシマレーザのような紫外
線発生装置を用いることが試みられているが、エキシマ
レーザは非常に高価であり、現状ではナノ秒（ｎｓ，１
０−９秒）オーダの極短時間のパルスを毎秒数回から数
１００回の発光しかできないため、混合ガスに照射され
る積算時間が短く、反応時間に占める照射による活性化
時間が非常に少ないため照射効果は小さく、高価な手段
を用いても紫外線照射の効果は殆ど得られていないのが
現状である。
【０００４】また、特開昭６３−１０７８９９号公報の
合成方法においては、反応ガスに対して、何らの補助的
処理を加えることなくプラズマ励起のみでダイヤモンド
の合成を行っていたため、例えば、４インチ基板を用い
て合成した場合、５時間で０．５μｍ厚しか得られず、
この合成時間の短縮を行うことが不可能であった。
合成方法においては、反応ガスに対して、何らの補助的
処理を加えることなくプラズマ励起のみでダイヤモンド
の合成を行っていたため、例えば、４インチ基板を用い
て合成した場合、５時間で０．５μｍ厚しか得られず、
この合成時間の短縮を行うことが不可能であった。
【０００５】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたもので、特に、ミラー磁場を形成した状態
で、例えば、低圧水銀灯のように安価で連続光が得られ
る紫外線発生装置を用いて活性化できる酸素を含む含炭
素化合物の混合ガスを反応ガスとし、プラズマ励起に紫
外線照射による混合ガスと基板表面の活性化および基板
への熱電子放射による活性化を複合することにより、成
膜を均一にするとともに、成膜速度を向上させるように
したダイヤモンドの合成方法を提供することを目的とす
る。
めになされたもので、特に、ミラー磁場を形成した状態
で、例えば、低圧水銀灯のように安価で連続光が得られ
る紫外線発生装置を用いて活性化できる酸素を含む含炭
素化合物の混合ガスを反応ガスとし、プラズマ励起に紫
外線照射による混合ガスと基板表面の活性化および基板
への熱電子放射による活性化を複合することにより、成
膜を均一にするとともに、成膜速度を向上させるように
したダイヤモンドの合成方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるダイヤモン
ドの合成方法は、プラズマ室に少なくとも含炭素化合物
ガスと酸素ガスを含む混合ガスを供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により反応室内に設けられた基板の表面にダイヤモ
ンドを合成するようにしたダイヤモンドの合成方法にお
いて、前記プラズマ室の外周位置に設けられた複数の磁
場発生手段からの磁場によるミラー磁場が形成された状
態で、前記混合ガスに第１紫外線を照射しつつ、前記混
合ガスをマイクロ波プラズマ中を通過させ、さらに通過
後の混合ガスおよび基板表面に第２紫外線を照射させつ
つダイヤモンドを合成する方法である。
ドの合成方法は、プラズマ室に少なくとも含炭素化合物
ガスと酸素ガスを含む混合ガスを供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により反応室内に設けられた基板の表面にダイヤモ
ンドを合成するようにしたダイヤモンドの合成方法にお
いて、前記プラズマ室の外周位置に設けられた複数の磁
場発生手段からの磁場によるミラー磁場が形成された状
態で、前記混合ガスに第１紫外線を照射しつつ、前記混
合ガスをマイクロ波プラズマ中を通過させ、さらに通過
後の混合ガスおよび基板表面に第２紫外線を照射させつ
つダイヤモンドを合成する方法である。
【０００７】さらに詳細には、前記反応室内に設けられ
た熱電子放射材と試料台との間に直流によるバイアス電
位を付加した状態でダイヤモンドの合成を行う方法であ
る。
た熱電子放射材と試料台との間に直流によるバイアス電
位を付加した状態でダイヤモンドの合成を行う方法であ
る。
【０００８】さらに詳細には、前記混合ガスが前記マイ
クロ波プラズマ中を通過するときに照射する前記第１紫
外線の波長と通過後の混合ガスおよび前記基板表面に照
射する第２紫外線の波長とを異なるようにした方法であ
る。
クロ波プラズマ中を通過するときに照射する前記第１紫
外線の波長と通過後の混合ガスおよび前記基板表面に照
射する第２紫外線の波長とを異なるようにした方法であ
る。
【０００９】
【作用】本発明によるダイヤモンドの合成方法において
は、プラズマ室に少なくとも含炭素化合物ガスと酸素ガ
スとを含む混合ガスを供給し、プラズマ室の外周位置に
設けられた複数の磁場発生手段からの磁場によるミラー
磁場が形成された状態で、プラズマ室に取付けられた光
源から発射した第１紫外線を混合ガスに照射しつつこの
混合ガスをマイクロ波プラズマ中を通過させてマイクロ
波プラズマによる混合ガスの分子、原子等の励起をより
促進し、さらにプラズマ中を通過した後にも第２紫外線
を照射してまだ励起されずに残っている混合ガスを励起
し、加えて基板の表面にも第２紫外線を照射して基板の
表面を清浄化するとともに、励起して粒子の基板上で動
ける距離を大きくし、基板上の空いている空隙に粒子が
入って行くようにすることによって、均一なダイヤモン
ド膜が迅速に形成される。また、ミラー磁場により磁場
分布がととのい、プラズマ密度の均一化、膜厚の均一化
が行われる。加えて、基板の表面への熱電子衝撃によっ
て成膜速度がさらに向上する。
は、プラズマ室に少なくとも含炭素化合物ガスと酸素ガ
スとを含む混合ガスを供給し、プラズマ室の外周位置に
設けられた複数の磁場発生手段からの磁場によるミラー
磁場が形成された状態で、プラズマ室に取付けられた光
源から発射した第１紫外線を混合ガスに照射しつつこの
混合ガスをマイクロ波プラズマ中を通過させてマイクロ
波プラズマによる混合ガスの分子、原子等の励起をより
促進し、さらにプラズマ中を通過した後にも第２紫外線
を照射してまだ励起されずに残っている混合ガスを励起
し、加えて基板の表面にも第２紫外線を照射して基板の
表面を清浄化するとともに、励起して粒子の基板上で動
ける距離を大きくし、基板上の空いている空隙に粒子が
入って行くようにすることによって、均一なダイヤモン
ド膜が迅速に形成される。また、ミラー磁場により磁場
分布がととのい、プラズマ密度の均一化、膜厚の均一化
が行われる。加えて、基板の表面への熱電子衝撃によっ
て成膜速度がさらに向上する。
【００１０】
【実施例】以下、図面とともに本発明によるダイヤモン
ドの合成方法の好適な実施例について詳細に説明する。 図１は本発明によるダイヤモンドの合成方法に適用する
ダイヤモンド合成装置を示す概略構成図、図２は図１の
要部の拡大図である。
ドの合成方法の好適な実施例について詳細に説明する。 図１は本発明によるダイヤモンドの合成方法に適用する
ダイヤモンド合成装置を示す概略構成図、図２は図１の
要部の拡大図である。
【００１１】図１において符号１で示されるものは密閉
状態に構成され排気手段１Ａを介して真空状態に保持さ
れた反応室であり、この反応室１には、プラズマ室４が
接続されており、前記反応室１とプラズマ室４には少な
くとも炭素化合物ガスと酸素ガスとを含む混合ガス２を
供給するためのガス供給管２Ａが各々設けられている。 なお、前記反応室１に供給される前記混合ガス２と前記
プラズマ室４に供給される前記混合ガス２とは同種類の
ものであってもよく、異なった種類のものであってもよ
い。
状態に構成され排気手段１Ａを介して真空状態に保持さ
れた反応室であり、この反応室１には、プラズマ室４が
接続されており、前記反応室１とプラズマ室４には少な
くとも炭素化合物ガスと酸素ガスとを含む混合ガス２を
供給するためのガス供給管２Ａが各々設けられている。 なお、前記反応室１に供給される前記混合ガス２と前記
プラズマ室４に供給される前記混合ガス２とは同種類の
ものであってもよく、異なった種類のものであってもよ
い。
【００１２】前記プラズマ室４には、前記反応室１内に
磁場５ａ（図２に示す）を発生させるための励磁コイル
からなる磁場発生手段５及び複数のマイクロ波発振機３
からのマイクロ波３Ａを供給するためのマイクロ波供給
管３Ｂが設けられている。前記プラズマ室４の一端４ａ
及び他端４ｂには、各々第１光源８及び第１電源９が設
けられ、各第１光源８からは第１紫外線８ａが出射され
ている。前記反応室１の上端１ａには、第２光源６が取
付けられ、前記第２光源６には第２電源７が接続されて
おり、前記第２光源６からは第２紫外線６ａが出射して
いる。
磁場５ａ（図２に示す）を発生させるための励磁コイル
からなる磁場発生手段５及び複数のマイクロ波発振機３
からのマイクロ波３Ａを供給するためのマイクロ波供給
管３Ｂが設けられている。前記プラズマ室４の一端４ａ
及び他端４ｂには、各々第１光源８及び第１電源９が設
けられ、各第１光源８からは第１紫外線８ａが出射され
ている。前記反応室１の上端１ａには、第２光源６が取
付けられ、前記第２光源６には第２電源７が接続されて
おり、前記第２光源６からは第２紫外線６ａが出射して
いる。
【００１３】前記各光源６，８は、紫外線６ａ，８ａを
発射するための例えば重水素ランプ、水銀ランプおよび
キセノンランプ等から構成されている。前記第１紫外線
８ａは、前記プラズマ室４内の前記混合ガス２と前記マ
イクロ波３Ａによってつくられたプラズマ中に照射され
るように構成されている。また、前記第２紫外線６ａは
、前記反応室１の内部に位置して配置された試料台１０
に取付けられた基板１１の表面１１ａと前記混合ガス２
に照射されるように構成されている。
発射するための例えば重水素ランプ、水銀ランプおよび
キセノンランプ等から構成されている。前記第１紫外線
８ａは、前記プラズマ室４内の前記混合ガス２と前記マ
イクロ波３Ａによってつくられたプラズマ中に照射され
るように構成されている。また、前記第２紫外線６ａは
、前記反応室１の内部に位置して配置された試料台１０
に取付けられた基板１１の表面１１ａと前記混合ガス２
に照射されるように構成されている。
【００１４】前記反応室１内に設置された前記試料台１
０に対向する上方位置には、熱電子放射材１２が設けら
れ、前記熱電子放射材１２にはこれを加熱するための電
源１４が接続され、前記試料台１０と前記熱電子放射材
１２とにバイアス電位を付加するための電源１３が接続
されている。前記磁場発生手段５は、第２図に示される
ように前記反応室１の外周位置に複数個配置され、各磁
場発生手段５からの磁場５ａにより反応室１内では各磁
場がぶつかり合ってミラー磁場が形成されている。
０に対向する上方位置には、熱電子放射材１２が設けら
れ、前記熱電子放射材１２にはこれを加熱するための電
源１４が接続され、前記試料台１０と前記熱電子放射材
１２とにバイアス電位を付加するための電源１３が接続
されている。前記磁場発生手段５は、第２図に示される
ように前記反応室１の外周位置に複数個配置され、各磁
場発生手段５からの磁場５ａにより反応室１内では各磁
場がぶつかり合ってミラー磁場が形成されている。
【００１５】従って、前述のダイヤモンド合成装置を用
い、前記ミラー磁場が形成された状態下で、且つ、反応
室１およびプラズマ室４に混合ガス２を供給しプラズマ
室４の第１光源８からの第１紫外線８ａを混合ガス２に
照射しつつプラズマ中を通過させ、プラズマによる混合
ガス２の分子、原子等の励起をより促進し、さらにプラ
ズマ中を通過した後にも反応室１の第２光源６からの第
２紫外線６ａを照射して、まだ励起されずに残っている
混合ガス２を励起し、加えて基板１１の表面１１ａにも
第２紫外線６ａを照射して基板１１の表面１１ａが第２
紫外線６ａによって清浄化されつつ、反応室１内で基板
１１の表面１１ａにダイヤモンド膜（図示せず）が生成
される。
い、前記ミラー磁場が形成された状態下で、且つ、反応
室１およびプラズマ室４に混合ガス２を供給しプラズマ
室４の第１光源８からの第１紫外線８ａを混合ガス２に
照射しつつプラズマ中を通過させ、プラズマによる混合
ガス２の分子、原子等の励起をより促進し、さらにプラ
ズマ中を通過した後にも反応室１の第２光源６からの第
２紫外線６ａを照射して、まだ励起されずに残っている
混合ガス２を励起し、加えて基板１１の表面１１ａにも
第２紫外線６ａを照射して基板１１の表面１１ａが第２
紫外線６ａによって清浄化されつつ、反応室１内で基板
１１の表面１１ａにダイヤモンド膜（図示せず）が生成
される。
【００１６】この場合、プラズマ中に第１紫外線８ａを
照射させることによりプラズマ中の混合ガス２の分子、
原子等がより活性化され、さらにプラズマ通過後にも第
２紫外線６ａを照射させることにより、まだ励起されず
に残っている混合ガス２も活性化され、加えて基板１１
の表面１１ａにも第２紫外線６ａを照射させることによ
り表面１１ａが清浄化され、粒子が基板１１上で動ける
距離が大となり、粒子が空いている空隙に入り込むため
均一なダイヤモンド膜を迅速に得ることができる。また
、ミラー磁場の発生により磁場分布が均一な状態となり
、膜厚の均一化、プラズマ密度の均一化がなされる。
照射させることによりプラズマ中の混合ガス２の分子、
原子等がより活性化され、さらにプラズマ通過後にも第
２紫外線６ａを照射させることにより、まだ励起されず
に残っている混合ガス２も活性化され、加えて基板１１
の表面１１ａにも第２紫外線６ａを照射させることによ
り表面１１ａが清浄化され、粒子が基板１１上で動ける
距離が大となり、粒子が空いている空隙に入り込むため
均一なダイヤモンド膜を迅速に得ることができる。また
、ミラー磁場の発生により磁場分布が均一な状態となり
、膜厚の均一化、プラズマ密度の均一化がなされる。
【００１７】また、熱電子放射材１２を加熱して熱電子
を放射させ、試料台１０を正とし熱電子放射材１２を負
としてバイアス電位を負荷することによってさらに成膜
速度を上げることができる。混合ガス２に酸素ガスを含
めているので、市販の安価でかつ連続光が得られる紫外
線発光装置を用いて混合ガスおよび基板１１を活性化で
きるので、ダイヤモンド膜を安く得ることができる。
を放射させ、試料台１０を正とし熱電子放射材１２を負
としてバイアス電位を負荷することによってさらに成膜
速度を上げることができる。混合ガス２に酸素ガスを含
めているので、市販の安価でかつ連続光が得られる紫外
線発光装置を用いて混合ガスおよび基板１１を活性化で
きるので、ダイヤモンド膜を安く得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によるダイヤモンドの合成方法は
、以上のように構成されているので、次のような効果を
得ることができる。すなわち、ミラー磁場を形成した状
態下で、混合ガスに第１紫外線を照射しつつ前記混合ガ
スをマイクロ波プラズマ中を通過させ、さらに通過後の
混合ガスおよび基板表面に第２紫外線を照射させつつダ
イヤモンドの合成を行うため、紫外線によってプラズマ
中の分子、原子等をより活性化し、また、基板の表面を
清浄化しつつダイヤモンド成膜を行うことができ、粒子
の付着が迅速化され、均一な膜を従来の方法より高速に
成膜することができる。また、紫外線を発生する手段も
安価なものでよく、且つ、酸素ガスを含む反応ガスを用
いるので、安価な光発生装置によって活性化できる、安
いコストで成膜することができる。
、以上のように構成されているので、次のような効果を
得ることができる。すなわち、ミラー磁場を形成した状
態下で、混合ガスに第１紫外線を照射しつつ前記混合ガ
スをマイクロ波プラズマ中を通過させ、さらに通過後の
混合ガスおよび基板表面に第２紫外線を照射させつつダ
イヤモンドの合成を行うため、紫外線によってプラズマ
中の分子、原子等をより活性化し、また、基板の表面を
清浄化しつつダイヤモンド成膜を行うことができ、粒子
の付着が迅速化され、均一な膜を従来の方法より高速に
成膜することができる。また、紫外線を発生する手段も
安価なものでよく、且つ、酸素ガスを含む反応ガスを用
いるので、安価な光発生装置によって活性化できる、安
いコストで成膜することができる。
【図１】本発明によるダイヤモンドの合成方法に適用す
るダイヤモンド合成装置を示す概略構成図である。
るダイヤモンド合成装置を示す概略構成図である。
【図２】図１の要部を示す拡大図である。
１ 反応室
２ 混合ガス
４ プラズマ室
５ 磁場発生手段
６ａ 第２紫外線
８ａ 第１紫外線
１０ 試料台
１１ 基板
１１ａ 表面
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマ室（４）内に少なくとも含炭
素化合物ガスと酸素ガスを含む混合ガス（２）を供給し
、プラズマＣＶＤ法により反応室（１）内に設けられた
基板（１１）の表面（１１ａ）にダイヤモンドを合成す
るようにしたダイヤモンドの合成方法において、前記プ
ラズマ室（４）の外周位置に設けられた複数の磁場発生
手段（５）からの磁場によるミラー磁場が形成された状
態で、前記混合ガス（２）に第１紫外線（８ａ）を照射
しつつ、前記混合ガス（２）をマイクロ波プラズマ中を
通過させ、さらに、通過後の混合ガス（２）および基板
表面（１１ａ）に第２紫外線（６ａ）を照射しつつダイ
ヤモンドの合成を行うようにしたことを特徴とするダイ
ヤモンドの合成方法。 - 【請求項２】 前記反応室（１）内に設けられた熱電
子放射材（１２）と試料台（１０）との間に直流による
バイアス電位を付加した状態でダイヤモンドの合成を行
うようにしたことを特徴とする請求項１記載のダイヤモ
ンドの合成方法。 - 【請求項３】 前記混合ガス（２）が前記マイクロ波
プラズマ中を通過するときに照射する前記第１紫外線（
８ａ）の波長と通過後の混合ガス（２）および前記基板
表面（１１ａ）に照射する第２紫外線（６ａ）の波長と
は異なることを特徴とする請求項１又は２記載のダイヤ
モンドの合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10601291A JPH04338197A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | ダイヤモンドの合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10601291A JPH04338197A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | ダイヤモンドの合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04338197A true JPH04338197A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14422755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10601291A Pending JPH04338197A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | ダイヤモンドの合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04338197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010069715A (ko) * | 2001-04-30 | 2001-07-25 | 조육형 | 플라스틱 필름의 연속 표면 개질장치 |
| JP2013534275A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-02 | ディアロテック | 化学蒸着によって材料、特にダイヤモンドを合成する方法、及び該方法を適用するための装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180999A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-14 | Nec Corp | ダイヤモンドの合成方法 |
| JPS63123897A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
| JPS63185891A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP10601291A patent/JPH04338197A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63185891A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010069715A (ko) * | 2001-04-30 | 2001-07-25 | 조육형 | 플라스틱 필름의 연속 표면 개질장치 |
| JP2013534275A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-02 | ディアロテック | 化学蒸着によって材料、特にダイヤモンドを合成する方法、及び該方法を適用するための装置 |
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