JPH04331923A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示用絵素電極にスイ
ッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、
表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリ
クス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリク
ス駆動方式の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配設
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。表示絵素の選択方式として、
個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極のそれ
ぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。絵素電極を選
択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）素子
、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に使用され、絵素電極とこれに対向する対向電極
間に印加される電圧をスイッチング素子でスイッチング
して、両電極間に介在させた液晶、ＥＬ発光層あるいは
プラズマ発光体等の表示媒体を光学的に変調して、該光
学的変調が表示パターンとして視認される。このような
、アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの
表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッ
サ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されている
。

【０００３】ところで、このようなアクティブマトリク
ス表示装置において、例えばスイッチング素子が不良素
子として形成されると、その不良素子に接続された絵素
電極には本来与えられるべき信号が入力されないため、
表示画面上では点状の絵素欠陥、即ち、点欠陥として認
識される。このような点欠陥は、表示装置の表示品位を
著しく損ない、製品歩留りの観点から大きな問題になる
。

【０００４】絵素不良の主たる原因は、以下の２種類の
ものに大別される。１つは、走査信号（ゲートバスライ
ンからの信号）によってスイッチング素子が選択されて
いる時間内に、絵素電極を十分に充電できないために起
こる不良（以下ＯＮ不良という）であり、今１つは、ス
イッチング素子の非選択時に絵素電極に充電した電荷が
漏洩する不良（以下ＯＦＦ不良という）である。

【０００５】ここで、ＯＮ不良はスイッチング素子の不
良に起因するが、ＯＦＦ不良はスイッチング素子を介し
て電気的漏洩が起こる場合と、絵素電極とバスラインと
の間に電気的漏洩が起こる場合との２種類がある。ＯＮ
不良、ＯＦＦ不良いずれの場合も、絵素電極と対向電極
との間に印加される電圧が必要な値に達しなくなるため
、ノーマリホワイトモード（液晶に印加される電圧が０
の時に光の透過率等が最大になる表示モード）を採用す
る場合は、絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラック
モード（電圧０で透過率が最低になる表示モード）を採
用する場合は黒点に見えることになる。

【０００６】このような点欠陥はスイッチング素子が配
設される基板の作成段階で発見されれば、レーザートリ
ミング等で修正可能である。しかしながら、該基板の作
成途中で膨大な数の絵素の中からかかる点欠陥を検出す
るのは極めて困難であり、製造時間や製造コストを考慮
すると、量産レベルでは不可能といってよい。特に、絵
素数が１０万〜５０万個におよぶ大型表示パネルでは完
全に不可能であるといえる。

【０００７】そこで、最近ではこの種の点欠陥を容易に
検出でき、且つ該点欠陥を簡単に修復することができる
構造のアクティブマトリクス表示装置が種々提案されて
きており、その一例として以下に説明する冗長構造をと
るアクティブマトリクス表示装置がある。このアクティ
ブマトリクス表示装置においては、液晶を封入して該ア
クティブマトリクス表示装置を点灯できる状態にして点
欠陥を検出し、その後、不良絵素の絵素電極と最近接の
ソースバスラインとを、ガラス基板越しにレーザーを照
射することにより、電気的に導通（短絡）させて点欠陥
を修復する手法が取られる。

【０００８】上記のようにして、不良絵素の絵素電極と
最近接のソースバスラインとを電気的に導通させると、
不良絵素の絵素電極にゲートバスラインからの信号にか
かわらず、ソースバスラインからの信号がそのまま入力
されることになる。通常の絵素（正常絵素）ではゲート
バスラインの選択時間内に供給されたソース信号のみを
充電し、これを１周期分（次の選択時間が来るまでの時
間）保持するのに対し、この場合はゲートバスラインの
選択・非選択にかかわらず常にソース信号を充電するこ
とになる。従って、この場合は、１周期を通してみると
この間に入力されたソース電圧の実行値が液晶に加わる
ことになる。それ故、不良絵素の帰属するソースバスラ
インに付属した全ての絵素の平均的な明るさに不良絵素
が点灯することになる。この状態は完全な輝点でもなく
黒点でもない。この結果、上記修復が施された絵素は正
常に作動しているわけではないが、点欠陥として極めて
判別しにくい状態になっており、点欠間が実質的に修復
されたといえる。

【０００９】図６および図７は上記した冗長構造をとる
アクティブマトリクス表示装置の一従来例を示す。図６
に示される従来例は、ゲートバスライン２１、ソースバ
スライン２３、ＴＦＴ３１および絵素電極４１からなる
１つのユニット内に絵素電極４１とソースバスライン２
３とを短絡させるための冗長構造を有している。

【００１０】該冗長構造において、点欠陥の検出、修復
は以下のようにして行われる。すなわち、検出は図示さ
れるＴＦＴ３１等が配設されたガラス基板と対向電極側
のガラス基板とを貼り合わせ、両ガラス基板間に液晶を
封入し、この状態でゲートバスライン２１、ソースバス
ライン２３および対向電極に適当な信号を印加して絵素
を点灯し、その点灯状態を検査員が目視で検査して点欠
陥の検出が行われる。点欠陥が見つかったら、次にこの
絵素をレーザー光等のエネルギ照射により修復する。

【００１１】具体的には、ソースバスライン２３から絵
素電極４１に向けて突出形成されたソースバスライン突
出部２４と、該ソースバスライン突出部２４に絶縁膜を
介して重畳された導電体部４７との重畳部、および導電
体部４７と、該導電体部４７の先端部に絶縁膜を介して
重畳された導電体片４８との重畳部にレーザー光を照射
し、該当部位を小さなスポットで打ち抜く。これにより
、打ち抜かれた穴の周囲を介して導電体部４７とゲート
バスライン突出部２４および導電体部４７と導電体片４
８が電気的に接続され、結局、絵素電極４１とソースバ
スライン２３とが短絡される。従って、絵素電極４１が
ソースバスライン２３と常に同電位になり、これで目的
が達成される。

【００１２】一方、図７の従来例では、図上左側隅部に
冗長構造が形成され、該冗長構造は、ＴＦＴ３１が形成
されるゲートバスライン２１に隣接するゲートバスライ
ン２１ａから絵素電極４１に向けて突出形成されたゲー
トバスライン突出部２５、該ゲートバスライン突出部２
５の基端部に絶縁膜を介して重畳されたソースバスライ
ン突出部２４、および該ゲートバスライン突出部２５の
先端部に絶縁膜を介して重畳された導電体片４８を、組
み合わせた構造からなる。該絶縁膜の存在により、これ
らは初期状態において電気的に絶縁されている。

【００１３】上記同様に液晶封入状態で点灯して点欠陥
が検出されると、まずガラス基板越しにレーザー光をゲ
ートバスライン突出部２５の根元部に照射し、ゲートバ
スライン突出部２５を根元から切断する。これにより、
ゲートバスライン突出部２５はゲートバスライン２１ａ
から電気的に隔絶された状態になる。続いて、ゲートバ
スライン突出部２５とソースバスライン突出部２４の重
畳部およびゲートバスライン突出部２５と導電体片４８
の重畳部にそれぞれ２回目および３回目のレーザー光照
射を行う。これにより、ゲートバスライン突出部２５と
ソースバスライン突出部２４およびゲートバスライン突
出部２５と導電体片２４がそれぞれ電気的に接続され、
結局ソースバスライン２３と絵素電気欲４１とが短絡さ
れる。これにより、上記同様に点欠陥が修復される。

【００１４】ここで、ソースバスライン２３と絵素電極
４１との短絡は、スイッチング素子としてのＴＦＴ３１
の選択期間における抵抗値よりも大きい値である必要が
ある。これは、ＴＦＴ３１の書き込み時間毎に変化する
ソースバスライン２３からの信号を速やかに絵素に充電
しなければ、絵素電極４１に加わるソース信号の電圧の
実行値が小さくなってしまうからである。レーザー光を
用いた上記修復処理によればかかる条件を確実にクリア
できる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】）上記冗長構造をとる
従来例においては、点欠陥を実質的に修復するためには
レーザー照射後に上下に重畳された導電体が確実に導通
していることが必要になる。上下の導電体の導通は、上
記のように重畳部分にレーザーで小さなスポット状の穴
を明け、該穴の周囲部において上下間を導通して行われ
る。従来の冗長構造では、導電体片４８の大きさはせい
ぜい１０μｍ四方であり、この部分をレーザーで打ち抜
くことになる。

【００１６】ところで、通常このような加工に用いられ
る代表的なＹＡＧレーザー（波長１０５３ｎｍ）の加工
精度は数μｍ角の穴を加工できる程度である。従って、
ＹＡＧレーザーで上記導電体片４８に穴を加工する場合
は、穴の面積が導電体片４８の面積に対して僅かに小さ
い程度となる。それ故、図８（ａ）に示すように、導電
体片４８の中央にレーザー光を照射すると、レーザー光
の照射領域５１が導電体片４８の面積よりも僅かに小さ
いため、導電体片４８が完全に粉砕されてしまい、上下
間の導通が全くとれない事態を招くおそれがある。

【００１７】このような不具合を防止するには、図８（
ｂ）に示すように導電体片４８の端部よりの部分にレー
ザー光を照射すればよい。しかるに、この方法によれば
、図８（ｂ）に網掛け線５２で示すように、上下間の導
通をとるべき穴の周囲部の周長が短く、接続確率が十分
とは言えない。従って、上下間の導通を確実に行うには
不十分である。

【００１８】また、ＹＡＧレーザーの照射による導電体
片４８の四散を防止するには、レーザー光の照射領域５
１に対して導電体片４８を含む冗長構造の面積を十分大
きくすればよい。しかるに、本来不必要である冗長構造
を大きくすることは有効な解決法とは言えない。

【００１９】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するものであり、冗長構造を大きくすることなく、点
欠陥を確実に修復でき、製品の歩留りを格段に向上でき
るアクティブマトリクス表示装置を提供することを目的
とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、一対の絶縁性基板の何れか一方の基
板上に走査線および信号線を格子状に配線し、該走査線
および信号線で囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設
すると共に、該絵素電極と該走査線および信号線にそれ
ぞれスイッチング素子を接続したアクティブマトリクス
液晶表示装置において、該絵素電極に向けて該信号線か
ら突出形成され、該絵素電極と電気的に非接触の信号線
突出部と、該信号線突出部に一端側が絶縁膜を介して重
畳され、該信号線、該走査線および該絵素電極と電気的
に非接触の導電体部と、該導電体部の他端側に、他端末
部を完全に覆うようにして絶縁膜を介して重畳され、該
絵素電極に電気的に接触し、且つ該信号線突出部と電気
的に非接触の導電体片とを備えてなり、そのことにより
上記目的が達成される。

【００２１】前記走査線に隣接する走査線から前記絵素
電極に向けて突出形成された走査線突出部や前記絵素電
極の下部に付加容量を形成する付加容量バスラインから
該絵素電極に向けて突出形成された付加容量バスライン
突出部で前記導電体部を形成することもできる。

【００２２】

【作用】上記構成のアクティブマトリクス表示装置にお
いて、スイッチング素子が配設される基板と対向電極側
の基板とを貼り合わせ、両者間に液晶を封入した後、走
査線、信号線および絵素電極に適当な駆動信号を与える
と、アクティブマトリクス表示装置が表示パターンを表
示するので、その表示画面を視認することにより、点欠
陥を容易に発見できる。

【００２３】そして、点欠陥を発見すると、導電体部と
導電体片との重畳部、より具体的には図３に示される照
射領域５１にレーザー光を照射する。図３において、導
電体片４８は下方の導電体部４７の先端から少し突出し
た状態で該導電体部４７の先端を完全に覆うようにして
、絶縁膜を介して重畳されている。また、照射領域５１
の一部は導電体部４７の先端からはみ出している。

【００２４】このような照射領域５１にレーザー光を照
射すると、レーザー光が導電体部４７と導電体片４８間
に介在させた絶縁膜を突き破り、これにより図３に網掛
け線５２で示される照射領域５１の端部において導電体
片４８と導電体部４７が短絡される。

【００２５】このとき、上記した冗長構造によれば、図
から明かなように、導電体片４８と導電体部４７との接
続部における周長を十分確保できる。なおかつ、照射領
域が重畳部の端部よりの位置に選定されているので、レ
ーザー照射により導電体片４８が四散することがない。 それ故、このような冗長構造によれば、上下の導電体の
接続確率を十分大きくでき、両者を確実に導通させるこ
とが可能になる。

【００２６】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００２７】図１〜図３は本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一対
の透明絶縁性基板１、２間に液晶１８を封入してなる。 下側の基板１上には、走査線として機能する複数本のゲ
ートバスライン２１、２１…および信号線として機能す
る複数本のソースバスライン２３、…が縦横に配線され
、両バスライン２１、２３で囲まれる矩形上の領域それ
ぞれに絵素電極４１がマトリクス状に配設される。ゲー
トバスライン２１にはこれから分岐したゲートバス支線
２２が形成され、該ゲートバス支線２２の先端部にはＴ
ＦＴ３１が形成される。ＴＦＴ３１はスイッチング素子
として機能し、絵素電極４１に接続される。

【００２８】ＴＦＴ３１形成部の反対側に相当する絵素
電極４１の隅部には先端部が絵素電極４１に重畳される
矩形状をなす導電体部４７が形成される。該導電体部４
７の基端部上方にはソースバスライン２３から突出形成
されたソースバスライン突出部２４がゲート絶縁膜１３
（図２参照）を介して重畳される。加えて、導電体部４
７の先端部上方には、該先端部の全面を覆い、且つ先端
が導電体部４７よりも突出する導電体片４８がゲート絶
縁膜１３を介して重畳される。該導電体片４８は導電体
部４７と交差する方向に長い矩形状をなす。

【００２９】以下各部の詳細を制作手順に従って説明す
る。図２に示すように、まず透明絶縁性基板１上にゲー
トバスライン２１を作製する。この作製は、一般にＴａ
、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層又は多層の金属をスパッタ
リング法により透明絶縁性基板１上に堆積し、その後に
パターニングして作成される。この時、同時にゲートバ
ス支線２２および導電体部４７が作製される。本実施例
では透明絶縁性基板１としてガラス基板１を用いた。 なお、ゲートバスライン２１の下にベースコート膜とし
てＴａ２Ｏ５等の絶縁膜を形成することにしてもよい。

【００３０】次いで、ゲートバスライン２１（ゲートバ
ス支線２２及び導電体部４７を含む）上にゲート絶縁膜
１３を積層する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法によ
りＳｉＮｘ膜を３００ｎｍ堆積してゲート絶縁膜１３と
した。なお、ゲート絶縁膜１３を形成する前に、ゲート
バスライン２１を陽極酸化して、Ｔａ２Ｏ５からなる酸
化膜１２を形成してもよい。

【００３１】次いで、プラズマＣＶＤ法により半導体層
１４およびエッチングストッパ層１５をゲート絶縁膜１
３の上に連続して形成する。半導体層１４はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）層で構成され、エッチングスト
ッパ層１５はＳｉＮｘ層で構成される。それぞれの膜厚
は３０ｎｍ、２００ｎｍとする。そして、エッチングス
トッパ層１５をパターニングし、その後、リンを添加し
たｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をプラズマＣＶＤ法で８０ｎｍ
の厚みで積層する。このｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６は半導体
層１４と、その後に積層されるソース電極３２又はドレ
イン電極３３とのオーミックコンタクトを良好にするた
めに形成される。

【００３２】次いで、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をパターニ
ングし、その後、ソース金属をスパッタリング法により
積層する。ソース金属としては、一般に、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられるが、本実施例ではＴｉを使用
した。そして、Ｔｉ金属層をパターニングし、ソース電
極３２およびドレイン電極３３を得る。この時、ソース
バスライン２３、ソースバスライン突出部２４および導
電体片４８が同時に形成される。これにより、図２にそ
の構造を示すＴＦＴ３１が作製される。

【００３３】次いで、絵素電極４１となる透明導電性物
質を積層する。本実施例では透明導電性物質として、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）をスパッタ
リング法により積層し、これをパターニングして絵素電
極４１を得る。該絵素電極４１は上記のようにゲートバ
スライン２１とソースバスライン２３で囲まれた矩形の
領域に積層形成され、図２に示すように、その端部はＴ
ＦＴ３１のドレイン電極３３の端部に積層され、また、
導電体片４８上に積層される。これにより、絵素電極４
１とＴＦＴ３１のドレイン電極３３および導電体片４４
が導通状態になる。

【００３４】絵素電極４１を形成したガラス基板１上の
全面には、ＳｉＮｘからなる保護膜１７が堆積される。 該保護膜１７は、絵素電極４１の中央部で除去した窓あ
き形状にしてもよい。保護膜１７上には配向膜１９が形
成される。該保護膜１７についても、その中央部を除去
した窓あき形状にしてもよい。図２に示すように、ガラ
ス基板１に対向するガラス基板２上には、対向電極３及
び配向膜９が形成される。そして、これらのガラス基板
１、２の間に液晶１８を封入し、本実施例のアクティブ
マトリクス表示装置が作成される。

【００３５】次に、本実施例のアクティブマトリクス表
示装置において絵素欠陥が生じた場合の修復方法につい
て説明する。通常、絵素電極４１はＴＦＴ３１によって
駆動され、ＴＦＴ３１が正常に動作している限り、ゲー
トバスライン２１とソースバスライン２３に囲まれた領
域の絵素は正常に動作し、表示上の問題は発生しない。 ところが、ＴＦＴ３１が異常を来たしたり、ソースバス
ライン２３と絵素電極４１の間に弱い電流リークが発生
したりすると、絵素欠陥が現れ、表示上の問題として認
識される。これを本実施例においては以下のようにして
修復する。

【００３６】すなわち、アクティブマトリクス表示装置
を駆動して、絵素欠陥を確認すると、まず、導電体部４
７とソースバスライン突出部２４との重畳部および導電
体部４７と導電体片４８との重畳部に、光エネルギの一
例としてＹＡＧレーザー光を照射する。レーザー光が照
射された部分ではレーザー光が上記した上下の導電体間
のゲート絶縁膜１３を突き破る。これにより、レーザー
光が照射された部分の端部において上下の導電体が短絡
される。

【００３７】なお、導電体部４７と導電体片４８との重
畳部におけるレーザー光の照射部は図３に破線で示され
る照射領域５１とする。該照射領域５１の一部は導電体
部４７の先端からはみ出しており、はみ出し部を形成す
ると、次に説明する接続部における周長を大きくできる
利点がある。

【００３８】上記の照射領域５１にレーザー光を照射す
る場合は、図中に網掛け線５２で示すように、導電体部
４７と導電体片４８との接続部における周長を図８（ｂ
）に示される上記従来例の周長に比べて格段に大きくで
きる。また、図から明かなように、導電体片４８の面積
に比べて照射領域５１の面積が小さくなっている。 従って、導電体片４８が四散することがない。

【００３９】上記２箇所の位置に対するレーザー光の照
射により、ソースバスライン突出部２４と導電体部４７
が導通され、且つ導電体部４７と導電体片４８が導通さ
れる。従って、結果的にソースバスライン２４と絵素電
極４１が短絡される。それ故、点欠陥を発生している絵
素は隣接したソースバスライン２３に沿った全ての絵素
の平均的な明るさに点灯され、表示上欠陥として極めて
視認しにくくなる。

【００４０】なお、レーザー光の照射はガラス基板１の
裏側から或はガラス基板２側から行うことができるが、
本実施例のアクティブマトリクス表示装置においては、
対向電極側が遮光用の導電体で覆われ、直接レーザー光
を照射することができない。そこで、本実施例ではガラ
ス基板の裏側から照射した。また、上記２箇所の位置に
対するレーザー光の照射順序は、上記順序に限定される
ものではない。

【００４１】図４は本発明の他の実施例を示しており、
この実施例では上記した導電体部４７に代えて、ＴＦＴ
３１に接続されるゲートバスライン２１に隣接するゲー
トバスライン２１ａから絵素電極４１に向けて突出形成
したゲートバスライン突出部２５を用いる構成をとる。 この実施例によれば以下に示す利点がある。

【００４２】すなわち、一般にゲートバスライン２１を
陽極酸化して表面にＴａ酸化膜を形成し絶縁膜を２層構
造として絶縁性を高める構造がよく使用されるが、導電
体部４７をゲートバスライン２１に接続してあると、ゲ
ートバスライン２１の陽極酸化を行う際に同時に陽極酸
化膜が形成されるので、この部分の絶縁特性を向上でき
る利点がある。そこで、本実施例ではかかる利点を生か
すべく、ゲートバスライン２１ａから突出形成したゲー
トバスライン突出部２５で導電体部を形成する構成をと
る。

【００４３】但し、この実施例においては、レーザー光
を照射する際にゲートバスライン２１ａからゲートバス
ライン突出部２５を切り離す必要がある。この切り離し
は、ゲートバスライン突出部２５の根元部にレーザー光
を照射して実現される。

【００４４】本実施例のアクティブマトリクス表示装置
は上記実施例同様にして制作され、また点欠陥の修復は
、ゲートバスライン突出部２５をゲートバスライン２１
ａから切り離した後（又はその前）に、上記実施例同様
の２箇所の位置にレーザー光を照射して行われる。

【００４５】図５は本発明の更に他の実施例を示してお
り、この実施例では、各絵素電極４１が付加容量７２を
有する構成をとる。付加容量７２は、ゲートバスライン
２１に平行に設けられた付加容量バスライン２６と、絵
素電極４１との間に介在される前記ゲート絶縁膜１３と
で構成される。今少し説明すると、ゲートバスライン２
１が絵素電極４１に重畳され、ゲートバスライン２１と
絵素電極４１との重畳部に図中斜線で示す付加容量７２
が形成される。付加容量バスライン２６は上記ゲートバ
スライン２１と同じ金属を積層し、ゲートバスライン２
１のパターニングの際に同時に形成される。

【００４６】本実施例では、付加容量バスライン２４に
上記対向電極３と同じ信号が入力されるようになってい
る。従って、付加容量４２は電気回路的には絵素電極４
１とガラス基板２との間に封入される液晶１８の液晶容
量に並列に設けられることになる。このような付加容量
４２の存在により、絵素電極４１の電荷保持能力が向上
し、結局、表示装置としての性能を向上できることにな
る。

【００４７】本実施例では導電体部が付加容量バスライ
ン２６から絵素電極４１側に向けて突出形成された付加
容量バスライン突出部２７で形成される構成をとる。こ
の実施例における点欠陥の修復は、図４に示される実施
例同様にして行われる。

【００４８】なお、上記各実施例ではスイッチング素子
としてＴＦＴを用いたが、ＭＯＳトランジスタ素子等の
他のスイッチング素子を用いることもできる。また、Ｔ
ＦＴの構造についても上記実施例のものに限定されず、
ソースバスラインを下面に配置し、ゲートバスラインを
上面に配置した構造であってもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上の本発明アクティブマトリクス表示
装置の冗長構造によれば、点欠陥の修復後における上下
の導電体の接続確率を大きくできる。従って、上下の導
電体を確実に導通することができる。また、導電体が四
散することがない。それ故、製品の歩留りを向上でき、
コストダウンを図る上で都合のよいものになる。

【００５０】また、特に請求項２記載のアクティブマト
リクス表示装置によれば、絶縁特性を向上できる利点が
ある。

【００５１】また、特に請求項３記載のアクティブマト
リクス表示装置によれば、表示特性を向上できる利点が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリクス表示装置の平面
図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１のＢ部拡大図。

【図４】本発明の他の実施例を示す平面図。

【図５】本発明の更に他の実施例を示す平面図。

【図６】従来例を示す平面図。

【図７】他の従来例を示す平面図。

【図８】従来例の欠点を示す平面図。

【符号の説明】

１　　絵素電極が配設される側のガラス基板２　　対向
電極が配設される側のガラス基板３　　対向電極 １３　　ゲート絶縁膜 １８　　液晶 ２１（２１ａ）　　ゲートバスライン ２２　　ゲートバス支線 ２３　　ソースバスライン ２４　　ソースバスライン突出部 ２５　　ゲートバスライン突出部 ２６　　付加容量バスライン ２７　　付加容量バスライン突出部 ３１　　ＴＦＴ ３２　　ソース電極 ３３　　ドレイン電極 ４１　　絵素電極 ４７　　導電体部 ４８　　導電体片 ５１　　レーザー光の照射領域 ５２　　接続部における周長を示す網掛け線７２　　付
加容量

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上に
   走査線および信号線を格子状に配線し、該走査線および
   信号線で囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設すると
   共に、該絵素電極と該走査線および信号線にそれぞれス
   イッチング素子を接続したアクティブマトリクス液晶表
   示装置において、該絵素電極に向けて該信号線から突出
   形成され、該絵素電極と電気的に非接触の信号線突出部
   と、該信号線突出部に一端側が絶縁膜を介して重畳され
   、該信号線、該走査線および該絵素電極と電気的に非接
   触の導電体部と、該導電体部の他端側に、他端末部を完
   全に覆うようにして絶縁膜を介して重畳され、該絵素電
   極に電気的に接触し、且つ該信号線突出部と電気的に非
   接触の導電体片とを備えたアクティブマトリクス表示装
   置。
2. 【請求項２】前記導電体部が前記走査線に隣接する走査
   線から前記絵素電極に向けて突出形成された走査線突出
   部である請求項１記載のアクティブマトリクス表示装置
   。
3. 【請求項３】前記導電体部が前記絵素電極の下部に付加
   容量を形成する付加容量バスラインから該絵素電極に向
   けて突出形成された付加容量バスライン突出部である請
   求項１記載のアクティブマトリクス表示装置。