JP2002015678A - カラー陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 地磁気によるミスランディングを防ぎ色ズレ
のないカラー陰極線管を提供する。 【解決手段】 マスクフレーム３１にシャドウマスク１
と内部磁気シールド２とが保持され、マスクフレーム３
１にエレクトロンシールド部３３が設けられたカラー陰
極線管において、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０
〔Ｏｅ〕）におけるエレクトロンシールド部３３の少な
くとも一部の非履歴透磁率を、シャドウマスク１、マス
クフレーム３１および内部磁気シールド２の各非履歴透
磁率より小さくする。エレクトロンシールド部３３の磁
気抵抗が増加するので、エレクトロンシールド部３３の
管軸側端部からの漏れ磁界を減少できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカラー陰極線管に関
する。より詳しくは、画質、特に色均一性を向上するた
めにマスクフレームの構造に特徴を有するカラー陰極線
管に関する。

【０００２】

【従来の技術】カラー陰極線管は、図１７に示すよう
に、内面に蛍光体スクリーン１４が形成された前面パネ
ルとファンネルとからなるガラスバルブ１３のネック部
内に電子銃８１が設けられ、蛍光体スクリーン１４に
は、マスクフレーム３１に架張されたシャドウマスク１
が対置している。マスクフレーム３１は、断面が略Ｌ字
型であり、シャドウマスク１が架張され、ガラスバルブ
１３に固定される部分と、シャドウマスク１とほぼ平行
にガラスバルブ１３の管軸（中心軸）側に張り出す内側
張出部３２とからなる。内側張出部３２には内部磁気シ
ールド２が固定される。

【０００３】電子銃８１からのＲ（赤）、Ｇ（緑）およ
びＢ（青）の三色に対応する電子ビーム５が前面パネル
直前のシャドウマスク１を通過し、その際の入射角によ
って前面パネルに射突する位置を制限できる。したがっ
て前面パネル内面をそれぞれの射突位置に応じてＲ、Ｇ
およびＢの蛍光体で塗り分けることにより、幾何学的に
色選別を行ない、蛍光体スクリーン１４上にカラー画像
を形成することができる。

【０００４】ところで、通常のカラー陰極線管では、蛍
光体スクリーン上の画面全域に画像を描くようにオーバ
ースキャン方式により画像を再生している。そのオーバ
ースキャン量は、蛍光体スクリーンに対して水平、垂直
方向にそれぞれ１０５〜１１０〔％〕程度である。この
ようにオーバースキャン方式により蛍光体スクリーンを
走査すると、図１８に示したように、オーバースキャン
した電子ビーム５の一部がシャドウマスク１を保持する
マスクフレーム３１などに衝突し、その反射ビームが蛍
光体スクリーン１４に入射して所定以外の蛍光体層を発
光させ、画像の色純度やコントラストを低下させ、画質
を劣化させる。

【０００５】そのため、従来よりこの反射ビームによる
画質の劣化を防止するため、図１９に示すようにマスク
フレーム３１の内側張出部３２の管軸側端部にエレクト
ロンシールド部３３を形成したり、図２０に示すように
内部磁気シールド２とマスクフレーム３１の内側張出部
３２との間に、マスクフレーム３１から管軸側に突き出
すようにエレクトロンシールド部３３を取り付けたりす
ることがおこなわれてきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来エ
レクトロンシールド部３３は磁性体で形成されてきたた
め、８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）程度の地磁気が
存在する中に陰極線管を設置した場合、エレクトロンシ
ールド部３３の先端部からの漏れ磁界の影響で、電子ビ
ーム軌道が偏向されて所望する位置の蛍光体層を射突し
ない現象（ミスランディング）が発生することがあっ
た。

【０００７】本発明の目的は、地磁気によるミスランデ
ィングを防ぎ色ズレのないカラー陰極線管を提供するこ
とである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のカラー陰極線管は、マスクフレームと、前
記マスクフレームに固定されたシャドウマスクと、前記
マスクフレームに保持された内部磁気シールドと、前記
マスクフレームに設けられたエレクトロンシールド部と
を備えたカラー陰極線管において、印加磁界が８００
〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における前記エレクトロン
シールド部の少なくとも一部の非履歴透磁率が、前記シ
ャドウマスク、前記マスクフレームおよび前記内部磁気
シールドの各非履歴透磁率に比べて小さいことを特徴と
する。

【０００９】この構成によれば、エレクトロンシールド
部の磁気抵抗が増すので、エレクトロンシールド部の先
端部へ流れる磁束を減少させることができ、エレクトロ
ンシールド部の先端部からの漏れ磁界を減少できる。従
って、地磁気によるミスランディングを減少させ色ズレ
のないカラー陰極線管を提供することができる。

【００１０】また、前記エレクトロンシールド部は、前
記マスクフレームの電子ビーム寄りの先端部を延長する
ように形成されたものであることが好ましい。

【００１１】あるいは、前記エレクトロンシールド部
は、前記マスクフレームとは別部材からなり、前記マス
クフレームの電子ビーム寄りの先端部からさらに突き出
すように設けられていることが好ましい。

【００１２】また、前記エレクトロンシールド部は、そ
の一部にそれ以外の部分に比べて、印加磁界が８００
〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小
さい領域を有することが好ましい。

【００１３】この構成によれば、内部磁気シールドから
マスクフレームを経てエレクトロンシールド部の先端部
へ流れる磁束を整流することができ、エレクトロンシー
ルド部の先端部からの漏れ磁界を減少できる。

【００１４】また、前記マスクフレームは、断面がＬ字
型であるＬ字型部材と、前記Ｌ字型部材と組み合わされ
る補強部材とからなり、前記補強部材は、その一部にそ
れ以外の部分に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕
（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい領域を
有することが好ましい。

【００１５】この構成によれば、内部磁気シールドから
マスクフレームの補強部材へ流れる磁束を整流すること
ができ、マスクフレームの補強部材からの漏れ磁界を減
少できる。

【００１６】また、電子ビームを蛍光体スクリーンに対
して１００〔％〕スキャンしたときに、前記エレクトロ
ンシールド部と前記電子ビームの軌道との間の最小距離
が８〔ｍｍ〕以上であることが好ましい。

【００１７】この構成によれば、電子ビームが漏れ磁界
の小さい領域を通過するので、ミスランディングを更に
減少させることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。本発明の陰極線管は、マスクフレ
ーム近傍の構造に特徴を有するものである。陰極線管の
基本構造は図１７に示す従来の陰極線管と同様であるの
で、以下、全体の説明は省略し、マスクフレーム近傍の
主要部分について詳細に説明する。

【００１９】（実施の形態１）図１は、本発明のカラー
陰極線管の断面のうち、マスクフレーム３１の付近を拡
大して示す。

【００２０】マスクフレーム３１は、断面が略Ｌ字型で
あり、シャドウマスク１が架張され、ガラスバルブ１３
に固定（固定具は図示せず）される部分と、シャドウマ
スク１とほぼ平行にガラスバルブ１３の管軸（中心軸）
側に張り出す内側張出部３２とからなる。マスクフレー
ム３１には、内部磁気シールド２が固定される（内側張
出部３２に設けられる固定具は図示せず）。

【００２１】内側張出部３２の管軸側端部に、そのほぼ
全長にわたって、内側張出部３２を延長するように、内
側張出部３２とほぼ同じ厚さの帯状のエレクトロンシー
ルド部３３が設けられている。印加磁界が８００〔Ａ／
ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）（地磁気に相当）におけるエレク
トロンシールド部３３の全部または一部の非履歴透磁率
が、シャドウマスク１、マスクフレーム３１、および内
部磁気シールド２に比べて小さいことが、本実施の形態
の特徴である。

【００２２】ここで、「非履歴透磁率」とは、非履歴磁
化モデルによってヒステリシスを発生させ、交流減衰磁
界がゼロになったときのヒステリシス上の収束点の磁束
密度Ｂと直流磁界Ｈで定義できる実効的な比透磁率をい
い、次の式で表される。

【００２３】μμ＝（１／μ₀）×（Ｂ／Ｈ） ここで、μ₀は真空中の透磁率である。非履歴透磁率に
ついては、たとえば、電子情報通信学会論文誌Ｃ−II
Ｖｏｌ．Ｊ７９−Ｃ−II Ｎｏ．６ ｐｐ．３１１−３
１９（１９９６年６月）に記述されている。

【００２４】図２および図３は、マスクフレーム３１に
おける磁界の作用を示す。図２は従来例を示し、内側張
出部３２の管軸側端部に内側張出部３２と一体のエレク
トロンシールド部を有するが、その非履歴透磁率は内側
張出部３２と同一である。図３は本実施の形態の構成に
よるものである。それぞれマスクフレーム３１の内側張
出部３２に設けられたエレクトロンシールド部からの漏
れ磁界の様子を矢印６１，６２で示している。矢印の太
さは漏れ磁界の大小に対応している。

【００２５】図２の従来例では、内部磁気シールド２を
経てマスクフレーム３１へ流れ込んだ磁束が、内側張出
部３２からシャドウマスク１へ向けて真空中へ漏れる
（漏れ磁界６１）。一方、図３に示す本発明では、内側
張出部３２の管軸側端部に設けたエレクトロンシールド
部３３の少なくとも一部の非履歴透磁率が、印加磁界が
８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）においてシャドウマ
スク１、マスクフレーム３１、および内部磁気シールド
２の非履歴透磁率に比べ小さいので、エレクトロンシー
ルド部３３とシャドウマスク１との間の磁気抵抗が高ま
り、漏れ磁界６２は減少する。したがって、ミスランデ
ィングを低減できる。

【００２６】非履歴透磁率の異なる部材の固定方法とし
ては、溶接、ねじ止め、クランピングスプリングによる
方法等がある。また図１では、内側張出部３２に対して
一定の角度をもってエレクトロンシールド部３３が固定
されているが、適度な角度をつけることにより、エレク
トロンシールド部３３に衝突し反射する電子ビームの軌
道を制限でき、ハレーションの発生を防止することがで
きる。

【００２７】本実施の形態では、印加磁界が８００〔Ａ
／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が、内部
磁気シールド２が１２０００程度（軟鉄）、マスクフレ
ーム３１が２２００程度（Ｆｅ−３６Ｎｉ、Ｆｅ−４２
Ｎｉ等）、シャドウマスク１が２０００程度（５７０〜
６４０℃程度で熱処理したＦｅ−３６Ｎｉ等）、エレク
トロンシールド部３３が１８００程度（鉄）の材料を用
いた。１８００程度の非履歴透磁率は、シャドウマスク
に用いた鉄材（Ｆｅ−３６Ｎｉ）を比較的低温（４５０
〔℃〕以下）で熱処理することにより得た。

【００２８】内側張出部３２の管軸側端部からのエレク
トロンシールド部３３の突き出し長さを２０〔ｍｍ〕と
したところ、内側張出部３２を同量だけ延長させた図２
に比べて、ミスランディングが２〔μｍ〕以上低減され
た。

【００２９】なお、エレクトロンシールド部３３の材料
としては、上記以外にステンレス鋼（ＳＵＳ）やアルミ
ニウムを使用することができる。これらの材料の印加磁
界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴
透磁率は１程度である。

【００３０】（実施の形態２）図４に示すように、本実
施の形態では、マスクフレーム３１の内側張出部３２の
電子銃側の面に、厚さ０．１〜０．３〔ｍｍ〕程度の薄
板からなるエレクトロンシールド部３３が、内側張出部
３２のほぼ全長にわたって、内側張出部３２の管軸側端
部より３０〔ｍｍ〕程度管軸側に突き出すように設けら
れている。エレクトロンシールド部３３の材料は、内部
磁気シールド２の材料と同じ軟鉄である。エレクトロン
シールド部３３の管軸側の先端部はやや電子銃側に曲げ
られてハレーションの発生を防止している。エレクトロ
ンシールド部３３の印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０
〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率はエレクトロンシール
ド部３３の全体で一様ではなく、その一部８の非履歴透
磁率がそれ以外の部分の非履歴透磁率に比べて小さい。
本実施の形態では、一部８に特定の材料の部材を設ける
かわりに、エレクトロンシールド部３３の一部８を空隙
（長方形の孔）としている。

【００３１】図５は従来のエレクトロンシールド部３３
を、また、図６は本実施の形態のエレクトロンシールド
部３３を、それぞれ電子銃側から見た場合の磁束の様子
を示す。図５に示す従来例では、エレクトロンシールド
部３３は空隙を有さず、非履歴透磁率は全体で一様であ
る。図６は本実施の形態によるものであり、空隙８を有
する以外は図５と同一構成である。図５，図６では、図
面を簡略化するために、上側の長辺における磁束の様子
のみを図示している。

【００３２】図５の従来例の構成では、エレクトロンシ
ールド部３３を流れる磁束が、エレクトロンシールド部
３３からシャドウマスク１へ向けて真空中に漏れる。図
中に矢印で、エレクトロンシールド部３３内を流れる磁
束と、エレクトロンシールド部３３からの漏れ磁界６１
の様子を示している。一方、図６の本発明では、内部磁
気シールド２からエレクトロンシールド部３３先端へ流
れる磁束（図中の矢印）が空隙８により整流されて、エ
レクトロンシールド部３３の空隙８よりも管軸側（内
側）を流れる磁束を少なくすることができる。従って、
従来の構成（図５）に比べてエレクトロンシールド部３
３の先端部からの漏れ磁界６２を減少できるので、ミス
ランディングを減少できる。

【００３３】本実施の形態では、幅４０〔ｍｍ〕のエレ
クトロンシールド部３３の内側端から５〔ｍｍ〕の位置
に、幅２〔ｍｍ〕、長さ２５〔ｍｍ〕の長方形の空隙８
を設けたところ、スクリーン上のミスランディングは２
〔μｍ〕以上低減された。空隙８の非履歴透磁率は約１
である。

【００３４】また、図７に示すように、エレクトロンシ
ールド部３３のコーナー部に幅２〔ｍｍ〕のＬ字状の空
隙８を設けたところ、スクリーン上のコーナー部のミス
ランディングが２〔μｍ〕以上低減された。

【００３５】なお、空隙８を開口状態にしておくのでは
なく、空隙８を、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０
〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が、シャドウマスク
１、マスクフレーム３１，及び内部磁気シールド２の各
非履歴透磁率よりも小さい材料で封印しても良い。その
ような材料としては、例えば実施の形態１でエレクトロ
ンシールド部３３に用いた材料を使用することができ
る。

【００３６】非履歴透磁率が小さい部材または空隙は、
漏れ磁界を小さくしたい場所に、適当な大きさのもの
を、適当な個数だけ設ければよい。

【００３７】図５〜図７ではエレクトロンシールド部３
３内を水平方向に流れる磁束を示したが、これ以外の方
向の磁束に対しても、本実施の形態は上記と同様の効果
を奏する。

【００３８】（実施の形態３）図８に示すように、本実
施の形態では、内側張出部３２の管軸側端部に、そのほ
ぼ全長にわたって、内側張出部３２を延長するように、
内側張出部３２とほぼ同じ厚さの帯状のエレクトロンシ
ールド部３３が設けられている。エレクトロンシールド
部３３の材料は、マスクフレーム３１の材料と同じＦｅ
−３６ＮｉやＦｅ−４２Ｎｉ等である。エレクトロンシ
ールド部３３のうち一部９の非履歴透磁率が、印加磁界
が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）（地磁気に相当）
において、エレクトロンシールド部３３の他の領域の非
履歴透磁率よりも小さい。具体的には、該一部９に複数
個の孔を設けて空隙としている。

【００３９】図９は従来の内側張出部３２及びエレクト
ロンシールド部３３を、また、図１０は本実施の形態の
内側張出部３２およびエレクトロンシールド部３３を、
それぞれ電子銃側から見た場合の磁束の様子を示したも
のである。図９の従来例では、エレクトロンシールド部
３３の全域にわたって非履歴透磁率は一様である。図１
０は本実施の形態の構成によるものであり、エレクトロ
ンシールド部３３に空隙９を有する以外は図９と同一構
成である。図９，図１０では、図面を簡略化するため
に、上側の長辺に設けられたエレクトロンシールド部３
３のみを図示しているが、エレクトロンシールド部３３
は実際には内側張出部３２の管軸側端部に全周にわたっ
て設けられている。また、図９，図１０では上側の長辺
における磁束の様子のみを示している。

【００４０】図９の従来例の構成では、内側張出部３２
を流れる磁束が、エレクトロンシールド部３３からシャ
ドウマスク１へ向けて真空中に漏れる。図９中に、内側
張出部３２内及びエレクトロンシールド部３３内を流れ
る磁束と、エレクトロンシールド部３３からの漏れ磁界
６１とを矢印で示している。一方、図１０の本発明で
は、エレクトロンシールド部３３の長辺側の一部に複数
個の空隙（孔）９を設け、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕
（１０〔Ｏｅ〕）における空隙９の非履歴透磁率をその
他の部分に比べて小さくすることにより、内部磁気シー
ルド２からマスクフレーム３１を経てエレクトロンシー
ルド部３３先端へ流れる磁束が非履歴透磁率を小さくし
た部分（空隙９）によって整流されて、非履歴透磁率を
小さくした部分より管軸側に流れる磁束を小さくするこ
とができる。従って、従来の構成（図９）に比べてエレ
クトロンシールド部３３先端部からの漏れ磁界６２を減
少できるので、ミスランディングを減少できる。

【００４１】本実施の形態では、直径８〔ｍｍ〕の円形
の空隙９を、エレクトロンシールド部３３の長辺の中央
部近傍の４箇所に設けたところ、スクリーン上のミスラ
ンディングが２〔μｍ〕以上低減された。

【００４２】空隙９の個数、位置、形状は、目的に応じ
て適当に設定すればよい。

【００４３】また、空隙９を開口状態にしておくのでは
なく、空隙９を、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０
〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が、シャドウマスク
１、マスクフレーム３１、及び内部磁気シールド２の各
非履歴透磁率よりも小さい材料で封印しても良い。その
ような材料としては、例えば実施の形態１でエレクトロ
ンシールド部３３に用いた材料を使用することができ
る。

【００４４】（実施の形態４）図１１に示すように、本
実施の形態では、内側張出部３２の管軸側端部にエレク
トロンシールド部３３を設けるとともに、マスクフレー
ム３１の断面が三角形になるように板材からなる補強部
材３４をマスクフレーム３１の全長にわたって、または
一部に組み合わせている。補強部材３４は、管軸側（エ
レクトロンシールド３３側）の端部にあたる一部１０が
その全長にわたって非磁性材料からなり、一部１０の印
加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非
履歴透磁率が他の領域の非履歴透磁率に比べて小さい。

【００４５】図１２および図１３は、図２および図３と
同様に、マスクフレーム３１における磁界の作用を概念
的に示す。図１２は参考例であり、実施の形態１（図
１）と同様に内側張出部３２の管軸側端部にエレクトロ
ンシールド部３３を有するが、補強部材３４は単一の材
料からなっている。図１３は本実施の形態の構成による
ものであり、補強部材３４を上記のように構成した以外
は図１２と同一構成である。図中の矢印はエレクトロン
シールド部３３からの漏れ磁界の様子を示し、矢印の太
さが磁界の強さを示す。

【００４６】図１２の参考例の構成では、エレクトロン
シールド部３３を流れる磁束が、エレクトロンシールド
部３３および補強部材３４からシャドウマスク１へ向け
て真空中に漏れる（漏れ磁界６２）。一方、図１３の本
実施の形態では、補強部材３４の一部にその周辺部に比
べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）に
おける非履歴透磁率が小さい部分１０を設けることによ
り、内部磁気シールド２から内側張出部３２を経て補強
部材３４へ流れる磁束を整流して少なくすることができ
る。このため、補強部材３４からの漏れ磁界６３を更に
減少できるので、ミスランディングを更に減少できる。

【００４７】本実施の形態では、長辺側のマスクフレー
ム３１の全長にわたって設けた補強部材３４の長手方向
の中央部分を幅３０〔ｍｍ〕、長さ（マスクフレーム３
１の長手方向の長さ）５０〔ｍｍ〕の大きさに切り欠い
て、該切り欠き部分にステンレス鋼（非履歴透磁率が１
程度）を接続することにより、スクリーン上のミスラン
ディングが図１２の構成より２〔μｍ〕以上低減され
た。

【００４８】補強部材３４以外の各部材の材料は、実施
の形態１と同様の材料を使用すればよい。例えば、内部
磁気シールド２として印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１
０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が１２０００程度の
軟鉄を、マスクフレーム３１として該非履歴透磁率が２
２００程度のＦｅ−３６Ｎｉ又はＦｅ−４２Ｎｉ等を、
シャドウマスク１として該非履歴透磁率が２０００程度
の５７０〜６４０℃程度で熱処理したＦｅ−３６Ｎｉ等
を、エレクトロンシールド部３３として該非履歴透磁率
が１８００程度の４５０℃程度で熱処理したＦｅ−３６
Ｎｉを、それぞれ用いることができる。

【００４９】また、実施の形態３に示したように、エレ
クトロンシールド部３３の一部９の、印加磁界が８００
〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率を他
の部分の非履歴透磁率より小さくした構成（図８参照）
に、本実施の形態の上記補強部材３４を組み合わせても
良い。このとき、エレクトロンシールド部３３の材料と
して実施の形態３と同様にマスクフレーム３１と同一材
料を用いても良く、あるいは実施の形態１と同様の材料
としても良い。

【００５０】更に、実施の形態２に示した薄板のエレク
トロンシールド部３３を備えたマスクフレーム３１（図
４参照）に、本実施の形態の補強部材３４を組み合わせ
ても良い。

【００５１】補強部材３４の形態は、本実施の形態のも
のには限らず、その一部の非履歴透磁率が他の部分の非
履歴透磁率より小さくなるように構成されていればよ
い。

【００５２】（実施の形態５）図１４に示すように、本
実施の形態では、マスクフレーム３１の内側張出部３２
の管軸側端部に、全長にわたって幅２０〔ｍｍ〕の帯状
のエレクトロンシールド部３３を有している。電子ビー
ム５を蛍光体スクリーン１４に対して１００〔％〕スキ
ャンしたときに、電子ビーム５とエレクトロンシールド
部３３との間の最小距離ｄが８〔ｍｍ〕以上であること
を特徴とする。このようにすることで、蛍光体スクリー
ン上での電子ビームのミスランディングを低減できる。

【００５３】図１５および図１６は、マスクフレーム３
１における磁界の作用を概念的に示し、図１５は上記最
小距離ｄ＝６［ｍｍ］の場合、図１６は上記最小距離ｄ
＝１０［ｍｍ］の場合を示す。本実施の形態による効果
を容易に理解できるように、図１５及び図１６のいずれ
の場合も、エレクトロンシールド部３３及びマスクフレ
ーム３１には同一材料を用いている。従って、図１５及
び図１６に示したエレクトロンシールド部３３からシャ
ドウマスク１への漏れ磁界６１の様子は同一である。電
子ビーム５を１００〔％〕スキャンした場合、図１５の
構成では、電子ビーム５がエレクトロンシールド部３３
の近傍を通過するので、漏れ磁界６１によりその軌道が
曲げられて大きなミスランディングが発生する。一方、
図１６の構成では、電子ビーム５を１００〔％〕スキャ
ンした場合でも、漏れ磁界６１の比較的弱い領域を電子
ビーム５が通過するので、ミスランディングが低減され
る。具体的には、図１６の構成は図１５の構成に対して
蛍光体スクリーン上でのミスランディング量を３〔μ
ｍ〕以上低減することができた。

【００５４】電子ビーム５を蛍光体スクリーン１４に対
して１００〔％〕スキャンしたときに、エレクトロンシ
ールド部３３と電子ビーム５の軌道との間の最小距離ｄ
を８〔ｍｍ〕以上確保するという本実施の形態の構成
は、上述の実施の形態１〜４のいずれとも組み合わせる
ことができ、これにより蛍光体スクリーン１４上でのミ
スランディングをより一層低減することができる。従っ
て、本実施の形態における各部材の材料は、前記各実施
の形態で説明したものを適宜選択して使用できる。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、エレクトロンシールド
部の磁気抵抗が増すので、エレクトロンシールド部の先
端部へ流れる磁束を減少させることができ、エレクトロ
ンシールド部の先端部からの漏れ磁界を減少できる。従
って、地磁気によるミスランディングを減少させ色ズレ
のないカラー陰極線管を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１のカラー陰極線管の要部
拡大断面図

【図２】従来のエレクトロンシールド部における磁界の
作用を示した概念図

【図３】本発明の実施の形態１のエレクトロンシールド
部における磁界の作用を示した概念図

【図４】本発明の実施の形態２のカラー陰極線管の要部
拡大断面図

【図５】従来のエレクトロンシールド部における磁束の
様子を示した概念図

【図６】本発明の実施の形態２のエレクトロンシールド
部における磁束の様子を示した概念図

【図７】本発明の実施の形態２の他の実施例に係るエレ
クトロンシールド部における磁束の様子を示した概念図

【図８】本発明の実施の形態３のカラー陰極線管の要部
拡大断面図

【図９】従来のマスクフレームの内側張出部における磁
束の様子を示した概念図

【図１０】本発明の実施の形態３に係る内側張出部にお
ける磁束の様子を示した概念図

【図１１】本発明の実施の形態４のカラー陰極線管の要
部拡大断面図

【図１２】本発明の実施の形態４の構成を具備しない場
合の補強部材付近における磁界の作用を示した概念図

【図１３】本発明の実施の形態４に係る補強部材付近に
おける磁界の作用を示した概念図

【図１４】本発明の実施の形態５のカラー陰極線管の要
部拡大断面図

【図１５】エレクトロンシールド部近傍を通過する電子
ビーム対するエレクトロンシールド部からの漏れ磁界の
作用を示した概念図

【図１６】エレクトロンシールド部から離れた領域を通
過する電子ビームに対するエレクトロンシールド部から
の漏れ磁界の作用を示した概念図

【図１７】カラー陰極線管（装置）の概略断面図

【図１８】オーバースキャンした電子ビームの軌道を示
す概念図

【図１９】従来のカラー陰極線管のエレクトロンシール
ド部付近を示す要部拡大断面図

【図２０】従来のエレクトロンシールド部の他の例を示
す要部拡大断面図

【符号の説明】 １ シャドウマスク ２ 内部磁気シールド ５ 電子ビーム ８ エレクトロンシールド部の一部（空隙） ９ エレクトロンシールド部の一部（空隙） １０ 補強部材の一部 １４ 蛍光体スクリーン ３１ マスクフレーム ３２ 内側張出部 ３３ エレクトロンシールド部 ３４ 補強部材 ６２，６３ 漏れ磁界

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクフレームと、前記マスクフレーム
   に固定されたシャドウマスクと、前記マスクフレームに
   保持された内部磁気シールドと、前記マスクフレームに
   設けられたエレクトロンシールド部とを備えたカラー陰
   極線管において、 印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における
   前記エレクトロンシールド部の少なくとも一部の非履歴
   透磁率が、前記シャドウマスク、前記マスクフレームお
   よび前記内部磁気シールドの各非履歴透磁率に比べて小
   さいことを特徴とするカラー陰極線管。
2. 【請求項２】 前記エレクトロンシールド部は、前記マ
   スクフレームの電子ビーム寄りの先端部を延長するよう
   に形成されている請求項１に記載のカラー陰極線管。
3. 【請求項３】 前記エレクトロンシールド部は、前記マ
   スクフレームとは別部材からなり、前記マスクフレーム
   の電子ビーム寄りの先端部からさらに突き出すように設
   けられている請求項１に記載のカラー陰極線管。
4. 【請求項４】 前記エレクトロンシールド部は、その一
   部にそれ以外の部分に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／
   ｍ〕（１０〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい領
   域を有する請求項１に記載のカラー陰極線管。
5. 【請求項５】 前記マスクフレームは、断面がＬ字型で
   あるＬ字型部材と、前記Ｌ字型部材と組み合わされる補
   強部材とからなり、前記補強部材は、その一部にそれ以
   外の部分に比べて、印加磁界が８００〔Ａ／ｍ〕（１０
   〔Ｏｅ〕）における非履歴透磁率が小さい領域を有する
   請求項１に記載のカラー陰極線管。
6. 【請求項６】 電子ビームを蛍光体スクリーンに対して
   １００〔％〕スキャンしたときに、前記エレクトロンシ
   ールド部と前記電子ビームの軌道との間の最小距離が８
   〔ｍｍ〕以上である請求項１に記載のカラー陰極線管。